JP2017067874A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】上額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる。
【解決手段】表示装置は、基板ＦＳと、シールＡＤＨと、を有する。シールＡＤＨは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ２１およびＦＬＡ２２に設けられている。スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ２１と額縁領域ＦＬＡ２２との境界において、基板ＦＳの、額縁領域ＦＬＡ３側の端部から、基板ＦＳの、額縁領域ＦＬＡ３側と反対側の端部に亘って形成されている。そして、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２１側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２１と接し、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２２側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２２と接している。
【選択図】図７

Description

本発明は表示装置およびその製造方法に関し、例えば、表示領域の外側に設けられた額縁領域を有する表示装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関する。

例えば液晶表示装置などの表示装置は、表示領域と、表示領域の外側の額縁領域と、を有する。また、このような表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向配置された対向基板と、を有する。表示領域では、アレイ基板に、複数の画素が設けられている。複数の画素は、例えばマトリクス状に配置されている。額縁領域では、アレイ基板と対向基板との間に、シールが設けられている。シールは、アレイ基板と対向基板とを接着する。また、アレイ基板または対向基板には、スペーサが設けられている。スペーサは、アレイ基板と対向基板との間隔を保持する。

例えば特開２０１４−５２５４６号公報（特許文献１）には、表示パネルにおいて、アレイ基板と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板と、表示領域を囲んだ額縁領域に対向し、アレイ基板及び対向基板を接合するシール材と、を備えた技術が記載されている。

特開２０１４−５２５４６号公報

このような表示装置において、額縁領域には、半導体チップが設けられる。半導体チップが配置された額縁領域を下額縁領域と称し、表示領域を挟んで、下額縁領域と反対側に配置された額縁領域を、上額縁領域と称する。このとき、表示領域に対して下額縁領域が配置された方向と交差する方向における両側に配置された額縁領域、すなわち左額縁領域および右額縁領域の各々の幅を変更せずに、上額縁領域の幅だけを変更して、表示装置を設計する場合がある。

このような場合、例えば上額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がある。そのため、表示装置の製造に要する費用が増加するか、または、表示装置の製造に要する期間が長くなるおそれがあり、上額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができない。

本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、上額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる表示装置を提供することを目的とする。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明の一態様としての表示装置は、第１基板と、第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられ、第１基板と第２基板とを接着するシールと、を有する。第１基板は、第１領域と、平面視において、第１領域に対して第１方向における第１の側に配置された第２領域と、を含む。第１領域内には複数の画素が配置されている。シールは、平面視において、第２領域内の第１部分および第２部分に設けられ、第１部分は、スペーサに対して第１領域側に配置され、第２部分は、スペーサを挟んで第１領域と反対側に配置されている。スペーサは、第１部分と第２部分との境界において、第２基板の第１端部から第２端部に亘って形成されており、スペーサの第１部分側と第２部分側とはシールと接している。

また、他の一態様として、当該表示装置は、第１基板または第２基板に設けられた第１アライメントマークを有し、第１アライメントマークは、第１方向において、スペーサと重畳していてもよい。

また、他の一態様として、第１アライメントマークは、第１部分と第２部分との境界において、第１部分に設けられており、第２アライメントマークが、第２部分における、第１基板または第２基板の第３端部に設けられていてもよい。

また、他の一態様として、当該表示装置は、第１基板に設けられた複数の走査線と、複数の信号線と、を有してもよい。また、複数の走査線、または、複数の信号線と同層に設けられたパターンが、平面視において、第２部分に配置され、パターンはフローティングであってもよい。

また、他の一態様として、第２部分における、第１基板の第３端部と第２基板の第４端部とは、シールから露出していてもよい。

また、他の一態様として、第２アライメントマークは、平面視において、第１アライメントマークの形状と異なる形状を有してもよい。

また、他の一態様として、スペーサは、複数の走査線の延在方向に点在する複数の島状のスペーサであってもよい。

あるいは、本発明の一態様としての表示装置の製造方法は、（ａ）第１マザー基板の複数の基板形成領域のそれぞれに複数の画素を設ける工程、（ｂ）第２マザー基板の複数の基板形成領域のそれぞれにスペーサと第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとを設ける工程、を有する。また、当該表示装置の製造方法は、（ｃ）第１マザー基板と第２マザー基板とをシールにて貼り合わせる工程、（ｄ）基板形成領域を第１の大きさでスクライブするか、或いは、前記第１の大きさよりも大きい第２の大きさでスクライブするか、を決定する工程、を有する。また、当該表示装置の製造方法は、（ｅ）スクライブにより、第１マザー基板と第２マザー基板とを、複数の表示パネルに分断する工程、を有する。

また、他の一態様として、第１の大きさでスクライブする際は、第１のアライメントマーク近傍を切断し、第１の大きさでスクライブする際は、第１のアライメントマークよりも複数の画素から離間した第２のアライメントマーク近傍を切断してもよい。

また、他の一態様として、第１の大きさでスクライブする際は、前記スペーサに沿ってスクライブしてもよい。

実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。 実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。 実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。 実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。 実施の形態の表示装置の平面図である。 実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。 実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。 実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。 実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。 実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。 実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。 実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。 実施の形態の表示装置の製造工程中の断面図である。 実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。 実施の形態の変形例の表示装置の額縁領域の平面図である。 実施の形態の変形例の表示装置の製造工程中の平面図である。

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。

以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域に設けられた複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。上記のような表示装置には、例えば、液晶表示装置、あるいは有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置など、種々の表示装置が例示できる。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。

また、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明するが、それに制限されるものではない。

（実施の形態）
＜表示装置の構成＞
まず、図１〜図３を参照し、表示装置の構成について説明する。図１は、実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図２および図３は、実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図２のＢ部の拡大断面図である。

なお、図１では見易さのため、表示領域ＤＰＡでは、走査線（走査信号線）ＧＬ（後述する図４参照）および信号線（映像信号線）ＳＬ（後述する図４参照）の図示を省略している。また、図２は、断面であるが、見易さのためにハッチングは省略している。

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＬＣＤ１は、画像を表示する表示部ＤＰを有する。表示装置ＬＣＤ１は、アレイ基板とも称される基板ＢＳと、対向基板とも称される基板ＦＳと、を有するが、例えばその基板ＢＳのうち、表示部ＤＰが設けられた領域が、表示領域ＤＰＡである。また、表示装置ＬＣＤ１は、平面視において、表示部ＤＰの周囲の部分であって、画像を表示しない額縁部（周辺部）ＦＬを有する。額縁部ＦＬが設けられた領域が、額縁領域ＦＬＡである。すなわち、額縁領域ＦＬＡは、表示領域ＤＰＡの外側の領域（周辺領域）である。

なお、本願明細書において、平面視において、とは、図１に示すように、基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆ（図２参照）に垂直な方向から視た場合を意味する。また、基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆ内で互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とし、基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆに垂直な方向を、Ｚ軸方向（図２参照）とする。

また、表示装置ＬＣＤ１は、対向配置される一対の基板の間に、表示機能層である液晶層が形成された構造を備える。すなわち、図２に示すように、表示装置ＬＣＤ１は、表示面側の基板（対向基板）ＦＳ、基板ＦＳの反対側に位置する基板（アレイ基板）ＢＳ、および、基板ＦＳと基板ＢＳとの間に配置される液晶層ＬＣＬ（図３参照）を有する。

また、図１に示す基板ＢＳは、平面視において、Ｘ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ１に平行してＸ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ２、Ｘ軸方向に対して交差、好適には直交するＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ３に平行してＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ４を有する。図１に示す基板ＢＳが有する辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および辺ＢＳｓ４のそれぞれから表示部ＤＰまでの距離は、同程度であって、辺ＢＳｓ１から表示部ＤＰまでの距離よりも短い。

以下、本願明細書において、基板ＢＳの周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの外縁を構成する辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ４のうちのいずれかを意味する。また、単に周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの周縁部を意味する。

表示部ＤＰは、複数の表示素子としての画素Ｐｉｘ（後述する図４参照）を有する。すなわち、複数の画素Ｐｉｘは、基板ＢＳの表示領域ＤＰＡ上に設けられている。複数の画素Ｐｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。本実施の形態では、複数の画素Ｐｉｘの各々は、基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側の表示領域ＤＰＡに形成された薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：ＴＦＴ）を有する。

表示装置ＬＣＤ１は、後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、を有する。後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続され、複数の信号線ＳＬの各々は、Ｙ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続されている。

また、表示装置ＬＣＤ１は、駆動回路ＣＣを有する。駆動回路ＣＣは、走査線駆動回路ＣＧと、映像線駆動回路ＣＳと、を含む。走査線駆動回路ＣＧは、複数の走査線ＧＬ（後述する図４参照）を介して、複数の画素Ｐｉｘ（後述する図４参照）と電気的に接続され、映像線駆動回路ＣＳは、複数の信号線ＳＬを介して、複数の画素Ｐｉｘ（後述する図４参照）と電気的に接続されている。

