CN113196167B - 对位标记、掩模板及显示基板母版 - Google Patents
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Abstract
一种对位标记,包括:位于基板的第一面的第一对位标识;和,位于基板的第二面的第二对位标识。所述第二对位标识与所述第一对位标识匹配设置,所述第二对位标识能够表征其与所述第一对位标识之间的工艺偏差。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种对位标记、掩模板及显示基板母版。
背景技术
随着显示技术的不断发展,消费者对笔记本电脑、智能手机、电视、平板电脑、智能手表以及健身腕带等各类显示装置的需求持续提升。例如,消费者需要获得更好的观看体验,这样在显示装置中采用全面屏技术,使得显示装置具有超高的屏占比,能够减小甚至消除显示装置的边框,从而实现显示装置的无边框显示,以确保显示装置具有良好的显示效果。
发明内容
一方面,提供一种对位标记。所述对位标记包括:位于基板的第一面的第一对位标识;和,位于基板的第二面的第二对位标识。所述第二对位标识与所述第一对位标识匹配设置,所述第二对位标识能够表征其与所述第一对位标识之间的工艺偏差。
在一些实施例中,所述第一对位标识包括至少一条第一基准线和至少一条第二基准线,其中,第一基准线的延伸方向和第二基准线的延伸方向垂直或大略垂直。所述第二对位标识包括与所述至少一条第一基准线一一对应的第一对位图形,与所述至少一条第二基准线一一对应的第二对位图形。
在一些实施例中,所述第二对位标识还包括:位于所述第一对位图形旁侧的多个第一方向位移值标识;和,位于所述第二对位图形旁侧的多个第二方向位移值标识。
在一些实施例中,所述第一对位图形包括呈V形分布的多个第一对位块,所述第一对位图形的对称中心线与所述第一基准线平行。所述第二对位图形包括呈V形分布的多个第二对位块,所述第二对位图形的对称中心线与所述第二基准线平行。在所述第二对位标识包括多个第一方向位移值标识和多个第二方向位移值标识的情况下,所述多个第一对位块和所述多个第一方向位移值标识一一对应,所述多个第二对位块和所述多个第二方向位移值标识一一对应。
在一些实施例中,所述多个第一对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形。所述多个第二对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形。
在一些实施例中,所述多个第一对位块中的每个沿所述第一基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第一基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。所述多个第二对位块中的每个沿所述第二基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第二基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。
在一些实施例中,沿所述第一基准线的垂直方向,所述多个第一对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔与所述第一基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第一对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔≤所述第一基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和。沿所述第二基准线的垂直方向,所述多个第二对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔与所述第二基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第二对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔≤所述第二基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和。
在一些实施例中,所述多个第一方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第一方向位移值标识为对应的所述第一对位块与所述第一基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值。所述多个第二方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第二方向位移值标识为对应的所述第二对位块与所述第二基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值。
在一些实施例中,所述多个第一方向位移值标识中相邻两个第一方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm。所述多个第二方向位移值标识中相邻两个第二方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm。
在一些实施例中,所述第一对位标识包括一实心圆。所述第二对位标识包括圆心相同且径向嵌套的多个圆环,所述多个圆环中内径最小的圆环为基准环。所述基准环的内径与所述实心圆的直径相等或大略相等。
在一些实施例中,所述第二对位标识还包括位于每个所述圆环的旁侧的第三位移值标识。每个所述第三位移值标识为对应的所述圆环的内径或外径与所述实心圆的外径之间间隔为零或接近于零时表征的径向的工艺偏差值。
在一些实施例中,所述第一对位标识和所述第二对位标识的材料包括遮光材料;所述遮光材料的光透过率小于或等于10%。
另一方面,提供一种掩模板。所述掩模板具有如上一些实施例所述的至少一个第一对位标识的图案;或,具有如上一些实施例所述的至少一个第二对位标识的图案。
又一方面,提供一种显示基板母版。所述显示基板母版包括基板和如上一些实施例所述的至少一个对位标记。所述基板包括至少一个显示区,以及位于所述至少一个显示区的至少一侧的一非显示区。所述至少一个对位标记位于所述非显示区内。
在一些实施例中,所述基板的第一面设有至少一条第一信号线,所述第一对位标识与所述至少一条第一信号线同层设置。所述基板的第二面设有至少一条第二信号线,所述第二对位标识与所述至少一条第二信号线同层设置。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开一些实施例所涉及的产品的实际尺寸以及方法的实际流程等的限制。
图1为根据一些实施例中的一种曝光机对位标识的理想结构图;
图2为根据一些实施例中的一种曝光机对位标识的实际结构图;
图3为根据一些实施例中的一种对位标记的理想结构图;
图4为图3所示的对位标记的实际结构图;
图5为根据一些实施例中的另一种对位标记的结构图;
图6为根据一些实施例中的又一种对位标记的结构图;
图7为根据一些实施例中的又一种对位标记的结构图;
图8为根据一些实施例中的一种第一掩模板的局部结构图;
图9为根据一些实施例中的一种第二掩模板的局部结构图;
图10为根据一些实施例中的另一种第一掩模板的局部结构图;
图11为根据一些实施例中的另一种第二掩模板的局部结构图;
图12为根据一些实施例中的一种显示基板母版的结构图;
图13为图12所示的显示基板母版的局部剖面图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
目前,全面屏技术已经逐渐成为手机等手持显示装置的主流技术之一。在显示装置的显示基板中采用阵列基板行驱动(Gate Driver On Array,简称GOA)技术能够实现显示基板的左右边框的窄型化,采用覆晶薄膜(Chip On Film,简称COF)技术能够实现显示基板的下边框的窄型化。
此外,在显示基板的正面制作像素电路及其显示所需的其他功能电路(例如GOA电路),在显示基板的背面制作线路绑定端(例如集成电路绑定端,IC bonding pad)以及相关的多条信号线走线,然后通过侧面包边的工艺在显示基板的侧边制作多条连接线,或者,在显示基板的衬底上制作多个通孔以在各通孔内对应填充金属材料(例如through PI VIA,简称TPV技术),能够有效实现显示基板正面和背面之间对应电路的电连接,并且有效减小显示基板的边框,以便于实现真正的无边框。
由此,在显示基板的衬底上(例如正面)制作完成像素电路及其显示所需的其他功能电路之后,将衬底翻转,在衬底的背面制作线路绑定端以及相关的多条信号线走线之前,需要保证衬底正面和背面之间对应电路的对位精度,方能实现衬底正面和背面之间对应电路的良好电连接,以确保各信号传输的准确性。
在一些实施例中,如图1所示,衬底10的正面制作有至少一个第一曝光机对位标识11。在衬底10的背面进行电路制作的过程中,通过曝光机抓取各第一曝光机对位标识11,并在衬底10的背面制作与各第一曝光机对位标识11一一对应的第二曝光机对位标识12,便可以将各第二曝光机对位标识12作为制作衬底10背面工艺的参照基准,从而完成衬底10的背面的膜层图案制作。在衬底10的背面形成各第二曝光机对位标识12后,视为完成了衬底10的背面和正面的对位。在衬底10的背面和正面的制作工艺的工艺偏差为零的情况下,也即理想状态下,第二曝光机对位标识12和对应的第一曝光机对位标识11在衬底10上的正投影重合。但由于曝光机对任一第一曝光机对位标识11的抓取是透过衬底10进行的,因此,在曝光机本身景深的限制作用下及衬底10折射率等原因的影响下,曝光机抓取后能够形成在衬底10背面的第二曝光机对位标识12容易与对应的第一曝光机对位标识11之间沿衬底10的背面的平行方向上存在位置偏移,从而造成对位偏差D,例如图2中所示。
进而,衬底10的正面和背面之间的对位偏差,会直接影响衬底10正面和背面之间对应电路中的信号连接性。例如,在采用侧边走线连接对应电路的方式中,该对位偏差会导致各侧边走线的位于正面和背面的两个绑定端之间的位置存在偏移,使得各侧边走线的位于正面和背面的部分与衬底10的接触面积不一致,也即具有不同的接触电阻,从而容易影响各侧边走线的信号传输效果。或者,还例如,在采用TPV技术连接对应电路的方式中,该对位偏差会直接导致各通孔难以准确地将衬底10正面和背面的对应电路连接在一起。
基于此,本公开一些实施例提供了一种对位标记。请参阅图3~图7,所述对位标记1001包括:位于基板的第一面的第一对位标识1;和,位于基板的第二面的第二对位标识2。第二对位标识2与所述第一对位标识1匹配设置,第二对位标识2能够表征其与第一对位标识1之间的工艺偏差。
此处,基板为透光基板,例如玻璃基板,塑料基板,聚酰亚胺基板等。基板的第一面和第二面分别对应为其正面和背面,其中,第一面为正面,第二面为背面;或,第一面为背面,第二面为正面;均可。
第一对位标识1的结构,可以根据实际需求选择设置,例如第一对位标识1为一圆形标记,或第一对位标识1为延伸方向互相垂直的两条线段等。第二对位标识2与第一对位标识1匹配设置,第二对位标识2的结构请参阅以下一些实施例,其根据第一对位标识1的结构对应设置即可。
