JPH0394425A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH0394425A JPH0394425A JP23220489A JP23220489A JPH0394425A JP H0394425 A JPH0394425 A JP H0394425A JP 23220489 A JP23220489 A JP 23220489A JP 23220489 A JP23220489 A JP 23220489A JP H0394425 A JPH0394425 A JP H0394425A
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- Japan
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- resist
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- fluorine
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｓｉ（硅素）系レジストの除去方法に関す
るものである． 〔従来の技術〕 第２図は、従来のレジスト除去方法を示す図である．同
図において、（１）はＳｉ基板． （１２）はフォトレ
ジスト， （１３）は酸素プラズマである．フォトレジ
ス｝ （１２）はその組成がＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、
Ｏ（酸素）、Ｈ（水素）よりなる有機化合物であって、
これらの化学結合は酸素プラズマ（ｌ３）により容易に
分解されるので、その酸素プラズマによってフォトレジ
スト（ｌ２）を基板（１）から分解除去することができ
る． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、近年， ＶＬＳＩ製造プロセスにおける微細パ
ターン形成の一手法として、上述のようなフォトレジス
トに代ってＳｉ原子を含有したレジストを用いるように
なった．このレジストは酸素プラズマ処理によってＳｉ
Ｏｚ化し、酸素プラズマに対して高いエッチング耐性を
示す．従って、Ｓ’ｒ原子含有のレジストを除去するた
めにはフッ素系ガスを用いなければならない．しかし、
そのようなガスプラズマを用いると基板に形成した実デ
バイスが損傷するという問題点があった． この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであって、下地基板に対して損傷を与えることな
しに、Ｓｉ系レジストを除去することができる方法を提
供することを目的とする．〔課題を解決するための手段
〕 この発明に係るレジスト除去方法は、表面にＳｉ系の第
１のレジストのノくターンが形成された基板を第２のレ
ジストによって、少なくともその第１のレジストのパタ
ーンと同じ厚さになるように被覆し、その被覆したもの
をフッ素系ガスによってエッチバックするものである． 〔作 用〕 この発明によれば、Ｓｉ系の第ｌのレジストのノくター
ンで覆われていない基板部分は全て第２のレジストによ
り覆われるため、フッ素系ガスに長時間さらされること
はない． 〔実 施 例〕 第ｌ図（ａ）乃至（Ｃ）にこの発明によるレジスト除去
方法の一実施例を示す．同図において、（２）はＳｉ含
有あるいはＳ ｉ０２化した、つまりＳｉ系のレジスト
●パターン，（３）はフッ素系ガスプラズマ、（４）は
ノポラック系レジストである．第１図（ａ）に示すレジ
スト●パターン（２）を除去するにあたり、第１図（ｂ
）に示すように、Ｓｉ系レジスト・パターン（２）が形
成された基板（１）をノボラック系レジスト（４）で覆
う．この時、レジスト膜厚はＳｉ系レジスト・パターン
（２）を覆い且つ平坦化することができる厚さであれば
どの様な厚さでも良く、その下限値はＳｉ系レジスト・
パターン（２）の高さと等しい値であり、上限値には制
限がない． 次に、ノボラック系レジスト０）で覆われた基板（１）
をエッチング装置を用いて第１図（Ｃ）に示すように、
フッ素系ガスプラズマ（３）でエッチバックする．ノボ
ラック系レジスト（４）とＳｉ系レジスト（２）のエッ
チング速度が等しいエッチバックにより、基板（１）は
レジスト除去完了直前までフッ素系ガスにさらされるこ
とはない． また，上述の実施例ではノポラック系レジストを基板の
被覆材として用いたが、被覆性に優れ且つフッ素系ガス
によってエッチバックが可能であればどの様な材質のも
のであってもよい．更に、除去の対象となるレジストは
その表層部だけがＳｉ含有あるいはＳｊ０２化したもの
であってもよい．この場合、エッチバックによりそのＳ
ｉ系表層部を除去した後は，フッ素系ガスプラズマを酸
素プラズマに変更して残りのレジストを除去すればよい
．〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、基板上に形成された
Ｓｉ系の第１のレジストのパターンを除去する際に，そ
の基板全体を第２のレジストで被覆し、その後、それを
フッ素系ガスでエッチバックするため、基板に損傷を与
えることなく、Ｓｉ系の第１のレジストを除去すること
ができる．
るものである． 〔従来の技術〕 第２図は、従来のレジスト除去方法を示す図である．同
図において、（１）はＳｉ基板． （１２）はフォトレ
ジスト， （１３）は酸素プラズマである．フォトレジ
ス｝ （１２）はその組成がＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、
Ｏ（酸素）、Ｈ（水素）よりなる有機化合物であって、
これらの化学結合は酸素プラズマ（ｌ３）により容易に
分解されるので、その酸素プラズマによってフォトレジ
スト（ｌ２）を基板（１）から分解除去することができ
る． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、近年， ＶＬＳＩ製造プロセスにおける微細パ
