JPH025522A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH025522A JPH025522A JP15485688A JP15485688A JPH025522A JP H025522 A JPH025522 A JP H025522A JP 15485688 A JP15485688 A JP 15485688A JP 15485688 A JP15485688 A JP 15485688A JP H025522 A JPH025522 A JP H025522A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
パターン形成方法、さらに詳しくはサブミクロン寸法の
微細パターンの形成方法に関し、レジストのシリル化の
技術を用いて０．５μｍ以下のパターンを再現性よく高
精度に形成する方法を提供することを目的とし、 基板の表面上にレジストを塗布し、続いて露光及び現像
を行い第１のパターンを形成する工程、第１パターンの
表面及び側壁をシリル化する工程、ドライエツチングに
よりシリル化した側壁のみを残し、第２のパターンを形
成する工程、及び第２のパターンをマスクに基板を加工
する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法を含
み構成する。
微細パターンの形成方法に関し、レジストのシリル化の
技術を用いて０．５μｍ以下のパターンを再現性よく高
精度に形成する方法を提供することを目的とし、 基板の表面上にレジストを塗布し、続いて露光及び現像
を行い第１のパターンを形成する工程、第１パターンの
表面及び側壁をシリル化する工程、ドライエツチングに
よりシリル化した側壁のみを残し、第２のパターンを形
成する工程、及び第２のパターンをマスクに基板を加工
する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法を含
み構成する。
（２）第１パターン（１４）の表面及び側壁の一部を選
択的にシリル化する請求項１記載のパターン形成方法。
択的にシリル化する請求項１記載のパターン形成方法。
本発明は、パターン形成方法、さらに詳１７＜はサブミ
クロン寸法の微細パターンの形成方法に関するものであ
る。本発明方法は、例えば集積回路、バブルメモリー素
子等の半導体装置、その他の製造において有利に使用す
ることができる。
クロン寸法の微細パターンの形成方法に関するものであ
る。本発明方法は、例えば集積回路、バブルメモリー素
子等の半導体装置、その他の製造において有利に使用す
ることができる。
半導体装置等の製造において、微細なレジストパターン
を形成するために電子ビーム露光、Ｘ線露光法が用いら
れ更にプロセス的には多層レジスト法等を適用すること
により、実用化されている。
を形成するために電子ビーム露光、Ｘ線露光法が用いら
れ更にプロセス的には多層レジスト法等を適用すること
により、実用化されている。
ところでパターンの形成については０．５μｍ以下のよ
り微細なパターンを形成する場合には、種々の問題があ
る。これは基板の段差による反射光の影響や、ウェハー
の高さ（露光面の高さ）によるフォーカスのズレ、さら
にはネガレジストの場合はレジストの膨潤によりパター
ンの蛇行等の現象を生じる。多層レジスト法はこれらの
問題を緩和する方法であるが、下層レジストに高精度で
上層レジストを転写する反応性イオンエツチングの場合
においてもアンダーカットが避けられずパターンが微細
になるほど問題となる。
り微細なパターンを形成する場合には、種々の問題があ
る。これは基板の段差による反射光の影響や、ウェハー
の高さ（露光面の高さ）によるフォーカスのズレ、さら
にはネガレジストの場合はレジストの膨潤によりパター
ンの蛇行等の現象を生じる。多層レジスト法はこれらの
問題を緩和する方法であるが、下層レジストに高精度で
上層レジストを転写する反応性イオンエツチングの場合
においてもアンダーカットが避けられずパターンが微細
になるほど問題となる。
こ＼で第５図を参照して従来技術を説明すると、同図（
ａ）に示されるように基板５１上に下層レジスト５２を
、また下層レジスト５２上にシリコンを含む上層レジス
ト５３を塗布する。
ａ）に示されるように基板５１上に下層レジスト５２を
、また下層レジスト５２上にシリコンを含む上層レジス
ト５３を塗布する。
次いで同図（ｂ）に示される如く上層レジスト５３をバ
