JPH08203817A - Ｘ線マスクの作製方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの作製方法Info
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- JPH08203817A JPH08203817A JP1382595A JP1382595A JPH08203817A JP H08203817 A JPH08203817 A JP H08203817A JP 1382595 A JP1382595 A JP 1382595A JP 1382595 A JP1382595 A JP 1382595A JP H08203817 A JPH08203817 A JP H08203817A
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- JP
- Japan
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- pattern
- ray mask
- displacement
- thin film
- ray
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクの完成時において所望の位置に正
確にパターンが配置された高精度なＸ線マスクを作製す
る。 【構成】 Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料の加工過
程で発生する前記薄膜材料の応力が起因して発生するパ
タン位置の変位量を予め求めておき、Ｘ線マスクの完成
時においてこれらパタンの位置変位を補償する位置に、
全体パタンを構成する個々の部分パタンを配置して前記
Ｘ線マスク上に所望のパタンを形成する。
確にパターンが配置された高精度なＸ線マスクを作製す
る。 【構成】 Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料の加工過
程で発生する前記薄膜材料の応力が起因して発生するパ
タン位置の変位量を予め求めておき、Ｘ線マスクの完成
時においてこれらパタンの位置変位を補償する位置に、
全体パタンを構成する個々の部分パタンを配置して前記
Ｘ線マスク上に所望のパタンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を用いて半導体や
ガラス材料などからなる基板上に集積回路パタンを形成
する技術であるＸ線露光技術で用いられるＸ線マスクの
作製方法に関するものである。
ガラス材料などからなる基板上に集積回路パタンを形成
する技術であるＸ線露光技術で用いられるＸ線マスクの
作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光技術では、波長１ｎｍ程度の軟
Ｘ線を用いて、Ｘ線マスク上に形成された集積回路パタ
ンを半導体基板に転写する。Ｘ線露光技術で用いられる
波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線は、物質内部での吸収が大きい
ため厚い材料をＸ線マスクに用いることができない。ま
た、Ｘ線マスク上に形成されたパタンを転写するために
は、Ｘ線に対する吸収係数が比較的大きな材料と、これ
が比較的小さな材料を選ばなければならず、前者には厚
さ１μｍ程度のＴａ、ＷあるいはＡｕ薄膜が、また後者
の材料としては厚さ２μｍ程度のＳｉＮ、ＳｉＣあるい
はダイヤモンド薄膜などが用いられている。ところが、
これら薄膜は一般に応力を有して堆積される。Ｘ線マス
クを構成する薄膜材料が応力を有していると、加工の過
程でＸ線マスク基板の剛性が変化する時点で変形が起こ
り、予め形成したパタン位置の変位が生じる。Ｘ線マス
クの基板材料としては一般に厚さ数ｍｍのＳｉウエハが
用いられているが、前述したようにＸ線露光に用いられ
ている軟Ｘ線はこの基板を透過できない。そこで、Ｓｉ
ウエハの一部を除去し、その部分ではＸ線透過性薄膜が
Ｘ線透吸収体材料からなるパタンを支持する構造とする
（以下Ｘ線透過窓およびその形成と呼ぶ）。この構造を
形成する時点ではＸ線マスク基板の剛性が変化するた
め、薄膜の応力によって変形を生じることになる。この
ような薄膜の応力によって生じる変形、ひいては形成し
たパタンの位置変位を抑制するため、従来の技術におい
ては薄膜応力を低い値に制御したり、Ｘ線透過窓を形成
した薄膜上に回路パタンを形成する方法が用いられてき
