JP7332301B2 - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7332301B2 JP7332301B2 JP2019016362A JP2019016362A JP7332301B2 JP 7332301 B2 JP7332301 B2 JP 7332301B2 JP 2019016362 A JP2019016362 A JP 2019016362A JP 2019016362 A JP2019016362 A JP 2019016362A JP 7332301 B2 JP7332301 B2 JP 7332301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- manufacturing
- holding frame
- deposition mask
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 160
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 56
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 43
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1から図17を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及びそれを用いる蒸着装置について説明する。
図1から図3を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着装置10の構成について説明する。蒸着装置10は多様な機能を有する複数のチャンバを備えている。以下に示す例は複数のチャンバのうち1つの蒸着チャンバ100を示す例である。図1は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。
図4から図6を用いて、本発明の一実施形態係る蒸着マスク300の構成について説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。蒸着マスク300は薄膜状のマスク本体310、保持枠330、接続部材350を有する。マスク本体310には、複数のパネル領域315が配置される。それぞれのパネル領域315には、マスク本体310を貫通する複数の開口311が表示装置の画素ピッチに合わせて設けられている。マスク本体310の開口311以外の領域を非開口部という。非開口部は各々の開口311を囲む。
図7から図17を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク300の製造方法について説明する。図7から12および図14から17は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。図13は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す平面図である。
第1絶縁層450および第2絶縁層470を除去することで、保持枠330の内側に、マスク本体310と、複数の開口311を介して剥離層430とが露出する。
図18を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクについて説明する。図18は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。図19は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。本実施形態においては、保持枠330Aの形状以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
図20を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法について説明する。図20は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。本実施形態においては、基板410Bと剥離層430Bの間に樹脂層435Bを成膜すること以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
図21および図22を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法について説明する。図21および図22は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す平面図である。本実施形態においては、接着剤を塗布する領域の形状が異なること以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
図23および図24を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法について説明する。図23および図24は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。本実施形態においては、第1絶縁層(レジスト)450Eおよびマスク本体310Eの形状が異なること以外、第1実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。
本実施形態では、第1実施形態から第5実施形態で説明した蒸着マスクを用いた薄膜形成法を応用した表示装置200の製造方法について説明する。第6実施形態に係る表示装置200として、それぞれ有機発光素子(以下、発光素子)を有する複数の画素が絶縁基板202上に形成された有機EL表示装置の製造方法について説明する。なお第1実施形態から第5実施形態で述べた内容については省略することがある。
図25は、本発明の一実施形態に係る表示装置の上面図である。表示装置200は絶縁基板202を有し、その上に複数の画素204及び画素204を駆動するための駆動回路206(ゲート側駆動回路206a、ソース側駆動回路206b)が設けられている。絶縁基板202は、例えば、ガラス基板や樹脂基板である。複数の画素204は周期的に配置され、これらによって表示領域205が定義される。後述するように、各画素204には発光素子260が設けられる。
図26に示すように、発光素子260は、画素電極262、EL層264、及び対向電極272を含む。EL層264及び対向電極272は、画素電極262及び隔壁258を覆うように設けられている。図26に示す例では、EL層264は、ホール注入・輸送層266、発光層268(発光層268a、268b)、及び電子注入・輸送層270を有している。ホール注入・輸送層266及び電子注入・輸送層270は複数の画素204に共通に設けられ、複数の画素204に共有される。同様に、対向電極272は複数の画素204を覆い、複数の画素204によって共有される。一方、発光層268は各画素204に対して個別に設けられている。
EL層264及び対向電極272は、第1及び第2実施形態の蒸着マスクを用いて形成することができる。以下、図27から図33を用いてEL層264及び対向電極272の形成方法を説明する。これらの図ではEL層264及び対向電極272が隔壁258及び画素電極262の上に形成されている。しかし、EL層264及び対向電極272の蒸着時には、絶縁基板202の下に蒸着源112が配置され、蒸着領域が蒸着源112に対面するように絶縁基板202が配置される。つまり、隔壁258や画素電極262が絶縁基板202よりもより蒸着源112に近くなるように配置される。
Claims (24)
- 基板上に、複数の開口を有するマスク本体を形成し、
前記複数の開口を覆い、前記マスク本体の外周を露出する絶縁層を形成し、
前記マスク本体の外周に接着部材を配置し、
前記マスク本体の外周に、前記接着部材と接するように保持枠を配置し、
前記マスク本体と前記保持枠との間に、前記接着部材を包埋するように接続部材を形成し、
前記絶縁層を除去し、
前記マスク本体から前記基板を剥離すること、を含む蒸着マスクの製造方法。 - 前記接続部材を電解めっき法により形成する、請求項1に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記接続部材を前記保持枠の底面および側面に接するように形成する、請求項1または2に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記接続部材をインバーまたはニッケルを含む材料を用いて形成する、請求項1乃至3の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記接着部材を配置することは、前記接着部材が溶媒に分散した接着剤を塗布し、
前記保持枠を配置した後、前記溶媒を蒸発させること、をさらに含む請求項1乃至4の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記接着部材は、アルミナ粒子またはケイ酸ガラス粉体である、請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記接着部材を配置する前に、前記マスク本体の外周に下地層を形成すること、をさらに含む請求項1乃至6の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記下地層を電解めっき法により形成する、請求項7に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記下地層をインバーまたはニッケルを含む材料を用いて形成する、請求項7または8に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体を形成する前に、前記基板上に導電性の剥離層を形成すること、をさらに含み、
前記マスク本体から前記基板を剥離することは、溶解液によって前記剥離層を溶解する、請求項1乃至9の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記剥離層をITOまたはIZOを含む材料を用いて形成し、
前記溶解液はシュウ酸である、請求項10に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記剥離層を形成する前に、前記基板上に樹脂層を形成し、
前記マスク本体から前記基板を剥離することは、レーザアブレーションによって前記樹脂層を除去すること、をさらに含む請求項10または11に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記基板はガラスである、請求項10乃至12の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体を電解めっき法により形成する、請求項1乃至13の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体を形成することは、前記複数の開口が配置される領域に逆テーパー構造のレジストを形成すること、をさらに含む請求項1乃至14の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記マスク本体をインバーまたはニッケルを含む材料を用いて形成する、請求項1乃至15の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 複数の開口を有するマスク本体と、
前記マスク本体の外周に配置される保持枠と、
前記保持枠の底面および側面に配置され、前記保持枠の底面と前記マスク本体との間に配置される接続部材と、
前記マスク本体と前記保持枠との間に配置され、前記接続部材に分散されている接着部材と、を有する蒸着マスク。 - 前記接着部材は前記保持枠の底面に接する、請求項17に記載の蒸着マスク。
- 前記マスク本体と前記接続部材との間には下地層がさらに配置される、請求項17または18に記載の蒸着マスク。
- 前記接着部材は前記下地層の上面に接する、請求項19に記載の蒸着マスク。
- 前記接続部材の外縁および前記マスク本体の外縁は、前記保持枠の外縁より外側に設けられる、請求項17乃至20の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記接続部材の内縁は、前記保持枠の内縁より内側に設けられる、請求項17乃至21の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記接続部材は、めっき層である、請求項17乃至22の何れか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記マスク本体は、めっき層である、請求項17乃至23の何れか1項に記載の蒸着マスク。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019016362A JP7332301B2 (ja) | 2019-01-31 | 2019-01-31 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
CN201980089786.XA CN113330134B (zh) | 2019-01-31 | 2019-10-31 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
PCT/JP2019/042845 WO2020158082A1 (ja) | 2019-01-31 | 2019-10-31 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019016362A JP7332301B2 (ja) | 2019-01-31 | 2019-01-31 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020122208A JP2020122208A (ja) | 2020-08-13 |
JP2020122208A5 JP2020122208A5 (ja) | 2022-02-02 |
JP7332301B2 true JP7332301B2 (ja) | 2023-08-23 |
Family
ID=71840042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019016362A Active JP7332301B2 (ja) | 2019-01-31 | 2019-01-31 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7332301B2 (ja) |
CN (1) | CN113330134B (ja) |
WO (1) | WO2020158082A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023006792A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000196243A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | フレキシブル多層回路基板の製造方法 |
JP2003107723A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-09 | Eastman Kodak Co | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク |
JP2004349086A (ja) | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 有機el素子用の蒸着マスクとその製造方法 |
JP2012114431A (ja) | 2010-11-23 | 2012-06-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体搭載用基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015168848A (ja) | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | 基板付蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよびレジストパターン付基板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017138166A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法 |
-
2019
- 2019-01-31 JP JP2019016362A patent/JP7332301B2/ja active Active
- 2019-10-31 CN CN201980089786.XA patent/CN113330134B/zh active Active
- 2019-10-31 WO PCT/JP2019/042845 patent/WO2020158082A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000196243A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | フレキシブル多層回路基板の製造方法 |
JP2003107723A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-09 | Eastman Kodak Co | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク |
JP2004349086A (ja) | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 有機el素子用の蒸着マスクとその製造方法 |
JP2012114431A (ja) | 2010-11-23 | 2012-06-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体搭載用基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015168848A (ja) | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | 基板付蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよびレジストパターン付基板 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
木村馨,無機接着剤の現状,溶接学会誌,日本,1984年03月05日,第53巻第2号, pp.86-93,pp.86-93 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113330134B (zh) | 2024-01-09 |
WO2020158082A1 (ja) | 2020-08-06 |
CN113330134A (zh) | 2021-08-31 |
JP2020122208A (ja) | 2020-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5003826B2 (ja) | ドナー基板、パターニング方法およびデバイスの製造方法 | |
JP6897902B2 (ja) | 有機発光ダイオード表示パネル及びそれを備えた表示装置、並びに該有機発光ダイオード表示パネルの製造方法 | |
JP2019081949A (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法、および、電子デバイスの製造方法 | |
US20190157561A1 (en) | Vapor deposition mask and manufacturing method of vapor deposition mask | |
KR20230132741A (ko) | 증착용 마스크 어셈블리 및 이를 사용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 | |
JP7332301B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP2019509395A (ja) | ダブル電鋳によって形成されたテーパ状開口部を有するシャドウマスク | |
WO2017132908A1 (en) | A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming using positive/negative photoresists | |
JP7267762B2 (ja) | 蒸着マスク | |
KR102443587B1 (ko) | 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법 | |
KR102475594B1 (ko) | 증착 마스크 및 그 제조 방법 | |
WO2019049453A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの作製方法、および表示装置の製造方法 | |
JP7149196B2 (ja) | 蒸着マスク | |
CN114381686A (zh) | 蒸镀掩模单元及其制造方法 | |
WO2012133203A1 (ja) | 蒸着膜パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
CN112335069A (zh) | 具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模 | |
TWI429323B (zh) | Organic electroluminescent element | |
WO2021044718A1 (ja) | 蒸着マスク | |
KR20210114337A (ko) | 증착 마스크 유닛의 제작 방법 | |
JP2009024215A (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7332301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |