JPH1138274A - 光ファイバ固定基板、光モジュール、及び光ファイバ固定基板の製造方法 - Google Patents
光ファイバ固定基板、光モジュール、及び光ファイバ固定基板の製造方法Info
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- JPH1138274A JPH1138274A JP22417697A JP22417697A JPH1138274A JP H1138274 A JPH1138274 A JP H1138274A JP 22417697 A JP22417697 A JP 22417697A JP 22417697 A JP22417697 A JP 22417697A JP H1138274 A JPH1138274 A JP H1138274A
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- groove
- grooves
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】光ファイバを確実に整列固定できる光ファイバ
固定基板、及びその固定基板を迅速かつ容易に製造でき
る製造方法と、それを利用した光モジュールを提供す
る。 【解決手段】素線部とこの素線部を覆う被覆部を有する
光ファイバを整列固定するために、素線部を固定する第
１の溝と、この溝に連続し被覆部を固定する第２の溝を
有し、第１及び第２の溝をシリコンの異方性エッチング
により形成してなる光ファイバ固定基板を構成し、この
固定基板を用い、第１の溝に固定された素線部、第２の
溝に固定された被覆部を有する光ファイバ、光ファイバ
固定基板上に設置され光ファイバの素線部の端面に対向
する発光端もしくは受光端を有する光素子、からなる光
モジュールを構成する。
固定基板、及びその固定基板を迅速かつ容易に製造でき
る製造方法と、それを利用した光モジュールを提供す
る。 【解決手段】素線部とこの素線部を覆う被覆部を有する
光ファイバを整列固定するために、素線部を固定する第
１の溝と、この溝に連続し被覆部を固定する第２の溝を
有し、第１及び第２の溝をシリコンの異方性エッチング
により形成してなる光ファイバ固定基板を構成し、この
固定基板を用い、第１の溝に固定された素線部、第２の
溝に固定された被覆部を有する光ファイバ、光ファイバ
固定基板上に設置され光ファイバの素線部の端面に対向
する発光端もしくは受光端を有する光素子、からなる光
モジュールを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバと光素
子を結合するのに用いる光ファイバ固定基板に関し、特
に素線部と被覆部を有する光ファイバを整列固定する光
ファイバ固定基板、およびこれを利用した光モジュール
に関する。
子を結合するのに用いる光ファイバ固定基板に関し、特
に素線部と被覆部を有する光ファイバを整列固定する光
ファイバ固定基板、およびこれを利用した光モジュール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ファイバ固定基板１０を図１１
に示す。基板上にＶ溝１１の列とＶ溝１１より深い平面
状段差１４が連続的に形成され光ファイバ固定基板１０
となっている。ここで、Ｖ溝１１の軸方向をＸ軸方向、
これに垂直な光ファイバ固定基板１０の平面上の方向を
Ｙ軸方向、光ファイバ固定基板１０の基板厚方向をＺ軸
方向とすることとしこの方向は以下でも同一とする。従
来形状の光ファイバ固定基板１０の製作は、Ｖ溝１１を
シリコン等の半導体の異方性エッチングで作成し、しか
る後平面状段差１４をダイシング加工で作成することで
行っていた。
に示す。基板上にＶ溝１１の列とＶ溝１１より深い平面
状段差１４が連続的に形成され光ファイバ固定基板１０
となっている。ここで、Ｖ溝１１の軸方向をＸ軸方向、
これに垂直な光ファイバ固定基板１０の平面上の方向を
Ｙ軸方向、光ファイバ固定基板１０の基板厚方向をＺ軸
方向とすることとしこの方向は以下でも同一とする。従
来形状の光ファイバ固定基板１０の製作は、Ｖ溝１１を
シリコン等の半導体の異方性エッチングで作成し、しか
る後平面状段差１４をダイシング加工で作成することで
行っていた。
【０００３】光ファイバ固定基板１０に光ファイバを固
定し、光導波路との光結合を図った状態を図１２に示
す。平面状段差１４上にテープファイバ３０の被覆部が
設置される。テープファイバ３０はコア３１とクラッド
３２からなる光ファイバ素線３３を個別にチューブ状被
覆３４で覆ったチューブ状被覆付きファイバ３５を整列
し、テープ状被覆３６で覆った構造をしている。そし
て、テープ状被覆３６の一端から被覆を除外した光ファ
イバ素線３３が露出しＶ溝１１上に整列固定されてい
る。さらに、光ファイバ固定基板１０のＶ溝１１を有す
る側の端面に対向して光導波路基板５０が設置され、光
導波路基板５０上に形成された光導波路５１の端面と光
ファイバ素線３３の端面が近接して対向している。その
結果、光導波路５１とテープファイバ３０の間で光結合
