JPH0442522A - レジスト硬化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体デバイスの製造等に用いるレジストパタ
ーン形成技術に関し、特にレジストの硬化方法に関する
。

（従来の技術） レジストを硬化させ耐熱性を向上させる技術としては高
温ベータ、ディープＵＶ光照射、イオン注入、プラズマ
照射、電子ビーム照射などがあるが、半導体製造プロセ
スではディープＵＶ（ＤＵ■）光照射が最もよく使われ
る。具体的にはレジストパターンに波長２００〜３００
ｎｍのＤＵＶ光を照射してレジストを硬化させる（手間
ら（Ｈ，Ｈｉｒａｏｋａ　ｅｔ、　ａｌ）、ジャーナル
オブバキュームサイエンスアンドテクノ　　ロ　　ジ　
　−（Ｊ、ｏｆ　Ｖａｃ、Ｓｃｉ、ａｎｄ　Ｔｅｃｈ、
）ｖｏｌ、１９゜Ｐ１１２７（１９８１））。

（発明が解決しようとする課題） 上述のようなりＵＶ光照射ではたとえばノボラック型の
レジストではその熱耐性は２１０〜２２０°Ｃ程度が上
限である。これはＤＵＶ光はレジスト表面での吸収が大
きく表面層のみが架橋、硬化するためである。ドライエ
ツチング工程等で温度がこれより高くなるとレジストが
軟化し形状及び寸法が保てなくなるという欠点があった
。

（課題を解決するための手段） 本発明のレジスト硬化法は、レジストパターンにシンク
ロトロン放射光を照射して硬化させることを特徴とする
。

（作用） シンクロトロン放射光（ＳＲ光）を用いると、レジスト
膜の表面だけでなく膜全体を架橋、硬化させることかで
きるのでＤＵＶ光の場合よりレジストパターンの耐熱性
が向上する。

（実施例） 以下第１図（ａ）〜（ｄ）を参照して実施例を説明する
。

任意の基板１１の表面上にノボラック樹脂をベースポリ
マーとするレジスト膜１２を例えばスピン塗布法により
形成する（第１図（ａ））。このレジスト膜１２に例え
ばフォトリングラフィ法又は電子ビーム露光法若しくは
ＳＲ露光法等の方法により所望のパターンを転写し、レ
ジストパターン１２ａを形成する（第１図（ｂ））。次
にレジストパターン１２ａの全面に少なくとも７人ない
し１０人の軟Ｘ線を含むＳＲ光を約３０００ｍＪ／ｃｍ
２照射しくこの照射量はＳＲ光を露光に使う場合の照射
量数十〜１００ｍＪ／ｃｍ２に比べてずつと多い）、ペ
ースポリマーを三次元的に架橋させ、硬化させる（第１
図（Ｃ））。続いて基板１１を例えばホットプレート１
３上で約３００°Ｃに加熱してＳＲ光照射によって生じ
たメタノール等の揮発性反応生成物を除去する（第１図
（ｄ））。反応生成物が水素のように自然にレジスト外
へ出てしまうものである場合は加熱は不要である。

次に本発明のレジスト硬化方法と従来のＤＵＶ光を用い
たレジスト硬化方法の違いについて述べる。第２図に従
来のＤＵＶ光によるレジスト硬化とＳＲ光によるレジス
ト硬化の違いを模式的に示す。

ＤＵＶ光の（ａ）にはレジストによる吸収のためパター
ン内部にはＤＵＶ光が十分照射されず、レジストパター
ン表面近傍２２ａのみが三次元的に架橋する。これに対
し、ＳＲ光の場合（ｂ）には、レジストパターン内部に
も均一に軟Ｘ線が照射される為、パターン全体が三次元
的に架橋し、耐熱性が高くなる。この結果、ＤＵＶ光に
よる硬化の場合には約２２０°Ｃ以上の温度でレジスト
パターンの変形が生じたのに対し、ＳＲ光により硬化し
た場合には約３５０°Ｃまで全くパターンの変形を生じ
ない。

（発明の効果） 本発明によってドライエツチング工程等におけるレジス
トパターンの耐熱性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のレジスト硬化方法を工
程順に説明する模式断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は従
来のＤＵＶ硬化法と本発明のレジスト硬化法によるレジ
ストの架橋効果の違いを示す模式図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　レジストパターンにシンクロトロン放射光を照射して
   硬化させることを特徴とするレジスト硬化方法。