ターニングし、次いで、０□を用いる反応性イオンエツ
チング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ、
ＲＩＥ）で下層レジスト５２をエツチングして同図（
Ｃ）に示されるレジストパターンを得る。上層レジスト
５３はシリコンを含み、このシリコンがＲＩＨにおいて
０２と反応してＳｉｎｇを作るので、前記したＲＩＨに
おいて上層レジストのパターンが十分に耐性をもつので
ある。
ターニングし、次いで、０□を用いる反応性イオンエツ
チング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ、
ＲＩＥ）で下層レジスト５２をエツチングして同図（
Ｃ）に示されるレジストパターンを得る。上層レジスト
５３はシリコンを含み、このシリコンがＲＩＨにおいて
０２と反応してＳｉｎｇを作るので、前記したＲＩＨに
おいて上層レジストのパターンが十分に耐性をもつので
ある。
さらには、上層レジストにシリコンを含むものを用いず
、シリル化によって第５図（ａ）〜（Ｃ）を参照して説
明した場合と同様の効果を得る方法もある。
、シリル化によって第５図（ａ）〜（Ｃ）を参照して説
明した場合と同様の効果を得る方法もある。
第６図（ａ）を参照すると、第５図い）を参照して説−
明したように上層レジスト５３をパターニングした後に
、上層レジストのパターンの表面を第６図（ａ）に示す
如くにシリル化する。このシリル化された部分は同図に
符号５３ａで示す。
明したように上層レジスト５３をパターニングした後に
、上層レジストのパターンの表面を第６図（ａ）に示す
如くにシリル化する。このシリル化された部分は同図に
符号５３ａで示す。
次に、０□を用いるＲＩＥで下層レジスト５２をエツチ
ングして第６図（ｂ）に示されるレジストのパターンを
得る。
ングして第６図（ｂ）に示されるレジストのパターンを
得る。
そこで本発明は、レジストのシリル化の技術を用いて０
．５μｍ以下のパターンを再現性よく高精度に形成する
方法を提供することを目的とする。
．５μｍ以下のパターンを再現性よく高精度に形成する
方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記の課題は、基板の表面上にレジストを塗布し、続い
て露光及び現像を行い第１のパターンを形成する工程、
第１パターンの表面及び側壁をシリル化する工程、ドラ
イエツチングによりシリル化した側壁のみを残し、第２
のパターンを形成する工程、及び第２のパターンをマス
クに基板を加工する工程を含むことを特徴とするパター
ン形成方法によって解決される。すなわち、本発明では
、再現性のよい微細パターンを形成するに当たっ鴬で、
基板上にレジスト膜を形成し露光、現像を施した後、そ
のレジスト側壁及び表面をシリル化し、ドライエツチン
グ処理を行うことによりシリル化された側壁のみを残し
、このレジストをマスクに基板を加工するものである。
て露光及び現像を行い第１のパターンを形成する工程、
第１パターンの表面及び側壁をシリル化する工程、ドラ
イエツチングによりシリル化した側壁のみを残し、第２
のパターンを形成する工程、及び第２のパターンをマス
クに基板を加工する工程を含むことを特徴とするパター
ン形成方法によって解決される。すなわち、本発明では
、再現性のよい微細パターンを形成するに当たっ鴬で、
基板上にレジスト膜を形成し露光、現像を施した後、そ
のレジスト側壁及び表面をシリル化し、ドライエツチン
グ処理を行うことによりシリル化された側壁のみを残し
、このレジストをマスクに基板を加工するものである。
本発明の第１実施例は、第１図（ａ）〜げ）に示すよう
に、基板上にレジストを塗布し続いて露光及び現像を行
い第１のレジストパターンを形成する（第１図（Ｃ））
。続いて同図（ｄ）に示すように第１のレジストパター
ンの表面及び側壁をシリル化させて、シリル化層１５を
形成する。更にドライエツチングにより第１のレジスト
パターンの表面をエツチングし、引き続きシリル化され
ていない第１のレジストパターンをエツチングする。こ
のようにして得られた第２のレジストパターン（第１の
レジストパターンの側壁）はシリル化する条件により任
意に選択することが可能となり０．１μｍ〜〜０．３μ
ｍのパターンが精度よく形成することができる。なお、
レジストの表面をシリル化する、方法は例えば特開昭６
２−２５４２４号公報（！［Ｉ−願昭６（，１−１６５
