KR960001908A - 포토레지스트 제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정에서 미세패턴 형성용 포토레지스트 제거방법에 관한 것으로, 실리레이션공정을 이용하여 미세패턴을 형성한 후 식각마스크로 이용한 포토레지스트를 O2플라즈마를 이용하여 제거할 때 챔버나 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하기 위하여 레지스트의 표면에 있는 실리콘 산화막을 플로린(Florine)계 개스를 이용하여 제거하고, O2플라즈마에 의하여 레지스트 패턴을 스트립하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술에 의해 실리콘 함유 레지스트를 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단면도.
제2도는 종래의 DESIRE 공정에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 단면도.
제3도는 DESIRE 공정시 레지스트 폴리머와 실리레이션 소오스가 반응하는 것을 도시한 화학구조식.
Claims (5)
- 실리레이션공정으로 형성된 레지스트 패턴을 제거하는 방법에 있어서, 레지스트 패턴상부에 형성되는 실리콘 산화막으 플로린계 플라즈마를 이용하여 제거하는 단계와, 남은 레지스트 패턴을 O2플라즈마를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 포토레지스트 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막의 제거는 RIF(reactive ion etching), MERIE(magnetic enhance reactive ion etching)또는 ECR 방식으로 제거하는 포토레지스트 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플로린계는, CF4또는 SF6개스인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거방법.
- 실리레이션공정으로 형성된 레지스트 패턴을 제거하기 위하여 O2플라즈마에 플로린 개스를 첨가시켜 실리콘 산화막은 CF4, SF6등과 반응시켜 제거하는 동시에 레지스트 패턴은 O2플라즈마와 반응시켜 제거하는 1단계 스트립 방법인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거방법.
- 제4항에 있어서, 상기 플라즈마 발생시 조건은 압력=1~3Torr, power=550~1Kw, Q2=200~800sccm, CF4=100~300sccm인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013481A KR960001908A (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 포토레지스트 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013481A KR960001908A (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 포토레지스트 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960001908A true KR960001908A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013481A KR960001908A (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 포토레지스트 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960001908A (ko) |
-
1994
- 1994-06-15 KR KR1019940013481A patent/KR960001908A/ko not_active Application Discontinuation
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