JPS59125729A - ドライ現像ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ドライ現像ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS59125729A JPS59125729A JP21698682A JP21698682A JPS59125729A JP S59125729 A JPS59125729 A JP S59125729A JP 21698682 A JP21698682 A JP 21698682A JP 21698682 A JP21698682 A JP 21698682A JP S59125729 A JPS59125729 A JP S59125729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist composition
- methyl
- aromatic ring
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はドライ現岱ポジ型レジスト組成物に関する。更
に詳しく述べるならば、本発明は電子線、Ｘ綜イオンビ
ーム、ＤｅｅｐＵｖ線等の放射線により露光後、敢素プ
ラズマ、アルゴンガスプラズマ、酸カーアルゴン混合ガ
スプラズマ、酸素−弗素系ガス混合プラズマなどを用い
て現像することのできるドライ現像ポジ型レジスト組成
物に関する。
に詳しく述べるならば、本発明は電子線、Ｘ綜イオンビ
ーム、ＤｅｅｐＵｖ線等の放射線により露光後、敢素プ
ラズマ、アルゴンガスプラズマ、酸カーアルゴン混合ガ
スプラズマ、酸素−弗素系ガス混合プラズマなどを用い
て現像することのできるドライ現像ポジ型レジスト組成
物に関する。
（２） 技術の背景及び従来技術と問題点従来、半導
体県債回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成には、現像液（主に有機溶剤）を用いて現
像するレジストが使用されている。例えば、電子線ポジ
型レジストのポリメチルメタクリレートやネガ型のポリ
グリシジルメタクリレ−１・などがある。これらの従来
のレジストは現像液を使用して現像するために、レジス
トが現像時に膨潤や収縮を起し、ザブミクロンのパター
ンを形成することは困難である。また、現像液全多量に
使用する点及びその廃棄処理に多大な経費を必要として
いた。
体県債回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成には、現像液（主に有機溶剤）を用いて現
像するレジストが使用されている。例えば、電子線ポジ
型レジストのポリメチルメタクリレートやネガ型のポリ
グリシジルメタクリレ−１・などがある。これらの従来
のレジストは現像液を使用して現像するために、レジス
トが現像時に膨潤や収縮を起し、ザブミクロンのパター
ンを形成することは困難である。また、現像液全多量に
使用する点及びその廃棄処理に多大な経費を必要として
いた。
（３）発明の目的および構成
本発明は、かかる従来の欠点を解消しかつ微細レジスト
パターンを与えるドライ現伶ポジ型レジスト組成物を提
供することをその目的とする。
パターンを与えるドライ現伶ポジ型レジスト組成物を提
供することをその目的とする。
かかる本発明のレジスト組成物は、分子構造中に芳香環
ヲ有する高分子化合物に於て、芳香環に結合する水素を
ハロゲン化アルキルにて１個又は２個置換した高分子化
合物および下記一般式■又は■で表わされるシリコン化
合物を１〜５０重量係含有せしめてなることを特徴とす
る。
ヲ有する高分子化合物に於て、芳香環に結合する水素を
ハロゲン化アルキルにて１個又は２個置換した高分子化
合物および下記一般式■又は■で表わされるシリコン化
合物を１〜５０重量係含有せしめてなることを特徴とす
る。
一般式Ｉ：
一般式■：
上記式中、Ｘはそれぞれメチル基、フェニル基、ビフェ
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Ｙは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、２は水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、ｔ−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、１≦ル≦５である。
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Ｙは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、２は水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、ｔ−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、１≦ル≦５である。
本発明において、芳香環に結合する水素ヲ７・ロゲン化
アルキルで置換した高分子化合物は、例えばクロルメチ
ル化ポリスチレン、クロロメチル化ポリα−メチルスチ
レン等のポリスチレン、ポリα−メチルスチレンのハロ
ゲン化アルキルｆｆｔ換体等がある。
アルキルで置換した高分子化合物は、例えばクロルメチ
ル化ポリスチレン、クロロメチル化ポリα−メチルスチ
レン等のポリスチレン、ポリα−メチルスチレンのハロ
ゲン化アルキルｆｆｔ換体等がある。
本発明は上記高分子化合物に一般式（１）および（Ｉｔ
）で示される有機シリコン化合物を混合した組成物に於
て、電子線を照射した部分と照射しない部分との酸素プ
ラズマのエツチング速匪比が著しく大きいことの知見全
完成されたものである。
）で示される有機シリコン化合物を混合した組成物に於
て、電子線を照射した部分と照射しない部分との酸素プ
ラズマのエツチング速匪比が著しく大きいことの知見全
完成されたものである。
本発明における式（１）で表わされるシリコン化合物と
しては、例えばトリフェニルシラン、トリフェニルビニ
ルシラン、トリフェニルシラノール、１．２−ジメチル
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランおよび１．
１．１−トリメチル−２，２，２−トリフェニルジシラ
ンがあげられる。また１、式（ＩＩ）で表わされるシリ
コン化合物の例として、例えば１．３−ジメチル−１，
１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、ヘキサフェ
ニルシクロトリシロキサンおよびオクタフェニルシクロ
テトラシロキサンがあげられる。
しては、例えばトリフェニルシラン、トリフェニルビニ
ルシラン、トリフェニルシラノール、１．２−ジメチル
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランおよび１．
１．１−トリメチル−２，２，２−トリフェニルジシラ
ンがあげられる。また１、式（ＩＩ）で表わされるシリ
コン化合物の例として、例えば１．３−ジメチル−１，
１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、ヘキサフェ