［）４１）に示され−こいるもので、この方法Ｌｙよる
と、基板上に有機ポリマーから成る２層のｊ／シスト層
を有する構成においで、上層ｉ／ジス目模に、紫り＋線
、遠紫夕）線、電子線、Ｘ線、イオン線等を用いたりソ
グラフィ技術を用いて、所望のパターンを形成した後、
当該基板をハロゲン化アルギルシラン液、またはハロゲ
ン化アルキルシランに接触させながら、遠紫外光を照射
することによって、」−層１／ジスＩ・パターンにのみ
、あるいは」−層レジストパターンで被覆されていない
下層レジスｌ膜表面にのみ、Ｊｚ記ハロゲン化アルキル
シラン成分中の有機シリコン成分を光化学反応させて、
伺加させた後に酸素ガス、二酸化炭素等の酸化性ガスプ
ラズマ雰囲気中でドライエンヂングすることにより、１
１１記有機ンリコン成分を付加させた領域をマスクとし
て、有機シリコンが付加されていない１ノジスト膜を選
択的に除去し加工するものである。
に、基板上にレジストを塗布し続いて露光及び現像を行
い第１のレジストパターンを形成する（第１図（Ｃ））
。続いて同図（ｄ）に示すように第１のレジストパター
ンの表面及び側壁をシリル化させて、シリル化層１５を
形成する。更にドライエツチングにより第１のレジスト
パターンの表面をエツチングし、引き続きシリル化され
ていない第１のレジストパターンをエツチングする。こ
のようにして得られた第２のレジストパターン（第１の
レジストパターンの側壁）はシリル化する条件により任
意に選択することが可能となり０．１μｍ〜〜０．３μ
ｍのパターンが精度よく形成することができる。なお、
レジストの表面をシリル化する、方法は例えば特開昭６
２−２５４２４号公報（！［Ｉ−願昭６（，１−１６５
［）４１）に示され−こいるもので、この方法Ｌｙよる
と、基板上に有機ポリマーから成る２層のｊ／シスト層
を有する構成においで、上層ｉ／ジス目模に、紫り＋線
、遠紫夕）線、電子線、Ｘ線、イオン線等を用いたりソ
グラフィ技術を用いて、所望のパターンを形成した後、
当該基板をハロゲン化アルギルシラン液、またはハロゲ
ン化アルキルシランに接触させながら、遠紫外光を照射
することによって、」−層１／ジスＩ・パターンにのみ
、あるいは」−層レジストパターンで被覆されていない
下層レジスｌ膜表面にのみ、Ｊｚ記ハロゲン化アルキル
シラン成分中の有機シリコン成分を光化学反応させて、
伺加させた後に酸素ガス、二酸化炭素等の酸化性ガスプ
ラズマ雰囲気中でドライエンヂングすることにより、１
１１記有機ンリコン成分を付加させた領域をマスクとし
て、有機シリコンが付加されていない１ノジスト膜を選
択的に除去し加工するものである。
〔実施例］
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明するが
本発明の第１実施例は第１図（，２−示される。
本発明の第１実施例は第１図（，２−示される。
イ列土
（１） 基板１１＋、に１／シスト１２、例えばＡＺ
−１３５０Ｊ （シプレー社）なる商品名の１／ジスＩ
−を１．０μｍＶ布する（第１図（ａ））。
−１３５０Ｊ （シプレー社）なる商品名の１／ジスＩ
−を１．０μｍＶ布する（第１図（ａ））。
（２）プリベークを１１０”Ｃ１９０秒ホットプレート
を用いて行う。
を用いて行う。
（３）紫外光（υν光） （４０５ｍｍ、 １０ｍＷ
／ Ｃｆ１）でマスクを通して所定の第１のパターンを
露光すると、潜像１３が形成される（第１図α）））、
。
／ Ｃｆ１）でマスクを通して所定の第１のパターンを
露光すると、潜像１３が形成される（第１図α）））、
。
（４）現像液ＭＰ−３１２／水−１／１で２分間現像し
続いて水でリンスすると、第１図（Ｃ）に示すレジスト
１２のパターンが得られる。
続いて水でリンスすると、第１図（Ｃ）に示すレジスト
１２のパターンが得られる。
（５）基十反をＩＩＭＤｓ（ヘキサメチルジシラザン）
の蒸気中で遠紫外光ＤＩＩＶ光（Ｘｅ−１１ｇランプ、
５００Ｗ、 １．５ｍＷ／Ｃｍ１）で１０分間照射ｊ７
て、第１図（ｃｉ）に符号１５を付したシリル化層１５
を形成する。
の蒸気中で遠紫外光ＤＩＩＶ光（Ｘｅ−１１ｇランプ、
５００Ｗ、 １．５ｍＷ／Ｃｍ１）で１０分間照射ｊ７
て、第１図（ｃｉ）に符号１５を付したシリル化層１５
を形成する。
（６）反応性イオンエツチング技術を用いてＣＦ。
（１００ｓｅｃｍ） ０．０２ｔｏｒｒ、２０〇−の条
件で１分間工・・ノヂングすると、シリル化された第１
パターンの−１−面及び側壁の内上面のみがエツチング
される（第１図（ｅ））。
件で１分間工・・ノヂングすると、シリル化された第１
パターンの−１−面及び側壁の内上面のみがエツチング
される（第１図（ｅ））。
（７）反応性イオンエツチングで（ｈ （１００ｓｅｃ
ｍ）、０゜Ｑ２ｔｏｒｒ、２５四で４分間エツチングす
ると、このエツチングによりシリル化されていない第１
のパターンがエツチングされて、第１図（ｆ）に示す第
２のパターン１６が作られる。
ｍ）、０゜Ｑ２ｔｏｒｒ、２５四で４分間エツチングす
ると、このエツチングによりシリル化されていない第１
のパターンがエツチングされて、第１図（ｆ）に示す第
２のパターン１６が作られる。
（８） このようにして形成された第２のＩ／シスト
パターン１６は、そのパターン幅が０．１μｍで高さは
０．７７１ｍのものであった。
パターン１６は、そのパターン幅が０．１μｍで高さは
０．７７１ｍのものであった。
一昨て
実施例１と同様に第１のレジストパターンを形成し、実
施例１と同様に基板をＩＩＭＤｓ （ヘキサメチルジシ
ラザン）の蒸気中で叶Ｖ （Ｘｅ −１１ｇランプ５０
０Ｗ １５ｄ ／ ｃｎ％）で今回は２０分間照則した
。その後、反応性イオンエンヂングでＣＦ。
施例１と同様に基板をＩＩＭＤｓ （ヘキサメチルジシ
ラザン）の蒸気中で叶Ｖ （Ｘｅ −１１ｇランプ５０
０Ｗ １５ｄ ／ ｃｎ％）で今回は２０分間照則した
。その後、反応性イオンエンヂングでＣＦ。
（１００ｓｅｃｍ）、０．０２ｔｏｒｒ、２００Ｗの条
件で１．５分間エツチングその後は実施例１と同様の処
理を施した。その結果、第２の１／ジス１〜パターンは
、パターン幅が０．２μｍで高さは０．６μｍのものが
得られた。
件で１．５分間エツチングその後は実施例１と同様の処
理を施した。その結果、第２の１／ジス１〜パターンは
、パターン幅が０．２μｍで高さは０．６μｍのものが
得られた。
１＆
（１）基板上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート
）を１．０μｍ塗布する。
）を１．０μｍ塗布する。
（２） プリベータを１７０’Ｃ１００秒（ホットブ
１．／−） ）行う。
１．／−） ）行う。
（３）電子ビーム露光（加速電圧２０ｋＶ露光星７×１
０”５Ｃ／ｅ４で第１のパターンを露光する。
０”５Ｃ／ｅ４で第１のパターンを露光する。
（４）現像液旧ＢＫ （メチルイソブチルケトン）で５
分間浸漬する。
分間浸漬する。
（５）基板をＩＩＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）
の蒸気中で、ＤＵｖ（Ｘｅ −１１ｇランプ、５００−
１１５ｍＷ／ｃ＋ｆｌ）で１０分間照射する。
の蒸気中で、ＤＵｖ（Ｘｅ −１１ｇランプ、５００−
１１５ｍＷ／ｃ＋ｆｌ）で１０分間照射する。
（６）続いて、実施例１の（６）、（７）の処理を施゛
す。
す。
（７）このようにして形成された第２のレーＯ；ストパ
ターンは、そのパターン幅が０．１μｍで高さは０．７
μｍのものであった。
ターンは、そのパターン幅が０．１μｍで高さは０．７
μｍのものであった。
なお、このようにして得られた第２のレジスＩ・パター
ン１６は、第２図に示すように、必ず縁取りバターンと
なる。このための対処として、本発明第１実施例の応用
例では、第２のパターンをマスクに基板をエツチングし
続いて再度レジストを塗布、露光、現像を行い基板の一
部を切断する（第３図）。
ン１６は、第２図に示すように、必ず縁取りバターンと
なる。このための対処として、本発明第１実施例の応用
例では、第２のパターンをマスクに基板をエツチングし
続いて再度レジストを塗布、露光、現像を行い基板の一
部を切断する（第３図）。
第２図（ａ）は第１図（ｄ）を参照して説明した工程の
後の表面にシリル化層１５が形成された第１のパターン
の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断
面図である。そして第１図（ｆ）を参照して説明した工
程の後には、第２図（Ｃ）の平面図と同図Ｄ−Ｄ線断面
図である同図（ｄ）に示す第２のパターン１６が得られ
るものである。
後の表面にシリル化層１５が形成された第１のパターン
の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断
面図である。そして第１図（ｆ）を参照して説明した工
程の後には、第２図（Ｃ）の平面図と同図Ｄ−Ｄ線断面
図である同図（ｄ）に示す第２のパターン１６が得られ
