KR970012004A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
사진공정한계 이하의 간격을 갖도록 막을 미세하게 패터닝하는 패턴형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 도전층 및 산화방지막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 산화방지막과 도전층의 표면 일부를 1차 식각하여 산화방지막 패턴과 식각된 도전층을 형성하는 단계와, 상기 산화방지막 패턴을 산화억제층으로 상기 도전층의 표면 일부를 산화하여 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화억제층으로 이용된 산화방지막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 산화막을 마스크로 하여 상기 식각된 도전층을 2차 식각하여 미세한 도전층 패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 단순한 공정을 통하여 사진공정 한계 이하의 미세간격을 요구하는 도전층의 패턴형성이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A 도 내지 제2E 도는 본 발명에 의하여 미세간격을 갖는 커패시터의 스토리지노드 패턴의 형성방법을 나타내는 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체 기판 상에 도전층 및 산화방지막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 산화방지막과 도전층의 표면일부를 1차 식각하여 산화방지막 패턴과 식각된 도전층을 형성하는 단계; 상기 산화방지막 패턴을 산화억제층으로 상기 도전층의 표면 일부를 산화하여 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화억제층으로 이용된 산화 방지막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산화막을 마스크로 하여 상기 식각된 도전층을 2차 식각하여 미세한 도전층 패텅을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전층 및 산화방지막은 화학기상증착법(CVD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전층의 2차 식각은 건식식각을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산화방지막은 실리콘질화막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 불순물이 포함된 다결정실리콘막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950024702A KR970012004A (ko) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950024702A KR970012004A (ko) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970012004A true KR970012004A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950024702A KR970012004A (ko) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970012004A (ko) |
-
1995
- 1995-08-10 KR KR1019950024702A patent/KR970012004A/ko not_active IP Right Cessation
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