JP3300781B2 - 酸化膜の形成方法 - Google Patents
酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3300781B2 JP3300781B2 JP26065191A JP26065191A JP3300781B2 JP 3300781 B2 JP3300781 B2 JP 3300781B2 JP 26065191 A JP26065191 A JP 26065191A JP 26065191 A JP26065191 A JP 26065191A JP 3300781 B2 JP3300781 B2 JP 3300781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- laser
- substrate
- forming
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に酸化膜を形成
する方法、特に半導体装置の製造に好適に適用される酸
化膜の形成方法に関する。
する方法、特に半導体装置の製造に好適に適用される酸
化膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造は、高温に熱したＳ
ｉウエハに酸素または水蒸気を流し、Ｓｉ表面を熱酸化
させてＳｉＯ2 層を作り、これにホトレジストを塗布
し、回路パターンを露光後現像し、その後、フッ酸また
はプラズマによってＳｉＯ2 層をエッチングしてボア・
ホールを形成している。
ｉウエハに酸素または水蒸気を流し、Ｓｉ表面を熱酸化
させてＳｉＯ2 層を作り、これにホトレジストを塗布
し、回路パターンを露光後現像し、その後、フッ酸また
はプラズマによってＳｉＯ2 層をエッチングしてボア・
ホールを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体の製造は
上述のように各種工程を介在させなければならず、プロ
セスが複雑となる。
上述のように各種工程を介在させなければならず、プロ
セスが複雑となる。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたのも
で、その目的とするところは、簡単なプロセスで酸化膜
を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な
酸化膜の形成方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、簡単なプロセスで酸化膜
を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な
酸化膜の形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の酸化膜製造方法は、ＮＦ３と酸素または酸
素化合物との混合ガス雰囲気中に基板と必要により酸化
膜形成用金属体とを配置する工程と、前記混合ガス雰囲
気中に１８０〜２３０ｎｍの紫外線を入射し、同時に２
４０〜４００ｎｍの紫外光を照射し、放置して基板上に
酸化膜を積層形成し、更に基板上に垂直方向から１８０
ｎｍ〜１１μｍの光を照射して露光部分をエッチング
し、未露光部分のみに酸化膜を形成する工程と、を具備
する。
に、本発明の酸化膜製造方法は、ＮＦ３と酸素または酸
素化合物との混合ガス雰囲気中に基板と必要により酸化
膜形成用金属体とを配置する工程と、前記混合ガス雰囲
気中に１８０〜２３０ｎｍの紫外線を入射し、同時に２
４０〜４００ｎｍの紫外光を照射し、放置して基板上に
酸化膜を積層形成し、更に基板上に垂直方向から１８０
ｎｍ〜１１μｍの光を照射して露光部分をエッチング
し、未露光部分のみに酸化膜を形成する工程と、を具備
する。
【０００６】例示的に説明すれば、ＮＦ3 とＯ2 混合ガ
ス雰囲気に置かれたＳｉウエハに水平方向からＡｒＦレ
ーザー光を入射させ、光励起されたＮＦ3 とＳｉおよび
酸素とを互に反応させる。一方Ｓｉウエハに対して垂直
方向から回路パターン状のＫｒＦレーザー光を同時照射
して、未露光部にＳｉＯ2 膜を析出させ、露光部でＳｉ
をエッチングさせる。この様にして絶縁層（ＳｉＯ
2 膜）とボアホール（露光部のＳｉ）が単一プロセスで
形成される。
ス雰囲気に置かれたＳｉウエハに水平方向からＡｒＦレ
ーザー光を入射させ、光励起されたＮＦ3 とＳｉおよび