図１に示す例では、額縁領域ＦＬＡは、額縁領域ＦＬＡ１、ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を含む。額縁領域ＦＬＡ１は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向における一方の側（図１中下側）に配置された領域であり、半導体チップＣＨＰが配置される領域である。額縁領域ＦＬＡ２は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ１と反対側（図１中上側）に配置された領域である。額縁領域ＦＬＡ３は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｘ軸方向における一方の側（図１中左側）に配置された領域であり、額縁領域ＦＬＡ４は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ３と反対側に配置された領域である。

図１に示す例では、基板ＢＳには、半導体チップＣＨＰが設けられている。半導体チップＣＨＰは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に配置されている。半導体チップＣＨＰ内には、映像線駆動回路ＣＳが設けられている。したがって、映像線駆動回路ＣＳは、基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側の領域であって、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡに対して一方の側に配置された領域である額縁領域ＦＬＡ１に設けられている。

なお、半導体チップＣＨＰが配置された額縁領域ＦＬＡ１を下額縁領域と称し、表示領域ＤＰＡを挟んで、額縁領域ＦＬＡ１と反対側に配置された額縁領域ＦＬＡ２を、上額縁領域と称することがある。このとき、表示領域ＤＰＡに対して額縁領域ＦＬＡ１が配置された方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）における両側に配置された額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を、それぞれ左額縁領域および右額縁領域と称することがある。

また、半導体チップＣＨＰは、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて額縁領域ＦＬＡ１に設けられてもよく、あるいは、基板ＢＳの外部に設けられ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を介して基板ＢＳと接続されてもよい。額縁領域ＦＬＡ１には、基板ＢＳと外部とを接続する端子部が設けられる。

なお、後述する図５〜図９を用いて説明するように、表示装置ＬＣＤ１は、平面視において、額縁領域ＦＬＡ内に配置されたシールＡＤＨを有する。シールＡＤＨは、表示部ＤＰの周囲を連続的に囲むように形成され、図２に示す基板ＦＳと基板ＢＳとは、シールＡＤＨに設けられるシール材により接着固定される。このように、表示部ＤＰの周囲にシールＡＤＨを設けることで、表示機能層である液晶層ＬＣＬ（図３参照）を封止することができる。

また、図２に示すように、表示装置ＬＣＤ１の基板ＢＳの背面ＢＳｂ側には、光源や拡散板等の光学素子からなるバックライトＬＳと、バックライトＬＳから発生した光を偏光する偏光板ＰＬ２が設けられている。偏光板ＰＬ２は、基板ＢＳに固定されている。一方、基板ＦＳの背面ＦＳｆ側には、偏光板ＰＬ１が設けられている。偏光板ＰＬ１は、基板ＦＳに固定されている。

なお、図２では、表示装置の基本的な構成部品を例示的に示しているが、変形例としては図２に示す構成部品に加えて、タッチパネルや保護層等の他の部品を追加することができる。

また、図３に示すように、表示装置ＬＣＤ１は、基板ＦＳと基板ＢＳとの間に配置される複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥを有する。本実施の形態の表示装置ＬＣＤ１は、上記したように横電界モードの表示装置なので、複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、それぞれ基板ＢＳに形成されている。

基板ＢＳは、ガラス基板などからなり、主として画像表示用の回路が形成されている。基板ＢＳは、基板ＦＳ側に位置する対向面ＢＳｆ（図２参照）、および、その反対側に位置する背面ＢＳｂ（図２参照）を有する。基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側には、ＴＦＴなどの駆動素子と、複数の画素電極ＰＥがマトリクス状に形成されている。また、基板ＢＳは、表示領域ＤＰＡと、表示領域ＤＰＡの外側に設けられた額縁領域ＦＬＡと、を含む。基板ＢＳはガラス基板以外、ポリイミド等の樹脂で形成されたものであってもよい。

図３に示す例は、横電界モード（詳しくはＦＦＳモード）の表示装置ＬＣＤ１を示しているので、共通電極ＣＥは、基板ＢＳの対向面ＢＳｆ（図２参照）側に形成され、絶縁層ＯＣ２に覆われる。また、複数の画素電極ＰＥは、絶縁層ＯＣ２を介して共通電極ＣＥと対向するように絶縁層ＯＣ２の基板ＦＳ側に形成される。

また、図３に示す基板ＦＳは、ガラス基板などからなり、カラー表示の画像を形成するカラーフィルタＣＦが形成されている。基板ＦＳは、表示面側である背面ＦＳｆ（図２参照）、および、背面ＦＳｆの反対側に位置する対向面ＦＳｂ（図２参照）を有する。基板ＦＳは、基板ＢＳの対向面ＢＳｆと、基板ＦＳの対向面ＦＳｂとが対向した状態で、基板ＢＳと対向配置されている。なお、基板（アレイ基板）ＢＳをＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタＣＦが形成された基板（対向基板）ＦＳをカラーフィルタ基板と呼ぶこともできる。また、図３に対する変形例としては、カラーフィルタＣＦをＴＦＴ基板としての基板ＢＳに設ける構成を採用してもよい。

対向基板としての基板ＦＳのカラーフィルタＣＦは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂが周期的に配列されたものである。

また、各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂのそれぞれの境界には、遮光膜ＢＭが形成されている。遮光膜ＢＭはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属など、遮光性を有する膜からなる。遮光膜ＢＭは、平面視において、格子状に形成される。

遮光膜ＢＭは表示領域ＤＰＡおよび額縁領域ＦＬＡのいずれにも形成される。一般的に、遮光膜ＢＭに形成され、カラーフィルタＣＦが埋め込まれた開口部のうち、周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＰＡと額縁領域ＦＬＡの境界として規定される。なお、表示領域ＤＰＡの周縁部側にダミーのカラーフィルタを設けてもよい。尚、額縁領域ＦＬＡに形成される遮光膜は、表示領域ＤＰＡから基板ＦＳの端部に亘って設けられている。

また、基板ＦＳは、カラーフィルタＣＦを覆う樹脂層ＯＣ１を有する。各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂの境界には、遮光膜ＢＭが形成されているので、カラーフィルタＣＦの液晶層側は、凹凸面になっている。樹脂層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦの液晶層側の凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。あるいは、樹脂層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦから液晶層に対して不純物が拡散することを防止する保護膜として機能する。樹脂層ＯＣ１は、熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂など、エネルギーを付与することで硬化する成分を含有させることにより、樹脂材料を硬化させることができる。樹脂層ＯＣ１は、額縁領域ＦＬＡにも設けられている。

また、基板ＦＳと基板ＢＳとの間には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に表示用電圧が印加されることにより形成される電界により表示画像を形成する液晶層ＬＣＬが設けられる。

また、基板ＦＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である対向面ＦＳｂに、樹脂層ＯＣ１を覆う配向膜ＡＦ１を有する。また、基板ＢＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である対向面ＢＳｆに、絶縁層ＯＣ２および複数の画素電極ＰＥを覆う配向膜ＡＦ２を有する。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は、液晶層ＬＣＬに含まれる液晶の初期配向を揃えるために形成された樹脂膜であって、例えばポリイミド樹脂からなる。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は額縁領域ＦＬＡにも設けられており、基板ＦＳの端部にまで設けられていても良い。

図３に示す表示装置ＬＣＤ１では、バックライトＬＳ（図２参照）から出射された光は、偏光板ＰＬ２（図２参照）によってフィルタリングされ、液晶層ＬＣＬに入射する。液晶層ＬＣＬに入射した光は、液晶によって偏光状態を変化させて基板ＦＳから出射される。

このとき、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥに電圧を印加して形成される電界により、液晶の配向が制御され、液晶層ＬＣＬは光学的なシャッターとして機能する。

なお、液晶層ＬＣＬの厚さは、基板ＦＳや基板ＢＳの厚さと比較して極端に薄い。図３に示す例では、液晶層ＬＣＬの厚さは、例えば３〜４μｍ程度である。

＜表示装置の等価回路＞
次に、図４を参照し、表示装置の等価回路について説明する。図４は、実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。

図４に示すように、表示装置ＬＣＤ１の表示部ＤＰは、複数の画素Ｐｉｘを有する。複数の画素Ｐｉｘは、平面視において、表示領域ＤＰＡ内で、基板ＢＳに設けられ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。

また、表示装置ＬＣＤ１は、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、を有する。複数の走査線ＧＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳ（例えば図２参照）に設けられ、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳに設けられ、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬと、複数の走査線ＧＬとは、互いに交差する。

複数の画素Ｐｉｘの各々は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各々の色を表示する副画素ＳＰｉｘを含む。副画素ＳＰｉｘの各々は、隣り合う２本の走査線ＧＬと、隣り合う２本の信号線ＳＬとに囲まれた領域に設けられているが、他の構成であってもよい。

