JP3048565B1 - めっきレジストの露光方法とその装置 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 層間でバイアホールを介する導体回路の形成
に位置ずれのない、接続性、信頼性に優れるプリント配
線板を得るためのプリント配線板の露光方法とその装置
を提案する。 【解決手段】 露光装置は、基板３０の位置合わせを行
う基板移動制御部２１と、マスクの位置合わせを行うマ
スク移動制御部１８と、カメラ１０にて撮像された画像
を処理する画像処理部１６と、該画像処理部１６で処理
された画像に基づき、マスク移動制御部１８及び基板移
動制御部２１に位置補正指令を与える制御装置１９とを
備える。下部に導体回路３４を配設しない位置決めマー
ク５５へ光を照射するため、反射光のコントラスト差が
大きく、該カメラ１０は、該位置決めマーク５５を鮮明
に撮像できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジストパター
ン形成の位置決めマークを反射式による画像処理によっ
て行うプリント配線板の露光方法及び露光装置に関し、
特に、めっき膜を施し、ドライフィルムを貼り付けた位
置決めマークを反射式による画像処理を行うことがで
き、位置きめマークの読み込みに優れ、回路の形成の精
度に優れるプリント配線板の露光方法およびその装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線
板の製造方法は、未硬化の層間樹脂絶縁材（無電解めっ
き用接着剤）をロールコータにより塗布し、これを乾
燥、硬化させ、ついでバイアホールを形成して、めっき
を施して導体回路を形成する。

【０００３】このビルドアップ多層プリント配線板の製
造工程について、図１６を参照して説明する。内層導体
回路１２４ａと位置決めマーク１２４ｂとの形成された
基板１２０に、層間樹脂絶縁層１３８を塗布する（図１
６（Ａ））。そして、該層間樹脂絶縁層１３８にエッチ
ィグによりバイアホール形成用開口部１３６を穿設する
（図１６（Ｂ））。その後、無電解めっきにより均一に
めっき層１４０を形成する（図１６（Ｃ））。

【０００４】そして、ドライフィルム１４１を載置した
後、所定パターン１５３ａの形成されたフォトマス１５
３にて、該ドライフィルム１４１を露光する（図１６
（Ｄ））。ドライフィルム１４１の露光部分を溶剤によ
り除去し、レジスト１４２を形成する（図１６
（Ｅ））。そして、レジスト非形成部にめっき１４４を
形成する（図１６（Ｆ））。その後、レジスト１４２、
及び、該レジスト１４２の下層のめっき膜１４０を除去
することで、バイアホール１４７を形成する（図１６
（Ｇ））。

【０００５】ここで、フォトマスク１５３は、層間樹脂
絶縁層（ドライフィルム）１４１下の導体回路１２４ａ
と正確に整合する位置に載置しなければならない。この
ために基板１２０側に位置決めマーク１２４ｂを形成す
ると共に、フォトマスク１５３側に位置決めマーク１５
３ｂを形成しておき、画像処理技術により、位置決めマ
ークを認識し、両者を合わせることにより、フォトマス
クフィルムの位置合わせを行う。即ち、図１６（Ｄ）に
示すように、下方から光を照射し、該基板１２０側の位
置決めマーク１２４ｂとフォトマスク１５３側の位置決
めマーク１５３ｂとの透過光を上方のカメラ２００にて
監視し、両者を重ねるようにすることで、フォトマスク
フィルム１５３の位置合わせを行っている。

【０００６】しかし、上記製造方法では、層間樹脂絶縁
層１３８の表面全体に無電解めっき膜１４０を形成し、
その無電解めっき膜１４０上に感光性ドライフィルム１
４１を圧着するため、無電解めっき膜１４０が邪魔にな
り、上述した透過光を用いる位置決めマークの認識が困
難である。このため、層間絶縁層上に無電解銅めっきで
金属膜を形成する前に、ドライフィルムレジストの露光
用の位置決めマークの該当する部分をテープなどでマス
キングをし、無電解めっき後、マスキングを外してか
ら、ドライフィルムを張り付けして、ガラスマスクとマ
スキング部分を外した位置決めマークによって、位置合
わせを行っていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トパターン形成の位置決めマークをマスキングする方法
は、マスキングの位置がずれたり、めっき中にマスキン
グ部分が外れたり、或いは、剥がれたりした場合は、位
置決めマークの一部分がめっき膜で覆われ、自動認識が
不可能になることがある。また、マスキングを行うと、
着脱時に基板に異物を付着させることがあり、歩留まり
を下げる原因となる。

【０００８】更に、上記透過光を用いる位置決めは、図
１６（Ｄ）に示すように層間樹脂絶縁層１３８の下側に
配設された位置決めマーク１４２ｂに対して位置決めを
行う。即ち、層間樹脂絶縁層１３８に形成されたバイア
ホール用開口１３６に対して位置合わせを行う訳ではな
いため、該開口１３６に対する位置合わせの精度が低か
った。

【０００９】そこで、本発明者は、反射光を用いて位置
決めマークを検出する方法を案出し、特願平９−３２０
３１６号にて提案した。この方法では、位置決めマーク
としてリング状の凹部を形成させた後、めっき膜を施し
て、ドライフィルムを貼りつけ、上方から光りを照射し
て、凹部（位置決めマーク）と他のめっき部分との反射
量の相違に基づいて、基板とガラスマスクとの位置合わ
せを行う。

【００１０】しかし、ドライフィルムを施すと、凹部と
その他のめっき部分とは、反射量の差が小さく、反射式
による画像処理による位置合わせ、露光処理において、
位置決めマークの認識に時間を要すると共に、位置合わ
せの精度に欠けた。また、アニール処理などによって、
位置決め用の凹部のめっきに、他のめっき部分より濃い
部分ができた場合、また、ドライフィルムの圧着時のフ
クレによりリング部分に欠損が生じた場合など、位置決
めマークを認識できないこともあった。

