JPH10199864A - 反射防止膜のエッチング方法 - Google Patents
反射防止膜のエッチング方法Info
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- JPH10199864A JPH10199864A JP9304023A JP30402397A JPH10199864A JP H10199864 A JPH10199864 A JP H10199864A JP 9304023 A JP9304023 A JP 9304023A JP 30402397 A JP30402397 A JP 30402397A JP H10199864 A JPH10199864 A JP H10199864A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被エッチング層のエッチング時にマスクに用
いられるフォトレジストの厚さを確保するのに適した反
射防止膜のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 被エッチング層上に反射防止膜を形成
し、その上にフォトレジストを塗布した後にそのフォト
レジストをパターニングし、そのパターニングされたフ
ォトレジストをマスクに用いO2ガスとSO2ガスとを混
合したプラズマを使用して反射防止膜をエッチングす
る。
いられるフォトレジストの厚さを確保するのに適した反
射防止膜のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 被エッチング層上に反射防止膜を形成
し、その上にフォトレジストを塗布した後にそのフォト
レジストをパターニングし、そのパターニングされたフ
ォトレジストをマスクに用いO2ガスとSO2ガスとを混
合したプラズマを使用して反射防止膜をエッチングす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に反射防止膜(ARC)のエッチング方
法に関する。
方法に係り、特に反射防止膜(ARC)のエッチング方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】素子の集積度が増加するに伴い、それぞ
れの要素の大きさが比例して小さくならざるを得ない。
従来の線幅は、1M級では0.8μm、64M級では
0.35μm、256M級では0.25μm、そして1
G級では0.18μmに小さくなっている。これによ
り、パターニングのための露光方法も、従来のi−ライ
ンからDUV(深紫外線)の露光方法に転換されてい
る。さらに、1G級以上ではX-ray露光方法が採択
されると予想される。
れの要素の大きさが比例して小さくならざるを得ない。
従来の線幅は、1M級では0.8μm、64M級では
0.35μm、256M級では0.25μm、そして1
G級では0.18μmに小さくなっている。これによ
り、パターニングのための露光方法も、従来のi−ライ
ンからDUV(深紫外線)の露光方法に転換されてい
る。さらに、1G級以上ではX-ray露光方法が採択
されると予想される。
【0003】一般に、有機反射防止膜は、下記のように
AP構造(Aromatic Polysulfone Structure)を有する。 即ち、反射防止膜を構成する構成物が上記のようなAP
構造を有する場合に、DUVマイクロリソグラフィーに
対して有用な反射防止膜として使われる。一般に、BA
RC(bottom anti-reflective cccoating)は有機成分
と無機成分とに区分され、有機成分のARCはフォトレ
ジストのようなC、H、Oなどの成分を有し粘度の高い
特性がある。そして、無機成分のARCはSiO2 系ま
たはカーボン(C)系が主成分である。
AP構造(Aromatic Polysulfone Structure)を有する。 即ち、反射防止膜を構成する構成物が上記のようなAP
構造を有する場合に、DUVマイクロリソグラフィーに
対して有用な反射防止膜として使われる。一般に、BA
RC(bottom anti-reflective cccoating)は有機成分
と無機成分とに区分され、有機成分のARCはフォトレ
ジストのようなC、H、Oなどの成分を有し粘度の高い
特性がある。そして、無機成分のARCはSiO2 系ま
たはカーボン(C)系が主成分である。
【0004】以下、従来の反射防止膜のエッチング方法
を添付図面に基づいて説明する。図1は、従来の有機反
