JPS58108529A - ドライ現像ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ドライ現像ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS58108529A JPS58108529A JP20715681A JP20715681A JPS58108529A JP S58108529 A JPS58108529 A JP S58108529A JP 20715681 A JP20715681 A JP 20715681A JP 20715681 A JP20715681 A JP 20715681A JP S58108529 A JPS58108529 A JP S58108529A
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- Japan
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- biphenyl
- acetoxy
- phenoxy
- benzyl
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はポジ微レジスト組成物に関し、更に詳しくは電
子−５Ｘｆ＃１、遠紫外線、イオンビーム等の電離放射
＠＋：よる露光後、酸素プラズマ、酸素−アルゴン混合
ガスプラズマ、酸素−７ｖ素系ガス混合ガスプラズマ等
を用いて現像することのできるドライ現像レジストポジ
置しジスト組成物Ｃ二関する。
子−５Ｘｆ＃１、遠紫外線、イオンビーム等の電離放射
＠＋：よる露光後、酸素プラズマ、酸素−アルゴン混合
ガスプラズマ、酸素−７ｖ素系ガス混合ガスプラズマ等
を用いて現像することのできるドライ現像レジストポジ
置しジスト組成物Ｃ二関する。
（２）技術の背景並び４：従来技術と問題点従来、半導
体集積回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成（：は、現像献を用いて現像するレジスト
が使用されている。例えば電子−ポ装置レジストのポリ
メチルメタクリレートやネガ諏のポリグリシジルメタク
リレートなどがある。これらの従来のレジストは現１１
＆（主にＷａＳ剤）を使用して現像するために、レジス
トが現健時に膨潤や収縮を起し、サブミクコンのパター
ンを形成することは困難である。
体集積回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成（：は、現像献を用いて現像するレジスト
が使用されている。例えば電子−ポ装置レジストのポリ
メチルメタクリレートやネガ諏のポリグリシジルメタク
リレートなどがある。これらの従来のレジストは現１１
＆（主にＷａＳ剤）を使用して現像するために、レジス
トが現健時に膨潤や収縮を起し、サブミクコンのパター
ンを形成することは困難である。
（３）発明の目的
本発明は、プラズマ処ｆｆ１ｃより現像をドライ化して
、黴細なレジストパターンの形成を容易にし残膜藁を高
めることをその目的とする。
、黴細なレジストパターンの形成を容易にし残膜藁を高
めることをその目的とする。
（４）発明の構成
かかる目的達成のため、本発明によれば、以下の如きポ
ジ濠レジスト組成物が提供される。すなわち、該組成物
は、 分子構造中＆：エボキシ基を有する高分子材料に、下記
の一般式（りで表わされるシリコーン化合物を１〜５０
重量鳴官有せしめて成ることを特徴とする、ドライ現像
ポジ型レジスト組成物。
ジ濠レジスト組成物が提供される。すなわち、該組成物
は、 分子構造中＆：エボキシ基を有する高分子材料に、下記
の一般式（りで表わされるシリコーン化合物を１〜５０
重量鳴官有せしめて成ることを特徴とする、ドライ現像
ポジ型レジスト組成物。
一般式（１）：
％式％
上式中、Ｘはフェニル基、メチル基、ビフェニル基、フ
ェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基、Ｖアノ基
、ビニル基、又はアセトキシ基を表わし、 Ｙは水素原子、ヒドロキシ基、アジド基、ビニル基、エ
トキン基、ブトキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、
ベンジル基、フェニル基、メチル基、ｔ−ブチル基、ビ
フェニル基、又はアセトキシ基を表わし、 Ｚ）！、フェニル基、ヒドロキシ基、ヘンシル基、メチ