此处,第二对位标识2能够表征其与第一对位标识1之间的工艺偏差,是指通过观测第二对位标识2与对应的第一对位标识1之间的位置偏差,能够直接且清楚的识别第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差,也即
第二对位标识2的制作工艺与第一对位标识1的制作工艺之间的对位精度,也是基板的第一面和第二面的制作工艺之间的对位精度。
示例性的,如图3所示,第一对位标识1包括至少一条第一基准线101和至少一条第二基准线102,其中,第一基准线101的延伸方向和第二基准线101的延伸方向垂直或大略垂直。第二对位标识2包括与所述至少一条第一基准线101一一对应的第一对位图形,以及与所述至少一条第二基准线102一一对应的第二对位图形。
以下以第一对位标识1包括一条第一基准线101和一条第二基准线102为例,进行详细说明。
请继续参阅图3,在一些实施例中,第一对位图形包括呈V形分布的多个第一对位块201。第一对位图形的对称中心线与第一基准线101平行。第二对位图形包括呈V形分布的多个第二对位块301。第二对位图形的对称中心线与第二基准线102平行。
在基板的第一面和第二面的制作工艺之间的对位精度为零的情况下,也即理想条件下,第一对位图形的对称中心线与第一基准线101在衬底10上的正投影重合,第二对位图形的对称中心线与第二基准线102在衬底10上的正投影重合。在基板的第一面和第二面的制作工艺之间的对位精度为某一数值的情况下,即自然条件下,第一对位图形的对称中心线相对于第一基准线101存在沿第一基准线101的垂直方向的偏移,第二对位图形的对称中心线相对于第二基准线102存在沿第二基准线102的垂直方向的偏移。
各第一对位块201和各第二对位块301的形状,可以根据实际需求选择设置。可选的,每个第一对位块201的形状包括矩形(如图3所示)、三角形(如图5所示)或菱形(如图6所示)。每个第二对位块301的形状包括矩形(如图3所示)、三角形(如图5所示)或菱形(如图6所示)。当然,也不仅限于此。在一些示例中,各第一对位块201和各第二对位块301的形状为矩形,有利于降低第二对位标识2的制作难度,并提高其制作效率。
此处,需要说明的是,在同一个第一对位图形中,各第一对位块201的形状通常相同。在同一个第二对位图形中,各第二对位块301的形状通常相同。在同一个第二对位标识2中,其第一对位图形中第一对位块201的形状与第二对位图形中第二对位块301的形状相同或不同,均可。
各第一对位块201和各第二对位块301的尺寸,可以根据实际需求合理选择。可选的,每个第一对位块201沿第一基准线101的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿第一基准线101的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。每个第二对位块301沿第二基准线102的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿第二基准线102的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。当然,也不仅限于此。
需要说明的是,第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差,会表现为第一基准线101相对于第一对位图形的对称中心线的偏移量,以及第二基准线102相对于第二对位图形的对称中心线的偏移量。由此,各第一对位块201与其所在第一对位图形的对称中心线之间的间隔(即第一对位块201的靠近所述对称中心线的边界与所述对称中心线的靠近该第一对位块201的边界之间的距离),可以作为第一基准线101相对于第一对位图形的对称中心线的偏移量的度量参照,以便准确获取所述偏移量。同理,各第二对位块301与其所在第二对位图形的对称中心线之间的间隔(即第二对位块301的靠近所述对称中心线的边界与所述对称中心线的靠近该第二对位块301的边界之间的距离),可以作为第二基准线102相对于第二对位图形的对称中心线的偏移量的度量参照,以便准确获取所述偏移量。
可选的,沿第一基准线101的延伸方向,同一个第一对位图形中每相邻的两个第一对位块201与该第一对位图形的对称中心线(理想条件下第一基准线101)之间间隔的差值为2μm。当然,并不仅限于此,所述差值的取值范围可以根据实际需求合理选择,例如所述差值的取值范围0.5μm~2μm。相应的,沿第二基准线102的延伸方向,同一个第二对位图形中每相邻的两个第二对位块301与该第二对位图形的对称中心线(理想条件下第二基准线102)之间间隔的差值为2μm。当然,并不仅限于此,所述差值的取值范围可以根据实际需求选择设置,例如所述差值的取值范围0.5μm~2μm。
基于此,同一个第一对位图形沿第一基准线101的延伸方向的长度(也即其中第一对位块201的个数)和同一个第二对位图形沿第二基准线102的延伸方向的长度(也即其中第二对位块301的个数),根据基板的第一面和第二面的制作工艺之间可能出现的工艺偏差极大值选择确定。
示例的,在曝光机等工艺设备的影响下,基板的第一面和第二面的制作工艺之间可能出现的工艺偏差极大值为20μm。在同一个第一对位图形中每相邻的两个第一对位块201与该第一对位图形的对称中心线(理想条件下第一基准线101)之间间隔的差值为2μm,同一个第二对位图形中每相邻的两个第二对位块301与该第二对位图形的对称中心线(理想条件下第二基准线102)之间间隔的差值为2μm的情况下,同一个第一对位图形中第一对位块201的个数为22个,同一个第二对位图形中第二对位块301的个数为22个。