がなされる。ここで、光ファイバ固定基板１０へテープ
ファイバ３０及び光ファイバ素線３３を固定するには例
えば接着剤を利用できる。接着に際し、適宜に押さえ板
２０を使用することで、光ファイバ固定基板１０へテー
プファイバ３０及び光ファイバ素線３３をより確実に整
列固定することができる。
定し、光導波路との光結合を図った状態を図１２に示
す。平面状段差１４上にテープファイバ３０の被覆部が
設置される。テープファイバ３０はコア３１とクラッド
３２からなる光ファイバ素線３３を個別にチューブ状被
覆３４で覆ったチューブ状被覆付きファイバ３５を整列
し、テープ状被覆３６で覆った構造をしている。そし
て、テープ状被覆３６の一端から被覆を除外した光ファ
イバ素線３３が露出しＶ溝１１上に整列固定されてい
る。さらに、光ファイバ固定基板１０のＶ溝１１を有す
る側の端面に対向して光導波路基板５０が設置され、光
導波路基板５０上に形成された光導波路５１の端面と光
ファイバ素線３３の端面が近接して対向している。その
結果、光導波路５１とテープファイバ３０の間で光結合
がなされる。ここで、光ファイバ固定基板１０へテープ
ファイバ３０及び光ファイバ素線３３を固定するには例
えば接着剤を利用できる。接着に際し、適宜に押さえ板
２０を使用することで、光ファイバ固定基板１０へテー
プファイバ３０及び光ファイバ素線３３をより確実に整
列固定することができる。
【０００４】従来形状の光ファイバ固定基板１０はＹ軸
方向にテープファイバ３０の被覆部を押さえる構造がな
いので、接着前はテープファイバ３０がＹ軸方向に動き
易く、従って光ファイバを整列固定するのに障害となっ
ていた。また、ダイシング加工によって平面状段差１４
を形成するので、ダイシングソーをＹ軸方向に往復加工
せねばならず、加工に長時間を要していた。さらに平面
度も良いとは言えず、このため光ファイバの整列固定の
精度の向上の障害となっていた。
方向にテープファイバ３０の被覆部を押さえる構造がな
いので、接着前はテープファイバ３０がＹ軸方向に動き
易く、従って光ファイバを整列固定するのに障害となっ
ていた。また、ダイシング加工によって平面状段差１４
を形成するので、ダイシングソーをＹ軸方向に往復加工
せねばならず、加工に長時間を要していた。さらに平面
度も良いとは言えず、このため光ファイバの整列固定の
精度の向上の障害となっていた。
【発明が解決しようとする課題】以上のような状況に鑑
み、本発明は光ファイバをより確実に整列固定できる光
ファイバ固定基板、及びその光ファイバ固定基板を迅速
かつ容易に製造できる製造方法を提供することを目的と
する。また、光ファイバ固定基板を利用した光モジュー
ルを提供することをも目的とする。
み、本発明は光ファイバをより確実に整列固定できる光
ファイバ固定基板、及びその光ファイバ固定基板を迅速
かつ容易に製造できる製造方法を提供することを目的と
する。また、光ファイバ固定基板を利用した光モジュー
ルを提供することをも目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、素線部とこ
の素線部を覆う被覆部を有する光ファイバを整列固定す
るために、素線部を固定する第１の溝と、この第１の溝
に連続し前記被覆部を固定する第２の溝を有し、かつ前
記第１及び第２の溝をシリコンの異方性エッチングによ
り形成してなる光ファイバ固定基板を構成する。前記第
１及び第２の溝がＶ溝または台形溝である光ファイバ固
定基板を構成する。第１の溝と第２の溝の間に垂直溝が
形成された光ファイバ固定基板を構成する。
の素線部を覆う被覆部を有する光ファイバを整列固定す
るために、素線部を固定する第１の溝と、この第１の溝
に連続し前記被覆部を固定する第２の溝を有し、かつ前
記第１及び第２の溝をシリコンの異方性エッチングによ
り形成してなる光ファイバ固定基板を構成する。前記第
１及び第２の溝がＶ溝または台形溝である光ファイバ固
定基板を構成する。第１の溝と第２の溝の間に垂直溝が
形成された光ファイバ固定基板を構成する。
【０００６】光ファイバ固定基板を用い、第１の溝に固
定された素線部、第２の溝に固定された被覆部を有する
光ファイバ、光ファイバ固定基板上に設置され光ファイ
バの素線部の端面に対向する発光端もしくは受光端を有
する光素子、からなる光モジュールを構成する。
定された素線部、第２の溝に固定された被覆部を有する
光ファイバ、光ファイバ固定基板上に設置され光ファイ
バの素線部の端面に対向する発光端もしくは受光端を有
する光素子、からなる光モジュールを構成する。
【０００７】また、本発明では第１、第２の溝の形成部
の境界に補償パターンを設けたマスクを形成した後、シ
リコン基板を異方性エッチングすることにより、前記第
１及び第２の溝を形成する工程からなる光ファイバ固定
基板の製造方法を構成する。
の境界に補償パターンを設けたマスクを形成した後、シ
リコン基板を異方性エッチングすることにより、前記第
１及び第２の溝を形成する工程からなる光ファイバ固定
基板の製造方法を構成する。
【０００８】さらに、本発明では第１、第２の溝間の境