酸素とを互に反応させる。一方Ｓｉウエハに対して垂直
方向から回路パターン状のＫｒＦレーザー光を同時照射
して、未露光部にＳｉＯ2 膜を析出させ、露光部でＳｉ
をエッチングさせる。この様にして絶縁層（ＳｉＯ
2 膜）とボアホール（露光部のＳｉ）が単一プロセスで
形成される。
【０００７】
【作用】ＮＦ3 とＯ2 混合ガス雰囲気中に、１８０〜２
３０nmの紫外光、例えばＡｒＦレーザー光（波長、１９
３nm）を入射すると、その雰囲気中になにも存在しない
時は図１の（ａ）の様にＮＦＯが生成するが、その雰囲
気中にＳｉを入れると図１の（ｂ）の様にＮＦＯは認め
られない。以下の式（１）の様に
３０nmの紫外光、例えばＡｒＦレーザー光（波長、１９
３nm）を入射すると、その雰囲気中になにも存在しない
時は図１の（ａ）の様にＮＦＯが生成するが、その雰囲
気中にＳｉを入れると図１の（ｂ）の様にＮＦＯは認め
られない。以下の式（１）の様に
【０００８】Ｓｉ表面を光分解されたＦでエッチングし
て、ＳｉＦ4 とＮＯ2 を生成する（図２参照）。このＳ
ｉＦ4 は反応容器中に拡散され、その一部は基板上に吸
着する。一方ＮＯ2 は基板上のＳｉＦ4 からＯが引き抜
かれ、時間経過と共に下記式の様に進行する。 ＳｉＦ4 ＋ＮＯ2 →ＳｉＯ2 ＋ＮＯ＋Ｆ2 （２）
て、ＳｉＦ4 とＮＯ2 を生成する（図２参照）。このＳ
ｉＦ4 は反応容器中に拡散され、その一部は基板上に吸
着する。一方ＮＯ2 は基板上のＳｉＦ4 からＯが引き抜
かれ、時間経過と共に下記式の様に進行する。 ＳｉＦ4 ＋ＮＯ2 →ＳｉＯ2 ＋ＮＯ＋Ｆ2 （２）
【０００９】この反応によって雰囲気ガス中のＳｉＦ4
およびＮＯ2 は減少し、それと反対にＮＯおよびＦ2 が
増大する（図２の（ｂ）参照）。また基板上にはＳｉＯ
2 が析出する（図３参照）。尚ＳｉＯ2 を形成する過程
で、ガスを１８０nm〜１１μm の光、例えばＫｒＦレー
ザーで励起すると、 の様に活性の強い基底状態の酸素原子が生成されるた
め、ＳｉＯ2 膜が強くなり、ピンホールも発生しない良
質の膜が出来る。
およびＮＯ2 は減少し、それと反対にＮＯおよびＦ2 が
増大する（図２の（ｂ）参照）。また基板上にはＳｉＯ
2 が析出する（図３参照）。尚ＳｉＯ2 を形成する過程
で、ガスを１８０nm〜１１μm の光、例えばＫｒＦレー
ザーで励起すると、 の様に活性の強い基底状態の酸素原子が生成されるた
め、ＳｉＯ2 膜が強くなり、ピンホールも発生しない良
質の膜が出来る。
【００１０】
【発明の効果】絶縁層とボアホールが単一プロセスで形
成されれば、プロセスを省力化することができる。
成されれば、プロセスを省力化することができる。
【００１１】
【実施例】実施例１
【００１２】図４に示す様に反応セル１０の中にＮ
Ｆ３：Ｏ２＝４：１全圧１００Ｔｏｒｒのガスを満た
し、Ｓｉ基板１１に対して水平方向からエネルギー密度
５０ｍＪ／ｃｍ２のＡｒＦレーザー光を１０００ショッ
ト入射させた。レーザー照射後約１０分間セル内に放置
して取り出した試料のＳｉＯ２酸化膜１２の厚は２００
オングストロームであった。
Ｆ３：Ｏ２＝４：１全圧１００Ｔｏｒｒのガスを満た
し、Ｓｉ基板１１に対して水平方向からエネルギー密度
５０ｍＪ／ｃｍ２のＡｒＦレーザー光を１０００ショッ
ト入射させた。レーザー照射後約１０分間セル内に放置
して取り出した試料のＳｉＯ２酸化膜１２の厚は２００
オングストロームであった。
【００１３】図５の膜形成原理図に示すように、ＡｒＦ
レーザー光によって光分解されたＮＦ3 は気相中でＯ2
と反応してＮＯ2 を作り、残ったＦは、Ｓｉウエハ表面
のＳｉと反応して、ＳｉＦ4 となって気相中に拡散す
る。その中でＳｉ表面に残っているＳｉＦ4 にＮＯ2 ガ
スが吸着されて、ＳｉＯ2 を形成する。この実施例では
一度Ｓｉ表面にＳｉＯ2 膜が付いてしまうと、それ以
後、ＳｉＦ4 の供給が止まってしまうため、気相中に拡
散したＳｉＦ4が再度基板１１の上に吸着し、それがＮ
Ｏ2 と反応して、ＳｉＯ2 を作り続けるが、膜形成速度
は極めて遅く、すぐ終局に向う。 実施例２
レーザー光によって光分解されたＮＦ3 は気相中でＯ2
と反応してＮＯ2 を作り、残ったＦは、Ｓｉウエハ表面
のＳｉと反応して、ＳｉＦ4 となって気相中に拡散す
る。その中でＳｉ表面に残っているＳｉＦ4 にＮＯ2 ガ
スが吸着されて、ＳｉＯ2 を形成する。この実施例では
一度Ｓｉ表面にＳｉＯ2 膜が付いてしまうと、それ以