可见,在一些实施例中,请参阅图3和图4,沿第一基准线101的垂直方向,第一对位图形的多个第一对位块201中位于V形底部且并排相邻的两个第一对位块201之间的间隔与第一基准线101的线宽相等或大略相等。第一对位图形的多个第一对位块201中位于V形顶部且并排相邻的两个第一对位块201之间的间隔≤第一基准线101的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和,例如第一基准线101的线宽加上40μm之和。
相应的,沿第二基准线102的垂直方向,第二对位图形的多个第二对位块301中位于V形底部且并排相邻的两个第二对位块301之间的间隔与第二基准线102的线宽相等或大略相等。第二对位图形的多个第二对位块301中位于V形顶部且并排相邻的两个第二对位块301之间的间隔≤第二基准线102的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和,例如第二基准线102的线宽加上40μm之和。
在一些实施例中,请参阅图3~图6,第二对位标识2还包括:位于第一对位图形旁侧的多个第一方向位移值标识202;和,位于第二对位图形旁侧的多个第二方向位移值标识302。多个第一对位块201和多个第一方向位移值标识202一一对应,多个第二对位块301和多个第二方向位移值标识302一一对应。
此处,每个第一方向位移值标识202形成在对应的第一对位块201的旁侧。在同一个第一对位图形中,各第一方向位移值标识202沿同一直线均匀分布,如图3所示;或,沿同一斜线均匀分布,如图5所示。当然,也并不仅限于此。各第一方向位移值标识202分散分布,也是允许的。各第一方向位移值标识202的形成位置,以能够明确对应每一个第一对位块201为限。
每个第二方向位移值标识302形成在对应的第二对位块301的旁侧。在同一个第二对位图形中,各第二方向位移值标识302的分布可参考各第一方向位移值标识202的分布,此处不再详述。
在一些示例中,请继续参阅图3~图6,各第一方向位移值标识202和各第二方向位移值标识302均为阿拉伯数字或罗马数字,其中,每个第一方向位移值标识202为对应的第一对位块201与第一基准线101之间间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值,每个第二方向位移值标识302为对应的第二对位块301与第二基准线102之间间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值。各第一方向位移值标识202和各第二方向位移值标识302采用阿拉伯数字或罗马数字,能够具有较高的辨识度,便于识别读取。
可选的,位于第一对位图形的对称中心线(理想条件下第一基准线101)同一侧的多个第一方向位移值标识202沿第一基准线101的延伸方向构成等差数列。也即,在同一个第一对位图形的位于其对称中心线同一侧的多个第一对位块201中,沿第一基准线101的延伸方向,各第一对位块201与所述对称中心线之间的间隔为等差数列。
位于第二对位图形的对称中心线(理想条件下第二基准线102)同一侧的多个第二方向位移值标识302沿第二基准线102的延伸方向成等差数列。也即,在同一个第二对位图形的位于其对称中心线同一侧的多个第二对位块301中,沿第二基准线102的延伸方向,各第二对位块301与所述对称中心线之间的间隔为等差数列。
对应于前述一些实施例中第一对位图形和第二对位图形的结构,此处,多个第一方向位移值标识202中相邻两个第一方向位移值202之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm,多个第二方向位移值标识303中相邻两个第二方向位移值302之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm。
示例的,如图5所示,在同一个第一对位图形的位于其对称中心线同一侧的多个第一对位块201中,沿第一基准线101的延伸方向,各第一对位块201与所述对称中心线之间的间隔依次为0μm、2μm、4μm、6μm、8μm、10μm、12μm、14μm和16μm。也即,同一个第一对位图形中每相邻的两个第一对位块201与该第一对位图形的对称中心线之间间隔的差值均为2μm。如此,对应位于该第一对位图形的对称中心线同一侧的多个第一方向位移值标识202沿第一基准线101的延伸方向依次为0、2、4、6、8、10、12、14和16。
同理,在同一个第二对位图形的位于其对称中心线同一侧的多个第二对位块301中,沿第二基准线102的延伸方向,各第二对位块301与所述对称中心线之间的间隔依次为0μm、2μm、4μm、6μm、8μm、10μm、12μm、14μm和16μm。也即,同一个第二对位图形中每相邻的两个第二对位块301与该第二对位图形的对称中心线之间间隔的差值均为2μm。如此,对应位于该第二对位图形的对称中心线同一侧的多个第二方向位移值标识302沿第二基准线102的延伸方向依次为0、2、4、6、8、10、12、14和16。
综上,对位标记1001采用如图3~图6所示的结构时,其对应的制作方法,包括:在基板的第一面上形成第一对位标识1,该第一对位标识1包括至少一条第一基准线101和至少一条第二基准线102。在基板的第二面上形成第二对位标识2,该第二对位标识2包括:与所述至少一条第一基准线101一一对应的第一对位图形,与所述至少一条第二基准线102一一对应的第二对位图形,位于第一对位图形旁侧的多个第一方向位移值标识202,以及位于第二对位图形旁侧的多个第二方向位移值标识302。