界部を残して、シリコン基板を異方性エッチングするこ
とにより、第１及び第２の溝を分離して形成し、その
後、前記境界部に垂直溝を形成することにより前記第１
及び第２の溝を連続してなる工程からなる光ファイバ固
定基板の製造方法を構成する。
界部を残して、シリコン基板を異方性エッチングするこ
とにより、第１及び第２の溝を分離して形成し、その
後、前記境界部に垂直溝を形成することにより前記第１
及び第２の溝を連続してなる工程からなる光ファイバ固
定基板の製造方法を構成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を図１に示
す。この光ファイバ固定基板１０は図１１に示した従来
の光ファイバ固定基板１０を改良したものであり、図１
２に示すテープファイバ３０を整列固定するためのもの
である。光ファイバ固定基板１０上にテープファイバ３
０の光ファイバ素線３３を固定するためのＶ溝１１の列
とテープ状被覆３６を固定するための台形溝１３が連続
して形成されている。台形溝１３はその端面がＶ溝１１
の端面と対向し、台形溝１３の底に対して斜めに交わる
側面を有する。この側面によりテープ状被覆３６のＹ軸
方向への動きを規制し、テープファイバ３０の整列固定
を容易ならしめている。光ファイバ固定基板１０は
（１，０，０）面方位のシリコン基板により構成され、
Ｖ溝１１と台形溝１３の側面は（１，１，１）面方位で
あり、台形溝１３の底面は（１，０，０）面方位となっ
ている。さらに、Ｖ溝１１と台形溝１３の境界にはＶ溝
１１の両脇に高次方位エッチング面１７が形成されてい
るが、これについては後で詳しく説明する。以下のよう
なシリコンの微細加工によって形成された、Ｖ溝１１、
台形溝１３の精密さが、光ファイバの整列固定をより確
実ならしめている。
す。この光ファイバ固定基板１０は図１１に示した従来
の光ファイバ固定基板１０を改良したものであり、図１
２に示すテープファイバ３０を整列固定するためのもの
である。光ファイバ固定基板１０上にテープファイバ３
０の光ファイバ素線３３を固定するためのＶ溝１１の列
とテープ状被覆３６を固定するための台形溝１３が連続
して形成されている。台形溝１３はその端面がＶ溝１１
の端面と対向し、台形溝１３の底に対して斜めに交わる
側面を有する。この側面によりテープ状被覆３６のＹ軸
方向への動きを規制し、テープファイバ３０の整列固定
を容易ならしめている。光ファイバ固定基板１０は
（１，０，０）面方位のシリコン基板により構成され、
Ｖ溝１１と台形溝１３の側面は（１，１，１）面方位で
あり、台形溝１３の底面は（１，０，０）面方位となっ
ている。さらに、Ｖ溝１１と台形溝１３の境界にはＶ溝
１１の両脇に高次方位エッチング面１７が形成されてい
るが、これについては後で詳しく説明する。以下のよう
なシリコンの微細加工によって形成された、Ｖ溝１１、
台形溝１３の精密さが、光ファイバの整列固定をより確
実ならしめている。
【００１０】第１の実施例に係る光ファイバ固定基板１
０の具体的な製造工程は以下のようになる。 （１）シリコン基板上へのマスクの形成 （２）マスクを利用したシリコン基板の異方性エッチン
グ シリコン基板としては（１，０，０）面方位のシリコン
基板を使用できる。マスクの形成は図２に示すマスクパ
ターンを使って行なえる。このマスクパターンではＶ溝
形成部６１と台形溝形成部６２がともに開口し、それ以
外の部分がマスクで保護される部分である。ここでマス
クパターンのＶ溝形成部６１と台形溝形成部６２の幅は
サイドエッチを考慮し、最終的に形成されるＶ溝１１と
台形溝１３の幅に比して細くしておく必要がある。この
マスクパターンを用いてシリコン基板上にマスクを形成
する。具体的には次の様になる。まず、シリコン基板に
熱酸化法等でＳｉＯ２の層を形成する。そして、ＳｉＯ
２層上に前記マスクパターンのレジストを例えば感光性
レジストのフォトリソグラフィにより形成する。その
後、レジストをマスクとしてフッ酸等でエッチングする
ことにより、Ｖ溝形成部６１と台形溝形成部６２のＳｉ
Ｏ２の層を除去する。このようにして、シリコン上にＳ
ｉＯ２のマスクが形成される。シリコンの異方性エッチ
ングに際しては例えばＫＯＨの水溶液をエッチング液と
して使用できる。マスクの開口部に露出したシリコン基
板が異方性エッチングされることにより、Ｖ溝形成部６
１と台形溝形成部６２にそれぞれＶ溝１１と台形溝１３
が形成される。大きなシリコン基板上に多数の光ファイ
バ固定基板１０のパターンを一度にエッチング形成し、
エッチング終了後に個別の光ファイバ固定基板１０とし
て切り出すことで、非常に効率良い製造が可能となる。
０の具体的な製造工程は以下のようになる。 （１）シリコン基板上へのマスクの形成 （２）マスクを利用したシリコン基板の異方性エッチン
グ シリコン基板としては（１，０，０）面方位のシリコン
基板を使用できる。マスクの形成は図２に示すマスクパ
ターンを使って行なえる。このマスクパターンではＶ溝
形成部６１と台形溝形成部６２がともに開口し、それ以
外の部分がマスクで保護される部分である。ここでマス
クパターンのＶ溝形成部６１と台形溝形成部６２の幅は