ル基、ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ノ１０ゲン原子、
ビフェニル基、又はアセトキシ基を表わす。
ェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基、Ｖアノ基
、ビニル基、又はアセトキシ基を表わし、 Ｙは水素原子、ヒドロキシ基、アジド基、ビニル基、エ
トキン基、ブトキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、
ベンジル基、フェニル基、メチル基、ｔ−ブチル基、ビ
フェニル基、又はアセトキシ基を表わし、 Ｚ）！、フェニル基、ヒドロキシ基、ヘンシル基、メチ
ル基、ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ノ１０ゲン原子、
ビフェニル基、又はアセトキシ基を表わす。
すなわち、分子中１：エポキシ基を有する高分子材料に
シリコーン化合物を含有せしめたレジスト組成物を塗布
した未露光部分は＃！累プラズマＣ；対して耐性が高く
エツチングされにくい仁と並びに露光部分は酸素プラズ
マに対して耐性が低くエツチングされやすいことの知見
を得たことＣ；より本発明は完成されたものである。
シリコーン化合物を含有せしめたレジスト組成物を塗布
した未露光部分は＃！累プラズマＣ；対して耐性が高く
エツチングされにくい仁と並びに露光部分は酸素プラズ
マに対して耐性が低くエツチングされやすいことの知見
を得たことＣ；より本発明は完成されたものである。
本発明において有用なエポキシ基を有するポリマーとし
ては、例えばポリグリシジルメタクリレート、およびエ
ピコー）１００９（シェル社製登録商標）の如きホモポ
リマー、並びにグリシジルメタクリレート−スチレンコ
ポリマー、グリシジルメタクリレート−エチルアクリレ
ートコポリマーの如きコポリマーが挙げられる。
ては、例えばポリグリシジルメタクリレート、およびエ
ピコー）１００９（シェル社製登録商標）の如きホモポ
リマー、並びにグリシジルメタクリレート−スチレンコ
ポリマー、グリシジルメタクリレート−エチルアクリレ
ートコポリマーの如きコポリマーが挙げられる。
先の一般式！で示されるシリコーン化合物の例としては
次のものがある。即ち、ビス（ｐ−ビフェニル）ジフェ
ニルシラン、ビス（フェニルアｉ））ジメチルＶラン、
ｔ−プチルジメチルクａｃｌシラン、ｔ−ブチルジフェ
ニルクロロシラン、ジベンジルジメチルＶラン、ジシア
ノジメチルＶラン、ジフェニルシラノール、テトラアセ
トキシシラン、テトラフェノキンシラン、テトラフェニ
ルシラン、トリベンジルクロロシラン、トリ７エ二ルク
ロロシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニ
ルフルオロシラン、トリフェニルシラン、トリフェニル
シラノール、トリフェニルシリルアジド及ヒドリフェニ
ルビニルシランである。
次のものがある。即ち、ビス（ｐ−ビフェニル）ジフェ
ニルシラン、ビス（フェニルアｉ））ジメチルＶラン、
ｔ−プチルジメチルクａｃｌシラン、ｔ−ブチルジフェ
ニルクロロシラン、ジベンジルジメチルＶラン、ジシア
ノジメチルＶラン、ジフェニルシラノール、テトラアセ
トキシシラン、テトラフェノキンシラン、テトラフェニ
ルシラン、トリベンジルクロロシラン、トリ７エ二ルク
ロロシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニ
ルフルオロシラン、トリフェニルシラン、トリフェニル
シラノール、トリフェニルシリルアジド及ヒドリフェニ
ルビニルシランである。
上記シリコーン化合物の配合割合は１〜５０重量憾であ
り、好ましくは１０〜３０重量鳴である。
り、好ましくは１０〜３０重量鳴である。
上記範囲を枕寂したのは、以下の理由による。シリコー
ン化合物が１重重鳴未満では、未露光部分も工噌チング
され本発明の効果が発現されず、又５０鳴を超すと電子
趣に対する感度が低下し岡じ本発明の所期の効果が得ら
れない。
ン化合物が１重重鳴未満では、未露光部分も工噌チング
され本発明の効果が発現されず、又５０鳴を超すと電子
趣に対する感度が低下し岡じ本発明の所期の効果が得ら
れない。
本発明のポジ型レジスト組成物によるレジストパターン
の形成方法は、次の如き操作により実施することができ
る。即ち第１図１：示す如く、基板１上４ニレジスト層
２を形成する。これは、例えはスピンコード法感二より
レジスト岨成欲（トルエンの如きエポキシ含有ポリマー
