KR890015433A - 발광소자 어레이 - Google Patents

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KR890015433A
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김번중
안관열
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강진구
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

발광소자 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도의(가)~(라)는 본 발명 발광소자 어레이의 제조공정 단면도, 제 4 도의(가) 및 (나)는 본 발명 발광소자 어레이의 전극 형상 및 절연기관의 배선전극 형상도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판(12)의 에너지 갭이 활성층(11)의 에너지 갭 보다 작게하고 전곡(3) 및 공통전극(4)을 표면층(13) 및 활성층(11)의 한면에 각각 형성하며, 표면층(13) 및 활성층(11)의 접합에 의해 발광되는 빛이 전극(3) 및 공통전극(14)의 반대방향으로 발광됨을 특징으로 하는 발광소자 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서 반도체 기판(12)은 Ga1-x Alx As 이고 활성층(11)은 Ga1-y Aly As0yx1임을 특징으로 하는 발광소자 어레이.
  3. 제 1 항에 있어서 반도체 기판(12)은 GaP이고 활성층(11)은 GaAs1-zPz02임을 특징으로 하는 발광소자 어레이.
  4. 제 1 항에 있어서 반도체 기판(12)은 In1-xGaxAs1-yPy이고 활성층(11)은 In1-zGazAs1-wPw(0 x.Y.z.w 1)임을 특징으로 하는 발광소자 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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