JP2000216518A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の反りがなく，切断面の損傷発生を防止
し，かつ半田バンプを正確な位置に形成でき，電気接続
性に優れたプリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数のプリント配線板を形成するための
基板１であって，基板１における配線板形成部１１０に
導体回路を形成するとともに基板１の表面にソルダーレ
ジスト層を形成する工程と，基板１を分割して分割基板
１１とする工程と，分割基板１１を個片化して個片化基
板１２とする工程と，個片化基板１２に半田バンプ７を
形成する工程とを含む。半田バンプの形成は，分割の
前，個片化の後に行っても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は，プリント配線板の製造方法に関
し，特に基板の個片化方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来，ＩＣ実装用のプリント配線板は，例
えば，特開平９−１３００５０号に開示されるビルトア
ップ方法にて製造されている。すなわち，内部用の基板
の上下両面に内層導体回路を形成し，その表面に，無電
解めっきやエッチングにより粗化処理を施し，次いでロ
ールーコーターや印刷にて２層からなる層間絶縁層を形
成する。次いで，露光，現像し，層間導通のためのビア
ホール開口部を形成し，次いで，層間絶縁層の紫外線硬
化，本硬化を行う。

【０００３】さらに，層間絶縁層に酸や酸化剤などによ
り粗化処理を施し，パラジウムなどの触媒を付け，次い
で，薄い無電解めっきを形成し，そのめっき膜上にドラ
イフィルムにて外層導体回路形成部分以外の部分にレジ
ストパターンを形成し，外層導体回路形成部分を電解め
っきで厚付けしたのち，アルカリでドライフィルムを剥
離除去し，外層導体回路形成部分以外の部分をエッチン
グ除去して外層導体回路を形成する。また，内層導体回
路と外層導体回路との導通を行うためのビアホールを形
成する。以上の工程を繰り返し，最表面にソルダーレジ
スト層を形成することにより，ビルドアップ多層配線板
が得られる。

【０００４】その後，ダイシング等により個片に分割さ
せて，検査工程やチェッカー工程などを経て，プリント
配線板が得られる。

【０００５】

【解決しようとする課題】しかしながら，上記プリント
配線板の製造方法においては，種々の熱処理の熱履歴に
より基板が反る。そのため，個片に分割する際，吸着ス
テージに対して基板が位置ズレを起こし，分割線から外
れて分割したり，切断面がささくれたり，傷ついたりす
る。ひどい場合は，基板自体が割れて導体回路の断線が
生じてしまう。また，半田ペースト等の印刷の際，反り
により位置ズレが生ずると，半田バンプが設計通りに形
成できなかったりする。生産性を向上させるために基板
サイズを現状より大きくするとその状況は顕著に悪くな
る。

【０００６】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，基板
の反りがなく，切断面の損傷発生を防止し，かつ半田バ
ンプを正確な位置に形成でき，電気接続性に優れたプリ
ント配線板の製造方法を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題の解決手段】本願の第１発明は，請求項１記載の
ように，複数のプリント配線板を形成するための基板で
あって，該基板における配線板形成部に導体回路を形成
するとともに該基板の表面にソルダーレジスト層を形成
する工程と，上記基板を分割して，２以上の配線板形成
部を有する分割基板とする工程と，上記分割基板を個片
化して，１の配線板形成部からなる個片化基板とする工
程と，上記個片化基板に半田バンプを形成する工程とを
含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法であ
る。

【０００８】本発明において最も注目すべきことは，導
体回路及びソルダーレジスト層を形成した後に，基板の
分割及び個片化という２回の切断工程を行った後に半田
バンプを形成していることである。

【０００９】切断工程を分割，個片化の２回に分けて行
うことにより，製造工程中の熱履歴により基板に反りが
発生していても，正確な位置で基板を切断することがで
き，また切断時の基板の損傷を防止できる。そのため，
切断時に基板の割れや導体回路の断線が生じることはな
い。また，基板は設計通りに正確に切断されるため，切
断後の個片化基板に対して半田バンプを形成しているの
で，半田バンプを正確な位置に接合できる。

【００１０】本発明において，「分割」とは，１枚の基
板を切断して２枚以上にすることをいう。「個片化」と
は，１枚の分割基板を切断して２枚以上にすることをい
う。上記「基板」とは，複数のプリント配線板を形成す
るための基板をいう。該基板より形成されるプリント配
線板の数は，３または４以上である。基板には，配線板
形成部が，連続的に，または捨て耳部を介して，複数配
置されている。「配線板形成部」とは，１のプリント配
線板を構成する基板の一部分をいう。