【００１１】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、層間で
バイアホールを介する導体回路の形成に位置ずれのな
い、接続性、信頼性に優れるプリント配線板を得るため
のプリント配線板の露光方法とその装置を提案すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らが、鋭意研究
した結果、位置決めマーク用のリング状の凹部の下部に
金属層（導体回路）を形成しないことによって、反射式
の画像処理による位置決めマークの画像認識が正確に行
えることが分かった。即ち、上層の層間樹脂絶縁層との
密着性を改善するために粗化処理を施すが、この粗化処
理の結果、表面が黒化したり、露出した金属層によって
光を反射し難くなる。そして、リング状の凹部に被覆さ
れる無電解めっき膜は非常に薄いため、光を透過し、該
無電解めっき膜の下に黒化した導体回路が配設されてい
ると、該凹部でも光の反射量が少なくなっていることが
判明した。

【００１３】このため、下部に導体回路を配設しないリ
ング状の凹部の位置決めマークは、反射式による画像処
理を行うと、他のめっき膜部分に比べコントラストの差
が大きいため、マークの認識が確実、正確に行える。そ
れにより、当該位置決めマークは、該リング状の凹部の
下部に金属層が形成された位置決めマークより、精度よ
く画像認識できることが分かった。

【００１４】なお、本発明においては、位置決めマーク
を環状（リング状）に凹部を層間樹脂絶縁層に形成し、
該凹部内に無電解めっき膜を設けて、これを位置決めマ
ークとする。ここで、リング状に形成するのは、無電解
めっき膜上に感光性ドライフィルムを圧着しても、凹部
の内部にはドライフィルムは接触しないため、感光性ド
ライフィルムが接触する無電解めっき膜と感光性ドライ
フィルムが接触しない無電解めっき膜の反射率の相違に
より、リング状の位置決めマークを認識できるからであ
る。即ち、リング状の凹部の幅を小さくできるため、感
光性ドライフィルムの入り込みがなく、ドライフィルム
の圧着により、位置決めマークが認識できなくなること
がない。しかも、リングの直径が位置決めマークの大き
さとして認識されることになるため、画像処理技術に伴
う量子化誤差による位置決め精度を低下させることもな
い。

【００１５】凹部の幅は、１００〜３００μｍが望まし
い。この理由は、１００μｍ未満では、幅が小さすぎて
読み取りにくく、３００μｍを超えるとめっきレジスト
の付着を招くからである。なお、本発明の位置決めマー
クは、上記理由からリング状の凹形状であることが望ま
しいが、円等の単純な凹状であっても用いることができ
る。

【００１６】そして、位置決めマーク用のリング状の凹
部の下部部分に金属層を形成しない方法は、あらかじめ
金属層を形成しない、あるいは、金属層を形成した部分
を、エッチング、パンチング等により除去するのもよ
い。即ち、位置決めマーク位置に金属層を形成しない場
合には、当該位置の層間樹脂絶縁層又はコア基板の上に
層間樹脂絶縁層が形成されることになる。

【００１７】一方、基板の強度の確保してソリを防止す
るために下部分の金属層を除去しない場合は、反射式の
画像処理によるコントラストの差が出るように、該リン
グ状の凹部の下部に、ニッケル、スズなどの金属層を形
成することも可能である。また、凹部の下部の金属層に
コントラストの差が出る色（例白、銀色）を印刷などで
塗布するといった方法を取るのもよい。反射式の画像処
理におけるコントラストの差が、リング状の凹部とそれ
以外の部分とで差が出るのであれば、方法は特に規定し
ない。

【００１８】また、形成される環状（リング状）の凹部
の形状は、円形（含む楕円）、三角形、四角形以上の多
角形、十字、星型を採用することができ、また、これら
の形状を二重線として形成することもできる。リング状
の凹部の下部部分のコントラストがリング状の凹部以外
部分と異なるものであれば、特に問題ない。特に、層間
絶縁層のバイアホールの形成と同じように行う場合は、
円形がよい。その理由としては、形状に角がないので露
光、現像でのコーナークラックが起きないのに加えて、
レーザーでも切削が行えるからである。

【００１９】反射式に撮像された画像の処理方法は、デ
ジタル処理による「二値化処理」とアナログ処理による
「グレー処理」と呼ばれる２通りの方法が検討された。
「二値化処理」と呼ばれるものものは、位置決めするマ
ークとそのマーク以外の部分とのコントラストの差を二
値（白／黒）判定することにより、画像処理で認識し
て、基板、基板とマスクの位置決めを行うものである。
具体的には、位置決めマークを上部から光を照射すると
共に画像認識用のカメラによって撮像し、反射量の多い
位置決めマーク（リング状の凹部分）を白と、その他の
ドライフィルムで覆われた反射量の少ないめっき部分
（リング状の凹部部分以外）を黒と判定することによ
り、位置決めマーク（白）を認識し、基板、基板とマス
クとを位置合わせする。

【００２０】一方、「グレー処理」と呼ばれるものは、
位置決めするマークとそのマーク以外の部分とのコント
ラストの差を明るさの変化率（変位点）の差として判定
することにより、画像処理で認識して、基板、基板とマ
スクの位置決めを行うものである。具体的には、位置決
めマークを上部から画像認識用のカメラによって撮像
し、位置決めマーク（リング状の凹部分）と、その他の
ドライフィルムで覆われためっき部分との明るさの差を
コントラストの差として判定することにより、位置決め
マークを認識し、基板とマスクとの位置を合わせる。

【００２１】反射式の画像処理は、二値化、グレー処理
のどちらを用いてもよく、その選択は、形成するリング
状の凹部の形状、大きさ、深さといったリングを形成す
る要因、使用するドライフィルムの色、厚み、層間絶縁
層の色、厚み、粗度といった画像認識する際の要因によ
って異なる。二値化は、画像処理が容易であり、処理時
間が短縮できる利点がある。一方、リングの形状の不具
合（欠け、ドライフィルムの溶出）、コントラストの差
が比較的不明瞭場合といった認識の要因の変化対して
は、明るさの変化率で判定するグレー処理の方が適して
いる。

【００２２】本発明の位置決めマークを用いたプリント
配線板の製造方法について、説明をする。少なくとも以
下の金属層形成工程〜導体回路工程を経て一層が形成さ
れるが、導体回路形成工程後に、層間樹脂絶縁層形成工
程〜導体回路形成工程を繰り返すことにより、更に上層
を形成することもできる。