基于基板的第一面上设有第一曝光机对位标识,上述第一对位标识1可以与第一曝光机对位标识同时制作形成。之后,通过曝光机在基板的第二面所在侧抓取第一曝光机对位标识,可以进行基板的第二面和其第一面的制作工艺之间的初始对位。然后,在基板的第二面上同时形成第二曝光机对位标识和第二对位标识2。这样便可以通过观测第二对位标识2和第一对位标识1之间的对应关系,准确确定基板的第一面和第二面的制作工艺之间的工艺偏差,有利于提升基板的第一面和第二面之间的对位精度。
在完成对位标记1001的制作之后,如图3、图5和图6所示,若第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差为零,第二对位标识2中的多个第一对位块201的分布以第一基准线101为对称中心线镜像对称,多个第二对位块301的分布以第二基准线102为对称中心线镜像对称。否则,如图4所示,第一对位图形的对称中心线与第一基准线101之间存在位置偏移,和/或,第二对位图形的对称中心线与第二基准线102之间存在位置偏移。
示例的,如图4所示,第一基准线101为竖直线,第二基准线102为水平线。多个第一方向位移值标识202中相邻两个第一方向位移值202之间的差值的取值范围为2μm,即位于第一对位图形的对称中心线同一侧的多个第一方向位移值标识202沿第一基准线101的延伸方向依次为0、2、4、6、8、10、12、14、16、18和20。多个第二方向位移值标识302中相邻两个第二方向位移值302之间的差值为2μm,即位于第二对位图形的对称中心线同一侧的多个第二方向位移值标识302沿第二基准线102的延伸方向依次为0、2、4、6、8、10、12、14、16、18和20。
如此,通过观测可知,第一基准线101的左侧边界与第一对位图形中左侧的一个第一对位块201的右侧边界重合,二者之间的间隔为零或接近于零。此时,该第一对位块201对应的第一方向位移值标识202为6,则意味着第二对位标识2的制作工艺与对应的第一对位标识1的制作工艺之间的工艺偏差值为6μm,方向为水平向左。第二基准线102的右侧边界与第二对位图形中左侧的一个第二对位块301的上侧边界重合,二者之间的间隔为零或接近于零。此时,该第二对位块301对应的第二方向位移值标识302为8,则意味着第二对位标识2的制作工艺与对应的第一对位标识1的制作工艺之间的工艺偏差值为8μm,方向为竖直向下。由此,基板的第一面相对于第二面的制作工艺之间存在的工艺偏差为水平向左6μm,竖直向下8μm。
这样在完成基板的第一面的制作之后,根据所述工艺偏差对后续基板的第二面上的制作进行位移偏差的补偿修正,例如调整曝光机的曝光参数,能够确保基板的第一面和第二面的制作工艺之间具有较高的对位精度。从而,确保基板的第一面和第二面之间的对应电路能够良好电连接,以实现各信号的精确传输。进而,能够在减小或消除基板的边框的基础上,有效提高基板的生产良率。
在基板的第一面制作第一对位标识1并完成基板的第一面的制作之后,在基板的第二面上制作第二对位标识2,第一对位标识1和第二对位标识2的结构如上述一些实施例所述。这样通过观测第一对位标识1与第二对位标识2之间重叠部分(包括二者的间隔为零或接近于零的部分)对应的第一方向位移值标识202和第二方向位移值标识302,可以根据所述第一方向位移值标识202和第二方向位移值标识302,准确确定基板的第一面和第二面的制作工艺之间的工艺偏差。之后,根据所述工艺偏差对基板的第二面的制作进行位移偏差的补偿修正,就可以实现基板的第一面和第二面的制作工艺之间的精确对位。从而减小曝光机本身景深限制和基板折射率等原因的影响,有效提高基板的第一面和第二面之间对应电路的信号传输精度以及基板的生产良率。
在一些实施例中,基板透光,也即基板的光透过率大于或等于90%。各第一对位标识202和各第二对位标识302的材料包括遮光材料,该遮光材料的光透过率小于或等于10%。可选的,遮光材料为金属材料,例如钼、钛、镍等。这样不仅方便第一对位标识1和第二对位标识2制作成型,也方便于通过直接观看的方式或图像采集的方式,容易地获取到第一对位标识1与第二对位标识2之间重叠部分(包括二者的间隔为零或接近于零的部分)对应的第一方向位移值标识202和第二方向位移值标识302,也即第一对位标识1与第二对位标识2的制作工艺之间的工艺偏差。
上述第一对位标识1和第二对位标识2的结构,还可以有其他的设置方式。在另一些实施例中,请参阅图7,第一对位标识1为一圆形标记,例如实心圆。第二对位标识2包括圆心相同且径向嵌套的多个圆环501,所述多个圆环501中内径最小的圆环501为基准环。所述基准环的内径与实心圆的直径相等或大略相等。
可选的,多个圆环501的内径构成等差数列,各圆环501的外径和内径之差相同或大略相同,且每个圆环501的外径与位于其外侧的圆环501的内径之间具有间隔。
此外,请继续参阅图7,可选的,第二对位标识2还包括位于每个圆环501旁侧的第三位移值标识502。各第三方向位移值标识502为阿拉伯数字或罗马数字。每个第三位移值标识502为对应的圆环501的内径或外径与实心圆的外径之间间隔为零或接近于零时表征的径向的工艺偏差值。各第三位移值标识502的形成位置可以根据实际需求选择设置,本公开一些实施例对此不作限定。
示例的,如图7所示,第二对位标识2包括五个圆环,分别为基准环、第一环、第二环、第三环和第四环。该第二对位标识2中每个圆环501的外径与位于其外侧的圆环501的内径之间具有相同的间隔,均为2μm。并且,所述各圆环501的外径和内径之差相同,也均为2μm。由此,基准环的内径对应的第三位移值标识502为0(图中未示出),基准环的外径对应的第三位移值标识502为2。第一环的内径对应的第三位移值标识502为4,第一环的外径对应的第三位移值标识502为6。第二环的内径对应的第三位移值标识502为8,第二环的外径对应的第三位移值标识502为10。第三环的内径对应的第三位移值标识502为12,第三环的外径对应的第三位移值标识502为14。第四环的内径对应的第三位移值标识502为16,第四环的外径对应的第三位移值标识502为18。
