KR890013840A - 이중 스트라입을 가진 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

이중 스트라입을 가진 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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KR890013840A
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송재경
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강진구
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure

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Abstract

내용 없음.

Description

이중 스트라입을 가진 레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 립이 형성된 기판의 단면도.
제2도는 본 발명 Zn확산이 완료된 상태의 단면도.
제3도는 본 발명 레이저 다이오드의 단면도.

Claims (1)

  1. 레이저 다이오드를 제조함에 있어서 립(rib)이 형성된 기판(1)상에 단일 액상 에피탁시공정에 의하여 전류 차단층(2)을 성장한 후 멜트백 기법에 의하여 내부 스트라입(300)을 가지 정렬되게 형성함을 특징으로 한 이중 스트라입을 가진 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880001419A 1988-02-13 1988-02-13 이중 스트라입을 가진 레이저다이오드의 제조방법 KR910000370B1 (ko)

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