サイドエッチを考慮し、最終的に形成されるＶ溝１１と
台形溝１３の幅に比して細くしておく必要がある。この
マスクパターンを用いてシリコン基板上にマスクを形成
する。具体的には次の様になる。まず、シリコン基板に
熱酸化法等でＳｉＯ２の層を形成する。そして、ＳｉＯ
２層上に前記マスクパターンのレジストを例えば感光性
レジストのフォトリソグラフィにより形成する。その
後、レジストをマスクとしてフッ酸等でエッチングする
ことにより、Ｖ溝形成部６１と台形溝形成部６２のＳｉ
Ｏ２の層を除去する。このようにして、シリコン上にＳ
ｉＯ２のマスクが形成される。シリコンの異方性エッチ
ングに際しては例えばＫＯＨの水溶液をエッチング液と
して使用できる。マスクの開口部に露出したシリコン基
板が異方性エッチングされることにより、Ｖ溝形成部６
１と台形溝形成部６２にそれぞれＶ溝１１と台形溝１３
が形成される。大きなシリコン基板上に多数の光ファイ
バ固定基板１０のパターンを一度にエッチング形成し、
エッチング終了後に個別の光ファイバ固定基板１０とし
て切り出すことで、非常に効率良い製造が可能となる。
【００１１】マスクパターンにはＶ溝形成部６１と台形
溝形成部６２の境界にあるＶ溝形成部６１の両脇の角部
に凸状にマスクされたマスク凸部６３が存在する。この
マスク凸部６３の角にはシリコンの高次方位の面が多数
露出することになる。そして、このうちエッチング速度
の大きい面、例えば（２，２，１）、（３，３，１）方
位面等がエッチングされてエッチング面として残ること
になる。このように形成された高次でエッチング速度の
早い面を高次方位エッチング面と呼ぶこととする。図１
の光ファイバ固定基板１０において高次方位エッチング
面１７が形成されるのは以上の理由による。一般に高次
方位エッチング面１７の存在自体は光ファイバ固定基板
１０を使用する上で障害にはならない。しかし、Ｖ溝１
１に対し台形溝１３の深さを大きくしようとするときに
は高次方位エッチング面１７のエッチング速度が大きい
ことが適正なサイズの光ファイバ固定基板１０を形成す
る上で障害となり得る。これを図３、図４で説明する。
図３、図４はＶ溝１１、台形溝１３がエッチング途中の
シリコン基板を表わし、図４は図３より長時間エッチン
グされたシリコン基板である。また、Ａ、Ｂはそれぞれ
シリコン基板の正面図、側面図である。（１，０，０）
面方位のシリコン基板のエッチングによりＶ溝１１の側
面、台形溝１３の側面が形成される。この面の面方位は
（１，１，１）面であり、エッチング速度は比較的遅
い。そして、台形溝１３の底面は（１，０，０）方位面
であり、エッチング速度は（１，１，１）面に比して速
い、Ｖ溝１１の側面と台形溝１３の底面のエッチング速
度の相違によりエッチング時間を大きくすることでＶ溝
１１の深さＨａと台形溝１３の深さＨｂの割合を調整で
きる。ここで、Ｖ溝１１と台形溝１３の境界に存在する
高次方位エッチング面１７のエッチング速度が（１，
０，０）面のエッチング速度より更に大きいことからＶ
溝の長さＬａはエッチングとともに短くなり、その分台
形溝の長さＬｂが長くなってくる。このことが、自由に
決められたサイズの光ファイバ固定基板１０の製作を行
なうことを困難にする。即ち、光ファイバ固定基板１０
のサイズを小型にしようとする場合において、台形溝の
深さＨｂを深くしようとすればするほど、Ｖ溝１１の長
さＬａが短くなる傾向を生じる。その結果、光ファイバ
固定基板１０への光ファイバの固定が適切に行なわれ難
くなる。
溝形成部６２の境界にあるＶ溝形成部６１の両脇の角部
に凸状にマスクされたマスク凸部６３が存在する。この
マスク凸部６３の角にはシリコンの高次方位の面が多数
露出することになる。そして、このうちエッチング速度
の大きい面、例えば（２，２，１）、（３，３，１）方
位面等がエッチングされてエッチング面として残ること
になる。このように形成された高次でエッチング速度の
早い面を高次方位エッチング面と呼ぶこととする。図１
の光ファイバ固定基板１０において高次方位エッチング
面１７が形成されるのは以上の理由による。一般に高次
方位エッチング面１７の存在自体は光ファイバ固定基板
１０を使用する上で障害にはならない。しかし、Ｖ溝１
１に対し台形溝１３の深さを大きくしようとするときに
は高次方位エッチング面１７のエッチング速度が大きい
ことが適正なサイズの光ファイバ固定基板１０を形成す
る上で障害となり得る。これを図３、図４で説明する。
図３、図４はＶ溝１１、台形溝１３がエッチング途中の
シリコン基板を表わし、図４は図３より長時間エッチン
グされたシリコン基板である。また、Ａ、Ｂはそれぞれ
シリコン基板の正面図、側面図である。（１，０，０）
面方位のシリコン基板のエッチングによりＶ溝１１の側
面、台形溝１３の側面が形成される。この面の面方位は
（１，１，１）面であり、エッチング速度は比較的遅
い。そして、台形溝１３の底面は（１，０，０）方位面
であり、エッチング速度は（１，１，１）面に比して速
い、Ｖ溝１１の側面と台形溝１３の底面のエッチング速
度の相違によりエッチング時間を大きくすることでＶ溝
１１の深さＨａと台形溝１３の深さＨｂの割合を調整で
きる。ここで、Ｖ溝１１と台形溝１３の境界に存在する
高次方位エッチング面１７のエッチング速度が（１，
０，０）面のエッチング速度より更に大きいことからＶ
溝の長さＬａはエッチングとともに短くなり、その分台
形溝の長さＬｂが長くなってくる。このことが、自由に
決められたサイズの光ファイバ固定基板１０の製作を行
なうことを困難にする。即ち、光ファイバ固定基板１０
のサイズを小型にしようとする場合において、台形溝の
深さＨｂを深くしようとすればするほど、Ｖ溝１１の長
さＬａが短くなる傾向を生じる。その結果、光ファイバ
固定基板１０への光ファイバの固定が適切に行なわれ難
くなる。
【００１２】この製作の困難を回避するのが図５に示す
補償パターン付マスクパターンであり、このマスクパタ
ーンを用いて光ファイバ固定基板１０を製作する方法が
本願発明の第２の実施例である。このマスクパターンで
はＶ溝形成部６１と台形溝形成部６２の境界に補償パタ
ーン６５が設けられている。補償パターン６５の先端に
あるマスク凸部６３Ａは図２に示す高次方位エッチング
面１７が出現するマスクパターンのマスク凸部６３の角
の部分を台形溝形成部６２の長さ方向に延長したものに
相当する。この結果補償パターンの長さＬｃを適宜長く
することで、台形溝１３の深さが深くなってもＶ溝１１
の長さＬａが過度に短くなることを回避できる。これ以
外の点は図２のエッチングマスクを使用して用いて光フ
ァイバ固定基板１０を製作する場合と同様なので記載を
省略する。以上のように補償パターン付きマスクパター
ンを使用することで補償パターンを用いない場合より、
より深い台形溝１３を形成できる。
補償パターン付マスクパターンであり、このマスクパタ
ーンを用いて光ファイバ固定基板１０を製作する方法が
本願発明の第２の実施例である。このマスクパターンで
はＶ溝形成部６１と台形溝形成部６２の境界に補償パタ
ーン６５が設けられている。補償パターン６５の先端に
あるマスク凸部６３Ａは図２に示す高次方位エッチング
面１７が出現するマスクパターンのマスク凸部６３の角
の部分を台形溝形成部６２の長さ方向に延長したものに
相当する。この結果補償パターンの長さＬｃを適宜長く
することで、台形溝１３の深さが深くなってもＶ溝１１
の長さＬａが過度に短くなることを回避できる。これ以
外の点は図２のエッチングマスクを使用して用いて光フ
ァイバ固定基板１０を製作する場合と同様なので記載を
省略する。以上のように補償パターン付きマスクパター
ンを使用することで補償パターンを用いない場合より、
より深い台形溝１３を形成できる。
【００１３】補償パターン付きマスクパターンを使用し
た場合であっても、形成できる台形溝１３の深さＨｂに
は一定の限界がある。即ちシリコン基板を有効に活用し
製造効率を上げることを考えると補償パターン長Ｌｃは
台形溝１３の長さより長くし難い。従い、図１の光ファ
イバ固定基板１０の構造では如何に製造方法を改良して
も、自由な設計、製作には一定の限界がある。この点を
改良した光ファイバ固定基板１０の構造を図６に示しこ
れを本願の第３の実施例とする。光ファイバ固定基板１
０上にＶ溝１１の列と台形溝１３が垂直溝１８を介して
連続的に形成されている。後述するように、図６の光フ
ァイバ固定基板１０ではＶ溝１１と台形溝１３の間に垂
直溝１８が存在することにより、自由なサイズの基板を
容易に製作できる。
た場合であっても、形成できる台形溝１３の深さＨｂに
は一定の限界がある。即ちシリコン基板を有効に活用し
製造効率を上げることを考えると補償パターン長Ｌｃは
台形溝１３の長さより長くし難い。従い、図１の光ファ
イバ固定基板１０の構造では如何に製造方法を改良して
も、自由な設計、製作には一定の限界がある。この点を
改良した光ファイバ固定基板１０の構造を図６に示しこ
れを本願の第３の実施例とする。光ファイバ固定基板１
０上にＶ溝１１の列と台形溝１３が垂直溝１８を介して
連続的に形成されている。後述するように、図６の光フ
ァイバ固定基板１０ではＶ溝１１と台形溝１３の間に垂
直溝１８が存在することにより、自由なサイズの基板を
容易に製作できる。
【００１４】この光ファイバ固定基板１０の製作工程が
本願の第４の実施例であり、具体的には次の工程を経
る。 （１）シリコン基板への開口部ギャップ付マスクパター
ン形成 （２）マスクを利用したシリコン基板のエッチング （３）Ｖ溝１１と台形溝１３間への垂直溝形成 この工程に使用する開口部ギャップ付マスクパターンを
図７に示す。このマスクパターンではＶ溝形成部６１と
台形溝形成部６２それぞれの開口部の間に開口部間ギャ
ップ６７が設けられている。この結果、この開口部間ギ
ャップ６７付マスクパターンにはＶ溝形成部６１と台形
溝形成部６２の境界にパターン凸部は存在しない。この
ためこのマスクでシリコン基板をエッチングすると図８
の様にエッチング速度の大きな高次方位エッチング面が
出現せず、深い台形溝１３の製作が容易となる。ここで
図８のＡ、Ｂはそれぞれシリコン基板の平面図、側面図
を表わしている。図８のＶ溝１１と台形溝１３の間には