各副画素ＳＰｉｘは、薄膜トランジスタからなるトランジスタＴｒｄと、トランジスタＴｒｄのドレイン電極に接続される画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥと液晶層を挟んで対向する共通電極ＣＥと、を有する。なお、図４では、液晶層を等価的に示す液晶容量と、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される保持容量とを、容量Ｃｌｃとして示す。なお、薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とは電位の極性によって適宜入れ替わる。

表示装置ＬＣＤ１の駆動回路ＣＣ（図１参照）は、映像線駆動回路ＣＳと、走査線駆動回路ＣＧと、制御回路ＣＴＬと、共通電極駆動回路ＣＭと、を有する。

Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のソース電極は、信号線ＳＬに接続されている。また、複数の信号線ＳＬの各々は、映像線駆動回路ＣＳに接続される。

また、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。また、各走査線ＧＬは、走査線駆動回路ＣＧに接続されている。

制御回路ＣＴＬは、表示装置の外部から送信されてくる表示データ、クロック信号およびディスプレイタイミング信号等の表示制御信号に基づいて、映像線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭを、制御する。

制御回路ＣＴＬは、表示装置の副画素の配列や、表示方法、ＲＧＢスイッチ（図示は省略）の有無、あるいはタッチパネル（図示は省略）の有無等によって、外部から供給される表示データや表示制御信号を適宜変換して映像線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭに出力する。

＜表示装置の額縁領域の構成＞
次に、表示装置の額縁領域の構成について説明する。なお、以下では、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が大きい場合の表示装置について説明する。

図５は、実施の形態の表示装置の平面図である。図６および図７は、実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。図６および図７は、図５に示す表示装置のうち、二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ１を拡大して示す。また、図６は、基板ＢＳおよび基板ＢＳの対向面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１などを示し、図７は、基板ＦＳおよび基板ＦＳの対向面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２などを示す。

図８および図９は、実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。図８は、図６および図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、図９は、図６および図７のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。なお、図６および図７では、理解を簡単にするため、図８および図９に示した部分のうち、説明に必要な部分以外の部分の図示を省略している。また、図８および図９では、液晶層ＬＣＬ（図３参照）の図示を省略する。

前述した図１を用いて説明したように、また、図５に示すように、基板ＢＳは、辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４を有する。また、辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４の各々にそれぞれ対応した基板ＢＳの４つの側面を、それぞれ側面ＳＳＢ１、側面ＳＳＢ２、側面ＳＳＢ３および側面ＳＳＢ４と称する。また、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４の各々にそれぞれ対応した基板ＦＳの側面を、それぞれ側面ＳＳＦ２、側面ＳＳＦ３および側面ＳＳＦ４と称する。なお、表示領域ＰＤＡに対して辺ＢＳｓ１側の基板ＦＳの側面を、側面ＳＳＦ１と称する。

額縁領域ＦＬＡ２は、額縁領域ＦＬＡ２１およびＦＬＡ２２を有する。額縁領域ＦＬＡ２１は、額縁領域ＦＬＡ２のうち表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、額縁領域ＦＬＡ２２は、額縁領域ＦＬＡ２のうち表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分である。

図６〜図８に示すように、額縁領域ＦＬＡ２において、基板ＢＳの対向面ＢＳｆには、配線ＷＧと、絶縁膜ＩＦ１と、配線ＷＳと、層間樹脂膜ＩＬ１と、配向膜ＡＦ２と、が設けられている。

額縁領域ＦＬＡ２において、基板ＢＳの対向面ＢＳｆ上には、配線ＷＧが形成されている。配線ＷＧは、例えば走査線ＧＬと同層に形成されており、例えばクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の金属またはそれらの合金からなる。すなわち、好適には、配線ＷＧは、金属膜または合金膜などの遮光性を有する導電膜からなる。

額縁領域ＦＬＡ２において、基板ＢＳの対向面ＢＳｆ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が設けられている。絶縁膜ＩＦ１は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。

なお、基板ＢＳの対向面ＢＳｆと、配線ＷＧおよび絶縁膜ＩＦ１と、の間に、絶縁膜ＩＦ０が形成されていてもよい。

額縁領域ＦＬＡ２において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。配線ＷＳは、例えば信号線ＳＬと同層に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。すなわち、好適には、配線ＷＳは、金属膜などの遮光性を有する導電膜からなる。

額縁領域ＦＬＡ２において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、保護膜または平坦化膜としての層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。層間樹脂膜ＩＬ１は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。

額縁領域ＦＬＡ２において、層間樹脂膜ＩＬ１には、層間樹脂膜ＩＬ１を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ１が形成されている。開口部ＯＰ１の底部、開口部ＯＰ１の内壁、および、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が設けられている。絶縁膜ＩＦ２は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。

開口部ＯＰ１の底部に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２には、絶縁膜ＩＦ２を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ２が形成されている。開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成されている。前述したように、配向膜ＡＦ２は、例えばポリイミド樹脂からなる。

なお、一部の開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、シールド電極ＳＨＥが形成されていてもよい。シールド電極ＳＨＥは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる。このような場合、配向膜ＡＦ２は、開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上に、シールド電極ＳＨＥを覆うように、形成されることになる。

一方、図６〜図８に示すように、額縁領域ＦＬＡ２において、基板ＦＳの対向面ＦＳｂには、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタＣＦと、樹脂層ＯＣ１と、スペーサＳＰ１およびＳＰ２と、配向膜ＡＦ１と、が設けられている。

額縁領域ＦＬＡ２において、基板ＦＳの対向面ＦＳｂには、遮光膜ＢＭが形成されている。前述したように、遮光膜ＢＭは、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属からなる。

額縁領域ＦＬＡ２において、遮光膜ＢＭと基板ＢＳとの間には、カラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦとして、例えばＢ（青）のカラーフィルタ画素ＣＦｂが形成されている。

額縁領域ＦＬＡ２において、遮光膜ＢＭとカラーフィルタＣＦとを覆うように、樹脂層ＯＣ１が形成されている。前述したように、樹脂層ＯＣ１は、熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂を含有する。尚、カラーフィルタＣＦを遮光膜と基板ＦＳとの間に設けるものであってもよい。

額縁領域ＦＬＡ２において、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が形成されている。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＦＳの対向面ＦＳｂから基板ＢＳ側に突出している。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳと基板ＦＳとの間の間隔を保持する。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。スペーサＳＰ１およびＳＰ２と基板ＦＳとの間には、カラーフィルタ画素ＣＦｂが設けられており、スペーサＳＰ１およびＳＰ２の高さをコントロールしている。また、スペーサＳＰ１は、円錐形状のスペーサが点在したものであってもよい。あるいは、スペーサＳＰ２は、Ｘ軸方向に点在する複数の島状のスペーサであってもよい。

スペーサＳＰ１の基板ＦＳからの高さは、スペーサＳＰ２の基板ＦＳからの高さよりも高い。

なお、スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳの対向面ＢＳｆに設けられてもよい。このとき、スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳの対向面ＢＳｆから基板ＦＳ側に突出することになる。

額縁領域ＦＬＡ２において、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、配向膜ＡＦ１が形成されている。前述したように、配向膜ＡＦ１は、例えばポリイミド樹脂からなる。なお、図８では図示は省略するが、配向膜ＡＦ１は、スペーサＳＰ１およびＳＰ２の各々の側面および上面に形成されていてもよい。

図８に示すように、配向膜ＡＦ１と配向膜ＡＦ２との間には、シールＡＤＨが設けられている。すなわち、シールＡＤＨは、基板ＢＳと基板ＦＳとの間に設けられ、基板ＢＳと基板ＦＳとを接着する接着部である。また、シールＡＤＨは、図５に示すように、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に設けられた部分ＰＴ１と、額縁領域ＦＬＡ２内に設けられた部分ＰＴ２と、平面視において、額縁領域ＦＬＡ３内に設けられた部分ＰＴ３と、平面視において、額縁領域ＦＬＡ４内に設けられた部分ＰＴ４と、を含む。

＜額縁領域の幅を変更する場合における課題＞
表示装置では、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の各々の幅を変更せずに、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅だけを変更して、表示装置を設計する場合がある。このような額縁領域ＦＬＡ２の幅だけの変更は、表示装置の強度を優先するか、或いは、額縁領域の低減を優先するか、といった顧客からの要求に基づく。

従来、額縁領域ＦＬＡ２の幅の変更の要求があり、額縁領域ＦＬＡ２の幅以外の形状および配置を同様にすることが可能であっても、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要があった。そのため、表示装置の製造に要する費用が増加し、表示装置の製造に要する期間が長くなっていた。

＜額縁領域におけるシールおよびスペーサの配置＞
本実施の形態の表示装置では、スペーサＳＰ２としてのスペーサＳＰ２１が、額縁領域ＦＬＡ２内に配置されている。シールＡＤＨの部分ＰＴ２は、部分ＰＴ２１と、部分ＰＴ２２と、を含む。シールＡＤＨの部分ＰＴ２１は、スペーサＳＰ２１に対して、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡ側に配置され、シールＡＤＨの部分ＰＴ２２は、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ２１と反対側に配置されている。基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＢＦ３、または、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＦＢ３は、シールＡＤＨの部分ＰＴ３により覆われている。

