JPS6060725A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

パタ−ン形成方法

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Publication number
JPS6060725A
JPS6060725A JP58169665A JP16966583A JPS6060725A JP S6060725 A JPS6060725 A JP S6060725A JP 58169665 A JP58169665 A JP 58169665A JP 16966583 A JP16966583 A JP 16966583A JP S6060725 A JPS6060725 A JP S6060725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist patterns
pattern
ultraviolet light
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58169665A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Yamao
山尾　達彦
Atsuhiro Kajitani
敦宏 柁谷
Yoshihiro Todokoro
義博 戸所
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP58169665A priority Critical patent/JPS6060725A/ja
Publication of JPS6060725A publication Critical patent/JPS6060725A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレジストパターン形成方法、詳しくは同パター
ン整形方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 半導体素子の微細化、高密度化に伴い素子寸法の微細な
制御が必要と々っている。ところで、半導体素子の製造
工程で用いられるレジストパターンの形成は、第１図に
示す様にマスク基板又はウェハ基板１上に、例えば、電
子ビームレジスト（ＰＧＭＡ）でパターン２を形成する
。ネガ型レジストのパターン２は、第１図に示す様なス
カム３が生じる。又わずかな露光条件の違い、基板の材
質により所定寸法のレジストパターンが得られない場合
がある。その場合、その後の基板の選択エッチ又は不純
物の注入を行う際、エツジ部分での精度良い処理が出来
る様、スカムを除去する適当な整形工程が必要である。
さらに所定の素子の特性が得られる様、パターン寸法を
制御しなければならない。従来、レジストのスカム除去
およびレジスト寸法を制御するためにレジストパターン
を酸素プラズマにさらすという方法を用いていた。しか
し酸素プラズマにさらす場合、酸素プラズマを発生させ
る真空装置が必要であり、高額な設備を必要とする。寸
だ真空装置内の真空度、酸素ガス流量、高周波出力の変
動により高精度なパターン寸法制御が困難である。さら
に電極形状により、基板面内でパターン寸法制御の十分
な均一性が得られない場合がある。
発明の目的 本発明は、上記の問題点を解決し、基板面内のレジスト
パターン寸法の高精度な制御が容易に出来るパターン形
成方法を提供する。
発明の構成 本発明は、マスクおよびウェハ基板上に所定形状に形成
されたレジストパターンに、波長３３０　ｎｍ以下の遠
紫外光を照射するもので、これにより、レジストパター
ン形状を変えることが可能であり。
基板面内のレジストパターン幅の高精度な制御が容易に
出来る。
実施例の説明 本発明の実施例を図面により説明する。第２図に示すよ
うに、基板１上にネガ型電子ビームレジストパターン２
を形成した後、波長ピーク（７ｉｐ）に２５０ｎｍ又は
２９０ｎｍを持つ遠紫外光４を照射する。照射後のレジ
ストパターン形状を第３図に示す。すなわち、遠紫外線
照射によりレジスト膜２の表面が削られる。λｐ　＝２
５０　ｎ　ｍにおいてレジスト膜の減少する割合は第４
図に示す様に約１００人／ｍｉｎあり、たとえば、スカ
ム３の除去は約５分で完了する。寸だパターン寸法を制
御するには、上記の膜の減少割合より、照射に要する時
間が算出出来る。
発明の効果 遠紫外光の照射は大気中で実施出来るので、簡単な装置
によって行える。光源の変動要素も少く。
安定な照射が行え、安定したパターン寸法制御が行える
。また面内での制御がばらつく要因がなく、かつ、１０
０八／ｍｉｎのレジスト減少割合なので、実用上も０．
１μｍ　８度のパターン寸法制御ならば。
この方法で容易に出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例断面図、第２図、第３図は本発明実施例
工程順図、第４図は特性図である。 １・・・・基板、２・川・・レジストパターン、ｓ・旧
・・スカム、４・・・・・遠紫外光。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板」二に形成された所定形状のレジストパターンに、
    波長３３０　ｎｍ以下の遠紫外光を照射することを特長
    とするパターン形成方法。
JP58169665A 1983-09-14 1983-09-14 パタ−ン形成方法 Pending JPS6060725A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6237928A (ja) * 1985-08-13 1987-02-18 Matsushita Electronics Corp 金属パタ−ン形成方法
JPS63133627A (ja) * 1986-11-26 1988-06-06 Toshiba Corp 光照射装置
US5482803A (en) * 1992-02-07 1996-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing filter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6237928A (ja) * 1985-08-13 1987-02-18 Matsushita Electronics Corp 金属パタ−ン形成方法
JPS63133627A (ja) * 1986-11-26 1988-06-06 Toshiba Corp 光照射装置
US5482803A (en) * 1992-02-07 1996-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing filter
US5830608A (en) * 1992-02-07 1998-11-03 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing filter

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