JP4174610B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4174610B2 JP4174610B2 JP24180899A JP24180899A JP4174610B2 JP 4174610 B2 JP4174610 B2 JP 4174610B2 JP 24180899 A JP24180899 A JP 24180899A JP 24180899 A JP24180899 A JP 24180899A JP 4174610 B2 JP4174610 B2 JP 4174610B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide substrate
- etching
- hydrofluoric acid
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング方法に係り、特にシリコンカーバイド基板をエッチングするためのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンカーバイドは、耐熱性、耐放射線性、耐薬品性、及び耐摩耗性に優れ、さらに、ワイドバンドギャップである及びＸ線域で高い反射率を示す等の特徴を有している。そのため、シリコンカーバイドは、半導体デバイスやＳＲ光用グレーティングへの適用が期待されている。
【０００３】
現在、シリコンカーバイド基板は、多くの場合、ダイヤモンド線刻やレーザーアブレーションなどの物理的手法により加工されているが、微細パターンを短時間で及び高精度に形成するには化学的手法の適用が必須である。しかしながら、従来の化学的手法を用いてシリコンカーバイト基板上に微細パターンを短時間且つ高精度に形成するには幾つかの問題がある。
【０００４】
例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法等を用いてパターンエッチングを行う場合には、シリコンカーバイドよりも化学的耐性に優れたレジストが必要である。しかしながら、そのようなレジストは非現実的である。また、フォトエレクトロケミカル（ＰＥＣ）法を用いた場合には、レジストは不要であるが、直描法であるため加工時間及び加工精度に問題がある。
【０００５】
上記方法の他に、本発明者らは、化学的な手法として、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのようなエッチャントガスを用いた光化学的パターンエッチング法を開発している。この方法は、エッチャントガスの光分解により生成したラジカルを用いて、シリコンカーバイド基板の表面でシリコンカーバイドをＳｉＦn及びＣＦn或いはＣＮとして昇華させるものである。この方法によると、表面励起光であるレーザー光の露光部のみで上記昇華が生じるため、所望のパターンを高い精度で形成することが可能である。しかしながら、この方法は、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスを必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来の方法によると、シリコンカーバイト基板上に化学的手法により微細パターンを高精度に形成するには、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガス等の危険なガスが必要である。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、シリコンカーバイド基板上に微細パターンを比較的安全に形成することが可能なエッチング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、サファイアガラス窓部材側からシリコンカーバイド基板に向けてＸｅ2 *エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することによりシリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とするエッチング方法を提供する。
【０００９】
本発明のエッチング方法は、フッ化水素酸を光励起することにより発生する活性の高い酸素原子と、シリコンカーバイトからなる基板の表面を光励起することによって結合を切断されたＳｉ及びＣとの反応を利用している。この反応により生成するＳｉＯ2やＣＯ2のような酸化物のうち、ＣＯ2のようなガスはフッ化水素酸中に拡散する。一方、ＳｉＯ2等は基板表面に残されるが、フッ化水素酸により容易に除去される。本発明のエッチング方法は、このような原理に基づいている。
【００１０】
上述したように、本発明の方法においては、エッチャントとして液体が用いられる。この場合、気体を用いた場合に比べて、被処理面とエッチャントとの接触密度をより高めることができる。したがって、エッチングレートを向上させることが可能となる。
【００１１】
また、本発明の方法によると、シリコンカーバイドのエッチングに、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスは用いず、代わりにフッ化水素酸が用いられる。
【００１２】
さらに、本発明の方法においては、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材とがフッ化水素酸を含有する薄液層を介して積層される。このような構造は、例えば、毛細管現象を利用することにより形成することが可能である。この場合、シリコンカーバイド基板の被処理面全体にフッ化水素酸を均一に供給することができる。したがって、均質なエッチングを行うことが可能となる。また、この場合、必要なフッ化水素酸の量は僅かであるため、より安全にエッチングを行うことができる。
【００１３】
本発明において、薄液層中のフッ化水素酸の濃度は、通常、３５〜４６％の範囲内であり、好ましくは１０〜３０％の範囲内である。フッ化水素酸の濃度が上記範囲内にある場合、十分なエッチングレートを得ることができる。
【００１４】
本発明において、薄液層の厚さは、通常、１００〜０．５μｍの範囲内であり、好ましくは５０〜１μｍの範囲内である。薄液層の厚さが上記範囲内である場合、十分な量のエッチャントをシリコンカーバイド基板の表面に供給することができ、しかも、薄液層におけるＡｒＦレーザー光の吸収を抑制して、シリコンカーバイド基板の表面を十分に光励起することができる。
【００１５】
本発明において、Ｘｅ2 *エキシマランプ光のエネルギー密度は、２０ｍＷ以上であることが好ましい。この場合、活性の高い酸素原子を十分に発生させることができる。また、本発明において、ＡｒＦレーザー光のエネルギー密度は、１００ｍＪ／ｃｍ2以上であることが好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ2以上であることがより好ましい。この場合、十分なエッチングレートを得ることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】
まず、シリコンカーバイド基板の一方の主面に、フッ化水素酸を滴下した。次に、シリコンカーバイド基板のフッ化水素酸を滴下した面にサファイアガラス板を載置した。シリコンカーバイド基板上に存在するフッ化水素酸の液滴は、毛細管現象によりシリコンカーバイド基板とサファイアガラス板との間に広げられる。その結果、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス板との間には、極めて薄い液膜であるフッ化水素酸の薄液層が形成された。
【００１８】
その後、サファイアガラス板側からシリコンカーバイド基板に向けてＸｅ2 *エキシマランプ光（１０ｍＷ）を照射してフッ化水素酸を光励起した。これと同時に、サファイアガラス板側から基板面に垂直にＡｒＦエキシマレーザー光をパターン状に照射してシリコンカーバイト基板表面を光励起した。
【００１９】
サファイアガラス板側からシリコンカーバイド基板に向けてこれら光を照射すると、ＡｒＦエキシマレーザー光の露光部では、基板表面からシリコンカーバイドが活性の強いＦラジカルによってＳｉＦnやＣＦnなどのガスとして除去される。一方、ＡｒＦエキシマレーザー光の未露光部では、このようなガスは生成されない。すなわち、シリコンカーバイド基板のＡｒＦエキシマレーザー光を露光した部分のみを選択的に除去することができる。
【００２０】
以上のようにして、シリコンカーバイト基板の表面をエッチングして、所定のパターンを形成した。
【００２１】
図１は、ＡｒＦエキシマレーザー光の条件を４００ｍＪ／ｃｍ2、２０Ｈｚ、１００００ｓｈｏｔｓとした場合に得られたフッ化水素酸中のフッ化水素濃度とエッチング深さとの関係を示すグラフである。図中、横軸はフッ化水素濃度を示しており、縦軸はエッチング深さを示している。
【００２２】
図１に示すように、フッ化水素の濃度を１５％とした場合に最も効果的にエッチングを行うことができ、約７５オングストロームのエッチング深さを実現することができた。
【００２３】
また、エッチングレートはＡｒＦエキシマレーザー光のエネルギー密度に依存しており、６５０ｍＪ／ｃｍ2、２０Ｈｚ、１００００ｓｈｏｔｓの条件下では１５０オングストロームのエッチング深さを実現することができた。
【００２４】
【発明の効果】
以上示したように、本発明の方法によると、シリコンカーバイドのエッチングに、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスは用いられず、代わりにフッ化水素酸が用いられる。そのため、本発明の方法によると、比較的安全にシリコンカーバイド基板上に微細パターンを形成することが可能である。
【００２５】
すなわち、本発明によると、シリコンカーバイド基板上に微細パターンを比較的安全に形成することが可能なエッチング方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るエッチング方法を用いた場合に得られたフッ化水素酸の濃度とエッチング深さとの関係を示すグラフ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング方法に係り、特にシリコンカーバイド基板をエッチングするためのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンカーバイドは、耐熱性、耐放射線性、耐薬品性、及び耐摩耗性に優れ、さらに、ワイドバンドギャップである及びＸ線域で高い反射率を示す等の特徴を有している。そのため、シリコンカーバイドは、半導体デバイスやＳＲ光用グレーティングへの適用が期待されている。
【０００３】
現在、シリコンカーバイド基板は、多くの場合、ダイヤモンド線刻やレーザーアブレーションなどの物理的手法により加工されているが、微細パターンを短時間で及び高精度に形成するには化学的手法の適用が必須である。しかしながら、従来の化学的手法を用いてシリコンカーバイト基板上に微細パターンを短時間且つ高精度に形成するには幾つかの問題がある。
【０００４】
例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法等を用いてパターンエッチングを行う場合には、シリコンカーバイドよりも化学的耐性に優れたレジストが必要である。しかしながら、そのようなレジストは非現実的である。また、フォトエレクトロケミカル（ＰＥＣ）法を用いた場合には、レジストは不要であるが、直描法であるため加工時間及び加工精度に問題がある。
【０００５】
上記方法の他に、本発明者らは、化学的な手法として、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのようなエッチャントガスを用いた光化学的パターンエッチング法を開発している。この方法は、エッチャントガスの光分解により生成したラジカルを用いて、シリコンカーバイド基板の表面でシリコンカーバイドをＳｉＦn及びＣＦn或いはＣＮとして昇華させるものである。この方法によると、表面励起光であるレーザー光の露光部のみで上記昇華が生じるため、所望のパターンを高い精度で形成することが可能である。しかしながら、この方法は、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスを必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来の方法によると、シリコンカーバイト基板上に化学的手法により微細パターンを高精度に形成するには、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガス等の危険なガスが必要である。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、シリコンカーバイド基板上に微細パターンを比較的安全に形成することが可能なエッチング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、サファイアガラス窓部材側からシリコンカーバイド基板に向けてＸｅ2 *エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することによりシリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とするエッチング方法を提供する。
【０００９】
本発明のエッチング方法は、フッ化水素酸を光励起することにより発生する活性の高い酸素原子と、シリコンカーバイトからなる基板の表面を光励起することによって結合を切断されたＳｉ及びＣとの反応を利用している。この反応により生成するＳｉＯ2やＣＯ2のような酸化物のうち、ＣＯ2のようなガスはフッ化水素酸中に拡散する。一方、ＳｉＯ2等は基板表面に残されるが、フッ化水素酸により容易に除去される。本発明のエッチング方法は、このような原理に基づいている。
【００１０】
上述したように、本発明の方法においては、エッチャントとして液体が用いられる。この場合、気体を用いた場合に比べて、被処理面とエッチャントとの接触密度をより高めることができる。したがって、エッチングレートを向上させることが可能となる。
【００１１】
また、本発明の方法によると、シリコンカーバイドのエッチングに、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスは用いず、代わりにフッ化水素酸が用いられる。
【００１２】
さらに、本発明の方法においては、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材とがフッ化水素酸を含有する薄液層を介して積層される。このような構造は、例えば、毛細管現象を利用することにより形成することが可能である。この場合、シリコンカーバイド基板の被処理面全体にフッ化水素酸を均一に供給することができる。したがって、均質なエッチングを行うことが可能となる。また、この場合、必要なフッ化水素酸の量は僅かであるため、より安全にエッチングを行うことができる。
【００１３】
本発明において、薄液層中のフッ化水素酸の濃度は、通常、３５〜４６％の範囲内であり、好ましくは１０〜３０％の範囲内である。フッ化水素酸の濃度が上記範囲内にある場合、十分なエッチングレートを得ることができる。
【００１４】
本発明において、薄液層の厚さは、通常、１００〜０．５μｍの範囲内であり、好ましくは５０〜１μｍの範囲内である。薄液層の厚さが上記範囲内である場合、十分な量のエッチャントをシリコンカーバイド基板の表面に供給することができ、しかも、薄液層におけるＡｒＦレーザー光の吸収を抑制して、シリコンカーバイド基板の表面を十分に光励起することができる。
【００１５】
本発明において、Ｘｅ2 *エキシマランプ光のエネルギー密度は、２０ｍＷ以上であることが好ましい。この場合、活性の高い酸素原子を十分に発生させることができる。また、本発明において、ＡｒＦレーザー光のエネルギー密度は、１００ｍＪ／ｃｍ2以上であることが好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ2以上であることがより好ましい。この場合、十分なエッチングレートを得ることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】
まず、シリコンカーバイド基板の一方の主面に、フッ化水素酸を滴下した。次に、シリコンカーバイド基板のフッ化水素酸を滴下した面にサファイアガラス板を載置した。シリコンカーバイド基板上に存在するフッ化水素酸の液滴は、毛細管現象によりシリコンカーバイド基板とサファイアガラス板との間に広げられる。その結果、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス板との間には、極めて薄い液膜であるフッ化水素酸の薄液層が形成された。
【００１８】
その後、サファイアガラス板側からシリコンカーバイド基板に向けてＸｅ2 *エキシマランプ光（１０ｍＷ）を照射してフッ化水素酸を光励起した。これと同時に、サファイアガラス板側から基板面に垂直にＡｒＦエキシマレーザー光をパターン状に照射してシリコンカーバイト基板表面を光励起した。
【００１９】
サファイアガラス板側からシリコンカーバイド基板に向けてこれら光を照射すると、ＡｒＦエキシマレーザー光の露光部では、基板表面からシリコンカーバイドが活性の強いＦラジカルによってＳｉＦnやＣＦnなどのガスとして除去される。一方、ＡｒＦエキシマレーザー光の未露光部では、このようなガスは生成されない。すなわち、シリコンカーバイド基板のＡｒＦエキシマレーザー光を露光した部分のみを選択的に除去することができる。
【００２０】
以上のようにして、シリコンカーバイト基板の表面をエッチングして、所定のパターンを形成した。
【００２１】
図１は、ＡｒＦエキシマレーザー光の条件を４００ｍＪ／ｃｍ2、２０Ｈｚ、１００００ｓｈｏｔｓとした場合に得られたフッ化水素酸中のフッ化水素濃度とエッチング深さとの関係を示すグラフである。図中、横軸はフッ化水素濃度を示しており、縦軸はエッチング深さを示している。
【００２２】
図１に示すように、フッ化水素の濃度を１５％とした場合に最も効果的にエッチングを行うことができ、約７５オングストロームのエッチング深さを実現することができた。
【００２３】
また、エッチングレートはＡｒＦエキシマレーザー光のエネルギー密度に依存しており、６５０ｍＪ／ｃｍ2、２０Ｈｚ、１００００ｓｈｏｔｓの条件下では１５０オングストロームのエッチング深さを実現することができた。
【００２４】
【発明の効果】
以上示したように、本発明の方法によると、シリコンカーバイドのエッチングに、ＣｌＦ3ガスやＮＦ3ガスのような危険なガスは用いられず、代わりにフッ化水素酸が用いられる。そのため、本発明の方法によると、比較的安全にシリコンカーバイド基板上に微細パターンを形成することが可能である。
【００２５】
すなわち、本発明によると、シリコンカーバイド基板上に微細パターンを比較的安全に形成することが可能なエッチング方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るエッチング方法を用いた場合に得られたフッ化水素酸の濃度とエッチング深さとの関係を示すグラフ。
Claims (1)
- シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ2 *エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24180899A JP4174610B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24180899A JP4174610B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068451A JP2001068451A (ja) | 2001-03-16 |
| JP4174610B2 true JP4174610B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=17079820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24180899A Expired - Fee Related JP4174610B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4174610B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3795867B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6477944A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH04240720A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多結晶半導体薄膜の形成方法 |
| JP2002543610A (ja) * | 1999-05-03 | 2002-12-17 | アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ | ＳｉＣの除去法 |
| JP4250820B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2009-04-08 | 正隆 村原 | エッチング方法 |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24180899A patent/JP4174610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001068451A (ja) | 2001-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5879424A (en) | Optical micro-machining method of glass | |
| US10741399B2 (en) | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate | |
| US6306556B1 (en) | Pattern forming material and pattern forming method | |
| JPS60187026A (ja) | 金属層をエツチングする方法 | |
| JPS6299480A (ja) | 金属化された基板のドライ・エツチング方法 | |
| JPS60154619A (ja) | 金属層をエツチングする方法 | |
| Dolgaev et al. | Fast etching of sapphire by a visible range quasi-cw laser radiation | |
| JPS6153732A (ja) | シリコン酸化膜の光照射によるエツチング方法 | |
| JP4818524B2 (ja) | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 | |
| JP4250820B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP4174610B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2004335873A (ja) | パターン形成方法 | |
| Seth et al. | Lithographic application of diamond-like carbon films | |
| Koren et al. | 248 nm laser etching of GaAs in chlorine and ozone gas environments | |
| JPH0478005B2 (ja) | ||
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| JPS5986222A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2513279B2 (ja) | 薄膜除去方法 | |
| JPH0153577B2 (ja) | ||
| Ritsko | Laser etching | |
| JP3104080B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| JP2686762B2 (ja) | ゲッタリング方法 | |
| JPS62219525A (ja) | 光照射エツチング法 | |
| Houle | Laser-assisted chemical etching | |
| JPH041069B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080512 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080514 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080520 |
|
| AA92 | Notification of invalidation |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20080603 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080512 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080730 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |