JPH01256185A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH01256185A JPH01256185A JP8450988A JP8450988A JPH01256185A JP H01256185 A JPH01256185 A JP H01256185A JP 8450988 A JP8450988 A JP 8450988A JP 8450988 A JP8450988 A JP 8450988A JP H01256185 A JPH01256185 A JP H01256185A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
〔従来の技術Ｊ
第２図は従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面図で
、図において、（１）はｎ形ＩｎＰ基板、（２〕は工ｎ
ＧａＡｓＰからなる活性層、（３）はＰ形よりＰ ％（
４）はＰ形ＩＤＰからなる埋め込み層、（５）はｎ形Ｉ
ｎＰからなるブロック層、（６）はＰ彫工りＰ ｓ （
７）はＰ彫工ｏＧａＡａＰ、（８）は５１０２、（９）
はＰｇｌｌＩ電極、（１０）はＤ側電極である。
、図において、（１）はｎ形ＩｎＰ基板、（２〕は工ｎ
ＧａＡｓＰからなる活性層、（３）はＰ形よりＰ ％（
４）はＰ形ＩＤＰからなる埋め込み層、（５）はｎ形Ｉ
ｎＰからなるブロック層、（６）はＰ彫工りＰ ｓ （
７）はＰ彫工ｏＧａＡａＰ、（８）は５１０２、（９）
はＰｇｌｌＩ電極、（１０）はＤ側電極である。
次に動作について説明する。ｐ＠電極（９）とｎ側を極
（１０）にリード線を取付け（図示せず）電流を流す。
（１０）にリード線を取付け（図示せず）電流を流す。
ある一定の電流値以上でレーザ発振する。
この際、高速応答に関与する寄生容量としては、ブロッ
ク層（５）の部分と、Ｓｉ ０２ （８）上（７） ！
極トＰ 彫工ｎＧａＡａＰ （７）で挾まれたＳｉ Ｏ
２（８）の部分に起因し、これがしゃ新局波数を決定す
る。
ク層（５）の部分と、Ｓｉ ０２ （８）上（７） ！
極トＰ 彫工ｎＧａＡａＰ （７）で挾まれたＳｉ Ｏ
２（８）の部分に起因し、これがしゃ新局波数を決定す
る。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
従来の半導体レーザ装置は以上の様に構成されてい九の
で、結晶成長工程が、ＤＨ層成長、埋め込み層成長の２
回が必要であシ、５１０２のストライプエツチングの必
要もあるなどの課題があった。
で、結晶成長工程が、ＤＨ層成長、埋め込み層成長の２
回が必要であシ、５１０２のストライプエツチングの必
要もあるなどの課題があった。
この発明は上記の様な課題を解消するためになされたも
ので、工程の簡略化ができるとともに、高速の半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
ので、工程の簡略化ができるとともに、高速の半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザ装置は陽極酸化などにより
酸化膜を形成したものである。
酸化膜を形成したものである。
１作用」
この発明における半導体レーザ装置の製造方法はレーザ
形成工程を簡略化し、また半導体レーザ装置の注入電流
に対する光出力の応答をよシ高遠にする。
形成工程を簡略化し、また半導体レーザ装置の注入電流
に対する光出力の応答をよシ高遠にする。
〔実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例である半導
体レーザ装置の製造工程を示す断面図で、図中、前記従
来のものと同一符号は同一につき説明を省略する。
体レーザ装置の製造工程を示す断面図で、図中、前記従
来のものと同一符号は同一につき説明を省略する。
第１図（ａ）−ｎ形１ｎＰ基板（１）上にＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層（２）、Ｐ形よりＰ（３）、Ｐ形１ｏＧａＡｓ
Ｐ （７）を形成する。
Ｐ活性層（２）、Ｐ形よりＰ（３）、Ｐ形１ｏＧａＡｓ
Ｐ （７）を形成する。
第１図（ｂ） −Ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み層（４）
の一部を幅数μｍのストライプ状にＰ形ＩｎＧａＡａＰ
（７）の厚さの一部エッチングする。
の一部を幅数μｍのストライプ状にＰ形ＩｎＧａＡａＰ
（７）の厚さの一部エッチングする。
第１図（Ｑ）−レジスト（１１）を塗布し、幅１〜２μ
ｍのメサストライブ形成を行う。このとき、メサストラ
イプを形成する部分の最上部のＰ形ＩｎＧａＡｓＰ（７
）は第１図（ｂ）において、エツチングした部分に相当
し、レジスト厚が厚くなるところでもある。
ｍのメサストライブ形成を行う。このとき、メサストラ
イプを形成する部分の最上部のＰ形ＩｎＧａＡｓＰ（７
）は第１図（ｂ）において、エツチングした部分に相当
し、レジスト厚が厚くなるところでもある。
ｍ ｌ 図（ｄ） −０２プラズマなどを用いて、レジ
スト（１１）をメサストライプ上部以外のレジストを除
去する。
スト（１１）をメサストライプ上部以外のレジストを除
去する。
第１図（ｅ）−陽＠酸化などを用いて、レジスト（１１
）で覆われていない部分の表面上に酸化物（１２）を形
成させる。
）で覆われていない部分の表面上に酸化物（１２）を形
成させる。
第１図（ｆ）−レジスト（１１）を除去しＰ側電極（９
）、ｒ］側電Ｗ１（１０）を形成する。
）、ｒ］側電Ｗ１（１０）を形成する。
次に動作について説明する。第１図（ｆ）において、Ｐ
（Ｉｌｌｌ電４ｉ［（９）、Ｎ側電極（１０）にリード
線を取付け（図示せず）、電流を流す。電流値がある値
を超えると、レーザ発振する。
（Ｉｌｌｌ電４ｉ［（９）、Ｎ側電極（１０）にリード
線を取付け（図示せず）、電流を流す。電流値がある値
を超えると、レーザ発振する。
なお、上記実施例ではｎ形ＩｎＰ基板（１）を用いた場
合について述べ九が、Ｐ形ＸｎＰ基板を用いかつ他の半
