KR940008176A - 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조 - Google Patents
분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 회절격차를 굴절율을 가이드용으로 리지의 측면에 형성하여 활성층과 일정한 거리가 유지되도록 하여 제조공정의 어려움을 해소하고, 굴절을 도파형 효과를 높일 수 있게 한 것에 목적을 둔것이다.
상기와 같은 목적을 가진 본 발명은 기판위에 제1클래드층과 활성층 및 제2클래드층을 순차적으로 성장시키는 결정층 성장공정과, 상기 제2클래드층 우에 회절격자모양의 산화막이나 포토레지스터를 형성한 다음 식각하여 경사면에 요철형 회절격자를 갖는 리지를 형성시키는 리지 형성공정과, 상기 리지위에 전류제한층과 캡층을 형성시키는 캡층형성공정과, 상기 전류제한캡층을 시각시키는 공정과, 상기 캡층에 전극을 형성시키는 전류형성공정으로 제조함을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조 공정도로서, (가)는 기판층위에 결정층을 성장시킨 사시도, (나)는 클래드층에 굴절율 가이드룔 리지형성과, 요철형 회절격차를 식각시킨 사시도, (다)는 전류제한층 선택적으로 성장시킨 단면도, (라)는 전류제한층 성장후 식각시킨 단면도.
제5도는 본 발명의 분포 귀환형 레이저 다이오드의 사시도.
Claims (3)
- 기판위의 제1클래이드층과 활성층 및 제2클래이드층을 순차적으로 성장시키는 결정층 성장공정과, 상기 제2클래드 층 위에 회절격자모양의 산화막이나 포토레지스터를 형성한 다음 식각하여 경사면에 요철형 회절격자를 갖는 리지를 형성시키는 리지형성공정과, 상기 리지윙 전류제한층 및 캡층을 형성시키는 캡층형성공정과, 상기 전류제한캡층을 식각시키는 캡층식각공정과, 상기 기판과 캡층에 전극을 형성시키는 전류형성공정으로 제조함을 특징으로 하는 분포귀환형 레이저 다이오드 제조방법.
- 분포 확산 레이저 다이오드를 형성함에 있어서, 활성층위에 상향으로 회절격자모양의 경사면에 요철형 회절격자를 갖는 리지와, 상기 리지위에 전류제한층과 캡층을 형성함을 특징으로 하는 분포 귀환형 레이저 다이오드 구조.
- 제2항에 있어서, 상기 리지는, 하향으로 회절격자 경사면을 갖고 경사면에 요철을 형성함을 특징으로 하는 분포 귀환형 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920016788A KR940008176A (ko) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940008176A true KR940008176A (ko) | 1994-04-29 |
Family
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Family Applications (1)
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| KR1019920016788A KR940008176A (ko) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940008176A (ko) |
-
1992
- 1992-09-16 KR KR1019920016788A patent/KR940008176A/ko not_active Application Discontinuation
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