るものである。
こ＼で、第２図（Ｃ）と（ｄ）に示されるパターンを切
断する必要がある場合には、第３図に示される方法を用
いる。同図（ａ）は第１図（ｆ）を参照して説明した工
程の後に得られた第２パターン１６の平面図であり、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
断する必要がある場合には、第３図に示される方法を用
いる。同図（ａ）は第１図（ｆ）を参照して説明した工
程の後に得られた第２パターン１６の平面図であり、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
この第２のパターンから同図（ｅ）に示されるパターン
を形成するには、第３図（ａ）と（ｂ）に示される第２
のパターン１６を用いて基板１１をエツチングし、第２
パターンに対応するパターン１７を基板１１に形成する
。
を形成するには、第３図（ａ）と（ｂ）に示される第２
のパターン１６を用いて基板１１をエツチングし、第２
パターンに対応するパターン１７を基板１１に形成する
。
次いで、基板１１上にレジスト１８を塗布し、それを、
パターン１７の切断したい部分を露出するようにパター
ニングする（第３図（Ｃ））。なお、第３図（ｄ）は同
図（Ｃ）のＤ−Ｄ線断面図である。引続き、レジスト１
８でお〜われない部分をエツチングすると、第３図（ｅ
）の平面図と（ｆ）の断面図に示されるパターンが得ら
れる。
パターン１７の切断したい部分を露出するようにパター
ニングする（第３図（Ｃ））。なお、第３図（ｄ）は同
図（Ｃ）のＤ−Ｄ線断面図である。引続き、レジスト１
８でお〜われない部分をエツチングすると、第３図（ｅ
）の平面図と（ｆ）の断面図に示されるパターンが得ら
れる。
本発明の第１実施例においては、第２パターン１６が必
らず縁取りパターンとして形成される問題点を解決する
ものであり、その方法を第４図を参照して説明する。
らず縁取りパターンとして形成される問題点を解決する
ものであり、その方法を第４図を参照して説明する。
第１図（Ｃ）を参照して説明した工程の後に、第４図（
ａ）に示されるように、パターン１９が設けられたマス
ク２０を用い、第１のレジストパターンの表面及び側壁
の一部を選択的にシリル化させる（第４図（ｂ））。次
に、ドライエツチングにより第ルジスト パターンの表面及びシリル化されていない第１のレジス
トパターンをエツチングする（第４図（Ｃ））。
ａ）に示されるように、パターン１９が設けられたマス
ク２０を用い、第１のレジストパターンの表面及び側壁
の一部を選択的にシリル化させる（第４図（ｂ））。次
に、ドライエツチングにより第ルジスト パターンの表面及びシリル化されていない第１のレジス
トパターンをエツチングする（第４図（Ｃ））。
このようにして得られた第２のレジストパターン（第１
のレジストパターンの側壁の一部）は、シリル化する条
件により任意に選択することが可能となり、０．１μｍ
＝ ０ 、３μｍのパターンが精度よく形成すること
ができる。
のレジストパターンの側壁の一部）は、シリル化する条
件により任意に選択することが可能となり、０．１μｍ
＝ ０ 、３μｍのパターンが精度よく形成すること
ができる。
なおこのような工程にて、第２のレジストパターンを形
成することにより仔αの側壁を残すことが６１催となり
、１１１Ｖ ＋７）ｌ’Ｍ略化がＪ！成できる。
成することにより仔αの側壁を残すことが６１催となり
、１１１Ｖ ＋７）ｌ’Ｍ略化がＪ！成できる。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
拠土
（１）基板１１上にＡＺ−１３５０Ｊ （シプレー社）
なる商品名のレジスト１２を１．０μｍ塗布する。
なる商品名のレジスト１２を１．０μｍ塗布する。
（２） プリベータを１１０″Ｃ５９０秒（ホットプ
レート）行う。
レート）行う。
（３） ［ＩＶ光（４０５ｎｍ、 １０ｍＷ／ ｃ＋
ｆｌ）でマスクを通して所定の第１のパターンを露光す
る （４）現像液ＭＦ−３１２／水＝１／１で２分間現像し
続いて水でリンスする。こ＼までの工程は第１実施例の
場合と同様である。
ｆｌ）でマスクを通して所定の第１のパターンを露光す
る （４）現像液ＭＦ−３１２／水＝１／１で２分間現像し
続いて水でリンスする。こ＼までの工程は第１実施例の
場合と同様である。
（５）基板１１をＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン
）の蒸気中でマスク２０を介してＤＵＶ （Ｘｅ−Ｈｇ
ランプ５００Ｗ １５ｍＷ／ｃｎ）で１０分間照射して
、第１のパターンの表面と側壁の一部を選択的にシリル
化してシリル化層１５を形成する（第４図（ａ）と、同
図（ｂ））。
）の蒸気中でマスク２０を介してＤＵＶ （Ｘｅ−Ｈｇ
ランプ５００Ｗ １５ｍＷ／ｃｎ）で１０分間照射して
、第１のパターンの表面と側壁の一部を選択的にシリル
化してシリル化層１５を形成する（第４図（ａ）と、同
図（ｂ））。
（６）反応性イオンエツチング技術を用いてＣＦ４（１
００ｓｃｃｍ） ０．０２ｔｏｒｒ、 ２００誓の条件
で１分間エツチングして、シリル化された第１パターン
の上面及び側壁の内上面のみをエツチングする。
００ｓｃｃｍ） ０．０２ｔｏｒｒ、 ２００誓の条件
で１分間エツチングして、シリル化された第１パターン
の上面及び側壁の内上面のみをエツチングする。
（７）反応性イオンエツチングでＯｚ （１００ｓｃｃ
ｍ）、０．０２ｔｏｒｒ、２５０にで４分間エツチング
すると、このエツチングによりシリル化されていない第
１のパターンがエツチングされる（第４図（Ｃ））。
ｍ）、０．０２ｔｏｒｒ、２５０にで４分間エツチング
すると、このエツチングによりシリル化されていない第
１のパターンがエツチングされる（第４図（Ｃ））。
（８）このようにして形成された第２のレジストパター
ン１６は、そのパターン幅が０．１μｍで高さは０．７
μｍのパターンが得られた。
ン１６は、そのパターン幅が０．１μｍで高さは０．７
μｍのパターンが得られた。
実施例１と同様に第１のレジストパターンを形成し、実
施例１と同様に基板をＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラ
ザン）の蒸気中でマスクを介してＤＩνＣＸｅ−Ｈｇラ
ンプ５００Ｗ １５ｍＷ ／ ａｆｌ）で今回は２０分
間照！４Ｌ７た６その後、反応性イオンエツチングでＣ
Ｆ４ （１００ｓｅｃｍ）、０．０２ｔｏｒｒ、 ２０
０Ｗの条件で１゜５分間エツチングその後は実施例１と
同様の処理を施した。その結果、第２のレジストパター
ンはパターン幅が０゜２μｍで高さは０．６μｍのパタ
ーンが得られた１、 奥−工 （１） 基板上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレ
−［）を１．０μｍ塗布する。
施例１と同様に基板をＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラ
ザン）の蒸気中でマスクを介してＤＩνＣＸｅ−Ｈｇラ
ンプ５００Ｗ １５ｍＷ ／ ａｆｌ）で今回は２０分
間照！４Ｌ７た６その後、反応性イオンエツチングでＣ
Ｆ４ （１００ｓｅｃｍ）、０．０２ｔｏｒｒ、 ２０
０Ｗの条件で１゜５分間エツチングその後は実施例１と
同様の処理を施した。その結果、第２のレジストパター
ンはパターン幅が０゜２μｍで高さは０．６μｍのパタ
ーンが得られた１、 奥−工 （１） 基板上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレ
−［）を１．０μｍ塗布する。
（２） ブリヘークを１７０°Ｃ１００秒（ホットプ
レー１・）行う。
レー１・）行う。
（３）電子ビーム露光（加速電圧２０ｋＶ露光景７×１
０−’Ｃ／ｅｆｆｌで第１のパターンを露光する。
０−’Ｃ／ｅｆｆｌで第１のパターンを露光する。
（４）現像液ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）で５
分間浸漬する。
分間浸漬する。
（５）基板をＩＩＭＤＳ （ヘキザ！チルジシラザン）
の蒸気中テマスクを介しテＤＵＶ （Ｘｅ−１ａｇう７
プ、５００Ｗ、１５ｄ／ｃ＋ｆｌ）で１０分間照射する
。
の蒸気中テマスクを介しテＤＵＶ （Ｘｅ−１ａｇう７
プ、５００Ｗ、１５ｄ／ｃ＋ｆｌ）で１０分間照射する
。
（６）続いて、実施例１の（６）、 （７）の処理を施
す。
す。
（７） このようにして形成された第２のレジストパ
ターンはそのパターン幅が０゜ｌ／７ＷＩＩで高さは０
．７μｍのバタ・−ンが得られた。
ターンはそのパターン幅が０゜ｌ／７ＷＩＩで高さは０
．７μｍのバタ・−ンが得られた。
以上のよ・うに本発明によれば６、通常のレジストを用
い第１のパターンを形成した後このレジストの露出部の
一部を選択的にシリル化させ、そのシリル化された側壁