た。
Ｘ線を用いて、Ｘ線マスク上に形成された集積回路パタ
ンを半導体基板に転写する。Ｘ線露光技術で用いられる
波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線は、物質内部での吸収が大きい
ため厚い材料をＸ線マスクに用いることができない。ま
た、Ｘ線マスク上に形成されたパタンを転写するために
は、Ｘ線に対する吸収係数が比較的大きな材料と、これ
が比較的小さな材料を選ばなければならず、前者には厚
さ１μｍ程度のＴａ、ＷあるいはＡｕ薄膜が、また後者
の材料としては厚さ２μｍ程度のＳｉＮ、ＳｉＣあるい
はダイヤモンド薄膜などが用いられている。ところが、
これら薄膜は一般に応力を有して堆積される。Ｘ線マス
クを構成する薄膜材料が応力を有していると、加工の過
程でＸ線マスク基板の剛性が変化する時点で変形が起こ
り、予め形成したパタン位置の変位が生じる。Ｘ線マス
クの基板材料としては一般に厚さ数ｍｍのＳｉウエハが
用いられているが、前述したようにＸ線露光に用いられ
ている軟Ｘ線はこの基板を透過できない。そこで、Ｓｉ
ウエハの一部を除去し、その部分ではＸ線透過性薄膜が
Ｘ線透吸収体材料からなるパタンを支持する構造とする
（以下Ｘ線透過窓およびその形成と呼ぶ）。この構造を
形成する時点ではＸ線マスク基板の剛性が変化するた
め、薄膜の応力によって変形を生じることになる。この
ような薄膜の応力によって生じる変形、ひいては形成し
たパタンの位置変位を抑制するため、従来の技術におい
ては薄膜応力を低い値に制御したり、Ｘ線透過窓を形成
した薄膜上に回路パタンを形成する方法が用いられてき
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜の
応力は薄膜の内部に一様に分布して存在するだけでな
く、異なる材料と接する界面にも界面力として存在して
おり、また、Ｘ線マスクの作製工程においてレジスト膜
などのように加工のため一時的に存在するが完成時には
存在しない薄膜が用いられているため、薄膜の応力に起
因して生じる変形ならびにパタン位置の変位を完全に抑
制することはきわめて困難であった。
応力は薄膜の内部に一様に分布して存在するだけでな
く、異なる材料と接する界面にも界面力として存在して
おり、また、Ｘ線マスクの作製工程においてレジスト膜
などのように加工のため一時的に存在するが完成時には
存在しない薄膜が用いられているため、薄膜の応力に起
因して生じる変形ならびにパタン位置の変位を完全に抑
制することはきわめて困難であった。
【０００４】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、薄膜材料の加工過程で発生する薄膜材料の応力に
起因して発生するパタン位置の変位量を補償することに
より、Ｘ線マスクの完成時において所望の位置に正確に
パタンが配置された高精度なＸ線マスクを作製し得るよ
うにしたＸ線マスクの作製方法を提供することにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、薄膜材料の加工過程で発生する薄膜材料の応力に
起因して発生するパタン位置の変位量を補償することに
より、Ｘ線マスクの完成時において所望の位置に正確に
パタンが配置された高精度なＸ線マスクを作製し得るよ
うにしたＸ線マスクの作製方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料の加工過
程で前記薄膜材料の応力が起因して発生するパタン位置
の変位量を予め求め、Ｘ線マスクの完成時においてこれ
らパタンの位置変位を補償する位置に、全体パタンを構
成する個々の部分パタンを配置して前記Ｘ線マスク上に
所望のパタンを形成することを特徴とする。
本発明は、Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料の加工過
程で前記薄膜材料の応力が起因して発生するパタン位置
の変位量を予め求め、Ｘ線マスクの完成時においてこれ
らパタンの位置変位を補償する位置に、全体パタンを構
成する個々の部分パタンを配置して前記Ｘ線マスク上に
所望のパタンを形成することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明において、予め求められた薄膜材料の作
製過程での薄膜材料の応力によるパタン位置の変位量
は、パタンの描画位置を決定するために用いられる。す
なわち、この変位量を補償する位置に全体パタンを構成