这样在第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差为零的情况下,如图7所示,实心圆的圆心与各圆环501的圆心重合,且实心圆的外径与基准环的内径重合。此外,若基准环的外径与实心圆的外径重合,则表征第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的径向的工艺偏差值为2μm。同理可知,若实心圆的外径与对应某一圆环的内径或外径重合,则表征第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的径向的工艺偏差值为该圆环的内径或外径对应的第三位移值标识502。
可见,通过观测实心圆与各圆环501之间的对应关系,可以获取第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差。当然,在对位标记1001采用图7所示的结构的情况下,借助于量角器等角度量仪,能够更加精确的获取第二对位标识2与第一对位标识1之间存在的工艺偏差。
本公开一些实施例提供了一组掩模板,用于制作如上一些实施例所述的对位标记1001。请参阅图8~图11,一组掩模板包括一个第一掩模板601和一个第二掩模板602,其中,第一掩模板601具有如上一些实施例所述的至少一个第一对位标识1的图案,第二掩模板602具有如上一些实施例所述的至少一个第二对位标识2的图案。每组掩模板对应的第一对位标识1和第二对位标识2相匹配。
在一些实施例中,第一掩模板601和第二掩模板602均包括本体600。第一掩模板601具有的第一对位标识1的图案为设置于对应本体600上的镂空图案。第二掩模板602具有的第二对位标识2的图案为设置于对应本体600上的镂空图案。
每组掩模板中第一掩模板601和第二掩模板602二者所具有的镂空图案,与前述一些实施例中对位标记1001的图案相关。各图案的结构可参阅前述一些实施例中的相关记载,此处不再详述。
需要说明的是,在第二对位标识2包括多个第一方向位移值标识202、多个第二方向位移值标识302或多个第三位移值标识502的情况下,第二掩模板602中设置于对应本体600上的镂空图案,也包括对应的位移值标识(例如多个第一方向位移值标识202、多个第二方向位移值标识302或多个第三位移值标识502)。
本公开一些实施例提供的掩模板所能实现的有益效果,与上述一些实施例提供的对位标记所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
请参阅图12和图13,本公开一些实施例提供了一种显示基板母版1000,用于制作至少一个显示基板。所述显示基板母版1000包括基板01和如上一些实施例所述的至少一个对位标记1001。本公开一些实施例提供的显示基板母版1000所能实现的有益效果,与上述一些实施例提供的对位标记1001所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
请继续参阅图12和图13,显示基板母版1000中的基板01包括至少一个显示区AA,以及位于所述至少一个显示区的至少一侧的一非显示区BB。显示基板母版1000中显示区AA的数量与其切割后所能获得的显示基板的数量相同。非显示区BB可以位于各显示区AA的一侧或周边,根据实际需求合理设置即可。
显示基板母版1000中的各对位标记1001位于非显示区BB内。可选的,显示基板母版1000中的对位标记1001为多个,多个对位标记1001均匀分布在基板01上。
此外,显示基板母版1000的基板01上通常还设有至少一个曝光机对位标识,例如位于基板01的第一面S1上的至少一个第一曝光机对位标识11,和位于基板01的第二面S2上的至少一个第二曝光机对位标识12。该第一曝光机对位标识11和第二曝光机对位标识12的形状与对应的曝光机的结构相关。可选的,第一曝光机对位标识11和第二曝光机对位标识12的形状的为十字形或矩形。
值得一提的是,在一些实施例中,请参阅图13,基板01的第一面S1设有至少一条第一信号线701,基板01的第二面S2设有至少一条第二信号线702。对位标记1001中的第一对位标识1与第一信号线701同层设置,对位标记1001中的第二对位标识2与第二信号线702同层设置。这样有利于简化显示基板母版1000的制作工艺。
此处,第一信号线701直接形成在基板01的第一面S1上,也即在基板01的第一面S1上通过第一道制作工序制作形成。第二信号线702直接形成在基板01的第二面S2上,也即在基板01的第二面S2上通过第一道制作工序制作形成。第一信号线701和第二信号线702的种类,本公开一些实施例并不限定,可以根据实际需求合理选择。例如,第一信号线701为栅线,第二信号线702为静电屏蔽线。
当然,在另一些实施例中,对位标记1001中的第一对位标识1与基板01的第一面S1上的第一层薄膜同层设置,该第一层薄膜为金属薄膜或其他具有遮光性能的薄膜。对位标记1001中的第二对位标识2与基板01的第二面S2上的第一层薄膜同层设置,该第一层薄膜为金属薄膜或其他具有遮光性能的薄膜。这也是允许的,本公开一些实施例对此不做限定。
此外,可选的,对位标记1001中的第一对位标识1与第一曝光机对位标识11同层设置。对位标记1001中的第二对位标识2与第二曝光机对位标识12同层设置。这样有利于简化显示基板母版1000上的对位标识的制作工艺。
