JPS6299480A - 金属化された基板のドライ・エツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

Ａ、産業上の利用分野 本発明は金属基板の放射線誘導ドライ・エッチング方法
、さらに具体的には本発明は金属と反応するハロゲン気
体を使用して、エキシマ・レーザによって発生した放射
線ビームによって除去出来る固体の反応生成物を形成す
るドライ・エッチング方法に関する。 Ｂ、従来技術 今日のエレクトロニクスの傾向はシステムの素子密度を
たえず増大させる方向に向っている。素子密度の増大に
よって設計者はシステムの寸法を最小に保ったままシス
テムの速度を増大し、システムに複雑な機能を与える事
が出来る様になった。 さらに、素子密度の増大は、集積回路の製造方法の経済
性と相まって製造コストを安くした。 素子密度を増大したいという欲求によって、超大規模集
積回路（ＶＴ、ＳＴ）が製造されるに至った。この様な
回路では、設計者は多数の電子素子を個々の集積回路チ
ップ」二に集積することが出来る。その後、これ等のチ
ップを基板」二に集めて、より大きな回路及びシステム
の機能ブロックを形成している。 高密度回路チップの取付けを容易にするために、設創者
はいわゆる多重セラミック（ＭＬＣ）基板を開発した。 Ｍ　Ｔ、　Ｃ基板は良く知られていて、１９７２年５月
刊固体技術第３５−４０頁のＨ，Ｄ。 カイザー等著の論文「多層セラミック・モジュールのた
めの製造技術」　（“Ａ　ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＴｅ
ｃｈｎ−ｉｑｕｅ　ｆｏｒ　Ｈｕｌｌ；ｊ　］−ａｙｅ
ｒ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｍｏｄｕｌｅｓ”ｂｙ　Ｉｌ、Ｉ
）、にａｊｓｅｒ　ａｔ　ａｌ、　ｉｎ　Ｓｏｌｉｄ−
５ｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｍａｙ、　＋９７２
　ｐｐ、３５−４０　）に開示されている。 多層セラミック基板を含む半導体モジュールの例は米国
特許第４２４５２７３号に与えられている。 Ｍ　Ｔ、、　Ｃの製造業者は基板の性能、特に最大回路
速度がチップを相互接続するため基板中に組込まれた厚
膜金属線の長さを減少する事によって増大出来る事を見
出した。設計者はＭ　Ｌ　Ｃの厚膜の少なく共一部を多
層薄膜回路で置換える事によって相互接続線を減少する
事を提案した。Ｎ１漠回ＭけＭＬＣチップの取付は表面
−１−に、ポリイミドもしくは他の重合体有機材料の様
な絶縁層によって分離した薄膜金属の多くの層として形
成されている。 多くの金属層は予定のパターンをなして配列した貫通孔
と呼ばれる開［１を通って延びる垂直な金属化柱によっ
て相互接続されている。 厚膜技術と比較して薄１１惣技術を使用すると小さな寸
法の線を形成する事が出来るので、基板の平面にはより
多くの回路をはめ込む事が出来る。平面当りの回路密度
が高くなると、より少い平面ですみ、従って多くのＮ１
１面を相互接続するための回路の配線長を短く出来る。 平面間を相互接続する金属化線が短くなると、回路のイ
ンダクタンス及び寄生キャパシタンスが小さくなり、高
い周波数特性が得られる。この周波数特性の改善技術は
薄膜再分布（Ｔ　Ｆ　Ｒ）と呼ばれる様になった。Ｔ　
ＦＲ構造体を含むＭ　Ｔ、　Ｃの例は米国特許第４２２
１０４７号に与えられている。 −，１− ＴＦＲ多重レベル金属化構造体の寸法は厚膜よりも小さ
いが、チップ−Ｉ−に使用する薄膜金属化構造体はどは
小さくない。ＴＦＲの電流は多くのチップによって供給
される電流の組合せであるから、ＴＦＲの電流はチップ
電流よりもかなり大きいので、その電流密度及び関連す
る熱を許容レベルに保持するためにはＴＦＲ金属化構造
体の物理的寸法はチップよりもかなり大きくなくてはな
らない。 さらに、ＴＦＲ金属化層を分離する絶縁層も厚くなけれ
ばならず、異なる組成のものでなければならない。上述
の米国特許に開示されている様に、銅は金属化パターン
を形成するのに最も良く使用されている金属である。従
って銅のエツチングは薄膜再分布（Ｔ　Ｆ　Ｒ）及び金
属化セラミック・ポリイミド（ＭＣＰ）技術の両方にと
って、さらに一般的には銅の厚膜中の配線パターンを画
定するのに必要な種々のパッケージングの応用にとって
重要な技術である。 不幸な事に、ＴＦＲ構造体は集積回路チップの構造体の
寸法よりも大きく、材料が若干異なるために、リフト・
オフ・エツチング技術及びドライ・エッチング（プラズ
マもしくは反応イオン・エツチング）の様な集積回路の
チップ金属化パターンの製造に通常使用されている薄膜
処理技術は平易＜ＴＦＲ構造体の製造に使用する事は出
来ない。 ドライ・エッチングには複雑な装置及びＭｇＯ及び５ｉ
ｎ２の様な無機質のマスクを含む処理段階を必要とする
。 米国特許第４４９０２１１号はＴＦＲ多層銅を有するＭ
　ＣＬ構造体をドライ・エッチングする方法を開示して
いる。この方法によれば、金属化銅基板は予定の圧力の
真空にした反応室中に取付けられる。次に塩素の様なハ
ロゲンの気体が室中に導入される。気体は自発的に銅の
基板と反応して、銅の表面を一部消費してその１〕に固
体の反応生成物（Ｃｕ　ＣＱ　）を形成する。Ｃｕ　Ｃ
０表面はＣＩＩＣＱによって吸収される波長で動作する
パルス・エキシマ・レーザからのパターン化されたビー
１１で選択的に照射される。エキシマ・レーザが当ると
、放射線の吸収によって発生する熱によって、Ｃ″＋＋
　ＣＱの薄膜が蒸発して、銅の新鮮な層を露出する。Ｃ
ＩＩＣＱの新らしい層が前と同様に、金属と追加された
ハロゲン気体と反応する事によって新らしくｖＲ出した
金属上に反応する事によって形成される。次に（’：　
ｕ　ＣＱの新らしい層がパルス・レーザの照射によって
除去される。この様にして、金属がエッチされる。 エキシマ・レーザの放射を受けなかった銅の金属化パタ
ーンの領域では、Ｃｕ　ＣＱ反応生成物はそのまま残り
、それはレーザ・エツチング工程を市めた後に希釈水酸
化アンモニウム溶液の様な希釈化溶液中で洗浄されて除
去される。銅金属のエツチングの選択性によって、エキ
シマ・レーザの放射線に使用してそのパターン化が可能
になる。 この米国特許第４４９０２１．１号に表示されているレ
ーザ誘導化学エツチング方法の１つの欠点はエツチング
工程が比較的遅く、著しい量のレーザ・エネルギを消費
する点にある。 Ｃ１発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は高速でレーザ・エネルギの消費が少ない
、金属基板のレーザ誘導ハロゲン気体エツチング方法を
与える事にある。 Ｄ０問題点を解決するための手段 本発明に従えば、エツチングすべき金属化基板はハロゲ
ン気体を含む反応室中に置かれる。ハロゲン気体は金属
化層と反応して基板上に反応生成物であるハロゲン化金
属塩を形成する。金属化基板をハロゲン化金属塩によっ
て吸収される波長のレーザ放射線ビー１１にパターン状
に露らし、反応生成物の形成を促進する。基板−にに蓄
積した反応生成物は基板をハロゲン化金属の溶剤と接触
させる事によって基板から除去される。 本発明のレーザ・エツチング処理の速度はレーザ・エツ
チング段階中に高温、高圧を使用する事によって増大さ
れる。 Ｅ、実施例 本発明の実施には米国特許第４４９０２１１号に開示し
た型のエツチング装置を使用して、銅の様な金属化基板
のエツチングはハロゲン化塩の反応生成物の吸収帯域幅
と一致する特性波長を放出する希ガス・パルス・エキシ
マ・レーザで行う。 エツチングを行うために、エツチングさるべき金属化基
板は米国特許第４−４９０２１１号に開示した型のエツ
チング装置の反応室中に取付けられる。 適切な金属化基板は銅、クロム、チタン、モリブデン、
アルミニウム及びステンレス鋼である。本発明のエツチ
ング方法はシリコンもしくはセラミック基板１：に形成
したクロム−銅−クロムのサンドイッチ層を使用してＭ
ＣＬ基板をチッチするのに特に適している。クロム層は
薄く、代表的には約２００乃至約１２００人であり、銅
の厚さは約２乃至約１０ミクロンである。このエツチン
グ処理は都合のよい事に両金属をエツチングするのに同
一の反応気体を使用して同じ反応室でクロム−銅−クロ
ムのサンドインチ層をエツチングする。 例えば、ハロゲン気体である塩素を使用する時はこれば
自発明にクロムと反応して、反応生成物である塩化クロ
ムを形成する。この塩化クロムは塩化銅を駆逐するのに
使用したのと同じ波長のエキシマ・レーザ・パルスを照
射する事によって駆逐できる。 反応室に金属化基板を取付けた後に、室を排気して、１
０−５以下の圧力にし、気体の成分を除去し、その後ハ
ロゲン気体を導入して０．００１乃至１００トル、好ま
しくは約０．４乃至約１．０トルの圧力にする。反応室
に導入したハロゲン気体は金属化層と自発的に反応して
ハロゲン化物の塩の薄い表面を形成する。金属化層とハ
ロゲン気体の反応は除々に進行する。例えば０．４１〜
ルの圧力の塩素気体を使用すると、室温で５ミクロンの
厚さの、電子ビームで蒸着した銅の膜は２５乃至３０分
で塩化第１銅に変る。塩化第１銅はＣｕＣＱを介して塩
素が拡散して下の銅と反応することによって形成される
。 以下、説明する様に、一般に反応は圧力の増大とともに
増大するので、ハロゲン気体と金属化基板間の反応は約
３５°Ｃ及び１４０℃の温度、約０゜４乃至約１０．０
１−ルの程度のハロゲン気体の圧力を使用する事によっ
て大いに加速される事が見出された。従って本発明の好
ましい実施例では約０．１乃至１００１〜ル程度、さら
に好ましくは約０．４乃至約１０トル程度のハロゲン気
体の圧力を使用する。 本発明において使用される反応性拡散反応は熱的に活性
化される反応であるから、成る圧力におけるハロゲン気
体と金属化基板間の反応は高温度、即ち約３５℃乃至約
１４０℃の程度の温度の使用によっても加速出来る。ハ
ロゲン雰囲気において、レーザにより金属をエッチする
従来の技術では、エツチングは高温はエツチング速度を
減少するか、最終エッチＪＩＩＩＩ′Ｊｌｉ体を劣化さ
せるという通常の知見に従って行オ）れていた。以下説
明される様に、エツチング速度は本発明に従い約３５℃
乃至約１４０℃の温度を使用する時に著しく加速される
。約１４０℃を超える温度では、エツチング速度は下が
る事がわかっている。 本発明において使用されるハロゲン気体について云えば
、臭素が好ましい気体である。以下説明する様に、本発
明の方法の反応性気体として臭素を使用する事によって
他のハロゲンもしくはハロゲン含有似体で達成されるよ
りもレーザ放射線によって誘起されるエツチングの速度
が著り、　＜改良される。 金属化基板のパターン状のエツチングを行う！−めに、
パターンが描かれたマスクを介して、ハ［１ゲン化金属
ＩＳにが吸収するのに適した波長のレーザの放射線のパ
ターン化されたビームを基板上に照射する。レーザはパ
ルス・エキシマ・レーザである事が好ましく、使用波長
は紫外線領域、好ましくは３７０ナノメー１ヘル（０川
）以下の領域にある。 本発明の実施にとって都合のよいエキシマ・レーザは］
−５７ｎｍの波長で動作するＦ２レーザ、１１〕３ｎｍ
で動作するＡｒＦレーザ、２４９ｎｍで動作するＫｒＦ
レーザ、３　Ｑ　８　ＩＩ　ｍで動作するＸｅＣ９レー
ザ、３５１ｎｍで動作するＸｅＦレーザである。 本発明の方法のエツチング工程中に、エキシマレーザの
放射線パルスは、投影マスクによって定まるパターンを
なして、金属化された基板上に形成された反応生成物、
ハロゲン化金属塩に当る。 レーザと接触する事によってハロゲン化金属塩はＩＩ− 放射線を吸収し、熱的及び電子的に励起して、金属化基
板のハロゲン化金属への変化を加速する。 パターン状の照射を受けない基板領域のハロゲン気体と
金属基板間の反応を禁止するために、基板をハロゲン気
体にさらす前に、基板を約１００℃乃至１５０℃の温度
の空気中で約１０乃至３０分加熱する事によって安定化
し、基板上に酸化金属の安定化薄膜を形成する。例えば
銅薄膜を約１２５℃で約２５分間加熱すると、薄い（１
００Å以下の）酸化銅膜が銅の表面上に形成される。安
定化した銅の表面をパターン化したレーザでエツチング
する時は、レーザ放射線の最初のパルスが安定化薄膜を
破壊して下の銅の表面が霧出して反応室中のハロゲンの
気体と反応する。酸化鋼の薄膜は０．４トルの圧力の塩
素気体の雰囲気の中で３０８ｎｍの放射線の１０個のパ
ルスの侵入によって破壊される事が判明している。 金属化基板のパターン状のレーザ露光によってハロゲン
化金属塩はその後のレーザ・パルスによって完全には除
去されることなく基板の露光領域−１２＝ 上に蓄積される。放射線の露光を続けると、反応生成物
の蓄積は成るレベルに達し、基板に指向されるレーザ射
線は蓄積された反応生成物の薄膜によってほぼ完全に吸
収される。レーザの放射線はハロゲン化金属の成長を刺
激して、５ミクロンの厚さの薄膜が２分以内で全部Ｃｕ
　Ｃωに変り、従って基板はこれ以上ハロゲン気体と反
応しなくなる。従ってパターン化した領域の蓄積の生成
物の薄膜は、このエツチング工程のエッチ・ストップと
して働き、従って冶金層がオーバーエツチングされて下
の絶縁層、例えばポリイミド層に達するのを防止するエ
ッチ・ストップ層の必要がなくなる。 放射線が蓄積した反応生成物である薄膜によって完全に
吸収され、銅もしくは他の金属化薄膜が完全にハロゲン
化金属に変ると、さらに放射線で露光しても露光された
反応生成物が蒸発するだけである。 従来技術の実施におけるこの段階では、基板のパルス・
レーザ照射が続けられ、蓄積した反応生代物であるハロ
ゲン化金属生成物を蒸発するのに使用され、全ての金属
が完全にエツチングされ、所望の導体パターンを形成す
る迄続けられる。次に金属化された基板を反応室から除
去し、基板は希釈アルカリ溶液、例えばＮＨ４ＯＨ及び
脱イオン水で洗浄する事によって清浄にされる。従来の
方法では５ミクロンの厚さの銅の薄膜を完全にエッチす
るのに必要とされるエキシマ・レーザ・パルスの数は３
００もしくはこれ以上の程度である。 本発明に従って、銅の様な金属化基板を使用する時、３
７０ｎｍ以下の波長の放射線は、ハロゲン化金属塩例え
ばハロゲン化第１銅の０．２ｒ＋ｎ＋の厚さの表面内で
吸収される事がわかった。金属化基板をパルス・エキシ
マ・レーザにパターン状に照射した後、限られた数のレ
ーザ・パルス、例えば１０６−１−２０個のレーザ・パ
ルスで、パターン状に照射した基板中で金属化基板が略
完全にハロゲン化金属塩に変化する。本発明の方法に従
うと、パルス・エキシマ・レーザの照射を続けて金属化
基板の−１−に蓄積したハロゲン化金属塩を蒸発して除
去するのでなく、レーザ照射が中断さオし、蒸発するこ
となく蓄積したハロゲン化薄膜を担持する基板が反応室
から除去され、希釈Ｎ　Ｉ（４０Ｈの様な希釈アルカリ
溶液の如きこの薄膜のための溶剤に浸漬され、これによ
って蓄積したハロゲン化金属塩が溶解し、基板から除去
される。以下間らかになる様に、５．０ミクロンの厚さ
の銅の薄膜のエツチングは約１００個のレーザ・パルス
で達成されるが、従来技術のレーザ・エツチング方法で
は少なくとも約３００個のレーザ・パルスが必要であり
、従って、本発明によれば、レーザのエネルギのコスト
がかなり節約され、レーザ装置による生産率が著しく増
大することが見てとれる。本発明の方法の副次的利点は
レーザのすべてのエネルギがハロゲン化金属塩によって
吸収され、レーザがハロゲン化金属塩をエツチングしな
いので、レーザ・エツチング停止のための手段が必要で
なく、基板がハロゲン気体に直接ｎ出される事がない点
にある。 本発明の方法をさらに次の実施例によって説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 実−施例−！− 一連の流れにおいて、その上に４．０ミクロンの厚さの
銅層を有する一連のシリコン基板をパルス・エキシマ・
レーザ装置の反応室中に取付けた。 室を排気して１．０−３トルの低圧にした後に、室中に
０．／ｌＩ−ルの圧力になる様に塩素気体を導入した。 銅を選択的にエツチングするために、３０８ｎｍの波長
、０　、２　Ｊ　／ａｎ”のエネルギ流量及び１−　Ｈ
２のパルス速度で動作しているＸ　ｅ　ＣＱレーザから
のパルス放射線ビームをパターン化したマスクを通して
室中の銅層−１−に通過させた。 エツチングを達成するのに使用するレーザ・パルスを使
用するパルスの数を約１８から３００に変化させた。各
工程の後に、銅の層に付着した反応生成物である蓄積Ｃ
ｕ　ＣＱの高さを測定した。 次に基板を希釈ＮＨ４ＯＨ溶液中に約１分間浸漬し、次
に脱イオン化水で洗浄した。洗浄した基板上の残りの銅
層の厚さも測定した。この結果を下＝１６− の第１表に示す。 第　　１　　表 工程　　レーザ・パルス　反応生成物　　　　エツチン
グされた番号　　Φ数　　　　　　Ｃ！！ｑ妙裔ζ（μ
凹）銅層の厚さＱ鞭）１　　　　　１．８，０　　　　
０　　　　　　　　　４．０２　　　　　３７．０　　
　　７．１．　　　　　　　２．０３　　　　６２．０
　　　１０．５　　　　　　　０．５４　　　　１００
．０　　　．１．０．０　　　　　　　０，０５　　　
　１３７．０　　　　７．５　　　　　　　０．０６　
　　　１．８１．０　　　　５．５　　　　　　　０．
０７　　　２２２．０　　　　３．９　　　　　　　０
．０８　　　　３００．０　　　　０．５　　　　　　
　０．０第■表のデータは約１．　ＯＯパルス以」二で
は銅が完全にＣｕ　ＣＱに変り、反応生成物の塩化銅の
除去がより安価に行われる事を示している。パルス・レ
ーザによる塩化銅層の蒸発と異なり、希釈Ｎ　Ｔ（、Ｏ
Ｔ−（溶液中の塩化銅層の洗浄はより便利な方〃；であ
る。 実施例ζ 一連の流れにおいて、その上にクロム（厚さ３００人）
／銅（厚さ５ミクロン）／クロム（厚さ］　０００人）
のサンドインチ層より成るＴＦＲ型の多重レベル金属化
層を有するシリコン基板を実施例１で使用したパルス・
エキシマ・レーザ装置の反応室中に取付けた。室を排気
して１０″３トルの低圧にした。０．４トルの圧力にな
る様に塩素気体を室に導入し、基板の温度を１９℃から
１５９℃に変化させた。 １”　Ｆ　Ｒ金属化層の選択的なエツチングを行うため
に、３０８ｎｍの波長、０．５Ｊ／Ｃｌ１１”のエネル
ギ流量及び４０Ｈｚのパルス速度で動作しているＸｅＣ
Ｑレーザからの放射線のパルス・ビームをパターン化し
たマスクを介してＴＦＲ金属化層上に通過させた。使用
温度範囲での金属化層のエッチ速度を第■表に示す。 第　　■　　表 Ｌ！！Ｌ（℃→−手−ンーテーンーグ速度−（人／−秒
）−３９］　３００ ７４’）　　　　　＋　５５０ ９９　　　　１、４７０ １　］　９　　　　１３３０ １、３９　　　　１２００ １５９　　　　　］、　０４０ 第■表に示したデータはパルス・エキシマ・レーザを使
用した場合のエツチング速度は室温以上の温度で増大し
、ピークに達し、その後減少する事を示している。 来着側− 塩素気体の圧力を０．１から１．０１−ル迄変化させた
事を除き実施例２の手順を繰返した。フルエンスは略０
．５５　、Ｔ／ｃｘｎ２及びパルス速度は４０　Ｈｚに
した。この結果を次の第１１１表に示す。 第　■

【　表（エツチング速度大） 温度　　　　　　　　圧力（トル） ’ＣＯｌ】０．２　０．４　　０．７　　１．．０１９
　　４Ｆ）０　　　８５０　１１７５　１．３７５　１
．６２５５９　　　６５０　　１０５０　１．７７５　
２３７５　２７５０７９　　　３７５　　　７５０　１
．５００　２１００　２６２５９９　　　３００　　　
７５０　１．５５０　２３７５　２９００第■表のデー
タは室温以上の温度、約０．４トル以−１−の塩素気体
の圧力で、エツチング速度は圧力の増大とともに増大し
、相対的増加率は高温はど高い。 一実施例−± 実施例２の手順を繰返してクロム（１０００人）／銅（
８ミクロン）／クロム（１００人）サンドイッチ層より
成るＴＦＲ型金属化層が付着されたセラミック基板を、
１．Ｏ，Ｏトルの圧力の塩素、１４０℃の温度、０　、
５４　、Ｔ　／ｒｓ２のフルエンス及び４０　Ｈｚのパ
ルス速度を使用して１０秒間で完全にエッチした。 比較のために、レーザのエツチングを室温で行った点を
除き実施例４の手順を繰返したところ、エツチング時間
は６０秒であった。 多０１例−町 一連の工程として、クロム（１，０００人）／銅（８μ
ｍ）／クロム（１０００Ａ）サンドインチ層より成るＴ
ＦＲ型の金属化層を付着したセラミック基板をパルス・
エキシマ・レーザ装置の反応室中に取付けた。室を排気
して１．０−”トルの低圧にした後、室中に０．４１−
ルの圧力になる様に臭素を導入した。基板の温度は１９
℃に保持した。 ＴＦＲ金属化層を選択的に達成するために、波長３０８
ｎｍ、０．２５から１　、０　、Ｔ　／ｃｓ”迄のエネ
ルギ流量及び５乃至４０　Ｈｚのパルス速度で動作して
いるＸｅＣＱレーザからの放射線のパルス・ビームをパ
ターン化したマスクを通してＴＦＲ金属化層上に通過さ
せた。この金属化層のエッチ速度（人／秒）を第１Ｖ表
に示す。 臭素気体に代って塩素気体を使用した点を除き、実施例
５の手順を繰返した。塩素気体による金属化層のエツチ
ング速度（人／秒）を第７表に示す。 第一■−宍−１緊嵜−４（体モｙ−テーンーＬ剤−の王
ｙ−ｆ）ンイη速長パルス速度　　エネルギ流量（Ｊ／
ａｎ２）ＴＴｚ　　Ｏ，２５０，５０１，０ ５８０人／秒　　２７０　１０００ １０　２５（’）　　　　　　８５０　２０００２（’
＋　　４００　　　　１３５０　３６００第一■−表−
ＩＭ南−気体モ！−テｙ−碧剤−Φ−壬斧仁テ−スク゛
−速）側パルス速度　　エネルギ流量（Ｊ／ｃｍ２）Ｔ
Ｔｚ　　Ｏ，２５０，４００，４５０＊５１３０人／秒
　　４．５０　　４８０１．０　２９０　　　　　８８
０　　８９０２０　４７０　　　　１．２００　１２８
０＊０．４５．７７０ｍ２以上のエネルギ流量では塩素
中のエツチング速度は一定である。 第■表及び第７表に示したデータは、エツチング気体と
して臭素を使用する時は、エツチング速度はフルエンス
を０．２５からｉ、ＯＪ／（１）２に増大する時、又パ
ルス速度が５から４０１（ｚに増大する時に連続的に増
大し、例えば０．６ミクロン／秒の様に非常に高いエツ
チング速度が得られる事を示し、一方塩素気体によるエ
ツチング速度は約０　、４０．７　／ａｎ２で定常状態
に達し、比較的エツチング速度は低く、例えば０．１６
ミクロン／秒である。ハロゲンの化学的性質が似ている
という事からすれば、これは予想外の結果である。 」二連の方法の別の方法として、金属を略完全にエツチ
ングするのにレーザ・ビームを使用する事が出来る。エ
ツチング速度は高温、高圧（例えば約０．１乃至約１０
トルの圧力及び約３５℃乃至約１４０℃の温度）の適切
な組合せによって増大される。臭素気体を使用して基板
と反応させ、ハロゲン化金属を形成する時は、優れた結
果が得られる。この別の方法を使用する時は、基板を溶
剤と接触させて、ハロゲン化金属塩の反応生成物を除去
する必要がなくなる。 Ｆ０発明の効果 以」二説明したように、本発明によれば、高速で、レー
ザ・エネルギの消費が少ない、金属基板のレーザ誘導ハ
ロゲン気体エツチング方法が与えられる。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）金属化された基板を反応室中に取付け、 （ｂ）上記金属化された基板と反応するハロゲン気体を
   上記反応室に導入して、反応生成物であるハロゲン化金
   属塩を形成し、 （ｃ）上記基板上に、上記ハロゲン化金属塩によつて吸
   収されるのに適した波長のレーザ放射線のパターン化し
   たビームを投射して、形成される反応生成物をほとんど
   除去する事なくパターン化領域におけるハロゲン気体と
   基板間の反応を促進し、 （ｄ）基板を反応生成物であるハロゲン化金属塩のため
   の溶剤と接触させる事によつて上記ハロゲン化金属塩を
   除去する工程を有する、 金属化された基板のドライ・エッチング方法。