する個々の部分パタンを配置する。
製過程での薄膜材料の応力によるパタン位置の変位量
は、パタンの描画位置を決定するために用いられる。す
なわち、この変位量を補償する位置に全体パタンを構成
する個々の部分パタンを配置する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明に係るＸ線マスクの作製
方法の原理を説明するための図で、（ａ）は通常工程を
経たＸ線マスクの位置精度、（ｂ）は本発明を適用した
Ｘ線マスクの位置精度を示す図である。同図には、集積
回路パタンを構成する個々の部分パタンデータの組（ｘ
n ，ｙn ）が入力として、Ｘ線マスク完成時の対応する
部分パタンデータの組（Ｘn ，Ｙn ）が出力として描か
れている。ここで、ｎは部分パタンデータを識別するた
めの識別子であり、整数とする。Ｘ線マスクの作製工程
で生じるパタン位置の変位はブラックボックス化して示
してある。Ｘ線マスク上では一般に２次元平面上にパタ
ンが形成されるので、出力である（Ｘ，Ｙ）は（ｘ，
ｙ）の関数として式（１）のように表すことができる。 （Ｘ，Ｙ）＝Ｓ（ｘ，ｙ） ・・・・・（１）
詳細に説明する。図１は本発明に係るＸ線マスクの作製
方法の原理を説明するための図で、（ａ）は通常工程を
経たＸ線マスクの位置精度、（ｂ）は本発明を適用した
Ｘ線マスクの位置精度を示す図である。同図には、集積
回路パタンを構成する個々の部分パタンデータの組（ｘ
n ，ｙn ）が入力として、Ｘ線マスク完成時の対応する
部分パタンデータの組（Ｘn ，Ｙn ）が出力として描か
れている。ここで、ｎは部分パタンデータを識別するた
めの識別子であり、整数とする。Ｘ線マスクの作製工程
で生じるパタン位置の変位はブラックボックス化して示
してある。Ｘ線マスク上では一般に２次元平面上にパタ
ンが形成されるので、出力である（Ｘ，Ｙ）は（ｘ，
ｙ）の関数として式（１）のように表すことができる。 （Ｘ，Ｙ）＝Ｓ（ｘ，ｙ） ・・・・・（１）
【０００８】完成したＸ線マスクにおいては、個々の部
分パタンの位置が（ｘn ，ｙn ）であることが理想であ
る。完成したＸ線マスクに配置されている個々の部分パ
タンの位置を（ｘn ，ｙn ）とするためには、式（１）
の関数Ｓの逆関数Ｓ-1を用いてＸ線マスク上にパタンを
形成する段階で （ｘ，ｙ）＝Ｓ-1（Ｘ，Ｙ） ・・・・・（２） なる位置にパタンを配置しておけばよい。逆関数Ｓ-1に
おいては、Ｘ線マスク作製工程で生じる全てのパタン位
置変位に寄与する因子が考慮されており、原理的にパタ
ン位置変位の完全な抑制が可能である。
分パタンの位置が（ｘn ，ｙn ）であることが理想であ
る。完成したＸ線マスクに配置されている個々の部分パ
タンの位置を（ｘn ，ｙn ）とするためには、式（１）
の関数Ｓの逆関数Ｓ-1を用いてＸ線マスク上にパタンを
形成する段階で （ｘ，ｙ）＝Ｓ-1（Ｘ，Ｙ） ・・・・・（２） なる位置にパタンを配置しておけばよい。逆関数Ｓ-1に
おいては、Ｘ線マスク作製工程で生じる全てのパタン位
置変位に寄与する因子が考慮されており、原理的にパタ
ン位置変位の完全な抑制が可能である。
【０００９】逆関数の具体的な表記方法としては、多項
式による表記が使いやすい。すなわち、 ｘ＝ａ0 ＋ａ1 Ｘ＋ａ2 Ｙ＋ａ3 Ｘ2 ＋ａ4 ＸＹ＋ａ5 Ｙ2 ＋… ｙ＝ｂ0 ＋ｂ1 Ｘ＋ｂ2 Ｙ＋ｂ3 Ｘ2 ＋ｂ4 ＸＹ＋ｂ5 Ｙ2 ＋… ・・・・（３） とすることにより、Ｓ-1の決定は係数ａnおよびｂnの決
定に置き換えることができる。多項式の次数は必要とす
る精度に応じて選べばよい。
式による表記が使いやすい。すなわち、 ｘ＝ａ0 ＋ａ1 Ｘ＋ａ2 Ｙ＋ａ3 Ｘ2 ＋ａ4 ＸＹ＋ａ5 Ｙ2 ＋… ｙ＝ｂ0 ＋ｂ1 Ｘ＋ｂ2 Ｙ＋ｂ3 Ｘ2 ＋ｂ4 ＸＹ＋ｂ5 Ｙ2 ＋… ・・・・（３） とすることにより、Ｓ-1の決定は係数ａnおよびｂnの決
定に置き換えることができる。多項式の次数は必要とす
る精度に応じて選べばよい。
【００１０】次に、この補正をどの段階で行うかという
問題に関しては、電子線描画装置に補正機能を持たせ設
計データの入力に対して自動的にＳ-1による補正を施す
方法と、設計図形パタンデータから描画データへのデー
タ変換工程でＳ-1による補正を施す方法がある。電子線
描画装置に補正機能を付加する前者の場合には、描画デ
ータに変更を加える必要がないので、薄膜応力の異なる
Ｘ線マスク基板への同一パタン形成において、後者に比
べ効率的に描画データの再利用が行なえる。具体的なパ