言い換えれば、額縁領域ＦＬＡ２の第１部分としての額縁領域ＦＬＡ２１は、スペーサＳＰ２１に対して表示領域ＰＤＡ側に配置され、額縁領域ＦＬＡ２の第２部分としての額縁領域ＦＬＡ２２は、スペーサＳＰ２１を挟んで額縁領域ＦＬＡ２１と反対側に配置されている。シールＡＤＨは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ２１およびＦＬＡ２２に設けられている。スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ２１と額縁領域ＦＬＡ２２との境界において、基板ＦＳの、額縁領域ＦＬＡ３側の第１端部から、基板ＦＳの、額縁領域ＦＬＡ４側の第２端部に亘って形成されている。そして、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２１側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２１と接し、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２２側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２２と接している。

このような表示装置を製造する場合には、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、基板集合体（マザー基板）ＳＧを分断する際に、Ｘ軸方向に延在するスクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。スクライブラインＬＮ１１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ１２は、スクライブラインＬＮ１１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてシールＡＤＨが設けられていない領域ＲＬ１を通る。

スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１を用いる場合には、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、例えばスクライブ加工の際に基板集合体ＳＧに加えられる力が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に分布することにより、容易にスクライブ加工を行うことができる。一方、スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１２を用いた場合でも、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、容易にスクライブ加工を行うことができる。したがって、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。

一方、表示領域ＤＰＡに対してＸ軸方向における両側に設けられ、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としては、１種類のスクライブラインを用いることができる。このような場合、基板ＢＳの、Ｘ軸方向における両側面ＳＳＢ３およびＳＳＢ４（図５参照）の位置は固定され、基板ＦＳの、Ｘ軸方向における両側面ＳＳＦ３およびＳＳＦ４（図５参照）の位置は固定され、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４（図５参照）の幅も固定される。

したがって、本実施の形態の表示装置では、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４のＸ軸方向の幅を変更せずに、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅だけを変更することができる。このような額縁領域ＦＬＡ２の幅だけの変更は、額縁領域ＦＬＡ２の狭幅化と、表示装置の強度の確保との間のバランスを調整する観点から、重要な構成となってきている。

したがって、本実施の形態の表示装置では、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がない。そのため、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が異なる２種類の表示装置の製造に要する費用を低減することができる。あるいは、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が異なる２種類の表示装置の製造に要する期間を短縮することができる。したがって、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる。

すなわち、本実施の形態によれば、額縁領域ＦＬＡ２に切断箇所を２箇所設け、切断位置を変えることで額縁領域ＦＬＡ２の幅を選択することが可能である。

スペーサＳＰ２１は、Ｘ軸方向に延在する。これにより、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。

基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｙ軸方向における端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｙ軸方向における端部ＦＢ２は、シールＡＤＨから露出している。言い換えれば、額縁領域ＦＬＡ２２における、基板ＢＳの端部ＢＦ２と基板ＦＳの端部ＦＢ２とは、シールＡＤＨから露出している。すなわち、シールＡＤＨは、平面視において、基板ＢＳの、Ｙ軸方向における側面ＳＳＢ２（図８参照）、および、基板ＦＳの、Ｙ軸方向における側面ＳＳＦ２（図８参照）から離れている。このような場合、後述する図１０〜図１３を用いて説明するように、スクライブラインＬＮ１２において、容易にスクライブ加工を行うことができる。ただし、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１でも、シールＡＤＨが設けられていてもよい。

好適には、本実施の形態の表示装置は、位置合わせのためのアライメントマークＡＭ１を有する。アライメントマークＡＭ１は、基板ＢＳまたは基板ＦＳに設けられ、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と同じ位置に配置されている。言い換えれば、アライメントマークＡＭ１は、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と重畳している。そして、アライメントマークＡＭ１は、額縁領域ＦＬＡ２１と額縁領域ＦＬＡ２２との境界において、額縁領域ＦＬＡ２１に設けられている。図６および図７に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１２と称する。

平面視において、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を通るスクライブラインＬＮ１１を用いてスクライブ加工を行うことにより、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。

好適には、本実施の形態の表示装置は、位置合わせのためのアライメントマークＡＭ２を有する。アライメントマークＡＭ２は、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｙ軸方向における端部ＢＦ２、または、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｙ軸方向における端部ＦＢ２に設けられている。言い換えれば、アライメントマークＡＭ２は、額縁領域ＦＬＡ２２における、端部ＢＦ２または端部ＦＢ２に設けられている。図６および図７に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２２と称する。

平面視において、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を通るスクライブラインＬＮ２１を用いてスクライブ加工を行うことにより、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１は、複数の走査線ＧＬまたは複数の信号線ＳＬと同層に形成されている。走査線ＧＬおよび信号線ＳＬの各々は、前述したように、遮光性を有する導電膜からなる。そのため、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が、複数の走査線ＧＬまたは複数の信号線ＳＬと同層に形成されることにより、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１の視認性を高めることができ、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１による位置合わせの精度を高めることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２は、遮光膜ＢＭと同層に形成されている。遮光膜ＢＭは、前述したように、遮光性を有する膜からなる。そのため、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２が、遮光膜ＢＭと同層に形成されることにより、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２の視認性を高めることができ、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２による位置合わせの精度を高めることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ２は、アライメントマークＡＭ１の形状と異なる形状を有する。これにより、アライメントマークＡＭ１とアライメントマークＡＭ２とを誤認することを防止し、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２のうち、所望のスクライブラインを確実に選択してスクライブ加工を行うことができる。

好適には、例えば配線ＷＳなどの回路配線は、額縁領域ＦＬＡ２１に、配置されている。額縁領域ＦＬＡ２１は、前述したように、額縁領域ＦＬＡ２のうち、表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、スペーサＳＰ２１の中心に対して表示領域ＤＰＡ側に位置する部分である。一方、額縁領域ＦＬＡ２２には、後述するダミーパターンＧＤおよびＳＤは配置されていてもよいが、例えば配線ＷＳなどの回路配線は配置されていない。額縁領域ＦＬＡ２２は、前述したように、額縁領域ＦＬＡ２のうち、表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分であり、スペーサＳＰ２１の中心に対して表示領域ＤＰＡ側と反対側に配置された部分である。

このような配置によれば、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅だけを変更した場合でも、例えば配線ＷＳなどの回路配線の配置を変更する必要がないので、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅だけが変更された２種類の表示装置を容易に設計することができる。また、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が大きい表示装置では、基板ＢＳと基板ＦＳとの間がシールＡＤＨに含まれる２つの部分ＰＴ１およびＰＴ２により２重に封止されることにより、表示装置の強度をさらに向上させることができる。

なお、額縁領域ＦＬＡ２のＹ軸方向における幅ＷＤ１を、例えば１ｍｍ程度とすることができる。また、額縁領域ＦＬＡ２のうち、スペーサＳＰ１の中心に対して表示領域ＤＰＡ側に配置された部分（額縁領域ＦＬＡ２１）のＹ軸方向における幅ＷＤ１１を、例えば０．５ｍｍ程度とすることができる。

＜表示装置の製造方法＞
次に、表示装置の製造方法について説明する。

図１０〜図１２は、実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。図１１および図１２は、図１０に示す基板集合体ＳＧのうち、二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ２を拡大して示す。また、図１１は、マザー基板ＢＳＧおよびマザー基板ＢＳＧの対向面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１などを示し、図１２は、マザー基板ＦＳＧおよびマザー基板ＦＳＧの対向面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２などを示す。

図１３は、実施の形態の表示装置の製造工程中の断面図である。図１３は、図１１および図１２のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。なお、図１１および図１２では、理解を簡単にするため、図１３に示した部分のうち、説明に必要な部分以外の部分の図示を省略している。また、図１３では、液晶層ＬＣＬ（図３参照）の図示を省略する。

まず、図１３に示すように、マザー基板ＢＳＧを用意する。マザー基板ＢＳＧは、主面としての対向面ＢＳｆの領域として、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ１を複数個有する。図１０に示すように、複数の表示パネル形成領域ＡＲ１は、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。後述するシールＡＤＨを形成する工程を行った後、マザー基板ＢＳＧを複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に分断することにより、基板ＢＳが複数個形成される。つまり、マザー基板ＢＳＧが複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に分割されて個片化された基板が、基板ＢＳである。

図１０に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆは、表示領域ＤＰＡと、額縁領域ＦＬＡとしての額縁領域ＦＬＡ１、ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を含む。額縁領域ＦＬＡ１は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対してＹ軸方向における一方の側に配置されている。この表示パネル形成領域ＡＲ１の額縁領域ＦＬＡ１には、半導体チップＣＨＰが設けられる。額縁領域ＦＬＡ２は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ１と反対側に配置されている。額縁領域ＦＬＡ３は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向と交差、好適には直交するＸ軸方向における一方の側に配置されている。額縁領域ＦＬＡ４は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ３と反対側に配置されている。

次に、複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に、複数の画素を設ける。

この際、額縁領域ＦＬＡ２では、図１３に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆ上に、配線ＷＧが形成され、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成される。なお、マザー基板ＢＳＧの対向面ＢＳｆと、配線ＷＧおよび絶縁膜ＩＦ１と、の間に、絶縁膜ＩＦ０が形成されてもよい。

また、額縁領域ＦＬＡ２において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成され、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、保護膜または平坦化膜としての層間樹脂膜ＩＬ１が形成される。層間樹脂膜ＩＬ１には、層間樹脂膜ＩＬ１を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ１が形成され、開口部ＯＰ１の底部、開口部ＯＰ１の内壁、および、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が設けられる。また、開口部ＯＰ１の底部に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２には、絶縁膜ＩＦ２を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ２が形成される。開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成される。

なお、配線ＷＧを形成する際に、表示パネル形成領域ＡＲ１に、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列された複数の走査線ＧＬ（図４参照）を形成する。また、配線ＷＳを形成する際に、表示パネル形成領域ＡＲ１に、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列された複数の信号線ＳＬ（図４参照）を形成する。

また、図１３に示すように、マザー基板ＦＳＧを用意する。マザー基板ＦＳＧは、主面としての対向面ＦＳｂの領域として、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ２を複数個有する。図１０に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ２は、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。後述するシールＡＤＨを形成する工程を行った後、マザー基板ＦＳＧを複数の表示パネル形成領域ＡＲ２の各々に分断することにより、基板ＦＳが複数個形成される。つまり、マザー基板ＦＳＧが複数の表示パネル形成領域ＡＲ２の各々に分割されて個片化された基板が、基板ＦＳである。

次に、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆから突出したか、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂから突出したスペーサＳＰ１およびＳＰ２を設ける。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧのいずれに形成されてもよいが、以下では、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が、マザー基板ＦＳＧに形成される例について説明する。

図１３に示すように、額縁領域ＦＬＡ２において、表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂに、遮光膜ＢＭが形成され、遮光膜ＢＭ上には、カラーフィルタＣＦとして例えばＢ（青）のカラーフィルタ画素ＣＦｂが形成され、遮光膜ＢＭの基板ＢＳ側には、カラーフィルタＣＦを覆うように、樹脂層ＯＣ１が形成される。

樹脂層ＯＣ１の基板ＢＳ側には、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が形成される。なお、前述したように、スペーサＳＰ１の厚さ寸法は、スペーサＳＰ２の厚さ寸法よりも厚く、スペーサＳＰ１の下面は、配向膜ＡＦ２と接触するが、スペーサＳＰ２の下面は、配向膜ＡＦ２と接触しない。また、スペーサＳＰ２としてのスペーサＳＰ２１が、設けられる。スペーサＳＰ２１は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、スペーサＳＰ２１が平面視において額縁領域ＦＬＡ２内に配置されるように、設けられる。

なお、スペーサＳＰ２１は、マザー基板ＢＳＧに設けられてもよい。このとき、スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ２内に配置される。

樹脂層ＯＣ１上には、配向膜ＡＦ１が形成される。前述したように、配向膜ＡＦ１は、例えばポリイミド樹脂からなる。

次に、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆ、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂに、樹脂膜としてのシール材ＡＤＨ１を形成する。シール材ＡＤＨ１を形成する材料として、例えば紫外線硬化型の樹脂を、印刷や描画により塗布する。シール材ＡＤＨ１は、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧのいずれに形成されてもよいが、ここでは、シール材ＡＤＨ１が、マザー基板ＦＳＧに形成される例について説明する。

次に、図１３に示すように、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する。マザー基板ＢＳＧの対向面ＢＳｆと、マザー基板ＦＳＧの対向面ＦＳｂとが対向した状態で、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する。この際、表示パネル形成領域ＡＲ２に形成されたスペーサＳＰ１が、表示パネル形成領域ＡＲ１に形成された配向膜ＡＦ２と接触することにより、表示パネル形成領域ＡＲ１と表示パネル形成領域ＡＲ２との間の間隔を保持することができる。

次に、シール材ＡＤＨ１を硬化させることにより、硬化したシール材ＡＤＨ１からなる、接着部としてのシールＡＤＨを形成し、シールＡＤＨによりマザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを接着する。例えばシール材ＡＤＨ１に紫外線を照射してシール材を硬化させ、さらに熱硬化処理を施し、シール材を本硬化させる。これにより、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとがシールＡＤＨにより接着され（貼り合わされ）、マザー基板ＢＳＧと、シールＡＤＨによりマザー基板ＢＳＧと接着されたマザー基板ＦＳＧと、を有する基板（表示パネル）集合体ＳＧが形成される。この時点で各表示パネル内に液晶が封止されていても良いが、この後に液晶を注入するものであってもよい。

この工程では、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に設けられた部分ＰＴ１と、平面視において、額縁領域ＦＬＡ２内に設けられた部分ＰＴ２と、平面視において、額縁領域ＦＬＡ３内に設けられた部分ＰＴ３と、額縁領域ＦＬＡ４内に設けられた部分ＰＴ４と、を含むシールＡＤＨを形成する。シールＡＤＨの部分ＰＴ２は、部分ＰＴ２１と、部分ＰＴ２２と、を含む。また、部分ＰＴ２１を、スペーサＳＰ２１に対して一方の側、すなわち半導体チップＣＨＰが形成される側に配置し、部分ＰＴ２２を、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ２１と反対側に配置する。なお、シールＡＤＨのうち、表示パネル形成領域ＡＲ１およびＡＲ２の外部に設けられた部分を、部分ＰＴ５と称する。

次に、基板集合体ＳＧを分断し、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧの各々を分断することにより、表示パネル形成領域ＡＲ１からなる基板ＢＳと、表示パネル形成領域ＡＲ２からなり、シールＡＤＨにより基板ＢＳと接着された基板ＦＳと、を形成する。

マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧの各々を分断して基板ＢＳおよびＦＳを形成する際に、Ｘ軸方向に延在するスクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。このとき、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、第１の大きさでスクライブするか、或いは、第１の大きさよりも大きい第２の大きさでスクライブするか、を決定することになる。スクライブラインＬＮ１１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ１２は、スクライブラインＬＮ１１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてシールＡＤＨが設けられていない領域ＲＬ１を通る。

スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１を用いる場合には、スペーサＳＰ２１のうちスクライブラインＬＮ１１に対して両側にそれぞれ配置された２つの部分ＳＰ２２およびＳＰ２３が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に配置される。そのため、例えばスクライブ加工の際にマザー基板ＢＳＧまたはマザー基板ＦＳＧに加えられる力が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に分布することにより、容易にスクライブ加工を行うことができる。

このとき、表示パネル形成領域ＡＲ１の一部からなる基板ＢＳと、表示パネル形成領域ＡＲ２の一部からなり、シールＡＤＨにより基板ＢＳと接着された基板ＦＳと、が形成される。また、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＢＦ３、または、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＦＢ３は、シールＡＤＨの部分ＰＴ３により覆われる。また、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｙ軸方向における半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＢＦ２１、または、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｙ軸方向における端部ＦＢ２１は、スペーサＳＰ２１により覆われる。

一方、スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１２を用いる場合には、平面視においてスクライブラインＬＮ１２近傍に位置する基板ＢＳおよびＦＳのいずれもシールＡＤＨからの力を受けない。そのため、スクライブラインＬＮ１２を用いた場合でも、容易にスクライブ加工を行うことができる。

このとき、表示パネル形成領域ＡＲ１の全部からなる基板ＢＳと、表示パネル形成領域ＡＲ２の全部からなり、シールＡＤＨにより基板ＢＳと接着された基板ＦＳと、が形成される（図８参照）。また、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＢＦ３、または、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｘ軸方向における一方の側の端部ＦＢ３は、シールＡＤＨの部分ＰＴ３により覆われる。一方、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの、Ｙ軸方向における端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの、Ｙ軸方向における端部ＦＢ２は、シールＡＤＨから露出する。

すなわち、スクライブラインＬＮ１として、スクライブラインＬＮ１１およびＬＮ１２のいずれを用いる場合でも、容易にスクライブ加工を行うことができる。したがって、基板ＢＳの、Ｙ軸方向における半導体チップＣＨＰ側と反対側の側面ＳＳＢ２（図１０参照）の位置を、２つの位置の間で容易に変更することができるので、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。また、基板ＦＳの、Ｙ軸方向における半導体チップＣＨＰ側と反対側の側面ＳＳＦ２（図１０参照）の位置を、２つの位置の間で容易に変更することができるので、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。

一方、表示領域ＤＰＡに対してＸ軸方向における両側に設けられ、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としては、１種類のスクライブラインを用いることができる。このような場合、基板ＢＳの、Ｘ軸方向における両側面ＳＳＢ３およびＳＳＢ４（図１０参照）の位置は固定され、基板ＦＳの、Ｘ軸方向における両側面ＳＳＦ３およびＳＳＦ４（図１０参照）の位置は固定され、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４（図１０参照）の幅も固定される。