上述的“同层设置”可以指采用相同的材料并一次构图工艺制作成型,或是采用不同的材料但二者位于相同的两个膜层之间,或者采用不同的材料并与同一个膜层直接接触。该构图工艺包括光刻工艺,或包括光刻工艺以及刻蚀步骤在内的工艺。所述光刻工艺是指包括成膜(例如化学气相淀积成膜,Chemical Vapor Deposition,简称CVD)、曝光、显影等工艺过程且利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。
可以理解的是,在显示基板母版1000上设有多个对位标记1001的情况下,观测每个对位标记1001中第一对位标识1与第二对位标识2之间重叠部分(包括二者的间隔为零或接近于零的部分)对应的第一方向位移值标识202和第二方向位移值标识302,便可以根据获取的多个所述第一方向位移值标识202和第二方向位移值标识302,求取平均值,从而更为准确地确定基板01的第一面和第二面的制作工艺之间的工艺偏差。如此,根据该基板01的第一面和第二面的制作工艺之间的工艺偏差,对曝光机调整一次曝光参数便可,并无需在每次曝光前去进行一次曝光参数的调整,有利于提升显示基板母版1000的工艺速率,进而提高显示基板母版的生产效率。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种对位标记,其特征在于,所述对位标记包括:
位于基板的第一面的第一对位标识;和,
位于基板的第二面的第二对位标识;
其中,所述基板为透光基板;所述第二对位标识与所述第一对位标识匹配设置,所述第二对位标识能够表征其与所述第一对位标识之间的工艺偏差;
所述第一对位标识包括至少一条第一基准线和至少一条第二基准线,其中,第一基准线的延伸方向和第二基准线的延伸方向垂直或大略垂直;所述第二对位标识包括与所述至少一条第一基准线一一对应的第一对位图形,与所述至少一条第二基准线一一对应的第二对位图形;所述第二对位标识还包括多个第一方向位移值标识和多个第二方向位移值标识;所述第一对位图形包括呈V形分布的多个第一对位块,所述第一对位图形的对称中心线与所述第一基准线平行;所述第二对位图形包括呈V形分布的多个第二对位块,所述第二对位图形的对称中心线与所述第二基准线平行;所述多个第一对位块和所述多个第一方向位移值标识一一对应,所述多个第二对位块和所述多个第二方向位移值标识一一对应。
2.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识位于所述第一对位图形旁侧;
所述多个第二方向位移值标识位于所述第二对位图形旁侧。
3.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形;
所述多个第二对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形。
4.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一对位块中的每个沿所述第一基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第一基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm;
所述多个第二对位块中的每个沿所述第二基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第二基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。
5.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
沿所述第一基准线的垂直方向,所述多个第一对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔与所述第一基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第一对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔≤所述第一基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和;
沿所述第二基准线的垂直方向,所述多个第二对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔与所述第二基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第二对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔≤所述第二基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和。
6.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第一方向位移值标识为对应的所述第一对位块与所述第一基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值;
所述多个第二方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第二方向位移值标识为对应的所述第二对位块与所述第二基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值。
7.根据权利要求6所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识中相邻两个第一方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm;