射防止膜のエッチング方法を示す工程図である。まず、
図1(a)に示すように、半導体基板1上に選択的にエ
ッチングしようとする被エッチング層2が形成され、そ
の2上に有機反射防止膜3を形成する。そして、有機反
射防止膜3上にフォトレジスト4を塗布した後、露光及
び現像工程でフォトレジスト4をパターニングする。
を添付図面に基づいて説明する。図1は、従来の有機反
射防止膜のエッチング方法を示す工程図である。まず、
図1(a)に示すように、半導体基板1上に選択的にエ
ッチングしようとする被エッチング層2が形成され、そ
の2上に有機反射防止膜3を形成する。そして、有機反
射防止膜3上にフォトレジスト4を塗布した後、露光及
び現像工程でフォトレジスト4をパターニングする。
【0005】次いで、図1(b)に示すように、O2プ
ラズマにN2またはFを含む化合物ガスのN2、CH
F3、CF4、C2F6 などのガスを添加して、ダウンス
トリーム状のエッチング、または反応性イオンエッチン
グ(RIE)、またはMERIEなどの装備でエッチン
グ工程を行う。このとき、添加されたガスによりフォト
レジスト4の下部の有機反射防止膜3の両側面にはCN
X、CHFX、CFX などのポリマー4aが形成される。
同時にフォトレジスト4の露出されている部分が全体的
に削り取られ、損失部が生じて予定の大きさより小さく
なる。特にフォトレジスト4の上側の部分が大きく削り
取られ、三角形状になる。ここで、削り取られたフォト
レジスト4の厚さを“b”、フォトレジスト4による有
効マスクの厚さを“a”とすると、a/bの値は非常に
小さくなる。反射防止膜3の損失は、その上側にあるa
の部分が小さくなるほど大きくなる。したがって、a/
bはできる限り大きくすることが望ましい。
ラズマにN2またはFを含む化合物ガスのN2、CH
F3、CF4、C2F6 などのガスを添加して、ダウンス
トリーム状のエッチング、または反応性イオンエッチン
グ(RIE)、またはMERIEなどの装備でエッチン
グ工程を行う。このとき、添加されたガスによりフォト
レジスト4の下部の有機反射防止膜3の両側面にはCN
X、CHFX、CFX などのポリマー4aが形成される。
同時にフォトレジスト4の露出されている部分が全体的
に削り取られ、損失部が生じて予定の大きさより小さく
なる。特にフォトレジスト4の上側の部分が大きく削り
取られ、三角形状になる。ここで、削り取られたフォト
レジスト4の厚さを“b”、フォトレジスト4による有
効マスクの厚さを“a”とすると、a/bの値は非常に
小さくなる。反射防止膜3の損失は、その上側にあるa
の部分が小さくなるほど大きくなる。したがって、a/
bはできる限り大きくすることが望ましい。
【0006】次いで、図1(c)に示すように、フォト
レジスト4を除去した後、有機反射防止膜3をマスクに
用いて被エッチング層2を選択的に除去すると、従来の
技術による工程が完了される。
レジスト4を除去した後、有機反射防止膜3をマスクに
用いて被エッチング層2を選択的に除去すると、従来の
技術による工程が完了される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の反射
防止膜のエッチング方法は、a/bの値が非常に小さく
なるので、それに伴ってフォトレジストの有効マスクの
厚さが比例的に小さくなり、反射防止膜の損失が大きく
なり、被エッチング層のエッチング時のマスキングの役
割が不良となる。本発明は、上記の問題点を解決するた
めのもので、反射防止膜のエッチング時にマスクに用い
られるフォトレジストの厚さを確保するようにした反射
防止膜のエッチング方法を提供することにその目的があ
る。
防止膜のエッチング方法は、a/bの値が非常に小さく
なるので、それに伴ってフォトレジストの有効マスクの
厚さが比例的に小さくなり、反射防止膜の損失が大きく
なり、被エッチング層のエッチング時のマスキングの役
割が不良となる。本発明は、上記の問題点を解決するた
めのもので、反射防止膜のエッチング時にマスクに用い
られるフォトレジストの厚さを確保するようにした反射
防止膜のエッチング方法を提供することにその目的があ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の反射防止膜のエッチング方法は、被エッチ
ング層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォト
レジストを塗布した後にそのフォトレジストをパターニ
ングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジ
ストをマスクに用いO2ガスとSO2ガスとを混合したプ
ラズマを使用して反射防止膜をエッチングすることを特
徴とする。
めの本発明の反射防止膜のエッチング方法は、被エッチ
ング層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォト
レジストを塗布した後にそのフォトレジストをパターニ
ングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジ
ストをマスクに用いO2ガスとSO2ガスとを混合したプ
ラズマを使用して反射防止膜をエッチングすることを特
徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施形態の反射防止
膜のエッチング方法を添付図面に基づき説明する。ま
ず、本実施形態の反射防止膜のエッチング方法では、有
機反射防止膜のエッチング時に、被エッチング層をマス
キングするフォトレジストの有効厚をできるだけ確保す
るために、O2にSO2ガスを添加した。
膜のエッチング方法を添付図面に基づき説明する。ま
ず、本実施形態の反射防止膜のエッチング方法では、有
機反射防止膜のエッチング時に、被エッチング層をマス
キングするフォトレジストの有効厚をできるだけ確保す
るために、O2にSO2ガスを添加した。
【0010】本実施形態の反射防止膜のエッチング方法
を図2に基づき説明する。図2(a)に示すように、半
導体基板21上に形成された絶縁層22上にエッチング
しようとする被エッチング層23を形成する。その上に
有機反射防止膜24を形成した後、その上にフォトレジ
スト25を塗布し、その後前記フォトレジスト25を露
光及び現像工程を介してパターニングする。ここで、有
機反射防止膜24はフォトレジスト25より薄い厚さと
し、AP構造を有する。
を図2に基づき説明する。図2(a)に示すように、半
導体基板21上に形成された絶縁層22上にエッチング
しようとする被エッチング層23を形成する。その上に
有機反射防止膜24を形成した後、その上にフォトレジ
スト25を塗布し、その後前記フォトレジスト25を露
光及び現像工程を介してパターニングする。ここで、有
機反射防止膜24はフォトレジスト25より薄い厚さと
し、AP構造を有する。
【0011】そして、図2(b)に示すように、パター
ニングされたフォトレジスト25をマスクに用いてその
下の有機反射防止膜24をエッチングする。このとき、
エッチングに使われるガスとしてはO2にSO2ガスを混
合したガスを使用し、有機反射防止膜24とフォトレジ
スト25のエッチング率はほぼ1:1である。このよう
にO2+SO2ガスを使用して有機反射防止膜24をエッ
チングすると、フォトレジスト25の上部が削り落ちる
量を最小にすることができる。これはSO2 ガスがフォ
トレジスト25のエッチングを阻止するからである。
ニングされたフォトレジスト25をマスクに用いてその
下の有機反射防止膜24をエッチングする。このとき、
エッチングに使われるガスとしてはO2にSO2ガスを混
合したガスを使用し、有機反射防止膜24とフォトレジ
スト25のエッチング率はほぼ1:1である。このよう
にO2+SO2ガスを使用して有機反射防止膜24をエッ
チングすると、フォトレジスト25の上部が削り落ちる
量を最小にすることができる。これはSO2 ガスがフォ
トレジスト25のエッチングを阻止するからである。
【0012】パターニングされたフォトレジスト25を
マスクにし、O2ガスとSO2ガスとを含んだ混合ガスの
プラズマを利用して有機反射防止膜24をエッチングす
るとき、O2 ガスはフォトレジスト25と有機反射防止
膜24をエッチングする機能を果たすが、SO2 ガスは
フォトレジスト25と有機反射防止膜24をエッチング
する機能とともに、フォトレジスト25のエロージョン
を防止する機能を果たす。また、SO2 ガスは、フォト
レジスト25及び有機反射防止膜24の炭素成分と結合
してCS2 化合物を形成する。この化合物がエッチング
される有機反射防止膜24の側壁及びフォトレジスト2
5の側壁に付着して、有機反射防止膜24及びフォトレ
ジスト25の側面がエッチングされるのを保護するパッ
シベーションの役割をする。ここで、エロージョンと
は、有機反射防止膜のエッチング時に、マスク機能をす
るフォトレジストパターンのエッジ部分などが他の部分
より浸食される現象をいう。通常このエロージョンによ
って適切なフォトレジストのパターンの大きさを維持し
