KR940003067A - 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 콘택플러그 형성방법 Download PDF

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KR940003067A
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forming
semiconductor device
conductive layer
layer pattern
contact plug
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KR1019920013346A
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박선후
배대록
박영옥
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 콘택플러그형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 선택적 텅스텐을 이용하여 비아콘택 플러그를 형성하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법에 있어서, 제1절연막이 형성된 반도체기판상에 도전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 도전층패턴이 형성된 반도체기판상에 제2절연막을 형성한 후 사진식각공정을 통해 상기 도전층패턴상의 제2절연막에 비아콘택을 형성하는 공정, 상기 결과물을 순수에 희석된 HF로 습식처리를 행하는 공정, 상기 비아콘택을 선택적 화학기상 텅스텐에 의해 매립하여 비아곤택플러그를 형성하는 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치 의 콘택플러그 형성방법이 제공된다.
이에 따라 콘택저항이 개선된 신뢰성 높은 반도체장치의 실현이 가능하게 된다.

Description

반도체장치의 콘택플러그 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 외한 선택적 화학기상 텅스덴을 이용한 콘택플러그 형성방법을 나타낸 도면.

Claims (5)

  1. 선택적 텅스텐을 이용하여 비아콘택플러그를 형성하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법에 있어서, 제1절연막이 형성된 반도체기판상에 도전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 도전층패턴이 형성된 반도체기판상에 제2절연막을 형성한 후 사진식각공정을 통해 상기 도전층패턴상의 제2절연막에 비아콘택을 형성하는 공정, 상기 결과물을 순수에 희석된 HF로 습식처리를 행하는 공정, 상기 비아콘택을 선택적 화학기상 텅스텐에 의해 매립하여 비아콘택플러그를 형성하는 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법.
  2. 제1항에 있어서. 상기 비아콘택을 형성하는 공정후에 비아콘택이 형성된 결과물을 전처리공정에 의해 처리하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전처리공정은 HNO3처리와 애싱1처리 및 애싱2처리를 차례로 행하는 것임을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 순수에 희석된 HF는 1000 : 1-100 : 1의 비율로 희석된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택플러그형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 습식처리공정은 10초-30초간 행함을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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