【００１１】上記「分割基板」とは，基板を切断して得
られた基板であり，プリント配線板を形成すべき配線板
形成部を２以上有する。「個片化基板」とは，分割基板
を切断して得られた基板であり，プリント配線板を形成
すべき配線板形成部を１のみ有する。上記分割，個片化
は，ダイシング，シングル刃又はマルチ刃によるダイシ
ング，ルーター加工などにより行うことができる。

【００１２】請求項４記載のように，上記分割基板の面
積は，５．１×１０^-3〜６．０×１０^-2ｍ²の範囲であ
ることが好ましい。５．１×１０^-3ｍ²未満の場合に
は，分割基板に損傷が生じるおそれがある。また，６．
０×１０^-2ｍ²を超える場合には，熱履歴による反りの
程度が大きく，半田バンプの形成，ＩＣチップ実装など
の精度が低下する。上記分割基板の面積は配線板形成部
だけでなく，後述の捨て耳部を含む場合は該捨て耳部を
も含む面積である。

【００１３】請求項５記載のように，上記個片化基板の
面積は，１．０×１０^-4〜５．０×１０^-3ｍ²の範囲で
あることが好ましい。１．０×１０^-4ｍ²未満の場合に
は，個片化基板に損傷が生じるおそれがある。また，
５．０×１０^-3ｍ²を超える場合には，ＩＣチップ実装
などの精度が低下する。上記個片化基板の面積は，後述
の捨て耳部を除去した，配線板形成部のみの面積であ
る。

【００１４】基板の大きさによっては，３分割，４分割
又はそれ以上の分割を経て，個片分割を行った方が良い
ときもある。その理由としては，反りとか，工程間不良
といった問題も有るが，多品種の製品を製造することも
可能にするために，設計変更，基板サイズ変更などの種
々の変更に対して工程設計が容易となるという利点もあ
るからである。

【００１５】請求項６記載のように，上記基板の側面に
は捨て耳部を設け，該捨て耳部は，上記分割の際又は個
片化の際に切断除去することが好ましい。これにより，
基板搬送時の基板端の欠け，キズを防止できる。

【００１６】また，請求項７記載のように，上記基板に
おける分割基板形成部の外周縁には捨て耳部を設け，該
捨て耳部は，上記分割の際又は個片化の際に切断除去す
ることが好ましい。これにより，基板搬送時の基板端の
欠け，キズを防止できる。

【００１７】請求項８記載のように，上記捨て耳部の幅
は，５〜１５ｍｍであることが好ましい。５ｍｍ未満の
場合には基板搬送時に基板端に欠け，キズが発生するお
それがあり，１５ｍｍを超える場合には基板の捨て部分
が多くなり生産コスト高につながるおそれがある。捨て
耳部は，基板の片側の側面だけに設けても良いし，相対
する１対の両側面に設けてもよい。また，基板を囲むす
べての側面に設けても良い。面積６．０×１０^-2ｍ²の
基板を分割して面積６．０×１０^-2ｍ²未満の分割基板
とし，これを更に個片化する。

【００１８】半田バンプの形成にあたっては，たとえ
ば，導体回路の表面にＳｎＰｂ半田ペーストを印刷す
る。その後，温度２２０〜２５０℃にした窒素リフロー
炉に基板を通し，半田バンプを開口部内に固定させる。
半田ペーストはＳｎＡｇ，ＳｎＡｇＣｕ等の組成のもの
を用いても良い。

【００１９】本発明において，基板への導体回路の形成
は，セミアディティブ法，フルアディティブ法，ネガテ
ィブ法，ビルトアップ法などにより行うことができる。

【００２０】次に，第２の発明は，請求項２記載のよう
に，複数のプリント配線板を形成するための基板であっ
て，該基板における配線板形成部に導体回路を形成する
とともに該基板の表面にソルダーレジスト層を形成する
工程と，上記基板に半田バンプを形成する工程と，上記
基板を分割して，２以上の配線板形成部を有する分割基
板とする工程と，上記分割基板を個片化して，１の配線
板形成部からなる個片化基板とする工程とを含むことを
特徴とするプリント配線板の製造方法である。