難くなる。
マスクにし、O2ガスとSO2ガスとを含んだ混合ガスの
プラズマを利用して有機反射防止膜24をエッチングす
るとき、O2 ガスはフォトレジスト25と有機反射防止
膜24をエッチングする機能を果たすが、SO2 ガスは
フォトレジスト25と有機反射防止膜24をエッチング
する機能とともに、フォトレジスト25のエロージョン
を防止する機能を果たす。また、SO2 ガスは、フォト
レジスト25及び有機反射防止膜24の炭素成分と結合
してCS2 化合物を形成する。この化合物がエッチング
される有機反射防止膜24の側壁及びフォトレジスト2
5の側壁に付着して、有機反射防止膜24及びフォトレ
ジスト25の側面がエッチングされるのを保護するパッ
シベーションの役割をする。ここで、エロージョンと
は、有機反射防止膜のエッチング時に、マスク機能をす
るフォトレジストパターンのエッジ部分などが他の部分
より浸食される現象をいう。通常このエロージョンによ
って適切なフォトレジストのパターンの大きさを維持し
難くなる。
【0013】有機反射防止膜24のエッチング時にO2
ガスはフォトレジスト25及び有機反射防止膜24と反
応してCOまたはCO2ガスとなり、SO2ガスはフォト
レジスト25及び有機反射防止膜24と反応してCS2
となり、そのCS2は蒸気圧力が低いため、排出されな
いでフォトレジストパターン及び有機反射防止膜の側面
に残って、側面のエッチングを防止するパッシベーショ
ンの機能を果たす。結果的に、フォトレジスト25の損
失(“b”)が少ないというのは、その下部の有機反射
防止膜24をエッチングする際にマスクに用いられるフ
ォトレジストの有効厚(“a”)を最大限で確保できる
ということを意味する。
ガスはフォトレジスト25及び有機反射防止膜24と反
応してCOまたはCO2ガスとなり、SO2ガスはフォト
レジスト25及び有機反射防止膜24と反応してCS2
となり、そのCS2は蒸気圧力が低いため、排出されな
いでフォトレジストパターン及び有機反射防止膜の側面
に残って、側面のエッチングを防止するパッシベーショ
ンの機能を果たす。結果的に、フォトレジスト25の損
失(“b”)が少ないというのは、その下部の有機反射
防止膜24をエッチングする際にマスクに用いられるフ
ォトレジストの有効厚(“a”)を最大限で確保できる
ということを意味する。
【0014】ここで、前述した有機反射防止膜24をエ
ッチングする工程条件は下記の通りである。前記O2及
びSO2ガスのそれぞれの流量は5〜50sccmの範
囲とする。そして、エッチングに応ずる上部のソースパ
ワーは350〜450Wの範囲とし、下部のソースパワ
ーは100〜300Wの範囲とする。また、エッチング
に応ずる圧力は3〜10mTの範囲とする。この際、工
程に応ずる最適の条件は、O2の流量を5〜15scc
mとし、SO2 の流量を10〜30sccmの範囲とす
る。そして上部のソースパワーは450W、下部のソー
スパワーは250W、圧力は5mTとする。このような
工程条件により、有機反射防止膜24をエッチングした
とき、マスクに使われるフォトレジスト25の損失の厚
さ“b”と、有効マスクの厚さ“a”との比、つまりa
/b≒1.2となる。
ッチングする工程条件は下記の通りである。前記O2及
びSO2ガスのそれぞれの流量は5〜50sccmの範
囲とする。そして、エッチングに応ずる上部のソースパ
ワーは350〜450Wの範囲とし、下部のソースパワ
ーは100〜300Wの範囲とする。また、エッチング
に応ずる圧力は3〜10mTの範囲とする。この際、工
程に応ずる最適の条件は、O2の流量を5〜15scc
mとし、SO2 の流量を10〜30sccmの範囲とす
る。そして上部のソースパワーは450W、下部のソー
スパワーは250W、圧力は5mTとする。このような
工程条件により、有機反射防止膜24をエッチングした
とき、マスクに使われるフォトレジスト25の損失の厚
さ“b”と、有効マスクの厚さ“a”との比、つまりa
/b≒1.2となる。
【0015】次いで、図2(c)はエッチングされた有
機反射防止膜24をマスクに用いてその下部の被エッチ
ング層23をエッチングした状態を示す工程断面図であ
る。図2(b)及び図2(c)に示すように、フォトレ
ジスト25による有効マスクの厚さを最大限で確保でき
るので、有機反射防止膜24の損失が無く、被エッチン
グ層23のエッチング時に正確にパターンを形成するこ
とができる。
機反射防止膜24をマスクに用いてその下部の被エッチ
ング層23をエッチングした状態を示す工程断面図であ