後、ＳｉＦ4 の供給が止まってしまうため、気相中に拡
散したＳｉＦ4が再度基板１１の上に吸着し、それがＮ
Ｏ2 と反応して、ＳｉＯ2 を作り続けるが、膜形成速度
は極めて遅く、すぐ終局に向う。 実施例２
【００１４】図６に示す様に、実施例１と同一条件で、
ＳｉＦ４の供給源となるＳｉを金属体１３をＡｒＦレー
ザー光に照たる個所に置くと、３０００オングストロー
ムの酸化膜１２ができた。図７の原理図に示す様に、比
較的弱いＡｒＦレーザー光５０ｍＪ／ｃｍ２をＳｉウエ
ハに照射してその雰囲気にある光分解したＮＦ３とＯ２
とを反応させＳｉＦ４を生成させるのであるから、一般
の強いレーザー光でＳｉをアブレーションするのと根本
的に異なる。ここで生成されたＳｉＦ４は気相中に拡散
するが、その一部は基板中に吸着され、ＮＯ２と結合し
てＳｉＯ２の薄膜を形成する。その膜の上に再度ＳｉＦ
４が吸着され、ＮＯ２と結合する。この自然に起こる操
作が繰り返されながら、膜成長が行われる。この間、た
えずＡｒＦレーザー光によってＳｉ面が露出されている
ために、ＳｉＦ４の供給が続く。これによって連続的に
ＳｉＯ２膜の単分子層が重なり、膜厚が厚くなってい
く。従って、ＡｒＦレーザーのパルス数をコントロール
すれば、膜成長速度もコントロールできる。文字どお
り、パルスレーザーによる連続ＡＬＥ（Atomic Layer E
pitaxiy）である。
ＳｉＦ４の供給源となるＳｉを金属体１３をＡｒＦレー
ザー光に照たる個所に置くと、３０００オングストロー
ムの酸化膜１２ができた。図７の原理図に示す様に、比
較的弱いＡｒＦレーザー光５０ｍＪ／ｃｍ２をＳｉウエ
ハに照射してその雰囲気にある光分解したＮＦ３とＯ２
とを反応させＳｉＦ４を生成させるのであるから、一般
の強いレーザー光でＳｉをアブレーションするのと根本
的に異なる。ここで生成されたＳｉＦ４は気相中に拡散
するが、その一部は基板中に吸着され、ＮＯ２と結合し
てＳｉＯ２の薄膜を形成する。その膜の上に再度ＳｉＦ
４が吸着され、ＮＯ２と結合する。この自然に起こる操
作が繰り返されながら、膜成長が行われる。この間、た
えずＡｒＦレーザー光によってＳｉ面が露出されている
ために、ＳｉＦ４の供給が続く。これによって連続的に
ＳｉＯ２膜の単分子層が重なり、膜厚が厚くなってい
く。従って、ＡｒＦレーザーのパルス数をコントロール
すれば、膜成長速度もコントロールできる。文字どお
り、パルスレーザーによる連続ＡＬＥ（Atomic Layer E
pitaxiy）である。
【００１５】図８に示す反応装置２０内をＮＦ3 分圧２
００TorrとＯ2 分圧５Torrの雰囲気とし、基板２１の水
平および垂直方向から５０mJ／cm2 のＡｒＦレーザー光
を５０００ショット照射後、雰囲気ガスを廃気した。露
光部はＳｉ面が、未露光部は４００オングストロームの
ＳｉＯ2 酸化膜２２が形成された。なお基板の垂直方向
からのＡｒＦレーザーの代りにＫｒＦレーザー光を入射
した場合は、水平方向からのＡｒＦレーザー光を止めた
後、垂直方向からのＫｒＦレーザー光を１０分間照射し
続け、ボアホールへのＳｉＯ2 の析出を抑え、かつ１０
分間ＳｉＯ2 の反応を気相中で、行なったため、膜厚は
７００オングストロームと厚くなった。なおＫｒＦレー
ザーを垂直から照射すると、膜質が強く、均質になる。
００TorrとＯ2 分圧５Torrの雰囲気とし、基板２１の水
平および垂直方向から５０mJ／cm2 のＡｒＦレーザー光
を５０００ショット照射後、雰囲気ガスを廃気した。露
光部はＳｉ面が、未露光部は４００オングストロームの
ＳｉＯ2 酸化膜２２が形成された。なお基板の垂直方向
からのＡｒＦレーザーの代りにＫｒＦレーザー光を入射
した場合は、水平方向からのＡｒＦレーザー光を止めた
後、垂直方向からのＫｒＦレーザー光を１０分間照射し
続け、ボアホールへのＳｉＯ2 の析出を抑え、かつ１０
分間ＳｉＯ2 の反応を気相中で、行なったため、膜厚は
７００オングストロームと厚くなった。なおＫｒＦレー
ザーを垂直から照射すると、膜質が強く、均質になる。
【００１６】図９の原理図に示す様に、まずは、Ｓｉ表
面がＦでエッチングされ、ここで生成されたＳｉＦ4 が
Ｓｉ表面に吸着し、そこでＮＯ2と反応してＳｉＯ2 を
形成する。ところが、垂直方向からのレーザー光がＳｉ
を照射しているため、ＳｉＦ4 の供給がたえず行なわれ
る。このためＳｉＯ2 膜は厚くなっていく。ここで、Ｋ
ｒＦレーザー光を入射させた時の効果は、２４９nmのＫ
