KR920005311A - 플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR920005311A
KR920005311A KR1019910014380A KR910014380A KR920005311A KR 920005311 A KR920005311 A KR 920005311A KR 1019910014380 A KR1019910014380 A KR 1019910014380A KR 910014380 A KR910014380 A KR 910014380A KR 920005311 A KR920005311 A KR 920005311A
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insulating film
electrode wiring
layer
contact hole
semiconductor device
Prior art date
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KR1019910014380A
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Inventor
요시까즈 에구찌
Original Assignee
야마무라 가쯔미
세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

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Abstract

내용 없음

Description

플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)도 내지 (i)도는 본 발명의 일예를 따라서 플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치에 대한 공정을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치에 있어서, (a) 반도체 기판 표면을 커버하는 층 절연막, (b) 상기 층 절연막에 형성되고 상기 반도체 기판 표면을 통과하는 접촉홀, (c) 상기 접촉홀이 내부 표면상에 축적되고 자신의 바닥에서 상기 반도체 기판 표면과 접속되는 기초 금속층 및, (d) 상기 접촉홀의내부 표면상의 상기 금속층 표면에 부착되고 상기 접촉홀의 내부에 채워지는 플레이팅 전극 배선층을 구비하며, 여기서 상기 층 절연막의 두께는 약 2,000Å인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치제조방법에 있어서, (a) 반도체 기판 표면상에 약 2,000Å의 층 절연막을 형성하는 공정, (b) 오프닝에 의해 층 절연막에 접촉홀을 형성하는 공정, (c) 상기 접촉홀의 내부 표면상 및 상기 층 절연막의 표면상에 기초 금속층을 축적하는 공정, (d) 형성될 배선 패턴의 영역을 구비하는 상기 오프닝을 갖는 마스크가 상기 기초 금속막 표면을 커버하는 공정, (e) 플레이팅에 의해 상기 마스크의 오프닝에서 상기 기초 금속층 표면상에 전극 배선 물질을 부착하는 공정 및, (f) 전극 배선층이 마스크로서 형성하도록 상기층 절연막 표면상의 상기 기초 금속층을 이온 밀링에 의해 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019910014380A 1990-08-30 1991-08-21 플레이팅 전극 배선을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 KR920005311A (ko)

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