KR950012877A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950012877A KR1019930021464A KR930021464A KR950012877A KR 950012877 A KR950012877 A KR 950012877A KR 1019930021464 A KR1019930021464 A KR 1019930021464A KR 930021464 A KR930021464 A KR 930021464A KR 950012877 A KR950012877 A KR 950012877A
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Abstract

발진개시전류가 작고 고출력 동작이 가능한 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 국부적인 레이저 발진영역을 갖는 활성층과 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층을 갖는다. 또 상기 활성층은 상부, 하부, 좌측 및 우측면에 에너지캡이 크고 굴절률이 낮은 물질로 구성된 클래드층으로 둘러싸여 있다. 본 발명은 횡방향으로 광제한 효과가 향상되어, 발진개시 전류와 비점수차거리를 낮출수 있고 고출력을 용이하게 얻을 수 있다.

Description

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 개략적 단면도.
제3도 내지 제6도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 제작단계별 개략적 단면도.

Claims (5)

  1. 기판 상에 형성되며 국부적인 레이저 발진영역을 갖는 활성층과 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층을 갖춘 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 활성층은 상부, 하부, 좌측 및 우측면에 상기 활성층을 구성하는 물질에 비하여 에너지 캡이 크고 굴절률이 낮은 물질로 구성된 클래드층으로 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 GaInP로 구성되어 있고, 상기 클래드층은 AlGaInP로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 활성층의 하부에는 하부 클래드층이 마련되고 상부에는 상부 제1클래드층과 통전용이층이 형성되어, 상기 활성층, 상부 제1클래드층 및 통전용이층은 역메사 구조물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전류제한층은 상기 역메사 구조물 양측면에 형성된 제2의 상부 클래드층상에 마련되고, 높이는 상기 통전용이층과 같게 형성되어, 평탄면을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  5. 기판 상에 하부클래드층, 활성층, 상부 제1클래드층 및 통전용이층을 형성하는 단계; 상기 활성층, 상부 제1클래드층 및 통전용이층을 부분적으로 식각하여 상기 하부 클래드층 상부의 중앙 소정영역에 식각된 활성층, 상부 제1클래드층 및 통전용이층으로 구성된 역메사 구조물을 형성하는 단계; 상기 하부 클래드층상의 상기 역메사 구조물의 양측면에 상부 제2클래드층을 선택적으로 형성하는 단계; 및 상기 상부 제2클래드층 상에 선택적으로 전류제한층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021464A 1993-10-15 1993-10-15 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 KR100263934B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102638164B1 (ko) * 2023-09-07 2024-02-19 에이치티하이원 주식회사 제조 물품의 자동 이젝팅 및 로딩 시스템

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