導体層の導電形を度転させたものでもよ６また、メサス
トライプ上部以外のＶシストｔ［去する方法として、メ
サストライプ上部以外にメサストライプの上部となる部
をエツチングしたが、他の方法を用いてメサストライプ
上部以外のレジストを除去してもよい。
合について述べ九が、Ｐ形ＸｎＰ基板を用いかつ他の半
導体層の導電形を度転させたものでもよ６また、メサス
トライプ上部以外のＶシストｔ［去する方法として、メ
サストライプ上部以外にメサストライプの上部となる部
をエツチングしたが、他の方法を用いてメサストライプ
上部以外のレジストを除去してもよい。
〔発明の効果Ｊ
以上の様にこの発明によれば、半導体レーザ装置の製造
工程が簡略化され、かつ、高速応答可能なものとなる。
工程が簡略化され、かつ、高速応答可能なものとなる。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例の各工程を
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を性層、
（３）はＰ形１ｎＰ埋め込み層、（７）はＰ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ 、 （９）はＰ側１を極、（１０）はＮ側電極
、（１１）はレジスト、（１２）は酸化領域である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 （Ｉ２） （Ｃ１ ＜ｄ） 第１図 Ｃｅ） 第２図 手続補正書（自発） 昭和６３年７ 月−１日 １、事件の表示 特願昭６３−８４５０９う２、発
明の名称 半導体レーザ装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 ＆ 補正の対象 （【）明細書の特許請求範囲の欄。 α 補正の内 （υ明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 ７、 添付書類の目録 （１）訂正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 半導体基板上に活性層、基板と異なる導電型のクラッド
層、クラッド層と同じ導電型のコンタクト層を形成し、
コンタク層をスライプ状に厚さの一部を薄くし、かかる
コンタクト層を薄くした部メサストライプ形成に用いた
レジストのうちメサストライプ上部以外のレジストを除
去し、陽極酸化などにより、レジストでおおわれていな
い部分の表面を酸化させた後、メサストライプ上のレジ
ストを除去し、表面及び裏面に電極金属を形成すること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を性層、
（３）はＰ形１ｎＰ埋め込み層、（７）はＰ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ 、 （９）はＰ側１を極、（１０）はＮ側電極
、（１１）はレジスト、（１２）は酸化領域である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 （Ｉ２） （Ｃ１ ＜ｄ） 第１図 Ｃｅ） 第２図 手続補正書（自発） 昭和６３年７ 月−１日 １、事件の表示 特願昭６３−８４５０９う２、発
明の名称 半導体レーザ装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 ＆ 補正の対象 （【）明細書の特許請求範囲の欄。 α 補正の内 （υ明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 ７、 添付書類の目録 （１）訂正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 半導体基板上に活性層、基板と異なる導電型のクラッド
層、クラッド層と同じ導電型のコンタクト層を形成し、
コンタク層をスライプ状に厚さの一部を薄くし、かかる
コンタクト層を薄くした部メサストライプ形成に用いた
レジストのうちメサストライプ上部以外のレジストを除
去し、陽極酸化などにより、レジストでおおわれていな
い部分の表面を酸化させた後、メサストライプ上のレジ
ストを除去し、表面及び裏面に電極金属を形成すること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Claims (1)
- 半導体基板上に活性層、基板と異なる導伝型のクラッ
ド層、クラッド層と同じ導電型のコンタクト層を形成し
、メサストライプ形成後、メサストライプ上部以外のレ
ジストを除去し、陽極酸化などにより、レジストでおお
われていない部分の表面を酸化させた後、メサストライ
プ上のレジストを除去し、表面及び裏面に電極金属を形
成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8450988A JPH01256185A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8450988A JPH01256185A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256185A true JPH01256185A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13832613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8450988A Pending JPH01256185A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256185A (ja) |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8450988A patent/JPH01256185A/ja active Pending
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