ｒＦレーザー光は、ＮＯ2の吸収帯にあり、
面がＦでエッチングされ、ここで生成されたＳｉＦ4 が
Ｓｉ表面に吸着し、そこでＮＯ2と反応してＳｉＯ2 を
形成する。ところが、垂直方向からのレーザー光がＳｉ
を照射しているため、ＳｉＦ4 の供給がたえず行なわれ
る。このためＳｉＯ2 膜は厚くなっていく。ここで、Ｋ
ｒＦレーザー光を入射させた時の効果は、２４９nmのＫ
ｒＦレーザー光は、ＮＯ2の吸収帯にあり、
【００１７】ＫｒＦレーザー照射によって基底状態の酸
素原子Ｏ（3 Ｐ）を形成するため、ＳｉＯの反応を促進
する。一方ＫｒＦレーザー光ではＮＦ3 は光分解出来な
いため、ＡｒＦレーザーは止めるとＮＦ3の分解が止ま
るが、垂直方向からのＫｒＦレーザー光の照射を続けれ
ば露光部分へのＳｉＯ2 の堆積が防止でき、雰囲気ガス
をすぐ廃気する必要もなくなる。
素原子Ｏ（3 Ｐ）を形成するため、ＳｉＯの反応を促進
する。一方ＫｒＦレーザー光ではＮＦ3 は光分解出来な
いため、ＡｒＦレーザーは止めるとＮＦ3の分解が止ま
るが、垂直方向からのＫｒＦレーザー光の照射を続けれ
ば露光部分へのＳｉＯ2 の堆積が防止でき、雰囲気ガス
をすぐ廃気する必要もなくなる。
【００１８】あくまでも、ここでのＫｒＦレーザーの効
果は、ＮＯ2 を励起してＯ（3 Ｐ）を形成するもので、
膜質を良くするためには、垂直方向からの入射に限ら
ず、水平から入射しても同一効果が得られる。すなわち
本反応にはＮＦ3 を分解するためのＡｒＦレーザーと、
ＮＯ2 を励起するためのＫｒＦレーザーの同時照射が高
い効果を生み出すことがわかる。
果は、ＮＯ2 を励起してＯ（3 Ｐ）を形成するもので、
膜質を良くするためには、垂直方向からの入射に限ら
ず、水平から入射しても同一効果が得られる。すなわち
本反応にはＮＦ3 を分解するためのＡｒＦレーザーと、
ＮＯ2 を励起するためのＫｒＦレーザーの同時照射が高
い効果を生み出すことがわかる。
【図１】ＮＦ3 ＋Ｏ2 混合ガス中にＡｒＦレーザー光を
照射した時のＵＶチャートを示す図で、（ａ）はＳｉが
ないとき、（ｂ）はＳｉが存在する時をそれぞれ示す。
照射した時のＵＶチャートを示す図で、（ａ）はＳｉが
ないとき、（ｂ）はＳｉが存在する時をそれぞれ示す。
【図２】Ｓｉが存在するＮＦ3 ＋Ｏ2 混合ガス中にＡｒ
Ｆレーザー光を照射した時の赤外差スペクトルを示す図
で、（ａ）はレーザー照射中を、（ｂ）はレーザー照射
１０分後をそれぞれ示す。
Ｆレーザー光を照射した時の赤外差スペクトルを示す図
で、（ａ）はレーザー照射中を、（ｂ）はレーザー照射
１０分後をそれぞれ示す。
【図３】ＳｉＯ2 のＸＰＳ分析を示す図。
【図４】本発明方法をおこなう反応装置の概略図。
【図５】図４の反応装置によるＳｉＯ2 形成の原理を示
す図。
す図。
【図６】本発明方法をおこなう別の反応装置の概略図。
【図７】図６の反応装置によるＳｉＯ2 多層膜形成の原
理を示す図。
理を示す図。
【図８】本発明方法をおこなうさらに異なる反応装置の
概略図。
概略図。
【図９】図８の反応装置によるＳｉＯ2 膜とコンタクト
ホール形成の原理を示す図。
ホール形成の原理を示す図。
１０…反応セル、１１…Ｓｉ基板、１２…ＳｉＯ2 酸化
膜、１３…金属体、２０…反応装置、２１…基板、２２
…ＳｉＯ2 酸化膜
膜、１３…金属体、２０…反応装置、２１…基板、２２
…ＳｉＯ2 酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−199640（ＪＰ，Ａ) Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｐｈｏｔｏ−ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏ ｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｕｎｄｅｒ Ａｒ Ｆ ｅｘｃｉｅｍｅｒ ｌａｓｅｒ ｉ ｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｎ ａｎ Ｏ ２＋ＮＦ３ ｇａｓ ｍｉ，Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，米国，1986年 ７月22日，49（12），699−700 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 21/268