所述多个第二方向位移值标识中相邻两个第二方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的对位标记,其特征在于,所述第一对位标识和所述第二对位标识的材料包括遮光材料;所述遮光材料的光透过率小于或等于10%。
9.一组掩模板,其特征在于,所述一组掩模板包括第一掩模板和第二掩模板,所述第一掩模板具有如权利要求1~8任一项所述的至少一个第一对位标识的图案;
所述第二掩模板具有如权利要求1~8任一项所述的至少一个第二对位标识的图案。
10.一种显示基板母版,其特征在于,所述显示基板母版包括:
基板,所述基板包括至少一个显示区,以及位于所述至少一个显示区的至少一侧的一非显示区;
和,位于所述非显示区内的如权利要求1~8任一项所述的至少一个对位标记。
11.根据权利要求10所述的显示基板母版,其特征在于,
所述基板的第一面设有至少一条第一信号线,所述第一对位标识与所述至少一条第一信号线同层设置;
所述基板的第二面设有至少一条第二信号线,所述第二对位标识与所述至少一条第二信号线同层设置。
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Families Citing this family (2)
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3048565B1 (ja) * | 1999-01-26 | 2000-06-05 | イビデン株式会社 | めっきレジストの露光方法とその装置 |
CN103698934A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-02 | 友达光电(厦门)有限公司 | 显示面板 |
CN104078446A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 键合对准标记及计算偏移量的方法 |
CN104808434A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-07-29 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板、掩膜板及显示装置、对位方法 |
CN106773525A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-05-31 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 掩模板、对位方法、显示面板、显示装置及其对盒方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6042976A (en) * | 1999-02-05 | 2000-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of calibrating WEE exposure tool |
US7528937B1 (en) * | 2002-08-05 | 2009-05-05 | Ultratech, Inc. | Dual-sided substrate measurement apparatus and methods |
JP2007173375A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Nec Corp | 複合実装デバイス及びその製造方法 |
CN101900842B (zh) * | 2009-05-26 | 2014-08-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 模仁以及微光学透镜阵列的制造方法 |
CN102650819B (zh) * | 2011-08-03 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板和掩膜板的定位方法 |
JP2017067874A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3048565B1 (ja) * | 1999-01-26 | 2000-06-05 | イビデン株式会社 | めっきレジストの露光方法とその装置 |
CN104078446A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 键合对准标记及计算偏移量的方法 |
CN103698934A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-02 | 友达光电(厦门)有限公司 | 显示面板 |
CN104808434A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-07-29 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板、掩膜板及显示装置、对位方法 |
CN106773525A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-05-31 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 掩模板、对位方法、显示面板、显示装置及其对盒方法 |
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