ターン形成の一手法として、上述のようなフォトレジス
トに代ってＳｉ原子を含有したレジストを用いるように
なった．このレジストは酸素プラズマ処理によってＳｉ
Ｏｚ化し、酸素プラズマに対して高いエッチング耐性を
示す．従って、Ｓ’ｒ原子含有のレジストを除去するた
めにはフッ素系ガスを用いなければならない．しかし、
そのようなガスプラズマを用いると基板に形成した実デ
バイスが損傷するという問題点があった． この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであって、下地基板に対して損傷を与えることな
しに、Ｓｉ系レジストを除去することができる方法を提
供することを目的とする．〔課題を解決するための手段
〕 この発明に係るレジスト除去方法は、表面にＳｉ系の第
１のレジストのノくターンが形成された基板を第２のレ
ジストによって、少なくともその第１のレジストのパタ
ーンと同じ厚さになるように被覆し、その被覆したもの
をフッ素系ガスによってエッチバックするものである． 〔作 用〕 この発明によれば、Ｓｉ系の第ｌのレジストのノくター
ンで覆われていない基板部分は全て第２のレジストによ
り覆われるため、フッ素系ガスに長時間さらされること
はない． 〔実 施 例〕 第ｌ図（ａ）乃至（Ｃ）にこの発明によるレジスト除去
方法の一実施例を示す．同図において、（２）はＳｉ含
有あるいはＳ ｉ０２化した、つまりＳｉ系のレジスト
●パターン，（３）はフッ素系ガスプラズマ、（４）は
ノポラック系レジストである．第１図（ａ）に示すレジ
スト●パターン（２）を除去するにあたり、第１図（ｂ
）に示すように、Ｓｉ系レジスト・パターン（２）が形
成された基板（１）をノボラック系レジスト（４）で覆
う．この時、レジスト膜厚はＳｉ系レジスト・パターン
（２）を覆い且つ平坦化することができる厚さであれば
どの様な厚さでも良く、その下限値はＳｉ系レジスト・
パターン（２）の高さと等しい値であり、上限値には制
限がない． 次に、ノボラック系レジスト０）で覆われた基板（１）
をエッチング装置を用いて第１図（Ｃ）に示すように、
フッ素系ガスプラズマ（３）でエッチバックする．ノボ
ラック系レジスト（４）とＳｉ系レジスト（２）のエッ
チング速度が等しいエッチバックにより、基板（１）は
レジスト除去完了直前までフッ素系ガスにさらされるこ
とはない． また，上述の実施例ではノポラック系レジストを基板の
被覆材として用いたが、被覆性に優れ且つフッ素系ガス
によってエッチバックが可能であればどの様な材質のも
のであってもよい．更に、除去の対象となるレジストは
その表層部だけがＳｉ含有あるいはＳｊ０２化したもの
であってもよい．この場合、エッチバックによりそのＳ
ｉ系表層部を除去した後は，フッ素系ガスプラズマを酸
素プラズマに変更して残りのレジストを除去すればよい
．〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、基板上に形成された
Ｓｉ系の第１のレジストのパターンを除去する際に，そ
の基板全体を第２のレジストで被覆し、その後、それを
フッ素系ガスでエッチバックするため、基板に損傷を与
えることなく、Ｓｉ系の第１のレジストを除去すること
ができる．
第１図（ａ）乃至（Ｃ）はこの発明によるレジスト除去
方法の一実施例を示す図、第２図は従来の・レジスト除
去方法を示す図である． 図において、（１）は基板、（２）はＳｉ系の第１のレ
ジスト●パターン、（３）はフッ素系ガス、（０は第２
のレジストである． なお、各図中，同一符号は同一又は相当部分を示す．
方法の一実施例を示す図、第２図は従来の・レジスト除
去方法を示す図である． 図において、（１）は基板、（２）はＳｉ系の第１のレ
ジスト●パターン、（３）はフッ素系ガス、（０は第２
のレジストである． なお、各図中，同一符号は同一又は相当部分を示す．
Claims (1)
- （１）表面に硅素系の第１のレジストのパターンが形成
された基板を第２のレジストによって、少なくともその
第１のレジストのパターンと同じ厚さになるように被覆
し、その被覆したものをフッ素系ガスによってエッチバ
ックすることを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220489A JPH0394425A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220489A JPH0394425A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394425A true JPH0394425A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16935619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23220489A Pending JPH0394425A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9599162B2 (en) | 2012-10-05 | 2017-03-21 | Ntn Corporation | Sealed rolling bearing |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP23220489A patent/JPH0394425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9599162B2 (en) | 2012-10-05 | 2017-03-21 | Ntn Corporation | Sealed rolling bearing |
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