KR920013787A - 포토 다이오드 제조방법 - Google Patents
포토 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도
Claims (2)
- 기판위에 하부전극을 형성하고 그위에 하부전극과 활성층과의 오믹 접촉을 위한 n+-s-Si:H층을 증착하는 공정과, 상기 n+-s-Si:H층위에 i-a-Si:H층과 절연막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 절연막을 패터닝하고 i-a-Si:H층과 n+-s-Si:H층을 패터닝한 후 상부전극을 증착 및 패터닝하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 절연막은 200A이내로 증착함을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022610A KR920013787A (ko) | 1990-12-31 | 1990-12-31 | 포토 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022610A KR920013787A (ko) | 1990-12-31 | 1990-12-31 | 포토 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013787A true KR920013787A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67538164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900022610A KR920013787A (ko) | 1990-12-31 | 1990-12-31 | 포토 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013787A (ko) |
-
1990
- 1990-12-31 KR KR1019900022610A patent/KR920013787A/ko not_active Application Discontinuation
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