KR970054598A - 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 미세 콘택홀을 형성하는 공정에서 식각저지층으로 사용되는 포토레지스트의 실릴레이션 공정을 수행하여 포토레지스트와 하부막질간의 식각선택비를 높여 미세 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 콘택홀을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 플로우하여 미소 콘택홀을 정으하는 공정과; 플로우된 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 Si를 함유한 물질을 도포하고 베이크하는 실릴레이션 공정과; 상기 포토레지스트 패턴의 표면을 O₂플라즈마 처리하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서, 포토레지스트와 하부막질간의 식각선택비를 높일 수 있고 아울러 반도체 장치의 미세 콘택홀을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 미세 콘택홀 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 미세 콘택홀 형성방법을 보이는 순차 공정도.

Claims (4)

1. 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(10)상에 층간절연막(12)을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(12)상에 포토레지스트 패턴(14)을 형성하여 콘택홀을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(14)을 플로우하여 미소 콘택홀을 정의하는 공정과; 플로우된 상기 포토레지스트 패턴(14)의 표면에 Si를 함유한 물질을 도포하고 베이크하는 실릴레이션 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(14)의 표면을 O₂플라즈마 처리하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(14)을 마스크로 사용하여 상기 층간절연막(12)을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션 공정은 HMDS 또는 TMDS 또는 DMSDEA 또는 DMSDMA 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션 공정은 약 50-150℃ 정도의 범위내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트(14)는 상기 O₂플라즈마 공정에 의해 SiOx의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 콘택홀 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.