【００２３】金属層形成工程−予め回路が形成され、位
置決めマークを形成の下部部分の金属層を除いた基板を
形成する。該当部分を除いた金属層は、予め回路を形成
する際、位置決めマークに該当する部分に金属層を形成
しない方法により形成できる。或いは、金属層を除く部
分以外をマスキングして、エッチング液に浸漬する方法
といった種々の方法でリング状凹部の下部分における金
属層を除去することも可能である。また、金属層を配設
しない代わりに、位置決めマークの配設される金属層の
反射率を高め、リング状部分のコントラストを他の部分
と変えることもできる。例として、位置決めマーク部分
に該当金属層部分をニッケル層などを施す、または、コ
ントラストを変えるために塗料を塗布するといった方法
によって行う。

【００２４】前述の金属層の除去範囲は、位置決めマー
クのリング状の凹部分のみ除去するのも、その位置決め
マーク部分より、大きく除去してもよい。しかし、層間
絶縁層のリング状の凹部の形成の際、リングの幅が広が
った場合でも、画像認識への影響が少なくなるように、
該当部分のみ除去する方法の方が望ましい。

【００２５】また、金属層の除去部分は、四隅に少なく
とも３ヶ所以上形成する方がよい。２ヶ所では基板とマ
スクとの位置決め精度には、難があり、５個以上である
と画像認識する時間が係る割に、３〜４ヶ所のものより
特に精度を高めることができないからである。

【００２６】層間樹脂絶縁層形成工程−位置決めマーク
に該当する部分の金属層を除去した基板上に層間絶縁層
を形成する。層間絶縁樹脂の厚みは、１５〜６０μｍの
範囲で形成するのがよい。

【００２７】凹部形成工程−層間絶縁樹脂層にバイアホ
ールと位置決めマークのリング状の凹部とを同時に形成
する。リング状の凹部は、下部の金属層を除去した部分
に形成させる。形成方法はバイアホールの形成と同時に
行うのがよい。よって、予めバイアホールを形成させる
孔用の黒円と位置決めマーク用のリング状を形成したガ
ラスマスクを層間絶縁層上に載置して、露光、現像した
後、硬化を経て、バイアホールとリング状の凹部とを形
成させる。また、露光、現像、硬化を経てバイアホール
が形成された層間絶縁層上に炭酸ガスなどのレーザで位
置決めマークを穿孔してもよい。

【００２８】位置決めマーク形成工程−層間絶縁層の表
面、バイアホール内およびリング状の凹部にめっき膜を
施す。形成するめっき膜は無電解めっきで、銅、ニッケ
ル、スズ、鉄などで厚み０．１〜３μｍの範囲で形成す
るのがよい。その中でも、銅で厚み０．５〜２μｍの間
で形成するのが、めっき膜の析出の安定性、汎用性など
の点で優れている。

【００２９】また、めっき膜は、光沢が不均一であり、
位置決めマークのリング状凹部のめっきが、光沢の不均
一によりドライフィルムの圧着後の画像認識ができない
ことがある。このため、めっき膜の光沢を均一にすると
共にめっき膜と層間樹脂絶縁層との密着を向上させるよ
う、めっき膜形成後、アニール処理、酸処理、或いは、
０．１μｍ程度のエッチングを行う酸化膜除去処理を行
うのも好適である。前述のアニール処理の条件として
は、温度５０〜２５０℃で１０分以上加熱するのがよ
い。めっき液の組成、めっき膜の厚み、層間絶縁層の粗
度等の因子によっては、アニール条件として低い温度か
ら、順次温度を上昇させていくのもよい。酸化膜除去処
理としては、１０ｗｔ％の硫酸溶液や０．１μｍ程度を
エッチングさせる方法がある。アニール処理の後、酸化
膜除去処理を行うことにより、めっき膜の光沢の均一性
を向上されるので、画像認識を精度よく行うことができ
る。

【００３０】ドライフィルム圧着工程−めっき膜上に感
光性ドライフィルムを圧着する。位置決合わせ工程−反
射式による画像処理による基板、基板とマスクとの位置
合わせを行い、露光してめっきレジストパターンを形成
させる。その反射式の画像処理は、上述した二値化処
理、又は、グレー処理で行われる。その画像処理及び露
光の方法は以下の［１］〜［７］の順序で行われる。

【００３１】[１］めっき膜を施しドライフルイムを貼
り付けた基板に形成された位置決めマーク用のリング状
の凹部へ正面から照明を当てて、反射光をカメラによっ
て撮像する。その際、カメラに固定されたリング状の照
明器にてリング状の凹部の照明を当てて撮像してもよい
（一回目の撮像粗位置合わせ）。撮像は、一台のカメラ
で複数の位置決めマークを順次行って行くことも、複数
のカメラで各位置決めマークを同時に撮像することも可
能である。

【００３２】[２］マスクを介して基板の位置決めマー
クを撮像し、撮影した映像をテレビモニターに映し出
す。 [３］位置決めマークの位置ずれ距離、角度を演算し
て、その演算された距離、角度のデータを基板、マスク
または、基板保持側とマスク保持側の両方へ送信して、
機械的に位置補正をする。 [４］次に、照明が当てられた基板の位置決めマークと
マスクに印刷された黒円とを同時にカメラによって撮像
する（２回目の撮像位置合わせ）。 [５］［２］、［３］と同様に行い、基板とマスクを位
置合わせを行う。 [６］［５］で位置合わせが終わった基板をマスクへ密
着させた後、基板の位置決めマークとマスクの黒円をカ
メラで再び撮像して、モニターに映し出して位置めマー
クとマスクとの位置を確認する（３回目の撮像位置
確）。 [７］必要に応じて、照明、カメラなどをずらした後、
露光を行う。マスクと基板を離して、その後、アルカリ
溶液などによって現像を行うことより、配線形成用のめ
っきレジストパターンが基板に施される。

【００３３】上記［１］〜［７］の工程は露光装置によ
り行われる。該露光装置は、位置決めマークを基板上部
から光を照射するランプ、光の照射された基板の位置決
めマーク、またはマスクの黒円を撮像するための画像認
識用カメラ、カメラの撮像した位置決めマークを画像処
理して映し出すモニター、撮像した位置決めマークから
基板又はマスクの位置補正距離を演算する演算装置、演
算装置の演算した位置補正距離に従い基板または、基板
とマスクの位置を機械的に補正する装置を少なくとも１
台は有してしている。装置によっては、位置決めマーク
毎に、光源用ランプとカメラとを備えることもできる。

【００３４】導体回路形成工程一反射式による画像処理
を行って露光・現像されためっきレジストにて回路パタ
ーンが形成された基板に、電解めっきを施す。その後、
アルカリ溶夜でドライフィルムを剥離し、めっき膜をエ
ッチングによって除去して、導体回路を形成させる。な
お、必要に応じてエッチング後、酸や酸化力のある過マ
ンガン酸塩、クロム酸などでＰｄ触媒を除去してもよ
い。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るプリ
ント配線板及びその製造方法、及び、該プリント配線板
のめっきレジストの露光方法及び露光装置について図を
参照して説明する。先ず、本実施例に係る露光装置の構
成について、図９〜図１２を参照して説明する。図９
は、該露光装置を用いる製造ラインを示し、図１０は、
露光装置の構成を示し、図１１及び図１２は、露光装置
のカメラによる位置決めマークの撮像を示している。

【００３６】図９は、プリント配線板３０の製造ライン
における露光工程を上方から見た状態を示している。図
中に示すように、基板３０は、後述するようにめっきレ
ジスト用の感光性ドライフィルム（図示せず）が付着さ
れた状態で、図示しない搬送機構により水平方向（図中
の上下方向）に搬送され、露光装置により、露光され
る。ここで、露光装置には、超高圧水銀灯１４と、該超
高圧水銀灯１４からの紫外線照射をオン・オフする遮光
シャッタ１３と、紫外線をマスク１２に対して垂直に照
射させるための平行光用ミラー１２とを備え、該マスク
１２に描かれた回路パターンを基板３０の感光性ドライ
フィルムに露光する。この露光装置には、基板３０及び
マスク５３に配設された位置決めマークを撮像するため
のカメラ（モリテックス社製 カメラレンズ ＭＬ−５
０１８）１０が４台備（図中２台のみ示す）えられてい
る。なお、図９では、カメラ１０により位置決めマーク
を撮像して、位置合わせを完了し、該カメラを待避させ
て、露光を開始した状態を示している。

【００３７】このカメラ１０による基板３０及びマスク
５３の位置決めマークの撮像について、図１２（Ａ）を
参照して説明する。カメラ１０には、ＬＥＤをリング状
に配設してなる照明器１１が固定され、該照明器１１か
らの光が、マスク５３の位置決めマーク５３ａ及び基板
３０の位置決めマーク５５へ照射され、該位置決めマー
ク５５からの反射光をカメラ１０により撮像し、図示し
ない調整装置により、基板３０及びマスク５３のＸ、
Ｙ、θ方向の位置合わせを行う。ここで、基板３０及び
マスク５３の位置決めマークは、４隅に配置されてお
り、４台のカメラ１０（図中には１台のみ示す）にて同
時に撮像する。

【００３８】当該露光装置の構成部品について、図１０
を参照して説明する。露光装置は、図１２を参照して上
述したように、基板３０のＸ、Ｙ、θ方向の位置合わせ
を行う基板移動制御部２１と、マスクのＸ、Ｙ、θ方向
の位置合わせを行うマスク移動制御部１８と、カメラ１
０にて撮像された画像を二値化処理あるいはグレー処理
する画像処理部１６と、該画像処理部１６で処理された
画像に基づき、マスク移動制御部１８及び基板移動制御
部２１に指令を与え上記基板３０及びマスクのＸ、Ｙ、
θ方向の位置合わせを行う制御装置１９と、カメラ１０
の位置調整を行うカメラ移動制御部１７と、カメラ１０
にて撮像された位置決めマークを映し出すテレビモニタ
ー２０とを備える。

【００３９】引き続き、該露光装置を用いて製造される
プリント配線板について説明する。図８は第１実施例に
係るプリント配線板１０の断面を示している。プリント
配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が
形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形
成されている。また、該導体回路３４の上には、バイア
ホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹
脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層
５０の上には、バイアホール１６０が形成された上層層
間樹脂絶縁層１５０が配置されている。

【００４０】プリント配線板１０の上面側には、図示し
ないＩＣチップのランドへ接続するための半田バンプ７
６Ｕが配設されている。一方、下面側には、図示しない
ドーターボードのランドに接続するための半田バンプ７
６Ｄが配設されている。

【００４１】基板３０の四隅（図中１カ所のみ示す）に
は、層間樹脂絶縁層５０に導体回路５８及びバイアホー
ル６０を形成する際の位置決めマーク５５、及び、層間
樹脂絶縁層１５０にバイアホール１６０を形成するため
の位置決めマーク１５５が形成されている。位置決めマ
ーク５５は、当該位置決めマークを撮影した写真（スケ
ッチ）である図１５（Ｃ）からも分かるように、層間樹
脂絶縁層５０にリング状に凹部を形成してなり、該凹部
に無電解銅めっき膜が塗布されている。なお、図８中で
は、該凹部の無電解めっき膜は、位置合わせ後に除去さ
れた状態を示している。ここで、該リング状凹部からな
る位置決めマーク５５の下部には、コア基板の導体回路
３４が除去されている。これは、導体回路３４の表面が
後述するように黒化された金属層が露出する。該導体回
路３４が残っていると、無電解めっき膜を透過した光が
吸収されて、反射光による撮像が困難になるからであ
る。

【００４２】また、該位置決めマーク５５に隣接して、
層間樹脂絶縁層１５０にバイアホール１６０を形成する
ための位置決めマーク１５５が形成されている。該リン
グ状凹部からなる位置決めマーク１５５の下部には、層
間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８及びコア基板の導体
回路３４が除去されている。これは、反射光による撮像
を容易にするためである。

【００４３】引き続き、図８を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。ここでは、先ず、Ａ．無電解めっき用接着剤、
Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤調製用のの原料組
成物について説明する。