およびシリコーン化合物の双方な爵解する浴剤に本発明
のレジスト組成物１；潜解した液）を塗布し、６０〜８
０℃の温度で１０〜３０分間プリベークする。次−二こ
れをｇｚｓｓ＝、示す如く電子線、Ｘ＃！、遠紫外線、
イオンビーム等の電離放射−等による露光を行なう。
の形成方法は、次の如き操作により実施することができ
る。即ち第１図１：示す如く、基板１上４ニレジスト層
２を形成する。これは、例えはスピンコード法感二より
レジスト岨成欲（トルエンの如きエポキシ含有ポリマー
およびシリコーン化合物の双方な爵解する浴剤に本発明
のレジスト組成物１；潜解した液）を塗布し、６０〜８
０℃の温度で１０〜３０分間プリベークする。次−二こ
れをｇｚｓｓ＝、示す如く電子線、Ｘ＃！、遠紫外線、
イオンビーム等の電離放射−等による露光を行なう。
この露光によりレジスト組成物中の高分子化合物とシリ
コーン化合物とが化学反応をおこし、新たな化合物を生
成するものと増電される。次いでレジスト層２の露光部
分３が除去され（１Ｎ３図）、所望のポジパターンが形
成される（第４図）。こＱ）ドライ現＠ｉ：おいて、未
露光部分は酸素プラズマに対して耐性が高くエツチング
されｔ−＜＜、ｇ元部分は酸素プラズマＩ：対する耐性
が低下しエツチングさ江やすい。従って露光部分および
未露光部分におけるエツチング速度の差が大となり残裏
幕の高ｉポジパターンを得ることができる。
コーン化合物とが化学反応をおこし、新たな化合物を生
成するものと増電される。次いでレジスト層２の露光部
分３が除去され（１Ｎ３図）、所望のポジパターンが形
成される（第４図）。こＱ）ドライ現＠ｉ：おいて、未
露光部分は酸素プラズマに対して耐性が高くエツチング
されｔ−＜＜、ｇ元部分は酸素プラズマＩ：対する耐性
が低下しエツチングさ江やすい。従って露光部分および
未露光部分におけるエツチング速度の差が大となり残裏
幕の高ｉポジパターンを得ることができる。
（Ｓ） 発明の実施例 。
以下、実施例により本発明を更−二説明する。
実１例１
ボリダｌＪｐジルメタクリレート７５重量憾とジフェニ
ルシランジオール２６重量鳴を混合した系をシクロヘキ
ナンー二潜嬶しレジスト組成敵とした。
ルシランジオール２６重量鳴を混合した系をシクロヘキ
ナンー二潜嬶しレジスト組成敵とした。
この＃ＩＩ［ｔ−スピンコード法−；よりシリコン基板
上に塗布した後、窒素気流中で６０℃で３０分間加熱し
た。このレジストの膜厚は１．０μ篤であった。次に加
速電圧３０ｋＶの電子−を用いて露光した後、平行平板
型プラズマエツチング装置内に該露光基板を入れ、６
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで減圧し、装置内を排気した
後ｒＲ累を導入した。現像条件は酸素ガス圧０．４ Ｔ
ｏｒｒ印加周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．３３
Ｗ／ｍ とした。現像時間は３０分後に露光部のレジ
ストはエツチング除去された。こ（７）ときの電子−露
光量は５． ＯＸ １０−”Ｃ／ａｉ （７Ｊロ速電圧
３０にマ）であり、未露光部分の残膜幕は７０％であっ
た。
上に塗布した後、窒素気流中で６０℃で３０分間加熱し
た。このレジストの膜厚は１．０μ篤であった。次に加
速電圧３０ｋＶの電子−を用いて露光した後、平行平板
型プラズマエツチング装置内に該露光基板を入れ、６
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで減圧し、装置内を排気した
後ｒＲ累を導入した。現像条件は酸素ガス圧０．４ Ｔ
ｏｒｒ印加周波数１３．５６ＭＨｚ、印加電力０．３３
Ｗ／ｍ とした。現像時間は３０分後に露光部のレジ
ストはエツチング除去された。こ（７）ときの電子−露
光量は５． ＯＸ １０−”Ｃ／ａｉ （７Ｊロ速電圧
３０にマ）であり、未露光部分の残膜幕は７０％であっ
た。
実施例２
グリシジルメタクリレート−スチレン共重合体７５重量
優とトリフェニルジラフ２５重量４ｔ−混合した系を実
施例１と同様亀；処理し、電子ＩａｙＩＡ射とドライ現
像とを行なりた。尚、レジストの膜厚は１．５μ凰とし
た。現俸時間３０分後、電子−露光部のレジストがエツ
チング除去され友。この電子線露光量は７． ｓ Ｘ
１ ｏ−’ｃｙａｉであり、未露光部分の残馬幕紘６５
嘔であった。
優とトリフェニルジラフ２５重量４ｔ−混合した系を実
施例１と同様亀；処理し、電子ＩａｙＩＡ射とドライ現