【００２１】第２の発明は，導体回路及びソルダーレジ
スト層を形成し更に半田バンプを形成した後に，基板の
分割及び個片化という２回の切断工程を行っている点
が，上記第１発明と相違する。

【００２２】第２発明においては，第１発明と同様に分
割及び個片化という２回にわたる工程によって基板を切
断している。そのため，製造工程中の熱履歴により基板
に反りが発生していても，正確な位置で基板を切断する
ことができ，また切断時の基板の損傷を防止できる。そ
のため，切断時に基板の割れや導体回路の断線が生じる
ことはない。その他，第１発明と同様である。

【００２３】次に，第３の発明は，請求項３記載のよう
に，複数のプリント配線板を形成するための基板であっ
て，該基板における配線板形成部に導体回路を形成する
とともに該基板の表面にソルダーレジスト層を形成する
工程と，上記基板を分割して，２以上の配線板形成部を
有する分割基板とする工程と，上記分割基板に半田バン
プを形成する工程と，上記分割基板を個片化して，１の
配線板形成部からなる個片化基板とする工程とを含むこ
とを特徴とするプリント配線板の製造方法である。

【００２４】第３発明においては，第１発明と同様に分
割及び個片化という２回にわたる工程によって基板を切
断している（図１参照）。そのため，製造工程中の熱履
歴により基板に反りが発生していても，正確な位置で基
板を切断することができ，また切断時の基板の損傷を防
止できる。そのため，切断時に基板の割れや導体回路の
断線が生じることはない。

【００２５】また，半田バンプの形成は，基板の分割と
個片化との間に行っている（図１参照）。そのため，切
断前に半田バンプを形成するよりも，基板の反りが少な
い状態で半田バンプを形成することができ，正確な位置
に接合できる。また，切断工程が終了した個片化基板に
半田バンプを形成するよりも，比較的大きい分割基板に
対して半田バンプを形成することができ，バンプ形成作
業を効率よく行うことができる。以上より，第３発明に
よれば，正確な位置で切断されたプリント配線板を得る
ことができ，かつ半田バンプを効率よくかつ正確な位置
に形成することができる。その他，第１発明と同様であ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例に係るプリント配線板の製造方法に
ついて，図１〜図６を用いて説明する。まず，各種組成
物を調製し，プリント配線板の製造に供した。

【００２７】Ａ．上層の層間絶縁層用の原料組成物 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製，分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０重量％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部，感光性モノマー（東亜合成製，アロニックス
Ｍ３１５）３．１５重量部，消泡剤（サンノプコ製，Ｓ
−６５）０．５重量部，及びＮＭＰ３．６重量部を攪拌
混合して，樹脂組成物を得た。

【００２８】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部，エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製，ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのものを
７．２重量部，平均粒径０．５μｍのものを３．０９重
量部を混合した後，さらにＮＭＰ３０重量部を添加し，
ビーズミルで攪拌混合して，樹脂組成物を得た。

【００２９】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製，２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部，光開始剤
（チバガイギー製，イルガキュア Ｉ−９０７）２重量
部，光増感剤（日本化薬製，ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量
部，及びＮＭＰ１．５重量部を攪拌混合して，硬化剤組
成物を得た。

【００３０】Ｂ．下層の層間樹脂絶縁層用の原料組成物 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製，分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０重量％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部，感光性モノマー（東亜合成製，アロニックス
Ｍ３１５）４重量部，消泡剤（サンノプコ製，Ｓ−６
５）０．５重量部，及びＮＭＰ３．６重量部を攪拌混合
して，樹脂組成物を得た。

【００３１】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部，エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製，ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを１
４．４９重量部混合した後，さらにＮＭＰ３０重量部を
添加し，ビーズミルで攪拌混合して，樹脂組成物を得
た。

【００３２】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製，２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部，光開始剤
（チバガイギー製，イルガキュア Ｉ−９０７）２重量
部，光増感剤（日本化薬製，ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量
部，及びＮＭＰ１．５重量部を攪拌混合して，硬化剤組
成物を得た。

【００３３】Ｃ．樹脂充填剤用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製，分子量３１０，ＹＬ９８３Ｕ）１００
重量部，表面にシランカップリング剤がコーティングさ
れた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ₂球状粒子（アドマテ
ック製，ＣＲＳ１１０１−ＣＥ）１７０重量部，及びレ
ベリング剤（サンノプコ製，ペレノールＳ４）１．５重
量部を攪拌混合することにより，その混合物の粘度を２
３±１℃で４５，０００〜４９，０００ｃｐｓに調整し
て，樹脂組成物を得た。なお，ＳｉＯ₂球状粒子の最
大径は，後述する内層導体回路の厚み（１５μｍ）以下
とする。

