KR960026247A - 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법 - Google Patents

고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법 Download PDF

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KR960026247A
KR960026247A KR1019940040765A KR19940040765A KR960026247A KR 960026247 A KR960026247 A KR 960026247A KR 1019940040765 A KR1019940040765 A KR 1019940040765A KR 19940040765 A KR19940040765 A KR 19940040765A KR 960026247 A KR960026247 A KR 960026247A
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forming
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photoresist
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KR1019940040765A
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Inventor
황준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 콘택 플러그 제조시 절연층과 도전층 콘택 플러그 사이의 높은 단차로 인하여 평탄화 공정을 추가로 실시해야 하는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
콘택 홀이 형성될 부분의 절연층에 콘택 홀보다 넓은 트렌치를 미리 형성하고, 그 트렌치 부분에 콘택 홀 및 콘택 플러그를 형성함으로써 추가적인 평탄화공정을 필요로 하지 않는 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체 소자, 특히 MOSFET 제조에 이용됨.

Description

고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법에 따른 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법에 있어서, 반도체 기판상에 절연 기능에 필요한 절연층의 두께보다 소정의 두께만큼 더 두껍게 절연층을 증착하는 단계와, 포토레지스트를 전면 도포한 후, 콘택 홀이 형성될 부분이 형성하고자 하는 콘택 홀의 폭보다 소정의 폭만큼 더 넓게 오픈되도록 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 이용한 식각을 실시하여 상기 절연층에 소정의 깊이를 가진 트렌치를 형성하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고, 전체 구조 상부에 다시 포토레지스트를 도포하여 콘택 홀 형성을 위한 제 2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 절연층의 노출 부위를 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고, 상기 콘택 홀이 채워지도록 도전층을 증착하는 단계와, 전체 구조 상부에 제3포토레지스트를 도포하는 단계 및, 상기 제3포토레지스트와 상기 도전층의 식각 비율을 실질적으로 동일하게 하여 평탄화 식각 공정을 실시하므로써 콘택 플러그를 형성하고, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 절연에 필요한 최소 두께의 약 2배가 되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트렌치의 깊이는 상기 절연층의 두께의 약 1/2이 되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940040765A 1994-12-30 1994-12-30 고집적 반도체 소자의 콘택 플러그 제조 방법 KR960026247A (ko)

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