像とを行なりた。尚、レジストの膜厚は１．５μ凰とし
た。現俸時間３０分後、電子−露光部のレジストがエツ
チング除去され友。この電子線露光量は７． ｓ Ｘ
１ ｏ−’ｃｙａｉであり、未露光部分の残馬幕紘６５
嘔であった。
グリシジルメタクリレート−エチルアク１Ｊレート共重
合体７５電量鳴とトリフェニルジ９フ２５重量唾とを混
合した系を実施例１と同様ｇＺＭ理し電子蒜露光とドラ
１現憐を行なった。尚、レジスミ子巌露光量は１．５
Ｘ １０−’（、’／ｆｆｌであり、未露光部分の残膜
皐は８５憾であった。
合体７５電量鳴とトリフェニルジ９フ２５重量唾とを混
合した系を実施例１と同様ｇＺＭ理し電子蒜露光とドラ
１現憐を行なった。尚、レジスミ子巌露光量は１．５
Ｘ １０−’（、’／ｆｆｌであり、未露光部分の残膜
皐は８５憾であった。
（６）発明の効果
本発明はこのように構成したことより露光部分得る効果
を奏する。
を奏する。
【図面の簡単な説明】
１１１図ないし１に４１１は本発明の組成物を用いて１
・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・・
・・・露光部分。
・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・・
・・・露光部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子構造中にエポキＶ基１１−ｖする高分子材料に
、下記の一般弐〇）で表わされるシリコーン化合物を１
〜５０重量ｓｔｙせしめて成ることを特徴とする、ドラ
イ現像ポジ型レジスト組成物。 一般式（Ｉ）： Ｘ−４−Ｙ 上式中、Ｘはフェニル基、メチル基、ビフェニル基、フ
ェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基、シアノ基
、ビニル基、又はアセトキシ基を表わし、 Ｙは水素原子、ヒドロキシ基、アジド基、ビニル基、エ
トキレ基、ブトキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、
ベンジル基、フェニル基、メチル基、ｔ−ブチル基、ビ
フェニル基、又はアセトキシ基を表わし、 ２は、フェニル基、ヒドロキシ基、ベンジル基、メチル
基、ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ノＳａゲン原子、ビ
フェニル基、又はアセトキシ基を表わす。 ２、 シリコーン化合物を１０〜３０重量暢含有する、
前記特許請求の範囲８１項記載のドライ現偉ポジ型レジ
スト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20715681A JPS58108529A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20715681A JPS58108529A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108529A true JPS58108529A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16535148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20715681A Pending JPS58108529A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790732B1 (ko) | 2006-02-15 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 신뢰성이 확보된 액체 렌즈용 절연액 및 그 절연액을사용한 액체 렌즈 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20715681A patent/JPS58108529A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790732B1 (ko) | 2006-02-15 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 신뢰성이 확보된 액체 렌즈용 절연액 및 그 절연액을사용한 액체 렌즈 |
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