【００３４】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製，２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部。

【００３５】Ｄ．プリント配線板の製造 次に，上記各種組成物を用いてプリント配線板を製造す
る方法を，図１〜図６を用いて説明する。

【００３６】（１）まず，図２（ａ）に示すごとく，厚
さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイ
ミドトリアジン）樹脂からなる基板１の上下両面に１８
μｍの銅箔２０がラミネートされている銅張積層板を形
成した。この銅張積層板をドリル削孔し，無電解銅めっ
き処理を施し，パターン状にエッチングすることによ
り，図２（ｂ）に示すごとく，基板１の上下両面に内層
導体回路２と，上下導通を行うためのスルーホール２２
を形成した。

【００３７】（２）基板を水洗いし，乾燥した後，酸化
浴（黒化浴）として，ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＣ
ｌＯ₂（４０ｇ／ｌ），Ｎａ₃ＰＯ₄（６ｇ／ｌ），還元
浴として，ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＢＨ₄（６ｇ
／ｌ）を用いた酸化−還元処理により，内層導体回路お
よびスルーホールの表面に粗化層を形成した。

【００３８】（３）Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物
を混合混練して樹脂充填剤を得た。

【００３９】（４）図２（ｂ）に示すごとく，調製後２
４時間以内に内層導体回路２の間あるいはスル−ホ−ル
２２内に，上記（３）で得た樹脂充填剤３０を塗布，充
填した。塗布方法として，スキ−ジを用いた印刷法で行
った。１回目の印刷塗布は，主にスルホ−ル内を充填し
て，乾燥炉内の温度１００℃，２０分間乾燥させた。ま
た，２回目の印刷塗布は，主に内層導体回路の形成で生
じた凹部を充填して，内層導体回路間およびスル−ホ−
ル内を充填させた後，前述の乾燥条件で乾燥させた。

【００４０】（５）基板の片面を，＃６００のベルト研
磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨によ
り，内層導体回路の表面やスルーホールのランド表面に
樹脂充填剤が残らないように研磨し，次いで，上記ベル
トサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行
った。このような一連の研磨を基板の他方の面について
も同様に行った。

【００４１】次いで，１００℃で１時間，１５０℃で１
時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化した。このよ
うにして，スルーホール等に充填された樹脂充填剤の表
層部および内層導体回路表面の粗化層を除去して基板両
面を平滑化し，樹脂充填剤と内層導体回路の側面とが粗
化層を介して強固に密着し，またスルーホールの内壁面
と樹脂充填剤とが粗化層を介して強固に密着した配線基
板を得た。即ち，この工程により，図２（ｃ）に示すご
とく，樹脂充填剤１０の表面と内層導体回路２表面が同
一平面となる。

【００４２】（６）基板をアルカリ脱脂してソフトエッ
チングし，次いで，塩化パラジウムと有機酸からなる触
媒溶液で処理して，Ｐｄ（パラジウム）触媒を付与し，
Ｐｄ触媒を活性化した後，硫酸銅３．９×１０^-2ｍｏｌ
／ｌ，硫酸ニッケル３．８×１０^-3ｍｏｌ／ｌ，クエン
酸ナトリウム７．８×１０^-3ｍｏｌ／ｌ，次亜りん酸ナ
トリウム２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ，界面活性剤（日信
化学工業製，サーフィール４６５）１．１×１０^-4ｍｏ
ｌ／ｌ，ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し，浸
漬１分後に，４秒当たり１回に割合で縦，および，横振
動させて，導体回路およびスルーホールのランドの表面
にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層と
を形成した。

【００４３】さらに，ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ，チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ，温度３５℃，ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ，粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層を形成した。以上より，図２
（ｄ）に示すごとく，内層導体回路２の表面に，Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層とＳｎ層と
からなる粗化表面２９が形成される。

【００４４】（７）Ｂの層間樹脂絶縁層用の原料組成物
を攪拌混合し，粘度１．５Ｐａ・ｓに調整して下層の層
間絶縁樹脂剤を得た。また，Ａの層間絶縁層用の原料組
成物を攪拌混合し，粘度７Ｐａ・ｓに調整して上層の層
間絶縁樹脂用溶液を得た。