エッチングされない部分が存在するが、この部分をエッ
チング後に除去すれば良い。これを垂直溝１３の形成に
よって行なう。垂直溝１８はＶ溝１１と台形溝１３の何
れよりも深さが深ければ足り、その深さに精度を要しな
い。またその幅、側面の形状についても特に厳格である
必要はなく、Ｖ溝１１と台形溝１３間の非エッチング部
が除去されていれば足りる。即ち、垂直溝１８はエッチ
ング加工に比し低精度の加工方法を利用して適宜形成で
きる。例えばダイシングソーを図８のＶ溝１１と台形溝
１３の境界に沿って走らせることによって行なえる。こ
こで、シリコン基板上に多数の光ファイバ固定基板１０
を並列に形成されるようにマスクパターンを形成すれ
ば、ダイシングソーの一度の走行で多数の光ファイバ固
定基板１０の形成が可能となる。
本願の第４の実施例であり、具体的には次の工程を経
る。 （１）シリコン基板への開口部ギャップ付マスクパター
ン形成 （２）マスクを利用したシリコン基板のエッチング （３）Ｖ溝１１と台形溝１３間への垂直溝形成 この工程に使用する開口部ギャップ付マスクパターンを
図７に示す。このマスクパターンではＶ溝形成部６１と
台形溝形成部６２それぞれの開口部の間に開口部間ギャ
ップ６７が設けられている。この結果、この開口部間ギ
ャップ６７付マスクパターンにはＶ溝形成部６１と台形
溝形成部６２の境界にパターン凸部は存在しない。この
ためこのマスクでシリコン基板をエッチングすると図８
の様にエッチング速度の大きな高次方位エッチング面が
出現せず、深い台形溝１３の製作が容易となる。ここで
図８のＡ、Ｂはそれぞれシリコン基板の平面図、側面図
を表わしている。図８のＶ溝１１と台形溝１３の間には
エッチングされない部分が存在するが、この部分をエッ
チング後に除去すれば良い。これを垂直溝１３の形成に
よって行なう。垂直溝１８はＶ溝１１と台形溝１３の何
れよりも深さが深ければ足り、その深さに精度を要しな
い。またその幅、側面の形状についても特に厳格である
必要はなく、Ｖ溝１１と台形溝１３間の非エッチング部
が除去されていれば足りる。即ち、垂直溝１８はエッチ
ング加工に比し低精度の加工方法を利用して適宜形成で
きる。例えばダイシングソーを図８のＶ溝１１と台形溝
１３の境界に沿って走らせることによって行なえる。こ
こで、シリコン基板上に多数の光ファイバ固定基板１０
を並列に形成されるようにマスクパターンを形成すれ
ば、ダイシングソーの一度の走行で多数の光ファイバ固
定基板１０の形成が可能となる。
【００１５】図６の第３の実施例の変形例を図９に示
す。ここではＶ溝１１が中途まで形成され、Ｖ溝１１と
対向する端面を有し、かつＶ溝１１より溝が深いＶ溝１
３Ａが垂直溝１８を介して一体的に形成されている。な
お、ここでＶ溝１３Ａは特にＶ溝形状である必要はな
く、台形形状であっても光ファイバの固定には差し支え
ない。そして、図９の光ファイバ固定基板１０を利用し
た光発光モジュールを図１０に示す。コア３１、クラッ
ド３２からなる光ファイバ素線３３の一部がフェルール
７５で被覆され光ファイバの被覆部を構成する。そし
て、フェルール７５の端部から露出した光ファイバ素線
３３が光ファイバの素線部を構成する。そして、フェル
ール７５はＶ溝１３Ａ上に固定されている。ここで、図
示はされていないがコネクタシェル等をフェルール７５
に取り付ければ、フェルール７５は光コネクタプラグと
して機能し光コネクタ・レセプタクルへの取付けが可能
となる。フェルール７５中を通った光ファイバ素線３３
はＶ溝１１上に固定される。光ファイバの固定は接着剤
により行い、整列固定をより確実に行なうため、押さえ
板２０Ａで押さえて固定が行なわれる。押さえ板２０Ａ
にはフェルール７５に対応したＶ溝２１が形成され、光
ファイバの整列固定をより確実ならしめている。Ｖ溝１
１上において光ファイバ素線３３の端面は光ファイバ固
定基板１０上に固定された発光素子８０の発光端８１と
近接対向している。発光素子８０は素線部位固定部１２
上の金属配線８２ａさらには金属配線８２ｂ、ワイヤー
８３と通じて電気的に接続されている。ここで、金属配
線８２ａ、８２ｂは例えば真空蒸着をパターニングする
ことで形成できる。また、ワイヤー８３はいわゆるワイ
ヤーボンディングにより発光素子８０及び金属配線８２
ｂと接続される。
す。ここではＶ溝１１が中途まで形成され、Ｖ溝１１と
対向する端面を有し、かつＶ溝１１より溝が深いＶ溝１
３Ａが垂直溝１８を介して一体的に形成されている。な
お、ここでＶ溝１３Ａは特にＶ溝形状である必要はな
く、台形形状であっても光ファイバの固定には差し支え
ない。そして、図９の光ファイバ固定基板１０を利用し
た光発光モジュールを図１０に示す。コア３１、クラッ
ド３２からなる光ファイバ素線３３の一部がフェルール
７５で被覆され光ファイバの被覆部を構成する。そし
て、フェルール７５の端部から露出した光ファイバ素線
３３が光ファイバの素線部を構成する。そして、フェル
ール７５はＶ溝１３Ａ上に固定されている。ここで、図
示はされていないがコネクタシェル等をフェルール７５
に取り付ければ、フェルール７５は光コネクタプラグと