る。図2(b)及び図2(c)に示すように、フォトレ
ジスト25による有効マスクの厚さを最大限で確保でき
るので、有機反射防止膜24の損失が無く、被エッチン
グ層23のエッチング時に正確にパターンを形成するこ
とができる。
【0016】次いで、図3は本実施形態と従来の技術に
よるCD損失とa/b値をグラフで比較して示したもの
である。即ち、従来の有機反射防止膜をエッチングする
ためのエッチングガスとしてO2 プラズマを使った場
合、またはO2+N2プラズマを使った場合の従来の技術
と、本実施形態のO2+SO2プラズマを使った場合を比
較したものである。図3に示すように、本実施形態のO
2+SO2プラズマを利用して有機反射防止膜をエッチン
グすると、フォトレジストの損失を少なくして、マスキ
ングの有効の厚さの比(a/b)の値をほぼ1.2程度
に大きくすることができるとともに、CD損失も最小化
することができるのが分かる。
よるCD損失とa/b値をグラフで比較して示したもの
である。即ち、従来の有機反射防止膜をエッチングする
ためのエッチングガスとしてO2 プラズマを使った場
合、またはO2+N2プラズマを使った場合の従来の技術
と、本実施形態のO2+SO2プラズマを使った場合を比
較したものである。図3に示すように、本実施形態のO
2+SO2プラズマを利用して有機反射防止膜をエッチン
グすると、フォトレジストの損失を少なくして、マスキ
ングの有効の厚さの比(a/b)の値をほぼ1.2程度
に大きくすることができるとともに、CD損失も最小化
することができるのが分かる。
【0017】
【発明の効果】上述したように、本発明の反射防止膜の
エッチング方法は、有機反射防止膜のエッチング時、O
2ガスとSO2ガスとを混合したガスを使用するので、マ
スクに使われるフォトレジストの損失を最小にすること
ができ、正確なパターンの形成が可能であって、下部の
層をより一層正確にエッチングすることができる。
エッチング方法は、有機反射防止膜のエッチング時、O
2ガスとSO2ガスとを混合したガスを使用するので、マ
スクに使われるフォトレジストの損失を最小にすること
ができ、正確なパターンの形成が可能であって、下部の
層をより一層正確にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の反射防止膜のエッチング方法を示す工
程断面図。
程断面図。
【図2】 本発明実施形態の反射防止膜のエッチング方
法を示す工程断面図。
法を示す工程断面図。
【図3】 本実施形態と従来の技術のCDを比較したグ
ラフ。
ラフ。
21 半導体基板 22 絶縁
層 23 被エッチング層 24 反射
防止膜 25 フォトレジスト
層 23 被エッチング層 24 反射
防止膜 25 フォトレジスト
Claims (4)
- 【請求項1】 有機反射防止膜のエッチングにおいて、 被エッチング層上に反射防止膜を形成する工程と、 前記反射防止膜上にフォトレジストを塗布した後にその
フォトレジストをパターニングする工程と、 そのパターニングされたフォトレジストをマスクに用
い、O2ガスとSO2ガスとを混合したプラズマを使用し
て前記反射防止膜をエッチングする工程と、を備えるこ
とを特徴とする反射防止膜のエッチング方法。 - 【請求項2】 基板上に被エッチング層を形成する工程
と、 前記被エッチング層上に有機反射防止膜を形成する工程
と、 前記有機反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成
する工程と、 有機反射防止膜をエッチングする第1ガスと、前記フォ
トレジストパターンのエロージョンを防止する第2ガス
とを含んだガスをプラズマとして使用して、前記有機反
射防止膜をエッチングする工程と、を備えることを特徴
とする反射防止膜のエッチング方法。 - 【請求項3】 前記第1ガスはO2ガス、第2ガスはS
O2ガスを含むことを特徴とする請求項2に記載の反射
防止膜のエッチング方法。 - 【請求項4】 基板上に第1有機膜を形成する工程と、 前記第1有機膜上に第2有機膜を形成する工程と、 前記第1及び第2有機膜をエッチングする第1ガスと、
前記第2有機膜パターンのエロージョンを防止し前記第
1及び第2有機膜をエッチングする第2ガスを含んだガ
スをプラズマとして使用して第1有機膜をエッチングす
る工程と、を備えることを特徴とする反射防止膜のエッ
チング方法。
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