KR950012907A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
전류제한 특성이 향상된 반도체 레이저소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 기판 상에 형성된 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층상에 형성된 GRIN-SCH층과, 상기 GRIN-SCH층상에 형성되고 중앙부위에 V자형홈을 갖는 제2 클래드층과, 상기 V자형 홈을 노출시키는 개구부를 갖는다. 또 상기 제2 클래드층의 중앙 부위상에 형성되어 있는 전류제한층과, 상기 전류한층상에 상기 전류제한층의 V자형 홈을 매립하면서 형성된 제3 클래드층으로 구성된 돌출부 형태의 릿지 구조물을 구비한다. 본 발명은 전류제한 효과의 극대화에 의하여 레이저 빔의 질적 향상을 가져오며 특히 광통신에 있어서 광섬유(optical fiber)와 레이저 빔과의 결합효율이 증대된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 개략적 단면도.
제3도 내지 제6도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 제작단계별 개략적 단면도.
Claims (5)
- 기판 상에 형성된 제1 클래드층;상기 제1 클래드층상에 형성된 GRIN-SCH층;상기 GRIN-SCH층상에 형성된 중앙부위에 V자형홈을 갖는 제2 클래드층; 및상기 V자형 홈을 노출시키는 개구부를 갖고, 상기 제2 클래드층의 중앙 부위상에 형성되어 있는 전류제한층 및 상기 전류한층상에 상기 전류제한층의 V자형 홈을 매립하면서 형성된 제3 클래드층으로 구성된 돌출부 형태의 릿지 구조물을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 V자형 홈은 2 ㎛ - 4㎛의 폭, 0.5 ㎛ - 0.8㎛의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자.
- 제1항에 있어서, 상기 릿지 구조물은 10 ㎛ - 15㎛의 폭, 2㎛의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 전류제한층은 0.2㎛- 0.5㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 기판상에 제1 클래드층, GRIN-SCH층, 제2 클래드층 및 전류제한층을 형성하는 단계;상기 제2클래드층의 중앙 부위에 V자형 홈과 상기 전류제한층에 상기 V자형홈을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;및 상기 전류제한층의 개구부와 상기 V자형 홈을 매립하는 제3 클래드층을 형성하는 단계;상기 전류제한층 및 상기 제3 클래드층을 부분적으로 식각하여 상기 V자형 홈을 중심으로 돌출부 형태의 릿지 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930022309A KR100265803B1 (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor laser and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930022309A KR100265803B1 (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor laser and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR950012907A true KR950012907A (ko) | 1995-05-17 |
KR100265803B1 KR100265803B1 (en) | 2000-09-15 |
Family
ID=19366558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930022309A KR100265803B1 (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor laser and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100265803B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100361593B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2002-11-22 | 주식회사일진 | 볼록 요철을 갖는 광학집적회로 소자, 그 제조방법, 그광학집적 회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신장치의 모듈 |
-
1993
- 1993-10-26 KR KR1019930022309A patent/KR100265803B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100361593B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2002-11-22 | 주식회사일진 | 볼록 요철을 갖는 광학집적회로 소자, 그 제조방법, 그광학집적 회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신장치의 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100265803B1 (en) | 2000-09-15 |
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