して機能し光コネクタ・レセプタクルへの取付けが可能
となる。フェルール７５中を通った光ファイバ素線３３
はＶ溝１１上に固定される。光ファイバの固定は接着剤
により行い、整列固定をより確実に行なうため、押さえ
板２０Ａで押さえて固定が行なわれる。押さえ板２０Ａ
にはフェルール７５に対応したＶ溝２１が形成され、光
ファイバの整列固定をより確実ならしめている。Ｖ溝１
１上において光ファイバ素線３３の端面は光ファイバ固
定基板１０上に固定された発光素子８０の発光端８１と
近接対向している。発光素子８０は素線部位固定部１２
上の金属配線８２ａさらには金属配線８２ｂ、ワイヤー
８３と通じて電気的に接続されている。ここで、金属配
線８２ａ、８２ｂは例えば真空蒸着をパターニングする
ことで形成できる。また、ワイヤー８３はいわゆるワイ
ヤーボンディングにより発光素子８０及び金属配線８２
ｂと接続される。
【００１６】金属配線８２ａ、８２ｂに電源を接続する
ことでり発光素子８０は発光し、発光部８１から発せら
れた光は発光部８１と対向する光ファイバ素線３３の端
面を通じて、フェルール７５の端面に露出した光ファイ
バ素線３３の端面に到達する。ここで、フェルールの端
部を図示されていない光コネクタレセプタクルに挿入す
ると光は更に適宜の場所に達する。このように図１０の
光モジュールはフェルール７５ひいては光コネクタプラ
グを有し、他の機器と適宜に接続して使用でき、便宜で
ある。図１０では例として発光素子８０を有する発光モ
ジュールを示したが、発光素子８０の代わりに受光素子
を用いれば受光モジュールを構成できる。更にフェルー
ル７５の代わりに被覆付の光ファイバを使用すればいわ
ゆるピッグテール型光モジュールを構成し得ることは勿
論である。
ことでり発光素子８０は発光し、発光部８１から発せら
れた光は発光部８１と対向する光ファイバ素線３３の端
面を通じて、フェルール７５の端面に露出した光ファイ
バ素線３３の端面に到達する。ここで、フェルールの端
部を図示されていない光コネクタレセプタクルに挿入す
ると光は更に適宜の場所に達する。このように図１０の
光モジュールはフェルール７５ひいては光コネクタプラ
グを有し、他の機器と適宜に接続して使用でき、便宜で
ある。図１０では例として発光素子８０を有する発光モ
ジュールを示したが、発光素子８０の代わりに受光素子
を用いれば受光モジュールを構成できる。更にフェルー
ル７５の代わりに被覆付の光ファイバを使用すればいわ
ゆるピッグテール型光モジュールを構成し得ることは勿
論である。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る光ファイバ固定基板は光フ
ァイバをより確実に整列固定できる効果を有する。さら
に、本発明は高精度の光ファイバ固定基板を迅速かつ容
易に製造できる効果を有する。
ァイバをより確実に整列固定できる効果を有する。さら
に、本発明は高精度の光ファイバ固定基板を迅速かつ容
易に製造できる効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例に係る光ファイバ固定基
板を示す斜視図である。
板を示す斜視図である。
【図２】図１の光ファイバ固定基板の製造に使用するマ
スクパターンを示す平面図である。
スクパターンを示す平面図である。
【図３】図２のマスクパターンを使用してシリコン基板
をエッチングする途中の基板形状を示す平面図、側面図
である。
をエッチングする途中の基板形状を示す平面図、側面図
である。
【図４】図２のマスクパターンを使用してシリコン基板
をエッチングする途中の基板形状であって図３より長時
間エッチングした状態を示す平面図、側面図である。
をエッチングする途中の基板形状であって図３より長時
間エッチングした状態を示す平面図、側面図である。
【図５】本発明の第２の実施例たる光ファイバ固定基板
の製造方法に使用する補償パターン付きマスクパターン
を示す平面図である。
の製造方法に使用する補償パターン付きマスクパターン
を示す平面図である。
【図６】本発明の第３の実施例に係る光ファイバ固定基
板を示す斜視図である。
板を示す斜視図である。
【図７】本発明の第４の実施例たる図６の光ファイバ固
定基板の製造方法に使用する開口部間ギャップ付マスク
パターンを示す平面図である。
定基板の製造方法に使用する開口部間ギャップ付マスク
パターンを示す平面図である。
【図８】図７に示す開口部間ギャップ付マスクパターン
を用いてエッチングしたシリコン基板を示す平面図、側
面図である。
を用いてエッチングしたシリコン基板を示す平面図、側
面図である。
【図９】本発明の第４の実施例の変形例に係る光ファイ
バ固定基板を示す斜視図である。
バ固定基板を示す斜視図である。
【図１０】図９の光ファイバ固定基板を用いた光モジュ
ールを示す斜視図である。
ールを示す斜視図である。
【図１１】従来の光ファイバ固定基板を示す斜視図であ
る。
る。
【図１２】従来の光ファイバ固定基板を用いて光ファイ
バを固定した状態を示す斜視図である。
バを固定した状態を示す斜視図である。