ニルシクロトリシロキサンおよびオクタフェニルシクロ
テトラシロキサンがあげられる。
本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法は通
常の方法に従い、次の如き操作により実施することがで
きる。即ち、第１図の（イ）に示す如く、先ず基板１上
にレジスト層２を形成する。例えば、スピンコード法に
よりレジスト組成液を塗布し、６０〜８０℃の温症で１
０〜３０分間プリベークする。次に、これを（ロ）に示
す如く電子線等に露光する。これにより、レジスト層２
の露光部分３に化学反応により新たな物質が生成される
。
常の方法に従い、次の如き操作により実施することがで
きる。即ち、第１図の（イ）に示す如く、先ず基板１上
にレジスト層２を形成する。例えば、スピンコード法に
よりレジスト組成液を塗布し、６０〜８０℃の温症で１
０〜３０分間プリベークする。次に、これを（ロ）に示
す如く電子線等に露光する。これにより、レジスト層２
の露光部分３に化学反応により新たな物質が生成される
。
次に、これ１ｆｆｉ素プラズマ等によりプラズマ処理す
ることにより露光部分３が除去されて、第１図の（ハ）
に示す如く所望のレジストパターンが得うれるのである
。
ることにより露光部分３が除去されて、第１図の（ハ）
に示す如く所望のレジストパターンが得うれるのである
。
以下、実施例により本発明を更に説明する。
（４）発明の実施例
実施例１゜
クロロメチル化ポリスチレン（８ｗｔ％キシレン溶液）
にトリフェニルシラン’１２５ｗｔ％添加した。このレ
ジスト液をスピナーによるシリコン基板上に１μｍの膜
厚にて塗布し、６０℃にて２０分間プリベーキングを行
なった。加速電圧３０ｋＶにて電子線を露光した後試料
をドライエツチング装置内に入れ、８ Ｘ １０ Ｐ
ａ 甘で試料室を排気した。現像ガスとして８素を用
い、ガス圧１５Ｐａ印加電力密度０，３Ｗ／ｃｒＩＬに
て１０分間現像を行なった。レジストはボン型特性を示
し、感就２．５Ｘ１０−５０イｄ、残膜率７５係であっ
た。
にトリフェニルシラン’１２５ｗｔ％添加した。このレ
ジスト液をスピナーによるシリコン基板上に１μｍの膜
厚にて塗布し、６０℃にて２０分間プリベーキングを行
なった。加速電圧３０ｋＶにて電子線を露光した後試料
をドライエツチング装置内に入れ、８ Ｘ １０ Ｐ
ａ 甘で試料室を排気した。現像ガスとして８素を用
い、ガス圧１５Ｐａ印加電力密度０，３Ｗ／ｃｒＩＬに
て１０分間現像を行なった。レジストはボン型特性を示
し、感就２．５Ｘ１０−５０イｄ、残膜率７５係であっ
た。
実施例２゜
クロロメチル化ポリα−メチルスチレンに１．２−ジメ
チル−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン２５ｗ
ｔ５ｋ添加しレジスト液とした。このレジスト液を使用
し、以下実施例１と１【］様にして試料作製、露光、ド
ライ現像を行なった。このレジストの感度は５ Ｘ’Ｉ
０−５０７．ｔ、残膜率６０チであった。
チル−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン２５ｗ
ｔ５ｋ添加しレジスト液とした。このレジスト液を使用
し、以下実施例１と１【］様にして試料作製、露光、ド
ライ現像を行なった。このレジストの感度は５ Ｘ’Ｉ
０−５０７．ｔ、残膜率６０チであった。
（５）発明の効果
本発明のレジスト組成物においてはエツチング速度比が
犬であるため膜厚の高いレジスト層（ターンを得ること
ができ、更に、ガラス転位温度が高いため、プラズマ甲
での熱によるレジスト層＜ターンの軟化が起こり難く、
従って解像性の非常に高いパターンを与える効果を奏す
る。質にドライ酸でちるので、従来のメ；」＜廃棄物の
処理の問題も生じない。
犬であるため膜厚の高いレジスト層（ターンを得ること
ができ、更に、ガラス転位温度が高いため、プラズマ甲
での熱によるレジスト層＜ターンの軟化が起こり難く、
従って解像性の非常に高いパターンを与える効果を奏す
る。質にドライ酸でちるので、従来のメ；」＜廃棄物の
処理の問題も生じない。
第１図は本発明の方法によりポジ堀しジントバクーン全
形成する工程を模式的に示すフローシートでちる。 図において、１は基板、２はレジスト層、そして３は露
光部分である。 １４３
形成する工程を模式的に示すフローシートでちる。 図において、１は基板、２はレジスト層、そして３は露
光部分である。 １４３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子構造中に芳香環ヲ有する高分子化合物に於て、
芳香環に結合する水素？・ロゲン化アルキルにて１個又
は２個置換した高分子化合物および下記一般式Ｉ又は■
で表わされるシリコン化合物を１〜５０重量係含有せし
めてなるドライ現像ポジ型レジスト組成物。 一般式Ｉ： 一般式Ｉｌ： 上記式中、Ｘはそれぞれメチル基、フェニル基、ビフェ
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Ｙは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、Ｚは水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、ｔ−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、１≦ル≦５である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21698682A JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21698682A JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125729A true JPS59125729A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16697021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21698682A Pending JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184746A (ja) * | 1984-04-05 | 1988-07-30 | アメリカ合衆国 | 基板表面にポジ像を形成する方法 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21698682A patent/JPS59125729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184746A (ja) * | 1984-04-05 | 1988-07-30 | アメリカ合衆国 | 基板表面にポジ像を形成する方法 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
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