KR920007286A - 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents

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KR920007286A
KR920007286A KR1019900015677A KR900015677A KR920007286A KR 920007286 A KR920007286 A KR 920007286A KR 1019900015677 A KR1019900015677 A KR 1019900015677A KR 900015677 A KR900015677 A KR 900015677A KR 920007286 A KR920007286 A KR 920007286A
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KR
South Korea
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semiconductor laser
laser diode
mesa
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KR1019900015677A
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English (en)
Inventor
임시종
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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내용 없음

Description

반도체 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 공정순서를 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 메사가 형성된 기판위에 전류제한층을 성장시키고 상기 메사보다 넓은 리지를 형성하여 리지와 메사에 걸쳐 형상의 홈을 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 홈은 면에서의 폭이 2~20㎛, 깊이는 0.1~5㎛로 그리고 중심부에서의 폭이 1~15㎛, 깊이는 0.5~6㎛로 함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900015677A 1990-09-29 1990-09-29 반도체 레이저 다이오드 KR920007286A (ko)

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