タン描画位置補正の方法としても２つの方式を考えるこ
とができる。多段偏向方式が一般的である電子線描画装
置においては、一つの偏向領域をまとめて扱い各偏向領
域単位で位置補正を行う方法と、個々の部分パタン毎に
位置補正を行う方法がある。偏向領域端で位置補正を行
う方法は、個々の部分パタン毎に位置補正を行う方法に
比べ手軽であるが、必要な精度を考慮して偏向領域の大
きさを決定する必要がある。
問題に関しては、電子線描画装置に補正機能を持たせ設
計データの入力に対して自動的にＳ-1による補正を施す
方法と、設計図形パタンデータから描画データへのデー
タ変換工程でＳ-1による補正を施す方法がある。電子線
描画装置に補正機能を付加する前者の場合には、描画デ
ータに変更を加える必要がないので、薄膜応力の異なる
Ｘ線マスク基板への同一パタン形成において、後者に比
べ効率的に描画データの再利用が行なえる。具体的なパ
タン描画位置補正の方法としても２つの方式を考えるこ
とができる。多段偏向方式が一般的である電子線描画装
置においては、一つの偏向領域をまとめて扱い各偏向領
域単位で位置補正を行う方法と、個々の部分パタン毎に
位置補正を行う方法がある。偏向領域端で位置補正を行
う方法は、個々の部分パタン毎に位置補正を行う方法に
比べ手軽であるが、必要な精度を考慮して偏向領域の大
きさを決定する必要がある。
【００１１】次に、本発明を適用しない場合と適用した
場合の実験結果について説明する。図２は本発明を適用
せずに電子線描画装置を用いてＸ線マスクパタンを描画
し、Ｘ線透過窓を形成した完成Ｘ線マスクの位置精度を
測定した結果である。符号１は設計上の理想パタン位置
からの変位を表すベクトル、２は設計上の理想パタン位
置を表す格子である。本発明を適用しない場合、描画時
のＸ線マスクパタン位置に関する補正は行っておらず、
描画データは設計上の理想位置座標に定義されている。
この場合、理想パタン位置からの変位を表すベクトル１
は大きいことが分かる。その結果、この理想位置座標に
パタンが定義された描画データを用いてＸ線マスクを作
製すると、パタン位置の変位が生じる。
場合の実験結果について説明する。図２は本発明を適用
せずに電子線描画装置を用いてＸ線マスクパタンを描画
し、Ｘ線透過窓を形成した完成Ｘ線マスクの位置精度を
測定した結果である。符号１は設計上の理想パタン位置
からの変位を表すベクトル、２は設計上の理想パタン位
置を表す格子である。本発明を適用しない場合、描画時
のＸ線マスクパタン位置に関する補正は行っておらず、
描画データは設計上の理想位置座標に定義されている。
この場合、理想パタン位置からの変位を表すベクトル１
は大きいことが分かる。その結果、この理想位置座標に
パタンが定義された描画データを用いてＸ線マスクを作
製すると、パタン位置の変位が生じる。
【００１２】これに対して本発明を適用し、完成したＸ
線マスクにおいて測定されたパタン位置変位の逆の変位
を描画データに反映させておくと、Ｘ線マスクパタンの
描画終了時にはパタンの位置が設計上の理想位置にはな
いが、Ｘ線マスク作製工程中で生じる全ての変位を補償
して完成時には設計上の理想位置にパタンを配置するこ
とが可能となる。
線マスクにおいて測定されたパタン位置変位の逆の変位
を描画データに反映させておくと、Ｘ線マスクパタンの
描画終了時にはパタンの位置が設計上の理想位置にはな
いが、Ｘ線マスク作製工程中で生じる全ての変位を補償
して完成時には設計上の理想位置にパタンを配置するこ
とが可能となる。
【００１３】上記したような補正を施すためには、Ｘ線
マスク上に形成されるパタンの位置を測定する必要があ
る。ところが、位置測定を可能とするパタンを連続的に
無限個配置することは不可能であり、当然有限個のパタ
ン位置の測定から補正に必要な情報を得、個々のパタン
位置を決定する必要がある。本実施例では前述した式
（３）を補正式として採用し、次数は３次とした。３次
の補正に必要な係数は、定数係数を除いて１８個とな
る。したがって、少なくとも１８ヵ所のパタン位置を測
定すれば補正係数を全て決定することができる。この方
程式は基本的には１８元連立１次方程式であり、完成し
たＸ線マスクパタン位置の実測値の逆の変位を与えるよ
うにして解く。実際には、描画のばらつきや測定のばら
つきが存在するので、複数組のデータにより最小２乗法
を用いて適性な補正係数を決定する手続きが必要であ
る。
マスク上に形成されるパタンの位置を測定する必要があ
る。ところが、位置測定を可能とするパタンを連続的に
無限個配置することは不可能であり、当然有限個のパタ