Claims (11)
- 【請求項１】 ＮＦ３と酸素または酸素化合物との混合
ガス雰囲気中に基板を配置する工程と、前記混合ガス雰
囲気中に１８０〜２３０ｎｍの紫外線を入射し、放置し
て基板上に酸化膜を積層形成する工程とを具備した酸化
膜の形成方法。 - 【請求項２】 ＮＦ３と酸素または酸素化合物との混合
ガス雰囲気中に基板と酸化膜形成用金属体とを配置する
工程と、前記金属体に１８０〜２３０ｎｍの紫外線を入
射し、放置して基板上に前記金属体の酸化膜を積層形成
する工程とを具備した酸化膜の形成方法。 - 【請求項３】 基板はＳｉウエハで、このＳｉウエハ基
板に垂直方向から１８０ｎｍ〜１１μｍの光を照射して
露光部分をエッチングし、未露光部分のみにＳｉＯ２の
酸化膜を形成させることを特徴とする請求項１に記載さ
れた酸化膜形成方法。 - 【請求項４】 金属体はＳｉで、前記基板に垂直方向か
ら１８０ｎｍ〜１１μｍの光を照射して露光部分をエッ
チングし、未露光部分のみにＳｉＯ２の酸化膜を形成さ
せることを特徴とする請求項２に記載された酸化膜形成
方法。 - 【請求項５】 前記混合ガスに前記１８０〜２３０ｎｍ
の紫外光とともに２４０〜４００ｎｍの紫外光を照射す
ることを特徴とする請求項１又は２に記載された酸化膜
形成方法。 - 【請求項６】 前記１８０〜２３０ｎｍの紫外光は、１
８６ｎｍのＨｇランプ、１９３ｎｍのＡｒＦレーザー、
及び２２２ｎｍのＫｒＣｌレーザーからなる群から選択
されることを特徴とする請求項１又は２に記載された酸
化膜形成方法。 - 【請求項７】 前記１８０ｎｍ〜１１μｍの光は、Ｓｉ
Ｆ４を連続的に放出し続けかつ露光面を酸化から保護す
るためのもので、Ｈｇランプ、ＡｒＦレーザー、ＫｒＣ
ｌレーザー，ＫｒＦレーザー，ＸｅＣｌレーザー，Ｈｅ
−Ｃｄレーザー，ＸｅＦレーザー，Ａｒ＋レーザー，Ｋ
ｒ＋レーザー，ＹＡＧレーザー，及びＣＯ２レーザーか
らなる群から選択される請求項４に記載された酸化膜形
成方法。 - 【請求項８】 前記酸素化合物はＮＯ２である請求項１
又は２に記載された酸化膜形成方法。 - 【請求項９】 前記酸素化合物はＮＯ２であり、かつ前
記２４０〜４００ｎｍの紫外光はこのＮＯ２を励起する
ためのもので、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ，及びＨＥ−
Ｃｄレーザーからなる群から選択される請求項５に記載
された酸化膜形成方法。 - 【請求項１０】 前記金属体は、Ｓｉ及びＧｅからなる
群から選択される請求項２に記載された酸化膜形成方
法。 - 【請求項１１】 前記金属体は、前記１８０〜２３０ｎ
ｍの紫外光に直接照射される位置に配置され、前記酸化
膜は、紫外光のパルス数に対応して、前記基板上に一層
ごとに形成される連続的アトミック レイヤ エピタキ
シーである請求項２に記載された酸化膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26065191A JP3300781B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26065191A JP3300781B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102130A JPH05102130A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3300781B2 true JP3300781B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=17350880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26065191A Expired - Fee Related JP3300781B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3300781B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005023199A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Chisso Corp | 機能性超薄膜およびその形成方法 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26065191A patent/JP3300781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｐｈｏｔｏ−ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｕｎｄｅｒ ＡｒＦ ｅｘｃｉｅｍｅｒ ｌａｓｅｒ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｎ ａｎ Ｏ２＋ＮＦ３ ｇａｓ ｍｉ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，米国，１９８６年 ７月２２日，４９（１２），６９９−７００ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102130A (ja) | 1993-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5490896A (en) | Photomask or a light shielding member having a light transmitting portion and a light shielding portion | |
| JP3286103B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法及び製造装置 | |
| JPS631097B2 (ja) | ||
| KR940006196A (ko) | 패턴형성방법 | |
| JPS60187026A (ja) | 金属層をエツチングする方法 | |
| JP2001223174A (ja) | 半導体材料をドープする方法 | |
| JPH0691014B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US5607601A (en) | Method for patterning and etching film layers of semiconductor devices | |
| US5139606A (en) | Laser bilayer etching of GaAs surfaces | |
| JP3300781B2 (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| JP4250820B2 (ja) | エッチング方法 | |
| EP0126803A2 (en) | Method for photochemical conversion of silicon monoxide to silicon dioxide | |
| JP3104080B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| JPH1083947A (ja) | レジストパターン形成方法およびその装置 | |
| JP2883918B2 (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP4174610B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2966036B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 | |
| JP3432013B2 (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| JPS6043824A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0555186A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS62219525A (ja) | 光照射エツチング法 | |
| JPH05183050A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05217884A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62185326A (ja) | 光エツチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |