JPH02250006A - レジストの剥離方法 - Google Patents
レジストの剥離方法Info
- Publication number
- JPH02250006A JPH02250006A JP1072096A JP7209689A JPH02250006A JP H02250006 A JPH02250006 A JP H02250006A JP 1072096 A JP1072096 A JP 1072096A JP 7209689 A JP7209689 A JP 7209689A JP H02250006 A JPH02250006 A JP H02250006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- resist
- film
- patterning
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
膜のパターニングに使用°したレジスト層を剥離する方
法に関し、 プラズマによりパターニングした後に、フォトレジスト
層を簡単に剥離することを目的とし、パターニングしよ
うとする膜の上にポジ型レジスト層を形成した後、該ポ
ジ型レジスト層を露光、現像してパターン化する工程と
、パターン化を終えた上記ポジ型レジスト層の全体を露
光する工程と、該露光工程を経た上記ポジ型レジスト層
をマスクに使用し、上記膜をプラズマエツチングにより
エツチングしてパターン化する工程と、該パターン工程
の後に上記ポジ型レジスト層を溶剤により除去する工程
とを含み構成する。
法に関し、 プラズマによりパターニングした後に、フォトレジスト
層を簡単に剥離することを目的とし、パターニングしよ
うとする膜の上にポジ型レジスト層を形成した後、該ポ
ジ型レジスト層を露光、現像してパターン化する工程と
、パターン化を終えた上記ポジ型レジスト層の全体を露
光する工程と、該露光工程を経た上記ポジ型レジスト層
をマスクに使用し、上記膜をプラズマエツチングにより
エツチングしてパターン化する工程と、該パターン工程
の後に上記ポジ型レジスト層を溶剤により除去する工程
とを含み構成する。
本発明は、レジストの剥離方法に関し、より詳しくは、
膜のパターニングに使用したレジスト層を剥離する方法
に関する。
膜のパターニングに使用したレジスト層を剥離する方法
に関する。
固体撮像素子の上に形成されるカラーフィルタには、例
えば第２図に示すように、ＣＣＤ等のような固体撮像素
子３０の上に複数のフィルタＲ１Ｇ、Ｂを直接積層する
ことがあるが、各フィルタＲ，Ｇ、Ｂを形成した層の平
坦化や眉間の防染を図るために、各フィルタＲ，Ｇ、Ｂ
を形成する毎にＤＵＶレジスト膜３１を形成するように
している。
えば第２図に示すように、ＣＣＤ等のような固体撮像素
子３０の上に複数のフィルタＲ１Ｇ、Ｂを直接積層する
ことがあるが、各フィルタＲ，Ｇ、Ｂを形成した層の平
坦化や眉間の防染を図るために、各フィルタＲ，Ｇ、Ｂ
を形成する毎にＤＵＶレジスト膜３１を形成するように
している。
このため、固体撮像素子のボンディングパット３２にワ
イヤ線をボンディングする場合には、ＤＵＶレジスト膜
３１や固体撮像素子３０上のＰＳＧ膜３３にワイヤ線を
通すための開口部３４を設けるようにしている。 そし
て、ＤＵＶレジスト膜３１に開口部３４を設ける手段と
しては、多層のＤＵｖレジスト膜３膜上１上ォトレジス
トｌｌｌ１３５を形成しく第２図（ａ））、これを露光
、現像してパターニングしく同図（ｂ））、その後で、
フォトレジスト膜３５から露出したＤＵＶレジスト膜３
１を酸素プラズマ（０”）によりエツチングするように
している（同図（Ｃ））。
イヤ線をボンディングする場合には、ＤＵＶレジスト膜
３１や固体撮像素子３０上のＰＳＧ膜３３にワイヤ線を
通すための開口部３４を設けるようにしている。 そし
て、ＤＵＶレジスト膜３１に開口部３４を設ける手段と
しては、多層のＤＵｖレジスト膜３膜上１上ォトレジス
トｌｌｌ１３５を形成しく第２図（ａ））、これを露光
、現像してパターニングしく同図（ｂ））、その後で、
フォトレジスト膜３５から露出したＤＵＶレジスト膜３
１を酸素プラズマ（０”）によりエツチングするように
している（同図（Ｃ））。
また、ＤＵＶ光を使用し、直接ＤＵＶレジストを露光現
象し、ボンディングパット部の開口を行う場合もある。
象し、ボンディングパット部の開口を行う場合もある。
ところで、フォトレジストを使用する方法によれば、Ｄ
ＵＶレジスト膜３１をエツチングして開口部３４を形成
することは容易であるが、フォトレジスト膜３５が酸素
プラズマによって硬化するため、これを剥離し難くなる
といった不都合がある。
ＵＶレジスト膜３１をエツチングして開口部３４を形成
することは容易であるが、フォトレジスト膜３５が酸素
プラズマによって硬化するため、これを剥離し難くなる
といった不都合がある。
そこで、フォトレジスト膜３５を厚く形成してその表層
だけを硬化させて剥離しやすいようにしているが、この
場合には５〜１０μｍ程度の厚い膜厚が必要となり、Ｄ
ＵＶレジスト膜３１の上にフォトレジストを複数回塗布
しなけらばならず、手間がかかるばかりでなく、フォト
レジスト膜３５の厚みが増すことによりパターン精度が
低下するといった問題が発生する。
だけを硬化させて剥離しやすいようにしているが、この
場合には５〜１０μｍ程度の厚い膜厚が必要となり、Ｄ
ＵＶレジスト膜３１の上にフォトレジストを複数回塗布
しなけらばならず、手間がかかるばかりでなく、フォト
レジスト膜３５の厚みが増すことによりパターン精度が
低下するといった問題が発生する。
・もとより、プラズマアッシャ−によってフォトレジス
ト膜３５を灰化することもできるが、フォトレジスト膜
３５に含まれる材料がＤＵＶレジスト膜３１に入り込ん
でカラーフィルタを汚染するといった不都合がある。
ト膜３５を灰化することもできるが、フォトレジスト膜
３５に含まれる材料がＤＵＶレジスト膜３１に入り込ん
でカラーフィルタを汚染するといった不都合がある。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、プラズマにより膜をパターニングした後に、その上
のフォトレジスト層を簡単に剥離することができるレジ
ストの剥離方法を提供することを目的とする。
て、プラズマにより膜をパターニングした後に、その上
のフォトレジスト層を簡単に剥離することができるレジ
ストの剥離方法を提供することを目的とする。
上記した課題は、パターニングしようとする膜４〜６の
上にポジ型レジストＮ１１を形成した後、該ポジ型レジ
スト層１１を露光、現像してパターン化する工程と、パ
ターン化を終えた上記ポジ型レジスト１１１１の全体を
露光する工程と、該露光工程を経た上記ポジ型レジスト
層１１をマスクに使用し、上記膜４〜６をプラズマエツ
チングによりエツチングしてパターン化する工程と、該
パターン工程の後に上記ポジ型レジスト層１１を溶剤に
より除去する工程とを有することを特徴とするレジスト
の剥離方法により解決する。
上にポジ型レジストＮ１１を形成した後、該ポジ型レジ
スト層１１を露光、現像してパターン化する工程と、パ
ターン化を終えた上記ポジ型レジスト１１１１の全体を
露光する工程と、該露光工程を経た上記ポジ型レジスト
層１１をマスクに使用し、上記膜４〜６をプラズマエツ
チングによりエツチングしてパターン化する工程と、該
パターン工程の後に上記ポジ型レジスト層１１を溶剤に
より除去する工程とを有することを特徴とするレジスト
の剥離方法により解決する。
本発明によれば、パターン化しようとする膜４〜６の上
にポジ型レジスト層１１を塗布した後、これを露光、現
像処理してパターン化し、次いで、残りのポジ型レジス
ト層１１の全体を露光するといった２回の露光処理を行
うようにしている。
にポジ型レジスト層１１を塗布した後、これを露光、現
像処理してパターン化し、次いで、残りのポジ型レジス
ト層１１の全体を露光するといった２回の露光処理を行
うようにしている。
このため、マスクに使用するポジ型レジスト層１１内に
おいては、分子間結合が弱くなるため、酸素等のプラズ
マにより膜４〜６をエツチングする際に、ポジ型レジス
ト層１１は硬化し難くなり、溶剤による剥離が容易にな
る。
おいては、分子間結合が弱くなるため、酸素等のプラズ
マにより膜４〜６をエツチングする際に、ポジ型レジス
ト層１１は硬化し難くなり、溶剤による剥離が容易にな
る。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例を断面で示す工程図であっ
て、同図（ａ）中符号ｌは、ＣＣＤ （ｃｈａｒｇｅ
ｃｏｕｐｌｅｃｌ ｄｅｖｉｃｅ）のような固体撮像素
子２を作製したウェハーＷ上にＰＳＧ等よりなる平坦化
層３を介して形成されたカラーフィルタで、このカラー
フィルタｌは、多層構造のモザイク状フィルタ、例えば
赤、緑、青のフィルタＩＲ，ＩＧ、 ＩＢを重ならない
位置に取付けて構成されている。
て、同図（ａ）中符号ｌは、ＣＣＤ （ｃｈａｒｇｅ
ｃｏｕｐｌｅｃｌ ｄｅｖｉｃｅ）のような固体撮像素
子２を作製したウェハーＷ上にＰＳＧ等よりなる平坦化
層３を介して形成されたカラーフィルタで、このカラー
フィルタｌは、多層構造のモザイク状フィルタ、例えば
赤、緑、青のフィルタＩＲ，ＩＧ、 ＩＢを重ならない
位置に取付けて構成されている。
また、各色素のフィルタＩＲ，ＩＧ、 ＩＢは、ゼラチ
ン膜やカゼイン膜等をパターニングして染色したしたも
ので、各フィルタＩＲ，ＩＧ、 １Ｂの周囲にはＤＵＶ
レジスト膜４〜６が形成され、フィルタＩＲ。
ン膜やカゼイン膜等をパターニングして染色したしたも
ので、各フィルタＩＲ，ＩＧ、 １Ｂの周囲にはＤＵＶ
レジスト膜４〜６が形成され、フィルタＩＲ。
ＩＧ、 ＩＢ相互の染色を防止するとともに、各フィル
タＩＲ，ＩＧ、 ＩＢの層の平坦化を図るように構成さ
れいる。
タＩＲ，ＩＧ、 ＩＢの層の平坦化を図るように構成さ
れいる。
７は、固体撮像素子２の上に形成した雪掻で、その側方
には、図示しないリード線に接続されるボンディングパ
ット８が形成されている。
には、図示しないリード線に接続されるボンディングパ
ット８が形成されている。
なお、図中符号９は、固体撮像素子２を構成するｎ型半
導体基板、１０は、半導体基板９に形成されたｐ型領域
層を示している。
導体基板、１０は、半導体基板９に形成されたｐ型領域
層を示している。
次に、固体撮像素子２の上に形成されたボンディングパ
ット８の上方に、ボンディング用の開口部を形成する工
程について説明する。
ット８の上方に、ボンディング用の開口部を形成する工
程について説明する。
まず、スピンコーティング法によって、最上のＤＵＶレ
ジスト膜６（保護層ともいう）の上にポジ型のノボラッ
ク系フォトレジストＷ４１１を厚さ０．５〜１．５μｍ
に形成する（第１図（ｂ））。
ジスト膜６（保護層ともいう）の上にポジ型のノボラッ
ク系フォトレジストＷ４１１を厚さ０．５〜１．５μｍ
に形成する（第１図（ｂ））。
そして、フォトレジスト膜１１をプリベークした後に、
クロム系マスク１２を使用して、ボンディングパット８
と重なるレジスト［１１の領域近傍に紫外光を照射しく
第１図（Ｃ））、その領域を可溶性に変化させ、これを
有Ｗ１溶剤の現像液により除去する（第１図（ｄ））。
クロム系マスク１２を使用して、ボンディングパット８
と重なるレジスト［１１の領域近傍に紫外光を照射しく
第１図（Ｃ））、その領域を可溶性に変化させ、これを
有Ｗ１溶剤の現像液により除去する（第１図（ｄ））。
このようにしてパターン化を終えたレジスト膜１１に、
前の工程よりも２〜３倍の光量となる紫外光を照射して
、レジスト膜１１を全体的に可溶性の状態となし、この
後で、レジスト膜１１を乾燥し、最上のＤＵＶレジスト
膜６との密着性を良くする（第１図（ｅ））。
前の工程よりも２〜３倍の光量となる紫外光を照射して
、レジスト膜１１を全体的に可溶性の状態となし、この
後で、レジスト膜１１を乾燥し、最上のＤＵＶレジスト
膜６との密着性を良くする（第１図（ｅ））。
この後に、図示しないプラズマエツチング装置にウェハ
ーＷを入れ、フォトレジスト膜１１から露出したＤＵＶ
レジストを４〜６を酸素プラズマ（０°）によりエツチ
ング除去して開口部１２を設ける（第１図（ｆ））、こ
の場合、フォトレジスト膜１１は、２度目の紫外線照射
処理により分子の結合が弱くなっているために、酸素プ
ラズマによる硬化の程度は極めて少なく、レジスト除去
用の溶剤により容易に溶解できる状態となっている。
ーＷを入れ、フォトレジスト膜１１から露出したＤＵＶ
レジストを４〜６を酸素プラズマ（０°）によりエツチ
ング除去して開口部１２を設ける（第１図（ｆ））、こ
の場合、フォトレジスト膜１１は、２度目の紫外線照射
処理により分子の結合が弱くなっているために、酸素プ
ラズマによる硬化の程度は極めて少なく、レジスト除去
用の溶剤により容易に溶解できる状態となっている。
さらに、ＤＵＶレジスト膜４〜６のエツチングを終えた
後に、ＣＦ４ 、ＣＲｈ等のフッ素系ガスを使用した反
応性イオンエツチングによって、フォトレジスト膜１１
から露出した平坦化Ｎ３を除去すると、ボンディングパ
ット８が表れることになる（第１図（ｇ））。
後に、ＣＦ４ 、ＣＲｈ等のフッ素系ガスを使用した反
応性イオンエツチングによって、フォトレジスト膜１１
から露出した平坦化Ｎ３を除去すると、ボンディングパ
ット８が表れることになる（第１図（ｇ））。
なお、平坦化層３は前工程で、すでに穴あけしておく場
合もある。
合もある。
この後に、レジスト除去用の溶剤によりフォトレジスト
膜１１を除去するが、既に述べたように酸素プラズマに
よる硬化がほとんど進行していないために、容易に除去
されることになり、開口部１２の形成が終了する（第１
図（ｈ））。
膜１１を除去するが、既に述べたように酸素プラズマに
よる硬化がほとんど進行していないために、容易に除去
されることになり、開口部１２の形成が終了する（第１
図（ｈ））。
そして、固体撮像素子２を図示しないリードフレームに
装着した後で、開口部１２を通してボンディングパット
８にリード線をボンディングすることになる。
装着した後で、開口部１２を通してボンディングパット
８にリード線をボンディングすることになる。
なお、上記した実施例では、平坦化のためにＤＵＶレジ
スト膜４〜６を形成した場合について説明したが、平坦
化にＥＢレジスト膜を使用することもあり、この場合に
も同様の工程を行って開口部を形成することができる。
スト膜４〜６を形成した場合について説明したが、平坦
化にＥＢレジスト膜を使用することもあり、この場合に
も同様の工程を行って開口部を形成することができる。
なお、原色Ｒ，Ｇ、 Ｂ系の他に、補色シアン（ＣＶ
）。
）。
マゼンタ（Ｍｇ）、 イエロー（Ｙｅ）を有するカラ
ーフィルターについても、同様のプロセスで可能となる
。
ーフィルターについても、同様のプロセスで可能となる
。
本発明によれば、ポジ型レジスト層を露光、現像処理し
た後に、このレジスト層の全体を露光するようにしたの
で、その分子結合を弱くして酸素プラズマによる硬化現
象の発生を抑制することができ、一般的に使用されるレ
ジスト除去溶剤によりレジスト膜を容易に剥離すること
が可能になる。
た後に、このレジスト層の全体を露光するようにしたの
で、その分子結合を弱くして酸素プラズマによる硬化現
象の発生を抑制することができ、一般的に使用されるレ