【００４４】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックス
Ｍ３１５ ）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ製、
Ｓ−６５）０．５ 重量部、ＮＭＰ ３．６重量部を攪
拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポ
ール）の平均粒径 １．０μｍのものを ７．２重量
部、平均粒径 ０．５μｍのものを３．０９重量部、を
混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズ
ミルで攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー
製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤
（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２ 重量部、ＮＭＰ
１．５重量部を攪拌混合して得た。

【００４５】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックス
Ｍ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６
５）０．５ 重量部、ＮＭＰ ３．６重量部を攪拌混合
して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポ
ール）の平均粒径 ０．５μｍのものを １４．４９重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー
製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤
（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２ 重量部、ＮＭＰ
１．５ 重量部を攪拌混合して得た。

【００４６】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量３１０ 、ＹＬ９８３Ｕ） １
００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティン
グされた平均粒径 １．６μｍのＳｉＯ_２ 球状粒子
（アドマテック製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ、ここで、
最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（１
５μｍ）以下とする） １７０重量部、レベリング剤
（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１．５ 重量部を攪
拌混合することにより、その混合物の粘度を２３±１℃
で４５，０００〜４９，０００ｃｐｓ に調整して得
た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５ 重量部。

【００４７】Ｄ．プリント配線板の製造 （１） 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の
両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張
積層板３０Ａを出発材料とした（図１の工程（Ａ））。
まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔して通孔３３
を穿設した後、無電解めっき処理及び電解めっき処理を
施し、スルーホール３６を形成する。その後、パターン
状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パ
ターン（導体回路）３４を形成する（工程（Ｂ））。こ
の際に、図８を参照して上述した位置決めマークの下部
αは、導体回路３４をリング状に除去しておく。ここ
で、位置決めマークの下部αをリング状に除去するの
は、円形に導体回路３４を除去するよりも、中央に導体
回路３４を残して置くことで、基板隅部の強度を低下さ
せないようにするためである。ここでは、位置決めマー
クの下部αの導体回路を除去したが、該導体回路をめっ
き等により析出させる場合には、レジスト配設しておく
ことで、導体回路を形成しないようにすることもでき
る。

【００４８】（２） 内層銅パターンおよびスルーホー
ルを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒
化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＣｌＯ
_２ （４０ｇ／ｌ）， Ｎａ_３ＰＯ_４（６ｇ／ｌ）、還
元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＢＨ
_４ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、内層
銅パターン３４およびスルーホール３６の表面に粗化層
３８を設けた（工程（Ｃ））。

【００４９】（３） Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成
物を混合混練して樹脂充填剤を得た。

【００５０】（４） 前記（３） で得た樹脂充填剤４
０を、調製後２４時間以内に導体回路３４間の凹部部分
あるいはスル−ホ−ル３６内に塗布、充填した（工程
（Ｄ））。塗布方法として、スルーホールおよび導体回
路間の凹部部分が開口したマスク（図示せず）を基板上
に設置した後、スキ−ジを用いた印刷によって、マスク
の開口部内に樹脂充填材を押し込んだ。１回目の印刷塗
布で、スルホ−ル３６および導体回路３４の形成で生じ
た凹部に樹脂充填材を充填して後、乾燥炉内の温度１０
０ ℃で２０分間乾燥させた。また、２回目の印刷塗布
は、１回目の塗布した裏面の導体回路３４の形成で生じ
た凹部に樹脂充填材を充填させたあと、前述の乾燥条件
で乾燥させた。

【００５１】（５） 前記（４）の処理を終えた基板３
０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）
を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の上
面よりはみ出した樹脂充填剤４０を研磨し、次いで、前
記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研
磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面に
ついても同様に行った（工程（Ｅ））。次いで、１００
℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹
脂充填剤を硬化した。

【００５２】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹
脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが粗化層３８
を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面
と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着し
た配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤
４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同一平面とな
る。樹脂充填剤４０は、位置決めマーク形成部分α上に
も施されたが、該樹脂充填剤４０は、硬化したものは、
半透明であったので、後述するように、その上にリング
状の凹部を形成して反射式による画像認識を行っても、
問題は発生しなかった。なお、位置決めマークは、樹脂
充填材を充填していない領域であっても特に問題はな
い。

【００５３】（６） 導体回路３４を形成したプリント
配線板にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次い
で、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理
して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫
酸銅３．９×１０^−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．８
×１０^−３ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム７．８×１
０^−３ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム２．３×１０
^−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフ
ィール４６５）１．１×１０^−４ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ＝９
からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒
当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回
路およびスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ
からなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２
の工程（Ｆ））。さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ
／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００５４】（７） Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料
組成物を攪拌混合し、粘度１．５ Ｐａ・ｓに調整して
層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解
めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度
７Ｐａ・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層
用）を得た。

【００５５】（８） 前記（６）の基板３０の両面に、
前記（７）で得られた粘度 １．５Ｐａ・ｓの層間樹脂
絶縁剤（下層用）４４を調製後２４時間以内にロールコ
ータで塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０
℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記
（７）で得られた粘度７Ｐａ・ｓの感光性の接着剤溶液
（上層用）４６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状
態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プ
リベーク）を行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０αを形
成した（工程（Ｇ））。

【００５６】（９） 前記（８）で接着剤層５０αを形
成した基板３０の両面に、８５μｍφの黒円４３ｂと四
隅に位置決めマーク形成用リング４３ａ（外円の直径２
mm、幅１５０μｍ）が計４ヶ所印刷（図中１カ所のみ示
す）されたフォトマスクフィルム４３を密着させ、超高
圧水銀灯により ５００ｍＪ／ｃｍ^２ で露光した（工
程（Ｈ））。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さ
らに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃ
ｍ^２ で露光し、１００ ℃で１時間、１２０℃で１時
間、その後 １５０℃で３時間の加熱処理（ポストベー
ク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当す
る寸法精度に優れた８５μｍφの開口（バイアホール形
成用開口）４８と外径２mmで幅１５０μｍの位置決めマ
ーク用のリング状凹部４９を有する厚さ３５μｍの層間
樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（工程
（Ｉ））。なお、バイアホールとなる開口４８には、ス
ズめっき層を部分的に露出させた。ここで、リング状の
凹部４９は、下層の金属層（導体回路）３４が除去され
ているので白くなっていた。

