KR980003817A - 반도체소자의 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 자외선 베이크 장비에서 감광막 패턴을 경화시켜 감광막 패턴이 수축되는 율을 이용하여 원하는 선폭의 감광막 패턴으로 형성하고 상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부층을 식각함으로써 원하는 선폭을 얻는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 본 발명의 실시예에 의해 금속층 상부에 감광막 패턴을 형성한다음, 자외선 베이크에서 상기 감광막 패턴을 경화시켜 원하는 감광막 패턴을 형성한다음, 금속층을 식각하여 금속 배선을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 웨이퍼 상부에 하부층을 형성하고, 하부층의 표면에 감광막을 도포하고, 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 자외선 베이크 장비에서 경화시켜 원하는 선폭을 갖는 감광막 패턴을 성서하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부층을 식각하여 하부층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 120-280℃의 온도에서 자외선 베이크 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부층은 금속층 또는 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024301A KR980003817A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024301A KR980003817A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003817A true KR980003817A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024301A KR980003817A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003817A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024301A patent/KR980003817A/ko not_active Application Discontinuation
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