のみをドライエツチング処理により第２のパターンとし
て形成１〜このレジストをマスクに基板を加工する。こ
のよ・うにして形成されたレジストパターンは、工程が
簡略化でき、０．５μｍ以下のパターン幅が容易乙こし
かも再現性よく得ることが可能となった。
い第１のパターンを形成した後このレジストの露出部の
一部を選択的にシリル化させ、そのシリル化された側壁
のみをドライエツチング処理により第２のパターンとし
て形成１〜このレジストをマスクに基板を加工する。こ
のよ・うにして形成されたレジストパターンは、工程が
簡略化でき、０．５μｍ以下のパターン幅が容易乙こし
かも再現性よく得ることが可能となった。
第１図（ａ） −（ｆ）は本発明第１実施例断面図、第
２図は本発明第１実施例の図で、その（ａ）と（Ｃ）は
平面図、υ）と（ｄ）は断面図、 第３図は本発明第１実施例の応用例の図で、その（ａ）
、（Ｃ）、（ｅ）は平面図、（１））、（ｄ）、（ｆ）
は断面図、第４図（ａ） ＝ （Ｃ）は本発明第２実施
例断面図、第５図（ａ） 〜（Ｃ）及び第６図（ａ）と
（ｂ）は従来例断面図である。 図中、 １１は基板、 １２はレジスト、 １３は潜像、 １４は第１のパターン、 １５はシリル化層、 １６は第２のパターン、 １７は基板に形成されたパターン、 １８はレジスト、 １９はパターン、 ２０はマスク を示ず。
２図は本発明第１実施例の図で、その（ａ）と（Ｃ）は
平面図、υ）と（ｄ）は断面図、 第３図は本発明第１実施例の応用例の図で、その（ａ）
、（Ｃ）、（ｅ）は平面図、（１））、（ｄ）、（ｆ）
は断面図、第４図（ａ） ＝ （Ｃ）は本発明第２実施
例断面図、第５図（ａ） 〜（Ｃ）及び第６図（ａ）と
（ｂ）は従来例断面図である。 図中、 １１は基板、 １２はレジスト、 １３は潜像、 １４は第１のパターン、 １５はシリル化層、 １６は第２のパターン、 １７は基板に形成されたパターン、 １８はレジスト、 １９はパターン、 ２０はマスク を示ず。
Claims (2)
- （１）基板（１１）の表面上にレジスト（１２）を塗布
し、続いて露光及び現像を行い第１のパターン（１４）
を形成する工程、 第１パターン（１４）の表面及び側壁をシリル化する工
程、 ドライエッチングによりシリル化した側壁のみを残し、
第２のパターン（１６）を形成する工程、及び 第２のパターン（１６）をマスクに基板を加工する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - （２）第１パターン（１４）の表面及び側壁の一部を選
択的にシリル化する請求項１記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15485688A JPH025522A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15485688A JPH025522A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025522A true JPH025522A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15593405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15485688A Pending JPH025522A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025522A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342737A (en) * | 1992-04-27 | 1994-08-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same |
| GB2289948A (en) * | 1994-06-01 | 1995-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming fine patterns |
| KR20010003465A (ko) * | 1999-06-23 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| WO2009096371A1 (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| JP2010503995A (ja) * | 2006-09-14 | 2010-02-04 | マイクロン テクノロジー， インク． | 効率的なピッチマルチプリケーションプロセス |
| US8084186B2 (en) | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15485688A patent/JPH025522A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342737A (en) * | 1992-04-27 | 1994-08-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same |
| US5814414A (en) * | 1992-04-27 | 1998-09-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same |
| US5688723A (en) * | 1994-06-01 | 1997-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming fine patterns |
| US5595941A (en) * | 1994-06-01 | 1997-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming fine patterns |
| US5710066A (en) * | 1994-06-01 | 1998-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming fine patterns |
| GB2289948B (en) * | 1994-06-01 | 1998-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming fine patterns |
| GB2289948A (en) * | 1994-06-01 | 1995-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming fine patterns |
| KR20010003465A (ko) * | 1999-06-23 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| JP2010503995A (ja) * | 2006-09-14 | 2010-02-04 | マイクロン テクノロジー， インク． | 効率的なピッチマルチプリケーションプロセス |
| WO2009096371A1 (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| US8501394B2 (en) | 2008-01-28 | 2013-08-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Superfine-patterned mask, method for production thereof, and method employing the same for forming superfine-pattern |
| JP5290204B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-09-18 | ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| KR101443057B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2014-09-22 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 | 미세 패턴 마스크 및 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 미세 패턴의 형성 방법 |
| US8084186B2 (en) | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
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