１０：光ファイバ固定基板 １１：Ｖ溝 １３：台形溝 １３Ａ：Ｖ溝 １４：平面状段差 １７：高次方位エッチング面 １８：垂直溝 ２０：押さえ板 ２０Ａ：押さえ板 ２１：Ｖ溝 ３０：テープファイバ ３１：コア ３２：クラッド ３３：光ファイバ素線 ３４：チューブ状被覆 ３５：チューブ状被覆付きファイバ ３６：テープ状被覆 ５０：光導波路基板 ５１：光導波路 ６１：Ｖ溝形成部 ６２：台形溝形成部 ６３：マスク凸部 ６３Ａ：マスク凸部 ６５：補償パターン ６７：開口部間ギャップ ７５：フェルール ８０：発光素子 ８１：発光端 ８２ａ：金属配線 ８２ｂ：金属配線
Claims (6)
- 【請求項１】素線部とこの素線部を覆う被覆部を有する
光ファイバを整列固定するための光ファイバ固定基板で
あって、 ａ）前記素線部を固定する第１の溝と、この第１の溝に
連続し前記被覆部を固定する第２の溝を有し、 ｂ）前記第１及び第２の溝をシリコンの異方性エッチン
グにより形成してなる、ことを特徴とする光ファイバ固
定基板。 - 【請求項２】請求項１に記載された光ファイバ固定基板
において、 第１及び第２の溝がＶ溝または台形溝であることを特徴
とする光ファイバ固定基板。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載された光フ
ァイバ固定基板において、第１及び第２の溝の間に垂直
溝が形成されていることを特徴とする、光ファイバ固定
基板。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載された光ファ
イバ固定基板を用いた光モジュールであって、 ａ）第１の溝に固定された素線部、第２の溝に固定され
た被覆部を有する光ファイバ、 ｂ）光ファイバ固定基板上に設置され第１の溝上に固定
された光ファイバの素線部の端面に対向する発光端もし
くは受光端を有する光素子、 からなることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項５】請求項２に記載された光ファイバ固定基板
を製造する方法であって、 第１及び第２の溝に対応した開口部と、前記第１、第２
の溝の境界に設けられた補償パターンを有するマスク
を、シリコン基板の一面に形成した後、シリコン基板を
異方性エッチングすることにより、前記第１及び第２の
溝を形成する、 ことを特徴とする光ファイバ固定基板の製造方法。 - 【請求項６】前記請求項３に記載された光ファイバ固定
基板を製造する方法であって、 シリコン基板を異方性エッチングすることにより、第１
及び第２の溝を分離して形成し、その後、前記第１、第
２の溝の境界に垂直溝を形成することにより前記第１及
び第２の溝を連続してなる、 ことを特徴とする光ファイバ固定基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22417697A JPH1138274A (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 光ファイバ固定基板、光モジュール、及び光ファイバ固定基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22417697A JPH1138274A (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 光ファイバ固定基板、光モジュール、及び光ファイバ固定基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138274A true JPH1138274A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16809724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22417697A Pending JPH1138274A (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 光ファイバ固定基板、光モジュール、及び光ファイバ固定基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1138274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201656A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 固定部品およびその固定部品を用いた光部品 |
-
1997
- 1997-07-16 JP JP22417697A patent/JPH1138274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201656A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 固定部品およびその固定部品を用いた光部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010626 |