ン位置の測定から補正に必要な情報を得、個々のパタン
位置を決定する必要がある。本実施例では前述した式
（３）を補正式として採用し、次数は３次とした。３次
の補正に必要な係数は、定数係数を除いて１８個とな
る。したがって、少なくとも１８ヵ所のパタン位置を測
定すれば補正係数を全て決定することができる。この方
程式は基本的には１８元連立１次方程式であり、完成し
たＸ線マスクパタン位置の実測値の逆の変位を与えるよ
うにして解く。実際には、描画のばらつきや測定のばら
つきが存在するので、複数組のデータにより最小２乗法
を用いて適性な補正係数を決定する手続きが必要であ
る。
【００１４】以上のようにして補正係数が決定できる
と、式（３）により描画データの中に定義されている任
意の位置に存在するパタンの位置を補正することが可能
となる。この手続きを適用し、Ｘ線マスクパタンの描画
時にパタン位置の変位を補正して作製したＸ線マスクの
完成時のパタン位置変位を測定した結果を図３に示す。
この図から明らかなように理想パタン位置からの変位を
表すベクトル１は図２に示したベクトルに比べて小さ
い。この結果、完成したＸ線マスクの位置精度は本発明
を適用することにより概略４倍改善された。
と、式（３）により描画データの中に定義されている任
意の位置に存在するパタンの位置を補正することが可能
となる。この手続きを適用し、Ｘ線マスクパタンの描画
時にパタン位置の変位を補正して作製したＸ線マスクの
完成時のパタン位置変位を測定した結果を図３に示す。
この図から明らかなように理想パタン位置からの変位を
表すベクトル１は図２に示したベクトルに比べて小さ
い。この結果、完成したＸ線マスクの位置精度は本発明
を適用することにより概略４倍改善された。
【００１５】本発明においては、複数の工程が含まれる
Ｘ線マスクの作製工程全体を１つにまとめて考えた。す
なわち、未補正の描画データを入力して、また、完成時
のパタン位置変位を出力として考えた。この場合、複数
の工程を含むＸ線マスク作製工程の中の個々の工程での
パタン位置変位を考慮する必要はない。たとえば、電子
線描画によってＸ線マスクパタンが形成されるレジスト
薄膜など、工程の途中に一時的に存在するだけで完成時
には存在しない薄膜の影響も含めて全ての要因が考慮さ
れていることになる。また、Ｘ線マスク作製工程を各加
工工程に分け、個々の工程の影響の和として補正を施す
ことも可能である。ただし、パタン位置の理想位置から
の変位量を知ることが必要であるので、少なくとも電子
線描画によりＸ線マスクパタンが形成された後の工程で
ある必要がある。
Ｘ線マスクの作製工程全体を１つにまとめて考えた。す
なわち、未補正の描画データを入力して、また、完成時
のパタン位置変位を出力として考えた。この場合、複数
の工程を含むＸ線マスク作製工程の中の個々の工程での
パタン位置変位を考慮する必要はない。たとえば、電子
線描画によってＸ線マスクパタンが形成されるレジスト
薄膜など、工程の途中に一時的に存在するだけで完成時
には存在しない薄膜の影響も含めて全ての要因が考慮さ
れていることになる。また、Ｘ線マスク作製工程を各加
工工程に分け、個々の工程の影響の和として補正を施す
ことも可能である。ただし、パタン位置の理想位置から
の変位量を知ることが必要であるので、少なくとも電子
線描画によりＸ線マスクパタンが形成された後の工程で
ある必要がある。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るＸ線マ
スクの作製方法は、Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料
の加工過程で前記薄膜材料の応力が起因して発生するパ
タン位置の変位量を予め求め、Ｘ線マスクの完成時にお
いてこれらパタンの位置変位を補償する位置に、全体パ
タンを構成する個々の部分パタンを配置して前記Ｘ線マ
スク上に所望のパタンを形成するようにしたので、Ｘ線
マスクの作製過程において生じるパタン位置変位の詳細
を緻密に制御する必要はなく、また、従来法においては
困難であった完成マスクの位置変位の完全な抑制を達成
することができる。これにより本発明においてはＸ線マ
スクの位置精度を飛躍的に向上させることができる。
スクの作製方法は、Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料
の加工過程で前記薄膜材料の応力が起因して発生するパ
タン位置の変位量を予め求め、Ｘ線マスクの完成時にお
いてこれらパタンの位置変位を補償する位置に、全体パ
タンを構成する個々の部分パタンを配置して前記Ｘ線マ
スク上に所望のパタンを形成するようにしたので、Ｘ線
マスクの作製過程において生じるパタン位置変位の詳細
を緻密に制御する必要はなく、また、従来法においては
困難であった完成マスクの位置変位の完全な抑制を達成
することができる。これにより本発明においてはＸ線マ
スクの位置精度を飛躍的に向上させることができる。
【００１７】なお、本実施例ではエネルギー線を用いた
パタン形成装置として電子線描画装置を念頭において説
明したが、パタン形成装置としてはイオンビーム描画装
置あるいは加工装置などいかなる原理に基づくパタン形
成装置を用いても適用できることは明らかである。ま
た、本実施例では設計パタン位置からのパタン位置変位
の要因としてＸ線マスクの製作工程を考えてきたが、こ
れをさらに延長して半導体基板上の転写されたパタンに
ついての（Ｘn、Ｙn）を出力、すなわち補正対象とすれ
ば、Ｘ線マスクを保持し半導体基板上にパタンを転写す
る露光装置に関係する位置変位要因、すなわちＸ線マス
クの保持および重力の影響や素子を形成するウエハの変
形などに起因する位置変位要因を考慮して高い位置変位
精度を有するＸ線マスクを作製することができる。
パタン形成装置として電子線描画装置を念頭において説
明したが、パタン形成装置としてはイオンビーム描画装
置あるいは加工装置などいかなる原理に基づくパタン形
成装置を用いても適用できることは明らかである。ま
た、本実施例では設計パタン位置からのパタン位置変位
の要因としてＸ線マスクの製作工程を考えてきたが、こ
れをさらに延長して半導体基板上の転写されたパタンに
ついての（Ｘn、Ｙn）を出力、すなわち補正対象とすれ
ば、Ｘ線マスクを保持し半導体基板上にパタンを転写す
る露光装置に関係する位置変位要因、すなわちＸ線マス
クの保持および重力の影響や素子を形成するウエハの変
形などに起因する位置変位要因を考慮して高い位置変位
精度を有するＸ線マスクを作製することができる。
【図１】 （ａ）は通常工程を経たＸ線マスクの位置精
度、（ｂ）は本発明を適用したＸ線マスクの位置精度を
説明するための図である。
度、（ｂ）は本発明を適用したＸ線マスクの位置精度を
説明するための図である。
【図２】 位置補正を施さずに作製したＸ線マスクの位
置精度を示す図である。
置精度を示す図である。
【図３】 本発明を適用したＸ線マスクの位置精度を示
す図である。
す図である。
１…設計上の理想パタン位置からの変位を表すベクト
ル、２…設計上の理想パタン位置を表す格子。
ル、２…設計上の理想パタン位置を表す格子。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線マスク製造に使用する薄膜材料の加
工過程で前記薄膜材料の応力が起因して発生するパタン
位置の変位量を予め求め、Ｘ線マスクの完成時において
これらパタンの位置変位を補償する位置に、全体パタン
を構成する個々の部分パタンを配置して前記Ｘ線マスク
上に所望のパタンを形成することを特徴とするＸ線マス
クの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1382595A JPH08203817A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1382595A JPH08203817A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203817A true JPH08203817A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11844058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1382595A Pending JPH08203817A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203817A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6190808B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and method of manufacturing the same |
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