ジスト除去溶剤によりレジスト膜を容易に剥離すること
が可能になる。
第１図（ａ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例を断面で示
す工程図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来方法を断面で示す工程図
である。 （符号の説明） １・・・カラーフィルタ、 ＩＲ・・・赤フィルタ・ １Ｇ・・・緑フィルタ、 １Ｂ・・・青フィルタ、 ２・・・固体撮像素子、 ３・・・平坦化層、 ４〜６・・・ＤＵＶレジスト膜、 ８・・・ボンディングバット、 １１・・・フォトレジスト膜（ポジ型レジスト層）、１
２・・・開口部。 出 願 人 富士通株式会社
す工程図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来方法を断面で示す工程図
である。 （符号の説明） １・・・カラーフィルタ、 ＩＲ・・・赤フィルタ・ １Ｇ・・・緑フィルタ、 １Ｂ・・・青フィルタ、 ２・・・固体撮像素子、 ３・・・平坦化層、 ４〜６・・・ＤＵＶレジスト膜、 ８・・・ボンディングバット、 １１・・・フォトレジスト膜（ポジ型レジスト層）、１
２・・・開口部。 出 願 人 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パターニングしようとする膜の上にポジ型レジスト層を
形成した後、該ポジ型レジスト層を露光、現像してパタ
ーン化する工程と、 パターン化を終えた上記ポジ型レジスト層の全体を露光
する工程と、 該露光工程を経た上記ポジ型レジスト層をマスクに使用
し、上記膜をプラズマエッチングによりエッチングして
パターン化する工程と、 該パターン工程の後に上記ポジ型レジスト層を溶剤によ
り除去する工程とを有することを特徴とするレジストの
剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072096A JPH02250006A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | レジストの剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072096A JPH02250006A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | レジストの剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250006A true JPH02250006A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=13479538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072096A Pending JPH02250006A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | レジストの剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250006A (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59188606A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の修復方法 |
| JPS6045242A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPS61134728A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-21 | Nec Corp | 光走査装置 |
| JPS62296181A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | 稲葉 道秋 | 通信教育における個人能力別テ−プ指導方法 |
| JPS63208803A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタの製造方法 |
| JPS63220523A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63281103A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPS6452142A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Pattern forming process and silylating apparatus |