【００５７】（１０）開口４８が形成された基板３０
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化とし、その
後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いし
た（図３に示す工程（Ｊ））。さらに、粗面化処理（粗
化深さ６μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒
（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面、バイアホール用開口４８の内壁面、お
よび、位置決めマーク用のリング状凹部４９の内壁面に
触媒核を付けた。

【００５８】（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板３０を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６
〜１．２ μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した
（工程（Ｋ））。この無電解めっき膜５２を析出するこ
とで、該リング状凹部４９を位置決めマーク５５にす
る。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ ０．０８ ｍｏｌ ／ｌ 硫酸銅 ０．０３ ｍｏｌ ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５ ｍｏｌ ／ｌ ＮａＯＨ ０．０５ ｍｏｌ ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２０分

【００５９】（１２）前記（１１）で形成した無電解銅
めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルム５７を張
り付けた後、図９〜図１２を参照して上述した露光装置
を用いて、マスク５３を位置合わせしてから、１００
ｍＪ／ｃｍ^２ で１分間露光した（工程（Ｌ））。その
後、０．８ ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５
μｍのめっきレジスト５４を設けた。（工程（Ｍ））

【００６０】この露光工程について、露光工程の作業ス
テップを示す図１３、及び、図９〜図１２を参照して詳
細に説明する。その画像処理の方法は以下の［１］〜
［６］の順序で行われる。

【００６１】［１］基板投入 図９を参照して上述したように感光性ドライフルイムを
張り付けた基板３０を露光装置へ搬送する。ここで、基
板の位置合わせを行う前（待機中）に、カメラ１０の原
点位置復帰を行う。即ち、図９を参照して上述したよう
露光中に陰を作らないように、カメラ１０は待避してい
るため、まず、カメラ１０の位置を元に戻す。図１１
（Ａ）に示すようにリング照明器１１からの光をガラス
マスク５３の位置決めマーク（黒円）５３ａへ照射し、
カメラ１０に該位置決めマーク５３ａを撮像し、図１１
（Ｂ）に示すように、該位置決めマーク５３ａがモニタ
ー２０の映像の中心に来るように、カメラ１０を移動さ
せる。図１１（Ａ）中では、カメラ１０として１台のみ
を示すが、ガラスマスク５３の四隅に配設された４台の
カメラ１０をそれぞれ原点復帰させる。

【００６２】［２］基板の位置合わせ（１回目の撮像粗
位置合わせ） 図１２（Ａ）中に示すように、基板３０に形成された位
置決めマーク５５（図３の工程（Ｋ）参照）へ正面から
リング状照明器１１の光を照射し、反射光をカメラ１０
によって撮像する。そして、撮影した映像を二値化処理
して、撮影した映像をモニター２０に映し出す。一方、
図１０を参照して上述した制御装置１９が位置決めマー
クの位置を判定し、基板をカメラ１０の原点位置まで移
動させる位置合わせ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を決定する。
そして、決定した位置合わせ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）に基
づき、基板移動制御部２１（図１０参照）に指令を送
り、基板の位置を合わせる。本実施例では、４隅の位置
決めマーク５５を同時に撮影するため、Ｘ、Ｙ方向のず
れのみでなく、θ（回転）方向のずれを測定して位置合
わせできる。

【００６３】[３］基板とマスクの位置合わせ（２回目
の撮像位置合わせ） 図１２（Ａ）に示すように、基板３０の位置決めマーク
５５とマスク５３の位置決めマーク５３ａとを同時にカ
メラ１０によって撮像し、撮影した映像を二値化処理す
る。この位置合わせを行っている位置決めマーク５５、
５３ａの位置関係を図１２（Ｂ１）に、該位置関係を撮
影したモニター映像を図１２（Ｂ２）に示す。制御装置
１９が位置決めマーク５５と位置決めマーク５３ａとの
相対位置を判定し、位置決めマーク５５の中心に位置決
めマーク５３ａを移動させるためのマスクの位置合わせ
量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を決定する。そして、決定した位
置合わせ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）に基づき、マスク移動制
御部１８（図１０参照）に指令を送り、マスクの位置を
合わせる。その後、真空引きしてマスク５３を基板３０
へ密着させる。

【００６４】[４］露光の位置合わせ（３回目の撮像位
置確） 再び、カメラ１０にて位置決めマーク５５の中心に位置
決めマーク５３ａが有るかを確認する（図１２（Ｃ１）
及び図１２（Ｃ２））。ここで、上記マスク５３を基板
３０へ密着させた際に、位置がずれていない場合には、
次の露光工程に進む。一方、アライメントのズレ量がが
大きい場合には、真空引きを解除して再度位置合わせを
行う。

【００６５】[５］露光 ４台のカメラ１０を基板３０から待避した後、図９に示
す遮光シャッタ１３を開き超高圧水銀灯１４の紫外線を
基板３０の感光性ドライフィルム５７へ照射し、マスク
５３の回路パターン５３ｂに従い露光を行う。

【００６６】[６］基板搬出 図９に示す露光の完了した基板３０を露光装置から搬出
する。なお、図１３は、二値化処理する場合の工程を示
しているが、グレー処理する場合には、図１３中の二値
化処理をグレー処理に置き換えることになる。

【００６７】図４を参照して、レジスト５４形成後のプ
リント配線板の製造工程の説明を再開する。 （１３）レジスト５４の非形成部分に以下の条件で電解
銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６を
形成した（図４に示す工程（Ｎ））。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ^２ 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【００６８】（１４）めっきレジスト５４を５％KOH で
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチング
し、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去
し、無電解めっき５２及び電解銅めっき膜５６からなる
厚さ１３μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を得
た（工程（Ｏ））。

【００６９】更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５
０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。

【００７０】（１５）（７）と同様の処理を行い、導体
回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からな
る粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行っ
た（図４の工程（Ｐ））。

【００７１】（１６）(８) 〜(１４)の工程を繰り返
す。バイアホール用開口１４８及び位置決めマーク用凹
部１４９を備える上層の層間樹脂絶縁層１５０を形成す
る（図５の工程（Ｑ））。次に、該層間樹脂絶縁層１５
０のエポキシ樹脂粒子をクロム酸で溶解して表面を蛸壺
状に粗化する（工程（Ｒ））。無電解めっき膜１５２を
析出することで、位置決めマーク１５５を形成する（工
程（Ｓ））。そして、該位置決めマークを反射式に撮像
して、マスク１５３を位置合わせし（図６の工程
（Ｔ））、感光性ドライフィルム１５７を露光・現像す
ることでレジスト１５４を形成する（工程（Ｕ））。そ
の後、電解めっき膜１５６を析出することでバイアホー
ル１６０を形成し、バイアホール１６０の表面に粗化層
１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する（工程
（Ｖ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程に
おいては、Ｓｎ置換は行わなかった。

【００７２】（１７）上述した多層プリント配線板には
んだバンプを形成する。先ず、ＤＭＤＧに溶解させた６
０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本
化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付
与のオリゴマー（分子量４０００）を ４６．６７ｇ、
メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１
００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ ｇ、感光性モノマーで
ある多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４ ）
３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、Ｄ
ＰＥ６Ａ ） １．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社
製、Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物
に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学
製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化
学製）を ０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で ２．０Ｐ
ａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 ＤＶＬ−Ｂ
型）で ６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐ
ｍ の場合はローターＮｏ．３によった。

【００７３】（１８）前記（１６）で得られた多層プリ
ント配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を
２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、円パター
ン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのフォト
マスクフィルムを密着させて載置し、１０００ｍＪ／ｃ
ｍ ^２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。そして
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃
で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、はん
だパッド部（バイアホールとそのランド部分を含む）の
開口部（開口径２００μｍ）７１を有するソルダーレジ
スト層（厚み２０μｍ）７０を形成した（図７の工程
（Ｗ））。

【００７４】（１９）その後、塩化ニッケル２．３ ×
１０^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８ ×
１０^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．６ ×１
０^−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッ
ケルめっき液に、２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ
５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、そ
の基板を、シアン化金カリウム７．６ ×１０^−３ｍｏ
ｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．９ ×１０^−１ｍｏｌ／
ｌ、クエン酸ナトリウム１．２ ×１０^−１ｍｏｌ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．７ ×１０^−１ｍｏｌ／
ｌからなる無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの
金めっき層７４を形成した（工程（Ｘ））。

【００７５】（２０）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して ２００℃で
リフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６
Ｕ、７６Ｄを形成した（図８参照）。

【００７６】（第２実施例）第１実施例とほぼ同様であ
るが、反射式の画像処理をグレー処理で行い、基板を位
置決めしてめっきレジストの露光を行った。

【００７７】本実施例の効果を確認するため、従来技術
の方法（比較例１）と、先行技術（特願平９−３２０３
１６号）の方法（比較例２）とでプリント配線板を製造
して、位置決めを行った。 （比較例１）層間樹脂絶縁層に凹部を形成せず、層間樹
脂絶縁層の下部に配置した位置決めマークにより位置決
めを行う点を除き、第１実施例とほぼ同様である。ここ
では、めっき膜の前に直径１５０μｍの白円の位置決め
マークをテープでマスキングした後、めっき膜形成後に
テープを剥がして、透過式の画像処理でめっきレジスト
の露光を行った。

【００７８】（比較例２）第１実施例とほぼ同様である
が、リング状の凹部の下部に金属層を残して位置決めマ
ークを形成して、反射式の画像処理を二値化処理による
方法でめっきレジストの露光を行った。

【００７９】

【発明の効果】第１実施例、第２実施例および比較例
１，比較例２で製造されたプリント配線板について、各
１０枚ずつ作成して、レジストパターン露光時の位置決
めマークの形成、位置決めマークの画像認識の判定結
果、および画像認識時間、導体回路の位置ズレ幅、信頼
性試験後の導通試験、導体回路の断線・破壊の有無の計
６項目について比較評価した。その結果を図１４中の図
表中に示す。

【００８０】なお、画像認識の結果を比較するため、第
１実施例と比較例２の位置決めマーク形成した後の写真
（スケッチ）と、めっき膜形成、ドライフィルム貼り付
け後の画像処理行った写真（スケッチ）とを図１５中に
示す。

【００８１】第１実施例による位置決めマーク形成後の
写真（スケッチ）が図１５（Ｃ）、で、画像処理処理中
の写真（スケッチ）が図１５（Ｄ）である。一方、比較
例１による位置決めマーク形成後の写真（スケッチ）が
図１５（Ａ）、で、画像処理処理中の写真（スケッチ）
が図１５（Ｂ）である。図１５（Ｃ）から分かるよう
に、第１実施例において、位置決めマーク部分の下部の
金属層を除去したため、白くなっている。一方、比較例
２では、図１５（Ａ）から分かるように、位置決めマー
ク部分の下部の金属層を残してあり、スズめっき層が露
出しているために黒くなっている。

【００８２】そして、比較例２では、層間絶縁層上にめ
っきを施し、ドライフィルムの貼り付け後の基板とマス
クの位置合わせ中の画像処理中の図１５（Ｂ）の写真
（スケッチ）より分かるように、金属層が残っているた
め、ドライフィルムとリング状の凹部部分とのコントラ
ストの差が小さくなる。このため、画像認識が正確に行
えなかった。他方、第１実施例の金属層を除去したプリ
ント配線板は、図１５（Ｄ）の写真（スケッチ）から分
かるように、ドライフィルムとリング状の凹部部分のコ
ントラストの差が大きいため、画像認識が正確に行え
た。図１５（Ｄ）のスケッチは二値化処理をしたもので
あったが、グレー化処理（第２実施例）でも同様の結果
であった。

【００８３】上記写真（スケッチ）からも分かるよう
に、第１実施例、第２実施例で製造されたプリント配線
板では、位置決めマークの形成も問題なく、画像処理の
位置決めマークの判定では、判定不能と表示されなかっ
た。更に、認識時間も１０ｓ、１１ｓと設定された時間
内に認識でき、導体回路の位置ズレも起きなかった。ま
た、信頼性試験を行っても導体回路の断線、破壊は見ら
れなかったし、導通試験でも電気的接続に問題はなかっ
た。

【００８４】一方、比較例１で製造されたものは、マス
キング材がめっき中に剥がれたり、ずれたりして位置決
めマークの露出されないことがあり、その後の透過式の
画像処理が行えないことがあった。なお、図表中には、
上層と下層の回路の位置ズレ幅は、５μｍとあるが、層
間樹脂絶縁層と上層の位置ズレは、第１、第２実施例よ
りも大きくなっている。これは、図１６を参照して上述
したように、透過光を用いて位置決めを行うため、層間
樹脂絶縁層の下側に配設された位置決めマークに対して
位置決めを行い、層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホ
ール用開口に対して位置合わせを行う訳ではないため、
該開口に対する位置合わせの精度が低くなる。即ち、第
１、第２実施例では、層間樹脂絶縁層５０の開口４８と
同時に形成された位置決めマーク用凹部４９に対して位
置合わせを行うため、該開口４８に対して正確にバイア
ホール６０、導体回路５８を形成できている。

【００８５】比較例２で製造されたものは、位置決めマ
ークの形成には問題なかったが、画像認処理の位置決め
マークでは、判定不能と表示されることがある。更に、
認識時間も１７ｓも要して、導体回路の位置ずれも発生
して、導通が取れないことも起こった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図２】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図３】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図４】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図８】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の断面図である。

【図９】本発明の第１実施例に係る該露光装置を用いる
製造ラインの説明図である。

【図１０】露光装置の構成を示すブロック図である。

【図１１】図１１（Ａ）は、露光装置のカメラによる位
置決めマークの撮像の説明図であり、図１１（Ｂ）は、
モニターに映し出された位置決めマークを示す説明図で
ある。

【図１２】図１２（Ａ）は、露光装置のカメラによる位
置決めマークの撮像の説明図であり、図１２（Ｂ１）、
図１２（Ｃ１）は、基板とマスクの位置決めマークの対
応を示す説明図であり、図１２（Ｂ２）、図１２（Ｃ
２）は、モニターに映し出された位置決めマークを示す
説明図である。

【図１３】露光装置の作業ステップを示す工程図であ
る。

【図１４】第１、第２実施例及び比較例１、比較例２の
試験結果を示す図表である。

【図１５】図１５（Ａ）、図１５（Ｃ）は、位置決めマ
ークを撮像した写真のスケッチであり、図１５（Ｂ）、
図１５（Ｄ）は、画像処理された位置決めマークの写真
のスケッチである。

【図１６】従来技術に係るプリント配線板の露光工程の
工程図である。

【符号の説明】

１０ カメラ １１ リング状照明器（ランプ） １８ マスク移動制御部（調整装置） １９ 制御装置（演算装置） ２１ 基板移動制御部（調整装置） ３０ コア基板 ３４ 導体回路（金属層） ４８ 開口部 ４９ 凹部 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５２ 無電解銅めっき膜（金属膜） ５３ マスク ５３ａ 位置決めマーク ５４ レジスト（レジストパターン） ５５ 位置決めマーク ５７ 感光性ドライフィルム ５８ 導体回路 ６０ バイアホール １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木部 芳晴 岐阜県大垣市木戸町905番地 イビデン 株式会社大垣工場内 (56)参考文献 特開 平10−41636（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−253175（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−232714（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/20 - 7/24 G03F 9/00 - 9/02 H05K 3/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プリント配線板のめっきレジストの露光
   方法において、 金属層上に配設された層間絶縁樹脂層に凹部が形成され
   て、該凹部内に金属膜を施してなる位置決めマークであ
   って、下部に金属層が配設されていない位置決めマーク
   を備える基板に、ドライフィルムを貼り付け、 前記基板の位置決めマークを反射式による画像処理で認
   識して、前記基板と配線が描画されたマスクとを位置合
   わせし、 前記ドライフィルムを露光する、ことを特徴とするプリ
   ント配線板のめっきレジストの露光方法。
2. 【請求項２】 前記反射式による画像処理は、二値化処
   理、又は、グレー処理で行われることを特徴とする請求
   項１に記載のプリント配線板のめっきレジストの露光方
   法。
3. 【請求項３】 少なくとも（１）〜（５）を経て、金属
   層上に配設された層間樹脂絶縁層に形成された凹部から
   なる位置決めマークであって、下部に金属層が配設され
   ていない凹部を位置決めマークとして、反射式による画
   像処理によって、位置決めマークを認識することによ
   り、基板とマスクとの位置合わせを行った後に、露光す
   ることを特徴とするプリント配線板の露光方法、 （１）前記基板の正面から、前記位置決めマークへ光源
   からの光を照射し、 （２）前記光が照射された位置決めマークを認識用カメ
   ラで撮像し、 （３）前記撮像された位置決めマークから、基板、マス
   クあるいは基板とマスクの位置補正距離を演算し、 （４）前記演算された位置補正距離によって、基板また
   はマスクを機械的に位置補正し、 （５）前記位置補正された基板とマスクとを密着させ
   る。
4. 【請求項４】 前記位置補正を、基板の前記位置決めマ
   ークと配線の描画されたマスクの位置決めマークとを同
   時に画像認識して行うことを特徴とする請求項３に記載
   のプリント配線板の露光方法。
5. 【請求項５】 前記位置決めマークへ光を、画像認識カ
   メラに固定されたリング状の照明から照射することを特
   徴とする請求項３または４に記載の露光方法。
6. 【請求項６】 プリント配線板のめっきレジストの露光
   装置において、金属層上に配設された層間樹脂絶縁層に形成された凹部
   からなる位置決めマークであって、 下部に金属層が配設
   されていない位置決めマークを上部から照射するランプ
   と、 前記位置決めマークからの反射光を撮像する画像認識用
   カメラと、 前記画像認識用カメラが撮像した位置決めマークの位置
   ずれを演算する演算装置と、 前記演算された位置ずれに基づき、マスクあるいは基板
   を機械的に位置補正する調整装置と、をそれぞれ少なく
   と１台は備えたことを特徴とするプリント配線板のめっ
   きレジスト用の露光装置。