したがって、本実施の形態では、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を変更せずに、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅だけを変更することができる。このような場合、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がない。

好適には、スペーサ部ＳＰ２１は、Ｘ軸方向に延在する。これにより、Ｘ軸方向におけるいずれの位置でも、スクライブラインＬＮ１１が平面視においてスペーサＳＰ２１と重なるため、Ｘ軸方向におけるいずれの位置でも、例えばスクライブ加工の最適な条件が同じになる。また、スペーサＳＰ２１が、スクライブラインＬＮ１１を挟んで両側に跨って配置されることにより、基板集合体ＳＧの剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称性を有する。したがって、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。スクライブラインＬＮ１１のスペーサＳＰ２１は、分断された島状のものがＸ軸方向に点在するものであってもよい。スペーサＳＰ２１は対向する基板に接していない構成となっているが、接していてもよい。また、スペーサＳＰ２１自体を設けない構成であってもよい。

また、スクライブラインＬＮ１２を用いてスクライブ加工が行われる場合、好適には、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの端部ＦＢ２は、シールＡＤＨから露出する。シールＡＤＨが設けられている領域に比べ、シールＡＤＨが設けられていない領域の方が、スクライブ加工が容易な場合がある。このような場合には、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの端部ＦＢ２が、シールＡＤＨから露出していることにより、スクライブラインＬＮ１２において、容易にスクライブすることができる。

このとき、さらに好適には、基板集合体ＳＧには、平面視において、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１で、スクライブラインＬＮ１２を挟んで両側に配置された２つのスペーサＳＰ２としてのスペーサＳＰ２３が設けられていてもよい。２つのスペーサＳＰ２３が、スクライブラインＬＮ１２を挟んで両側に配置されることにより、基板集合体の剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ１２を中心として対称性を有する。したがって、スクライブラインＬＮ１２を用いてさらに容易にスクライブすることができる。

ただし、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１で、シールＡＤＨが設けられていないことは必須ではなく、領域ＲＬ１でも、シールＡＤＨが設けられていてもよい。したがって、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの端部ＦＢ２が、シールＡＤＨにより覆われていてもよい。

好適には、基板集合体ＳＧは、スペーサＳＰ２としてのスペーサＳＰ２４を有する。スペーサＳＰ２４は、Ｙ軸方向に延在する。Ｙ軸方向におけるいずれの位置でも、スクライブラインＬＮ２が平面視においてスペーサＳＰ２４と重なる。これにより、Ｙ軸方向におけるいずれの位置でも、例えばスクライブ加工の最適な条件が同じになる。また、スペーサＳＰ２４が、スクライブラインＬＮ２を挟んで両側に跨って配置されることにより、基板集合体ＳＧの剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ２を中心として対称性を有する。したがって、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。

好適には、基板集合体ＳＧは、アライメントマークＡＭ１を有する。アライメントマークＡＭ１は、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１またはマザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２に設けられる。また、アライメントマークＡＭ１は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、アライメントマークＡＭ１が、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と同じ位置に配置されるように、設けられる。すなわち、アライメントマークＡＭ１は、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と重畳するように、設けられる。表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第１の大きさでスクライブする際は、アライメントマークＡＭ１近傍を切断することになる。また、表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第１の大きさでスクライブする際は、スペーサＳＰ２１に沿ってスクライブすることになる。図１１および図１２に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１２と称する。

Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１１は、平面視において、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を通る。これにより、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を用いてスクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工を行うことができるので、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。

好適には、基板集合体ＳＧは、アライメントマークＡＭ２を有する。アライメントマークＡＭ２は、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１またはマザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２に設けられる。表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第２の大きさでスクライブする際は、アライメントマークＡＭ１よりも複数の画素から離間したアライメントマークＡＭ２近傍を切断することになる。また、アライメントマークＡＭ２は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、アライメントマークＡＭ２が、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆの端部ＢＦ２、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂの端部ＦＢ２と重なるように、設けられる。図１１および図１２に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２２と称する。

Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２は、平面視において、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を通る。これにより、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を用いてスクライブラインＬＮ２１でスクライブ加工を行うことができるので、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ１の形状と異なる形状を有するアライメントマークＡＭ２が設けられる。これにより、アライメントマークＡＭ１とアライメントマークＡＭ２とを誤認することを防止し、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２のうち、所望のスクライブラインを確実に選択してスクライブ加工を行うことができる。

図１１に示すように、アライメントマークＡＭ１１には、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ１１と、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ２１とが形成され、アライメントマークＡＭ２１には、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ３１は形成されているが、Ｘ軸方向に延在する溝部が形成されていない。これにより、アライメントマークＡＭ２１の形状を、アライメントマークＡＭ１１の形状と異ならせることができる。

また、平面視において、スクライブラインＬＮ１１が溝部ＴＲ１１を通るように配置し、スクライブラインＬＮ２が溝部ＴＲ２１およびＴＲ３１を通るように配置することができる。溝部ＴＲ１１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、溝部ＴＲ２１およびＴＲ３１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としては、１種類のスクライブラインを用いるため、溝部ＴＲ２１が形成されたアライメントマークＡＭ１１、および、溝部ＴＲ３１が形成されたアライメントマークＡＭ２１のいずれを用いてマザー基板ＢＳＧのスクライブ加工を行ってもよい。

図１２に示すように、アライメントマークＡＭ１２には、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ１２と、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ２２とが形成され、アライメントマークＡＭ２２には、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ３２は形成されているが、Ｘ軸方向に延在する溝部が形成されていない。これにより、アライメントマークＡＭ２２の形状を、アライメントマークＡＭ１２の形状と異ならせることができる。

また、平面視において、スクライブラインＬＮ１２が溝部ＴＲ１２を通るように配置し、スクライブラインＬＮ２が溝部ＴＲ２２およびＴＲ３２を通るように配置することができる。溝部ＴＲ１２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、溝部ＴＲ２２およびＴＲ３２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としては、１種類のスクライブラインを用いるため、溝部ＴＲ２２が形成されたアライメントマークＡＭ１２、および、溝部ＴＲ３２が形成されたアライメントマークＡＭ２２のいずれを用いてマザー基板ＦＳＧのスクライブ加工を行ってもよい。

なお、アライメントマークＡＭ１およびＡＭ２を用いて形状精度よく位置合わせができればよく、アライメントマークＡＭ１およびＡＭ２の形状として、図１１および図１２に例示した形状以外の各種の形状を用いることができる。また、後述する変形例で図１５および図１６を用いて説明するように、基板集合体ＳＧは、アライメントマークＡＭ３を有してもよい。

＜ダミーパターン＞
図１４は、実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。図１４は、図１１に示した領域、および、図１１に示した領域と隣り合う領域を示す。また、図１４は、マザー基板ＢＳＧの対向面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１などを示す。

なお、図１４では、図１１では図示していた層間樹脂膜ＩＬ１を除去して透視した状態を示す。また、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１の近傍、すなわち後述する禁止領域ＲＦ１にもダミーパターンＤＭ１が形成された場合の断面図が、図１３に相当する。また、図１４は、配線ＷＳの一部を示す。

図１４または図１３に示すように、基板集合体ＳＧは、複数の走査線ＧＬ（図４参照）または複数の信号線ＳＬ（図４参照）と同層に設けられた複数のダミーパターンＤＭ１を有する。複数のダミーパターンＤＭ１は、複数のダミーパターンＧＤおよび複数のダミーパターンＳＤを含む。複数のダミーパターンＧＤは、複数の走査線ＧＬと同層に設けられ、複数のダミーパターンＳＤは、複数の信号線ＳＬと同層に設けられている。複数のダミーパターンＧＤおよび複数のダミーパターンＳＤは、表示領域ＤＰＡの外部に設けられればよく、表示パネル形成領域ＡＲ１（図１３参照）の内部に設けられてもよく、表示パネル形成領域ＡＲ１の外部に設けられてもよい。

複数のダミーパターンＧＤおよび複数のダミーパターンＳＤは、以下に説明するように、パターンの面積率を調整するためのものである。したがって、複数のダミーパターンＧＤおよび複数のダミーパターンＳＤは、電気的に浮遊状態（フローティング状態）であることが好ましい。

アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が、例えば複数の走査線ＧＬ（図４参照）と同層に形成されている場合、表示領域ＤＰＡの内部において、複数の走査線ＧＬなどのパターンの面積率はある程度大きいが、表示領域ＤＰＡの外部では、複数の走査線ＧＬと同層に形成されるパターンの面積率が小さい。そのため、例えばクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の金属またはそれらの合金からなる導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、複数の走査線ＧＬと同層にパターンを形成する際に、表示領域ＤＰＡの内部または外部で、形成されるパターンの形状精度が低下するおそれがある。

一方、上記したように、複数のダミーパターンＧＤが、表示領域ＤＰＡの外部に設けられることにより、表示領域ＤＰＡの外部で複数の走査線ＧＬと同層に形成されるパターンの面積率を、表示領域ＤＰＡの内部で形成される複数の走査線ＧＬなどのパターンの面積率に近づけることができる。そのため、表示領域ＤＰＡの内部で形成される走査線ＧＬの形状精度、および、表示領域ＤＰＡの外部で複数の走査線ＧＬと同層に形成されるパターンの形状精度、のいずれをも向上させることができる。

あるいは、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が、例えば複数の信号線ＳＬ（図４参照）と同層に形成されている場合、表示領域ＤＰＡの内部において、複数の信号線ＳＬなどのパターンの面積率はある程度大きいが、表示領域ＤＰＡの外部では、複数の信号線ＳＬと同層に形成されるパターンの面積率が小さい。そのため、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる導電膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、複数の信号線ＳＬと同層にパターンを形成する際に、表示領域ＤＰＡの内部または外部で、形成されるパターンの形状精度が低下するおそれがある。

一方、上記したように、複数のダミーパターンＳＤが、表示領域ＤＰＡの外部に設けられることにより、表示領域ＤＰＡの外部で複数の信号線ＳＬと同層に形成されるパターンの面積率を、表示領域ＤＰＡの内部で形成される複数の信号線ＳＬなどのパターンの面積率に近づけることができる。そのため、表示領域ＤＰＡの内部で形成される信号線ＳＬの形状精度、および、表示領域ＤＰＡの外部で複数の信号線ＳＬと同層に形成されるパターンの形状精度、のいずれをも向上させることができる。

このとき、複数のダミーパターンＧＤのうち一部のダミーパターンＧＤ、または、複数のダミーパターンＳＤのうち一部のダミーパターンＳＤは、スクライブラインＬＮ１２を用いたスクライブ加工により形成された基板ＢＳに形成されていてもよい。すなわち、ダミーパターンＧＤまたはダミーパターンＳＤは、表示パネル形成領域ＡＲ１の内部であって、額縁領域ＦＬＡ２などの額縁領域ＦＬＡ（図１参照）の内部に設けられてもよい。

例えば、図１４および図１３にダミーパターンＳＤの例を示すように、ダミーパターンＧＤまたはＳＤが、平面視において、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１の内部、すなわち基板ＢＳの内部であって、スペーサＳＰ２１に対して、Ｙ軸方向における半導体チップＣＨＰ側と反対側に、すなわち額縁領域ＦＬＡ２２に、配置されていてもよい。例えばマザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、ダミーパターンＧＤまたはＳＤが、平面視において、スペーサＳＰ２１に対して、Ｙ軸方向における半導体チップＣＨＰ側と反対側に配置されるように、ダミーパターンＧＤまたはＳＤを、走査線ＧＬまたは信号線ＳＬと同層に形成してもよい。このような場合には、表示領域ＤＰＡの内部で形成される走査線ＧＬまたは信号線ＳＬの形状精度、および、ダミーパターンＧＤまたはＳＤの形状精度、のいずれをも向上させることができる。

なお、ダミーパターンＧＤまたはＳＤが、平面視において、基板ＢＳの内部であって、スペーサＳＰ２１に対して表示領域ＤＰＡと反対側に配置され、かつ、前述したように、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２が、複数の走査線ＧＬまたは複数の信号線ＳＬと同層に形成されていてもよい。このような場合には、表示領域ＤＰＡの内部で形成される走査線ＧＬまたは信号線ＳＬの形状精度、ダミーパターンＧＤまたはＳＤの形状精度、ならびに、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２の形状精度、のいずれをも向上させることができる。

また、好適には、ダミーパターンＧＤおよびＳＤは、平面視において、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１の近傍に配置されていない。これにより、例えばスクライバに設けられたカメラなどによりアライメントマークＡＭ１１またはＡＭ２１の近傍を撮像し、撮像された画像に基づいてスクライブ加工を行う位置を決定する際に、ダミーパターンＧＤおよびＳＤがアライメントマークＡＭ１１またはＡＭ２１として誤認されることを防止または抑制することができる。

図１４に示すように、ダミーパターンＧＤおよびＳＤが配置されることを禁止される禁止領域ＲＦ１は、アライメントマークＡＭ１１を中心としたカメラの撮像範囲ＲＭ１、アライメントマークＡＭ２１を中心としたカメラの撮像範囲ＲＭ２を内包することが好ましい。このとき、ダミーパターンＧＤおよびＳＤは、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１を内包する禁止領域ＲＦ１に配置されておらず、禁止領域ＲＦ１の外側の領域に配置されることになる。

＜表示装置の変形例＞
実施の形態では、表示装置がアライメントマークＡＭ１およびＡＭ２を有する例について説明した。一方、表示装置がアライメントマークＡＭ１およびＡＭ２に加え、アライメントマークＡＭ３を有する例について、表示装置の変形例として説明する。

図１５は、実施の形態の変形例の表示装置の額縁領域の平面図である。図１５は、図５に示す表示装置のうち、二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ３を拡大して示す。また、図１５は、基板ＢＳおよび基板ＢＳの対向面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１などを示す。なお、図１５では、図６では図示していた層間樹脂膜ＩＬ１を除去して透視した状態を示す。

図１５に示すように、本変形例の表示装置は、アライメントマークＡＭ３を有する。アライメントマークＡＭ３は、基板ＢＳの対向面ＢＳｆの半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＢＦ２、または、図１５では図示は省略するが、基板ＦＳの対向面ＦＳｂの半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＦＢ２（図７参照）に設けられ、アライメントマークＡＭ２と間隔を空けて配置されている。すなわち、アライメントマークＡＭ３は、基板ＢＳまたは基板ＦＳに設けられ、Ｙ軸方向において、アライメントマークＡＭ２と同じ位置に配置されている。図１５に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ３を、アライメントマークＡＭ３１と称する。

Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２は、平面視において、アライメントマークＡＭ２およびアライメントマークＡＭ３を通る。これにより、後述する図１６を用いて説明するように、スクライブ加工の位置精度をさらに向上させることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２の形状と異なる形状を有する。このとき、アライメントマークＡＭ３１に、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ４１が形成されることにより、後述する図１６を用いて説明するように、スクライブラインＬＮ１２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ３は、平面視において、アライメントマークＡＭ２の近傍に配置されていない。これにより、後述する図１６を用いて説明するように、例えばスクライブ加工を行う際に、アライメントマークＡＭ３がアライメントマークＡＭ２として誤認されることを、防止または抑制することができる。

図１６は、実施の形態の変形例の表示装置の製造工程中の平面図である。図１６は、図１０に示す基板集合体ＳＧのうち、二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ４を拡大して示す。また、図１６は、基板ＢＳおよび基板ＢＳの対向面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１などを示す。なお、図１６では、図１１では図示していた層間樹脂膜ＩＬ１を除去して透視した状態を示す。

図１６に示すように、本変形例では、基板集合体ＳＧには、アライメントマークＡＭ３が形成される。アライメントマークＡＭ３は、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆの端部ＢＦ２、または、図１５では図示は省略するが、マザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂの半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＦＢ２（図１２参照）に設けられる。また、アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２と間隔を空けて配置される。すなわち、アライメントマークＡＭ３は、表示パネル形成領域ＡＲ１または表示パネル形成領域ＡＲ２に設けられ、Ｙ軸方向において、アライメントマークＡＭ２と同じ位置に配置される。図１６に示すように、マザー基板ＢＳＧに形成されるアライメントマークＡＭ３を、アライメントマークＡＭ３１と称する。

Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２は、平面視において、アライメントマークＡＭ２およびアライメントマークＡＭ３を通る。これにより、Ｘ軸方向に互いに間隔を空けて配置されたアライメントマークＡＭ２およびＡＭ３を用いてスクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工を行うことができるので、アライメントマークＡＭ２のみが設けられている場合に比べ、スクライブ加工の位置精度をさらに向上させることができる。

好適には、アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２の形状と異なる形状を有する。このとき、アライメントマークＡＭ３の形状をアライメントマークＡＭ１の形状に類似した形状とすることができ、アライメントマークＡＭ３１に、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ４１を形成することができる。また、平面視において、スクライブラインＬＮ１２が、溝部ＴＲ４１を通るように配置することができる。

Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ４１が形成されたアライメントマークＡＭ３を用いる場合、Ｘ軸方向に延在する溝部が形成されていないアライメントマークＡＭ２を用いる場合に比べ、Ｙ軸方向における位置合わせ精度が向上する。したがって、アライメントマークＡＭ３に溝部ＴＲ４１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。

なお、アライメントマークＡＭ３を用いてスクライブ加工を行うことができればよく、アライメントマークＡＭ３は、表示パネル形成領域ＡＲ１の外部、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の外部に配置されていてもよい。したがって、アライメントマークＡＭ３は、表示パネル形成領域ＡＲ１の対向面ＢＳｆの半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＢＦ２に設けられていなくてもよく、マザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２の対向面ＦＳｂの半導体チップＣＨＰ側と反対側の端部ＦＢ２（図１２参照）に設けられていなくてもよい。図１６に示すように、アライメントマークＡＭ３は、表示パネル形成領域ＡＲ１の外部、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の外部に配置され、かつ、Ｙ軸方向において、アライメントマークＡＭ２と同じ位置に配置されていてもよい。

好適には、アライメントマークＡＭ３は、平面視において、アライメントマークＡＭ２の近傍に配置されておらず、アライメントマークＡＭ２は、平面視において、アライメントマークＡＭ３の近傍に配置されていない。

これにより、例えばスクライバに設けられたカメラなどによりアライメントマークＡＭ２の近傍を撮像し、撮像された画像に基づいてスクライブ加工を行う位置を決定する際に、アライメントマークＡＭ３がアライメントマークＡＭ２として誤認されることを、防止または抑制することができる。また、例えばスクライバに設けられたカメラなどによりアライメントマークＡＭ３の近傍を撮像し、撮像された画像に基づいてスクライブ加工を行う位置を決定する際に、アライメントマークＡＭ２がアライメントマークＡＭ３として誤認されることを、防止または抑制することができる。

なお、このとき、アライメントマークＡＭ３がアライメントマークＡＭ１として誤認されること、および、アライメントマークＡＭ１がアライメントマークＡＭ３として誤認されることも、防止または抑制することができる。

図１６に示すように、アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２の中心を中心とし、アライメントマークＡＭ２を内包する領域ＲＦ２に配置されておらず、領域ＲＦ２の外側の領域に配置される。一方、アライメントマークＡＭ２は、アライメントマークＡＭ３の中心を中心とし、アライメントマークＡＭ３を内包する領域ＲＦ３に配置されておらず、領域ＲＦ３の外側の領域に配置される。領域ＲＦ２のＸ軸方向およびＹ軸方向の各々における幅ＷＤ２、ならびに、領域ＲＦ３のＸ軸方向およびＹ軸方向の各々における幅ＷＤ３を、例えば２ｍｍ程度とすることができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施の形態においては、開示例として、上額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を１種類のフォトマスクを用いて製造可能な場合を例示したが、その他の適用例として、上額縁領域の幅が異なる３種類以上の表示装置を１種類のフォトマスクを用いて製造可能な場合にも適用可能である。また、前記実施の形態では、それぞれの基板は四角形（矩形）であるが、多角形、円形、楕円形、或いは、多角形のいくつかの辺が弧を描いている形状であってもよい。例えば、円形のパネルと、円形の一部が直線となったパネルとを、本願発明により、１種類のマスクで形成することが可能となる。

また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明は、表示装置に適用して有効である。

ＡＤＨ シール
ＡＤＨ１ シール材
ＡＦ１、ＡＦ２ 配向膜
ＡＭ１、ＡＭ１１、ＡＭ１２ アライメントマーク
ＡＭ２、ＡＭ２１、ＡＭ２２、ＡＭ３、ＡＭ３１ アライメントマーク
ＡＲ１、ＡＲ２ 表示パネル形成領域
ＢＦ２、ＢＦ２１、ＢＦ３ 端部
ＢＭ 遮光膜
ＢＳ、ＦＳ 基板
ＢＳｂ、ＦＳｆ 背面
ＢＳｆ、ＦＳｂ 対向面
ＢＳＧ、ＦＳＧ マザー基板
ＢＳｓ１〜ＢＳｓ４ 辺
ＣＣ 駆動回路
ＣＥ 共通電極
ＣＦ カラーフィルタ
ＣＦｂ、ＣＦｇ、ＣＦｒ カラーフィルタ画素
ＣＧ 走査線駆動回路
ＣＨＰ 半導体チップ
Ｃｌｃ 容量
ＣＭ 共通電極駆動回路
ＣＳ 映像線駆動回路
ＣＴＬ 制御回路
ＤＭ１、ＧＤ、ＳＤ ダミーパターン
ＤＰ 表示部
ＤＰＡ 表示領域
ＦＢ２、ＦＢ２１、ＦＢ３ 端部
ＦＬ 額縁部
ＦＬＡ、ＦＬＡ１、ＦＬＡ２、ＦＬＡ２１、ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４ 額縁領域
ＧＬ 走査線
ＩＦ０、ＩＦ１、ＩＦ２ 絶縁膜
ＩＬ１ 層間樹脂膜
ＬＣＤ１ 表示装置
ＬＣＬ 液晶層
ＬＮ１、ＬＮ１１、ＬＮ１２、ＬＮ２、ＬＮ２１ スクライブライン
ＬＳ バックライト
ＯＣ１ 樹脂層
ＯＣ２ 絶縁層
ＯＰ１、ＯＰ２ 開口部
ＰＤＡ 表示領域
ＰＥ 画素電極
Ｐｉｘ 画素
ＰＬ１、ＰＬ２ 偏光板
ＰＴ１、ＰＴ２、ＰＴ２１、ＰＴ２２、ＰＴ３、ＰＴ４、ＰＴ５ 部分
ＲＦ１ 禁止領域
ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＧ１〜ＲＧ４、ＲＬ１ 領域
ＲＭ１、ＲＭ２ 撮像範囲
ＳＧ 基板集合体
ＳＨＥ シールド電極
ＳＬ 信号線
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ２１〜ＳＰ２４ スペーサ
ＳＰｉｘ 副画素
ＳＳＢ１〜ＳＳＢ４、ＳＳＦ１〜ＳＳＦ４ 側面
ＴＲ１１、ＴＲ１２、ＴＲ２１、ＴＲ２２、ＴＲ３１、ＴＲ３２、ＴＲ４１ 溝部
Ｔｒｄ トランジスタ
ＷＤ１、ＷＤ１１、ＷＤ２、ＷＤ３ 幅
ＷＧ、ＷＳ 配線

Claims (10)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールと、
   を有する表示装置であって、
   前記第１基板は、
   第１領域と、
   平面視において、前記第１領域に対して第１方向における第１の側に配置された第２領域と、
   を含み、
   前記第１領域内には複数の画素が配置され、
   前記シールは、
   平面視において、前記第２領域内の第１部分および第２部分に設けられ、
   前記第１部分は、スペーサに対して前記第１領域側に配置され、
   前記第２部分は、前記スペーサを挟んで前記第１領域と反対側に配置され、
   前記スペーサは、前記第１部分と前記第２部分との境界において、前記第２基板の第１端部から第２端部に亘って形成されており、前記スペーサの前記第１部分側と前記第２部分側とは前記シールと接している、表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置であって、
   前記第１基板または前記第２基板に設けられた第１アライメントマークを有し、
   前記第１アライメントマークは、前記第１方向において、前記スペーサと重畳している、表示装置。
3. 請求項２記載の表示装置であって、
   前記第１アライメントマークは、前記第１部分と前記第２部分との境界において、前記第１部分に設けられており、
   第２アライメントマークが、前記第２部分における、前記第１基板または前記第２基板の第３端部に設けられている、表示装置。
4. 請求項１ないし３の何れかに記載の表示装置であって、
   前記第１基板に設けられた複数の走査線と複数の信号線と、を有し、
   前記複数の走査線、または、前記複数の信号線と同層に設けられたパターンが、平面視において、前記第２部分に配置されており、
   前記パターンはフローティングである、表示装置。
5. 請求項１又は２に記載の表示装置であって、
   前記第２部分における、前記第１基板の第３端部と前記第２基板の第４端部とは、前記シールから露出している、表示装置。
6. 請求項３記載の表示装置であって、
   前記第２アライメントマークは、平面視において、前記第１アライメントマークの形状と異なる形状を有する、表示装置。
7. 請求項１記載の表示装置において、
   前記スペーサは、複数の走査線の延在方向に点在する複数の島状のスペーサである、表示装置。
8. （ａ）第１マザー基板の複数の基板形成領域のそれぞれに複数の画素を設ける工程、
   （ｂ）第２マザー基板の複数の基板形成領域のそれぞれにスペーサと第１アライメントマークと第２アライメントマークとを設ける工程、
   （ｃ）前記第１マザー基板と前記第２マザー基板とをシールにて貼り合わせる工程、
   （ｄ）前記基板形成領域を第１の大きさでスクライブするか、或いは、前記第１の大きさよりも大きい第２の大きさでスクライブするか、を決定する工程、
   （ｅ）前記スクライブにより、前記第１マザー基板と前記第２マザー基板とを、複数の表示パネルに分断する工程、
   を有する、表示装置の製造方法。
9. 請求項８記載の表示装置の製造方法において、
   前記第１の大きさでスクライブする際は、前記第１アライメントマーク近傍を切断し、
   前記第２の大きさでスクライブする際は、前記第１アライメントマークよりも前記複数の画素から離間した前記第２アライメントマーク近傍を切断する、表示装置の製造方法。
10. 請求項８又は９記載の表示装置の製造方法において、
    前記第１の大きさでスクライブする際は、前記スペーサに沿ってスクライブする、表示装置の製造方法。

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