| JPS6475320A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Daifuku Kk | Sorting facility |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072096A patent/JPH02250006A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59188606A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の修復方法 |
| JPS6045242A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPS61134728A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-21 | Nec Corp | 光走査装置 |
| JPS62296181A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | 稲葉 道秋 | 通信教育における個人能力別テ−プ指導方法 |
| JPS63208803A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタの製造方法 |
| JPS63220523A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63281103A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPS6452142A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Pattern forming process and silylating apparatus |
| JPS6475320A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Daifuku Kk | Sorting facility |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04234706A (ja) | フィルター、それの製造方法およびそれを使用した固体イメージ装置 | |
| JPS6141102A (ja) | 色分解フイルタ−の製造方法 | |
| JP2992515B1 (ja) | 相補形金属−酸化物−半導体（ｃｍｏｓ）センサデバイスの製造方法 | |
| JPH02250006A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| JPH03282403A (ja) | カラー固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR100538291B1 (ko) | 컬러필터기판의제조방법 | |
| JPS62106404A (ja) | 色分解フイルタ−及びその製造法 | |
| JPH11160515A (ja) | オンチップカラーフィルターの製造方法 | |
| JPS5868970A (ja) | カラ−固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2943283B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2714646B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| KR100259171B1 (ko) | 광감지 소자의 칼라필터의 제조방법 | |
| JP2005196187A (ja) | カラー・フォトレジストの除去方法 | |
| JPS62234103A (ja) | ポリイミド樹脂パタ−ンの形成方法 | |
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS63143504A (ja) | カラ−固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3667951B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| JPS6046505A (ja) | カラ−フィルタ−の製造方法 | |
| JPH06318539A (ja) | ポリイミドのパターン形成方法 | |
| JP2000031448A (ja) | 固体撮像装置の表面地形の平坦化方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JP2710899B2 (ja) | カラー固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH04111354A (ja) | カラーフィルターの製造方法 | |
| JP2540997B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS61270169A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 |