【００４５】（８）上記（６）の基板１の上下両面に，
上記（７）で得られた下層の層間樹脂絶縁剤を２４時間
以内にロールコータで塗布し，水平状態で２０分間放置
してから，６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行
い，次いで，上記（７）で得られた上層の層間絶縁樹脂
用溶液を調製後２４時間以内に塗布し，水平状態で２０
分間放置してから，６０℃で３０分の乾燥（プリベー
ク）を行い，図３（ｅ）に示すごとく，下層層間絶縁層
３１と上層層間絶縁層３２とからなる２層構造の厚さ３
５μｍの層間絶縁層３を形成した。

【００４６】（９）層間絶縁層３の表面に，８５μｍφ
の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ，
超高圧水銀灯により５００ｍ／ｃｍ²で露光した。これ
をＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し，さらに，基板を超高
圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ²で露光し，１００
℃で１時間，１２０℃で１時間，その後１５０℃で３時
間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより，図３
（ｆ）に示すごとく，フォトマスクフィルムに相当する
寸法精度に優れた８５μｍφのビアホール形成用の開口
部３５を形成した。なお，開口部３５には，スズめっき
層を部分的に露出させた。

【００４７】（１０）基板を，クロム酸に１９分間浸漬
し，層間絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶
解除去することにより，層間絶縁層の表面を粗化とし，
その後，中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗
いした。さらに，粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した該
基板の表面に，パラジウム触媒（アトテック製）を付与
することにより，図３（ｇ）に示すごとく，層間絶縁層
３の表面および開口部３５の内壁面に触媒核３５を付け
た。

【００４８】（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して，図３（ｈ）に示すごとく，
粗面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜
４１を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 i）ＥＤＴＡ・・・・・・・０．０８ｍｏｌ／ｌ， ii）硫酸銅・・・・・・・・０．０３ｍｏｌ／ｌ， iii）ＨＣＨＯ・・・・・・・０．０５ｍｏｌ／ｌ， iv）ＮａＯＨ・・・・・・・０．０５ｍｏｌ／ｌ， v）α，α’−ビピリジル・・８０ｍｇ／ｌ， vi）ＰＥＧ・・・・・・・・０．１０ｇ／ｌ。

【００４９】〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２
０分

【００５０】（１２）上記（１１）で形成した無電解銅
めっき膜上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け，
マスクを載置して，１００ｍＪ／ｃｍ²で露光，０．８
％炭酸ナトリウムで現像処理して，図４（ｉ）に示すご
とく，厚さ１５μｍのめっきレジスト４９を形成した。

【００５１】（１３）レジスト非形成部分に以下の条件
で電解銅めっきを施して，図４（ｊ）に示すごとく，厚
さ１５μｍの電解銅めっき膜４２を形成した。これによ
り，開口部３５の内壁を無電解銅めっき及び電解銅めっ
きにて被覆したビアホール５が形成された。

【００５２】〔電解めっき水溶液〕 i）硫酸・・・・・・・・・２．２４ｍｏｌ／ｌ， ii）硫酸銅・・・・・・・０．２６ｍｏｌ／ｌ， iii）添加剤（アトテックジャパン製，カパラシドＨ
Ｌ）・・１９．５ｍｌ／ｌ。

【００５３】〔電解めっき条件〕 i）電流密度・・・・・・・１Ａ／ｄｍ²， ii）時間・・・・・・・・６５分， iii）温度・・・・・・・２２±２℃。

【００５４】（１４）図５（ｋ）に示すごとく，めっき
レジスト４９を５％ＫＯＨで剥離除去した。次いで，そ
のめっきレジスト下の無電解めっき膜４１を硫酸と過酸
化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去する。こ
れにより，図５（ｌ）に示すごとく，無電解銅めっき膜
４１と電解銅めっき膜４２との２層構造からなる厚さ１
８μｍの外層導体回路４が形成された。

【００５５】（１５）上記（６）と同様の処理を行い，
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て，粗化層を形成し，さらにその表面にＳｎ置換を行っ
た。

【００５６】（１６）図２（ｄ）〜図５（ｌ）に示す上
記（３）〜（１５）の工程を繰り返すことにより，さら
にその表層の導体回路を形成し，多層配線基板を得た。
但し，表の粗化面には，Ｓｎ置換は行わなかった。

【００５７】（１７）ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリ
ゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ，メチルエチ
ルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（油化シェル製，エピコート１００１）１
５．０ｇ，イミダゾール硬化剤（四国化成製，２Ｅ４Ｍ
Ｚ−ＣＮ）１．６ｇ，感光性モノマーである多価アクリ
ルモノマー（日本化薬製，Ｒ６０４）３ｇ，同じく多価
アクリルモノマー（共栄社化学製，ＤＰＥ６Ａ）１．５
ｇ，分散系消泡剤（サンノプコ社製，Ｓ−６５）０．７
１ｇを混合し，さらにこの混合物に対して光開始剤とし
てのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ，光増感剤と
してのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加え
て，粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお，粘度測定は，Ｂ型粘度計
（東京計器，ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はロー
ターＮｏ．４，６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によ
った。

【００５８】（１８）図６に示すごとく，上記（１６）
で得られた多層プリント配線基板の上下両面に，上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布してソル
ダーレジスト層６を形成した。次いで，７０℃で２０分
間，７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後，円パター
ン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのフォト
マスクフィルムを密着させて載置し，１０００ｍＪ／ｃ
ｍ²の紫外線で露光し，ＤＭＴＧ現像処理した。そして
さらに，８０℃で１時間，１００℃で１時間，１２０℃
で１時間，１５０℃で３時間の条件で加熱処理し，半田
パッド部分（ビアホールとそのランド部分を含む）に開
口部６５を形成した（開口径２００μｍ）を形成した。

【００５９】（１９）その後，塩化ニッケル２．３×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ，次亜リン酸ナトリウム２．８×１０^-1
ｍｏｌ／ｌ，クエン酸ナトリウム１．６×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ，からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液
に，２０分間浸漬して，開口部に厚さ５μｍのニッケル
めっき層４５を形成した。さらに，その基板を，シアン
化金カリウム７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ，塩化アンモニ
ウム１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ，クエン酸ナトリウム
１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ，次亜リン酸ナトリウム１．
７×１０^-1ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に８０
℃の条件で７．５分間浸漬して，ニッケルめっき層４５
上に厚さ０．０３μｍの金めっき層４６を形成した。

【００６０】（２０）図１（ａ）に示すごとく，導体回
路及びソルダーレジスト層が形成された基板１の大きさ
は１０ｃｍ×７７ｃｍで，面積は７．７×１０^-2ｍ²で
ある。基板１には，横方向に１１の分割基板形成部１１
０が設けられている。基板１における分割基板形成部１
１０の外周縁には，捨て耳部１３が設けられている。捨
て耳部１３の幅は，５ｍｍである。分割基板形成部１１
０には，縦方向に３つ，横方向に２つの配線板形成部１
２０が設けられている。分割基板形成部の大きさは，捨
て耳部１３を含めて，１０ｃｍ×７ｃｍで面積は７．０
×１０^-3ｍ²である。個片化基板形成部１２０の大きさ
は，３ｃｍ×３ｃｍで面積は９．０×１０^-4ｍ²であ
る。図１（ｂ）に示すごとく，この基板１をダイシング
装置で９分割して，分割基板１１とした。

【００６１】（２１）図６に示すごとく，ソルダーレジ
スト層６の開口部６５に，ＳｎＰｂ半田ペーストを印刷
して２３０℃でリフローすることにより，半田バンプ７
を形成した。

【００６２】（２２）図１（ｄ）に示すごとく，分割基
板１１をダイシングによって個片化するとともに捨て耳
部１３を切断除去して，大きさ３．０ｃｍ×３．０ｃｍ
で面積９．０×１０^-4ｍ²の個片化基板１２を得た。そ
の後，検査工程，チェッカー工程を行い，プリント配線
板を得た。

【００６３】次に，本例の作用及び効果について説明す
る。本例においては，図１（ｂ），図１（ｃ）に示すご
とく，分割及び個片化という２回にわたる工程によって
基板１を切断している。そのため，製造工程中の熱履歴
により基板に反りが発生していても，正確な位置で基板
を切断することができ，また切断時の基板の損傷を防止
できる。そのため，切断時に基板の割れや導体回路の断
線が生じることはない。

【００６４】また，工程（２１）において，半田バンプ
の形成を，基板の分割と個片化との間に行っている。そ
のため，切断前に半田バンプを形成するよりも，基板の
反りが少ない状態で半田バンプを形成することができ，
正確な位置に接合できる。また，切断工程が終了した個
片化基板に半田バンプを形成するよりも，比較的大きい
分割基板に対して半田バンプを形成することができ，バ
ンプ形成作業を効率よく行うことができる。また，図１
に示すごとく，基板１における分割基板形成部１１０の
外周縁には捨て耳部１３を設けている。そのため，基板
搬送時の基板端の欠け，キズを防止できる。

【００６５】（比較例１）本例のプリント配線板の製造
方法は，基本的には実施形態例１と同じであるが，異な
る点は，半田バンプ形成後，１工程で，面積が５．０×
１０^-3ｍ²基板から９．０×１０^-4ｍ²に切断したことで
ある。即ち，図７に示すごとく，基板に導体回路及びソ
ルダーレジスト層を形成し（図７（ａ）），半田バンプ
を形成し（図７（ｂ）），その後１工程で基板９１をダ
イシング装置で切断して個片化基板９１２を得（図７
（ｃ）），後処理をしてプリント配線板を得た。

【００６６】（実験例１）実施形態例１および比較例１
で製造されたプリント配線板について，基板の反り，ダ
イシングの断面，半田バンプの位置ずれ，個片分割後の
導通試験の計４項目について評価した。表１に実施形態
例１と比較例１の評価結果を示した。実施形態例１で製
造されたプリント配線板は，半田バンプ形成前の反りも
少なく，半田バンプの位置ずれも小さく，ダイシングの
切断面に損傷も生じず，断線も起こらなかった。

【００６７】

【表１】

【００６８】実施形態例２ 本例のプリント配線板の製造方法においては，図８に示
すごとく，複数のプリント配線板を形成するための基板
１の側面に，捨て耳部１３を設けている。捨て耳部１３
の幅は５ｍｍである。基板１には，横方向に１１の分割
基板形成部１１０を配置する。分割基板形成部１１０に
は，縦方向に３つ，横方向に２つの配線板形成部１２０
を配置する。

【００６９】基板１の面積は，捨て耳部１３を含めて，
１０ｃｍ×６６ｃｍで面積は６．６×１０^-2ｍ²であ
る。分割基板形成部１１０は，１０ｃｍ×６ｃｍで面積
は６．０×１０^-3ｍ²である。配線板形成部１２０の大
きさは３ｃｍ×３ｃｍで面積は９．０×１０^-4ｍ²であ
る。その他の点は，実施形態例１と同様である。

【００７０】本例においては，基板１の側面に，捨て耳
部１３を設けている。そのため，基板搬送時の基板端の
欠け，キズを防止できる。その他，本例においても，実
施形態例１と同様の効果を得ることができる。

【００７１】（実験例２）本例では，分割前後の基板の
面積と反りとの関係について検討した。面積６．０×１
０^-2ｍ²を超える基板について，実施形態例１の（１）
〜（１９）までの工程を繰返し行い多層板を形成した。
層間絶縁層，ソルダーレジスト層の乾燥，硬化あるい
は，めっき後の乾燥，アニールなどの加熱工程による熱
履歴により，積層する層が３層，４層と多くなればなる
ほど，基板に加わる熱応力のため反ることが分かった。
その反り方も，中央部分から反る，端の部分が反る，ね
じれるように反るというように反り方もそのときどきに
よって，形態が異なっている。また，６．０×１０^-2ｍ
²を超える基板から面積１．０×１０^-4〜５．０×１０
^-3ｍ²に分割するときにダイシング用の刃が一直線，特
に四隅を切断したときに，分割線からはずれて分割した
り切断面がささくれたり傷ついたりするという問題が起
きることが分かった。

【００７２】また，面積６．０×１０^-2ｍ²以下の基板
では，熱履歴による反りの程度が小さく，半田ペースト
等の印刷，ＩＣチップ実装などの工程への精度への影響
は，少なくなる。総面積８．０×１０^-2ｍ²を越える基
板から，面積１．０×１０^-4〜５．０×１０^-3ｍ²，特
に面積２．５×１０^-2ｍ²未満に分割する際に前述の問
題が顕著に表れる。

【００７３】切断時にも，基板に応力が加わり，外部及
び内部の導体回路に亀裂が生じたりして，個片切断後の
導通検査で，断線したことが明らかになった。基板の総
面積が大きくなればなるほど，その傾向は強くなった。

【００７４】よって，総面積６．０×１０^-2ｍ²を越え
る基板から，面積１．０×１０^-4〜５．０×１０^-3ｍ²
に分割にする際，基板を一旦，面積６．０×１０^-2ｍ²
以下に分割した後に，個片化することにより，前述の問
題が解決されることが分かった。また，半田ペーストな
どの印刷工程や導通検査工程なども基板を分割した状態
で行う方が反りによる影響が少ない。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば，基板の反りがなく，切
断面の損傷発生を防止し，かつ半田バンプを正確な位置
に形成でき，電気接続性に優れたプリント配線板の製造
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態例１のプリント配線板の製造方法にお
ける，基板の平面説明図（ａ），分割基板の平面説明図
（ｂ），個片化基板の平面説明図（ｃ）。

【図２】実施形態例１のプリント配線板の製造方法を示
すための説明図（ａ）〜（ｄ）。

【図３】図２に続く，プリント配線板の製造方法の説明
図（ｅ）〜（ｈ）。

【図４】図３に続く，プリント配線板の製造方法の説明
図（ｉ）〜（ｊ）。

【図５】図４に続く，プリント配線板の製造方法の説明
図（ｋ）〜（ｌ）。

【図６】実施形態例１のプリント配線板の断面図。

【図７】比較例１のプリント配線板の製造方法を示す説
明図（ａ）〜（ｃ）。

【図８】実施形態例２のプリント配線板の製造方法にお
ける，基板の平面説明図。

【符号の説明】

１．．．基板， １０．．．樹脂充填剤， １１．．．分割基板， １１０．．．分割基板形成部， １２．．．個片化基板， １２０．．．配線板形成部， １３．．．捨て耳部， ２．．．内層導体回路， ２０．．．銅箔， ２１．．．ダミーパターン， ３．．．層間絶縁層， ３１．．．下層層間絶縁層， ３２．．．上層層間絶縁層， ３５，６５．．．開口部， ４．．．外層導体回路， ４１．．．無電解銅めっき膜， ４２．．．電解銅めっき膜 ４５．．．ニッケルめっき層 ４６．．．金めっき層， ４９．．．めっきレジスト， ５．．．ビアホール， ６．．．ソルダーレジスト層， ７．．．半田バンプ， ８１．．．上面， ８２．．．下面，

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のプリント配線板を形成するための
   基板であって，該基板における配線板形成部に導体回路
   を形成するとともに該基板の表面にソルダーレジスト層
   を形成する工程と，上記基板を分割して，２以上の配線
   板形成部を有する分割基板とする工程と，上記分割基板
   を個片化して，１の配線板形成部からなる個片化基板と
   する工程と，上記個片化基板に半田バンプを形成する工
   程とを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方
   法。
2. 【請求項２】 複数のプリント配線板を形成するための
   基板であって，該基板における配線板形成部に導体回路
   を形成するとともに該基板の表面にソルダーレジスト層
   を形成する工程と，上記基板に半田バンプを形成する工
   程と，上記基板を分割して，２以上の配線板形成部を有
   する分割基板とする工程と，上記分割基板を個片化し
   て，１の配線板形成部からなる個片化基板とする工程と
   を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
3. 【請求項３】 複数のプリント配線板を形成するための
   基板であって，該基板における配線板形成部に導体回路
   を形成するとともに該基板の表面にソルダーレジスト層
   を形成する工程と，上記基板を分割して，２以上の配線
   板形成部を有する分割基板とする工程と，上記分割基板
   に半田バンプを形成する工程と，上記分割基板を個片化
   して，１の配線板形成部からなる個片化基板とする工程
   とを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項において，
   上記分割基板の面積は５．１×１０^-3〜６．０×１０^-2
   ｍ²の範囲にあることを特徴とするプリント配線板の製
   造方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項において，
   上記個片化基板の面積は１．０×１０^-4〜５．０×１０
   ^-3ｍ²の範囲にあることを特徴とするプリント配線板の
   製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項において，
   上記基板の側面には捨て耳部を設け，該捨て耳部は，上
   記分割の際又は個片化の際に切断除去することを特徴と
   するプリント配線板の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか１項において，
   上記基板における分割基板形成部の外周縁には捨て耳部
   を設け，該捨て耳部は，上記分割の際又は個片化の際に
   切断除去することを特徴とするプリント配線板の製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項６又は７において，上記捨て耳部
   の幅は，５〜１５ｍｍであることを特徴とするプリント
   配線板の製造方法。