KR900017242A - 내로우-빔 반도체 레이저소자 - Google Patents
내로우-빔 반도체 레이저소자 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- P형 GaAs기판(1) 상부의 외측 미러측으로는 폭을 좁게, 내측미러측으로는 폭을 넓게 리지(1a)를 형성시키고, 그 리지(1a) 상부에 활성층(20)을 형성시킴으로 인하여 그 외측과 내측의 성장속도가 서로 다르게 형성되도록 구성된 것을 특징으로 하는 내로우-밈 반도체 레이저소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005857A KR900017242A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 내로우-빔 반도체 레이저소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005857A KR900017242A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 내로우-빔 반도체 레이저소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900017242A true KR900017242A (ko) | 1990-11-15 |
Family
ID=67776996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890005857A KR900017242A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 내로우-빔 반도체 레이저소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900017242A (ko) |
-
1989
- 1989-04-29 KR KR1019890005857A patent/KR900017242A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |