TWI506354B - 光罩用基板、光罩及圖案轉印方法 - Google Patents

光罩用基板、光罩及圖案轉印方法 Download PDF

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Masayoshi Tsuchiya
Hisami Ikebe
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Hoya Corp
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Description

光罩用基板、光罩及圖案轉印方法
本發明係關於一種光罩用基板、光罩及圖案轉印方法。
電腦或行動終端等中所含之液晶顯示裝置具有如下構造：於透光性基材上形成有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)陣列(array)之TFT基板、與於透光性基材上形成有RGB(Red Green Blue，三原色)圖案之彩色濾光片貼合，且於其間封入有液晶。彩色濾光片(以下亦稱為CF，Color Filter)係藉由依序實施如下步驟而製造，即，於透光性基材之一主表面上形成構成色彩之邊界部之黑矩陣(black matrix)層的步驟，及向被黑矩陣層劃分之透光性基材之一主表面上形成紅濾光層、綠濾光層、藍濾光層等彩色濾光層(以下亦稱為色層)的步驟。上述TFT、彩色濾光片均可應用使用有光罩之光微影術而製造。
另一方面，於將光罩設置(set)於曝光機上進行圖案轉印時，光罩會由於自重而少許撓曲，故而專利文獻1中記載有用以減輕該撓曲之曝光機之支持機構。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平9-306832號公報
液晶顯示裝置所要求之性能提昇之期待日益增強。尤其 是行動終端等尺寸較小且必需高精細圖像之顯示裝置於若干方面均要求超出先前產品之性能。包括色彩之銳度(sharpness)(無色濁)、反應速度、解像性等。因為此種需求，而要求製造TFT或CF之光罩的圖案形成之精度勝於先前。
例如，於TFT形成用之光罩中，為了提高液晶顯示裝置之反應速度，而當對光罩形成圖案時必需使微細尺寸之線寬形成得較精緻，例如使TFT圖案本身變得微細、或將主TFT與微細之TFT組合而使用等。又，儘管TFT與CF重合使用，但若光罩上之各者之圖案之座標精度與轉印時之定位未控制得極其精緻，則於兩者之間會產生位置偏差，從而有產生液晶之動作不良之風險。
另一方面，對於CF形成用之光罩而言，亦於以下方面依然存在問題。如上所述，黑矩陣層與色層重合使用，但若於遮罩上之形成圖案之同時，因轉印時之畸變等而產生座標偏差，則會產生色濁等不良狀況。
當使用光罩而於透光性基材上形成黑矩陣層或彩色濾光層時，最有利的是應用近接(近接式(proximity))曝光。其原因在於：與投影(投影式(projection))曝光相比曝光機之構造無需複雜之光學系統故裝置成本亦低，因而生產效率較高。然而，若應用近接曝光，則於轉印時難以實施畸變之修正，因此與投影曝光相比轉印精度易於劣化。
於近接曝光中，使形成有光阻膜之被轉印體與光罩之圖案面對向地保持，將圖案面朝向下方，自光罩之背面側照 射光，藉此，將圖案轉印至光阻膜上。此時，於光罩與被轉印體之間設置有特定之微小間隔(近接間隙(proximity gap))。再者，光罩具有對形成於透明基板之主表面(第1主表面)上之遮光膜進行特定之圖案化處理而形成之轉印用圖案。
一般而言，於將光罩設置於近接曝光用曝光機上之情形時，藉由曝光機之保持構件來保持形成有轉印用圖案之主平面上的、形成有轉印用圖案之區域(亦稱為圖案區域)之外側。
即，於將構成光罩之外周的相對向之兩邊之各者之附近的區域作為保持區域時(兩邊保持)，曝光機之保持構件抵接於該保持區域，從而可保持光罩。根據裝置之情況，亦有保持光罩之四邊之附近者(四邊保持)。而且，將圖案面朝向下方，藉由曝光機之保持構件分別自下方支持該保持區域，藉此，光罩既保持特定之近接間隙、亦以大致水平姿勢配置於曝光機上。
但是，如上所述，由於光罩因自身之重量而撓曲，故而可藉由曝光機之保持機構在某種程度上修正該撓曲。例如，於專利文獻1之方法中，記載有如下內容：於自下方支撐光罩之保持構件之支持點之外側，自遮罩之上方施加特定壓之力。
然而，發明者等人發現：即便減輕因光罩之撓曲而造成之圖案轉印上之影響較有用，但若僅僅如此，尚不足以製造上述用途之精密之顯示裝置。例如，若進行上述近接曝 光，則儘管光罩所具有之轉印用圖案之形成精度充分高且為基準範圍內，但依然發現有形成於被轉印體上之圖案之座標精度不充分之情形。尤其是存在配置於光罩之保持區域附近的轉印用圖案之轉印精度、例如保持區域附近之黑矩陣層或彩色濾光層圖案之形成精度劣化，從而使轉印後之圖案上產生座標偏差之情形。近年來，隨著液晶顯示裝置之高精細化之推進，逐漸無法容許如此之圖案之重合精度之劣化。再者，根據曝光機之情況亦有自光罩之上方進行吸附支持者，但其亦無法解決上述課題。
本申請案發明之目的在於提供一種可使將形成於光罩上之轉印用圖案轉印至被轉印體上時之轉印精度提昇，從而提高跨及轉印用圖案整面之座標精度的光罩用基板、光罩及圖案轉印方法。
根據本發明之第1態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx，將該保持區域外之2點且係位 於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zex(μm)時之[Zex/P]設為平坦度指數Fex時，該保持區域滿足Fsx≦Fex。
根據本發明之第2態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且為上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，該保持區域滿足Fsx≦0.08。
根據本發明之第3態樣，提供如第1或2態樣之光罩用基板，其中上述保持區域係於上述第1主表面上被距離上述兩邊分別相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線分別夾著且平行於上述兩邊的帶狀區域。
根據本發明之第4態樣，提供如第1~3中任一態樣之光罩用基板，其中上述相隔距離P滿足5≦P≦15(mm)。
根據本發明之第5態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基 板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，上述保持區域滿足Fsx≦0.08，並且當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊平行之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsy(μm)時之[Zsy/P]設為平坦度指數Fsy時，該保持區域滿足Fsy≦0.08。
根據本發明之第6態樣，提供如第1~5中任一態樣之光罩用基板，其中上述第1主表面為長方形，上述保持區域係於上述第1主平面上之上述圖案區域之外且於上述第1主表面之相對向之長邊之各者之附近，作為平行於上述長邊之帶狀區域而設置。
根據本發明之第7態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之四邊之各者之附 近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsa(μm)時之[Zsa/P]設為平坦度指數Fsa時，該保持區域滿足Fsa≦0.08，且，上述保持區域之各者係被自附近之上述四邊之一邊相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於附近之上述四邊之一邊的帶狀區域。
根據本發明之第8態樣，提供如第1~6中任一態樣之光罩用基板，其中於上述透明基板之厚度為T(mm)時，上述第1主表面之上述保持區域內之平坦度指數Fsx滿足Fsx≦(1/T)×3.0。
根據本發明之第9態樣，提供如第2~6中任一態樣之光罩用基板，其中上述保持區域內之上述2點之高低之相互關係係無論與上述兩邊正交之方向上的上述2點之位置如何均不變。
根據本發明之第10態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基板，且在位於上述第1主表面之背面的四角形狀之第2主表面上、且於上述第2主表面之相對向之兩邊之附近，具有包 含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域，當將上述背面保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zbsx(μm)時之[Zbsx/P]設為平坦度指數Fbsx時，該保持區域滿足Fbsx≦0.08。
根據本發明之第11態樣，提供如第10態樣之光罩用基板，其中上述背面保持區域係於上述第2主表面上被距離相對向之兩邊分別相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於上述兩邊的帶狀區域。
根據本發明之第12態樣，提供一種光罩用基板，其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩之光罩用基板，且在位於上述第1主表面之背面的四角形狀之第2主表面上、且於上述第2主表面之四邊之各者之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zbsa(μm)時之[Zbsa/P]設為平坦度指數Fbsa時，該保持區域滿足Fbsa≦0.08，且，上述保持區域之各者係被距離附近之上述四邊之一邊相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於附近之 上述四邊之一邊的帶狀區域。
根據本發明之第13態樣，提供一種光罩，其使用第1~12中任一態樣之光罩用基板，對形成於上述光罩基板之第1主表面上之光學膜實施所期望之圖案化處理，形成轉印用圖案。
根據本發明之第14態樣，提供如第13態樣之光罩，其係用於近接曝光。
根據本發明之第15態樣，提供如第13或14態樣之光罩，其係用於製造彩色濾光片。
根據本發明之第16態樣，提供一種圖案轉印方法，其係使用近接式曝光機將光罩所具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上者，且以上述近接式曝光機之保持構件抵接於如第13~15態樣中任一態樣之光罩之保持區域之方式，保持上述光罩，且進行曝光。
根據本申請案發明，可防止圖案轉印之時之座標偏差，且於進行近接曝光時能使圖案之轉印精度提昇。
 <本發明之一實施形態>
以下，對本發明之一實施形態進行說明。
(1)彩色濾光片之製造步驟
首先，一面參照圖1~圖3一面對液晶顯示裝置等中使用之彩色濾光片之製造步驟進行說明。圖1係例示本實施形態之彩色濾光片之製造步驟之概略的流程圖。圖2(a)係例 示於本實施形態之彩色濾光片之製造步驟中進行近接曝光之情況的側視圖，圖2(b)係其俯視圖。圖3(a)係例示本實施形態之光罩之平面構成之俯視圖，圖3(b)係例示其變形例之俯視圖。
如圖1所示，液晶顯示裝置用之彩色濾光片10係藉由依序實施如下步驟而製造：於透光性基材11之一主表面上形成構成色彩之邊界部之黑矩陣層12p的步驟(圖1(a)~(e))，及於被黑矩陣層12p劃分之透光性基材11之一主表面上形成紅濾光層14p、綠濾光層15p、藍濾光層16p等色層的步驟(圖1(f)~(j))。以下，對各步驟進行說明。
(黑矩陣層12p之形成)
首先，準備包含透光性樹脂或玻璃等之透光性基材11，於透光性基材11之一主表面上形成遮光材膜12，於遮光材膜12上形成光阻膜13(圖1(a))。
然後，將黑矩陣形成用之第1光罩100、及作為被轉印體之形成有遮光材膜12及光阻膜13之透光性基材11配置於近接曝光用之曝光機500內(圖1(b)、圖2)。
再者，如圖3(a)中之俯視圖所示，第1光罩100具有對形成於透明基板101之第1主表面上之遮光膜進行特定之圖案化處理而形成之轉印用圖案112p。轉印用圖案112p之形狀係形成為例如格子狀，以形成黑矩陣層12p。又，於第1光罩100之透明基板101之一主表面上，在形成有轉印用圖案112p之圖案區域之外側且為構成透明基板101之主表面之外周的相對向之兩邊之各者之附近，設置有保持區域 104。於保持區域104內，曝光機500之保持構件503所抵接之部分為抵接面103。於保持區域104內，既可形成有遮光膜，亦可露出透明基板101之一主表面。
如圖2(a)所示，抵接面103藉由曝光機500之保持構件503分別自下方受到支持，藉此，第1光罩100以水平姿勢配置於曝光機500內。而且，第1光罩100所具有之轉印用圖案112p與形成於透光性基材11上之光阻膜13相對向，例如介隔10 μm以上300 μm以內之近接間隙而配置。
第1光罩100與形成有遮光材膜12及光阻膜13之透光性基材11配置於近接曝光用之曝光機500內，分別完成位置對準之後，便使用光源501及照射系統502，自第1光罩100之背面側照射紫外線等光，介隔轉印用圖案112p而曝光光阻膜13，使光阻膜13之一部分感光(圖1(c)、圖2(a))。於曝光中，可使用包含i線、h線、g線之光源。
然後，將第1光罩100與形成有遮光材膜12及光阻膜13之曝光後之透光性基材11自曝光機500上取下。繼而，使光阻膜13顯影，形成部分地覆蓋遮光膜之光阻圖案13p(圖1(d))。
其次，將所形成之光阻圖案13p作為遮罩而對遮光材膜12進行蝕刻，於透光性基材11之一主表面上形成黑矩陣層12p(圖1(e))。形成黑矩陣層12p之後，便將光阻圖案13p除去。
(紅濾光層之形成)
繼而，於形成有黑矩陣層12p之透光性基材11之一主表 面上，例如形成包含感光性樹脂材料之紅光阻膜14(圖1(f))。
然後，將紅濾光層形成用之第2光罩200、與作為被轉印體之形成有黑矩陣層12p及紅光阻膜14之透光性基材11配置於近接曝光用之上述曝光機500內(圖1(g))。
再者，如圖3(a)中之平面構成所例示，第2光罩200具有圖案區域，其於透明基板之一主表面上具有將遮光膜加工成特定之轉印用圖案而形成之轉印用圖案212p。再者，轉印用圖案212p之形狀形成為用以形成紅濾光層14p之形狀，從而成為與第1光罩100之轉印用圖案112p不同之形狀。又，於第2光罩200之透明基板201之一主表面上，在形成有轉印用圖案212p之圖案區域之外側且為構成透明基板201之該主表面之外周的相對向之兩邊之各者之附近，設置有保持區域204。於保持區域204內，曝光機500之保持構件503所抵接之部分為抵接面203。於保持區域204內，既可形成有遮光膜，亦可露出透明基板201之一主表面。
如圖2(a)所示，抵接面203藉由曝光機500之保持構件503分別自下方受到支持，藉此第2光罩200以水平姿勢配置於曝光機500內。而且，第2光罩200所具有之轉印用圖案212p與形成於透光性基材11上之紅光阻膜14相對向，介隔上述近接間隙而配置。
第2光罩200與形成有黑矩陣層12p及紅光阻膜14之透光性基材11配置於近接曝光用之曝光機500內，分別完成位 置對準之後，便使用光源501及照射系統502，自第2光罩200之背面側照射紫外線等光，介隔轉印用圖案212p使紅光阻膜14曝光，使紅光阻膜14之一部分感光(圖1(h))。
然後，將第2光罩200、與紅光阻膜14已曝光之透光性基材11自曝光機500上取下。繼而，使紅光阻膜14顯影並將多餘之紅光阻膜14除去，烘烤(bake)殘留之紅光阻膜14使其硬化而形成紅濾光層14p(圖1(i))。
(綠濾光層及藍濾光層之形成)
繼而，與紅濾光層14p之形成同樣地進行綠濾光層15p及藍濾光層16p之形成，結束向被黑矩陣層12p劃分之透光性基材11之一主表面上形成紅濾光層14p、綠濾光層15p、藍濾光層16p等彩色濾光層之步驟(圖1(j))。
(ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)電極之形成)
雖未圖示，但其後，以覆蓋黑矩陣層12p、紅濾光層14p、綠濾光層15p、藍濾光層16p等彩色濾光層之上表面之方式形成ITO膜作為透明電極，結束彩色濾光片10之製造。
(2)關於保持區域之附近之圖案之轉印精度
如上所述，先前，若進行近接曝光，則抵接面附近(例如圖2(b)之圖案區域105中、靠近包含保持構件503所抵接之抵接面之保持區域104的區域)之圖案之轉印精度即保持區域之附近之黑矩陣層12p或濾光層之座標精度與遠離保持區域的區域(例如圖2(b)之圖案區域105之中心部)之圖案之轉印精度相比而言表現出不同之傾向，表現出特異之劣 化傾向。尤其發現：於細線化有所推進之微細之濾光用遮罩中，該座標精度之稍許之劣化傾向都會成為問題。
根據發明者等之銳意研究，判明上述轉印精度之劣化與保持區域內之透明基板主表面(藉由曝光機500之保持構件503而支持之面)之平坦度有關。圖4係例示如下情況之示意圖，即，於抵接面103'上之透明基板101'之主表面上存在凹凸，藉由該凹凸與保持構件503之抵接而追隨保持構件之形，透明基板之主表面101'側之形狀變化，由此圖案之轉印精度劣化。圖4(a)表示將光罩100'配置於曝光機500內之前之狀態，圖4(b)表示於曝光機500內配置有光罩100'之狀態。
若於抵接面103'上之透明基板101'之主表面上存在凹凸，則如圖4(b)所示，當於曝光機500內配置有光罩100'時(藉由曝光機500之保持構件503自下方支持抵接面103'從而將光罩100'配置成水平姿勢時)，有於透明基板101'之抵接面103'上產生局部之畸變之情形。而且，藉由該畸變，於靠近抵接面103'之圖案區域之轉印用圖案上，會產生水平方向之座標偏差，從而使得圖案之轉印精度劣化。再者，於厚度為T(mm)之透明基板101'以角度θ彎曲時，主表面上之座標上產生之水平方向之偏差量d例如為d=T/2×sinθ(mm)。
因此，於本發明之一實施形態中，藉由使用一種光罩基板製作光罩，而大幅地改善圖案之轉印性、座標精度，該光罩基板係用於在第1主表面上形成轉印用圖案而形 成光罩之光罩用基板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域外、且為上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，於將上述保持區域內及上述保持區域外之各者之平坦度指數設為Fsx及Fex時上述保持區域滿足Fsx≦Fex。
其中，此處，平坦度指數Fsx係該保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]。又，平坦度指數Fex係該保持區域外之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zex(μm)時之[Zex/P]。
所謂任意2點之高低差，可認為係於某規定之區域內、位於某規定之直線上、某規定之相隔距離的任意2點之高低差，可將一定之基準套用於其上。例如，關於任意2點之高低差Zsx，可假設為如下2點之高低差，即，設定在區域內以特定之相隔距離P(例如10 mm)為間隔沿XY方向繪製格子時的格子點，並將其作為測量點時，保持區域內整個區域之位於上述直線上的相鄰接之2點(即相隔距離為P之2點)。
例如，求出保持區域內整個區域之上述所有相鄰接之測量點之高低差Zsx，對於此等，當通常滿足Fsx≦0.08時可設為「關於任意2點之高低差為Zsx時之Fsx，滿足Fsx≦0.08」。對於下述Zex、Zsa、Zbsx、Zbsy、Zbsa亦可同樣 地考慮。
於本實施形態中，所謂光罩用基板係用於製造光罩，且包含對石英等進行研磨而製成之透明玻璃基板、於該透明玻璃基板上形成有光學膜或光阻劑等中之任一者之光罩基底、或者於該光罩上形成特定之轉印圖案之步驟中的光罩中間體。
又，本實施形態之光罩基板係主表面為四角形者。2個主表面中，為了形成光罩而形成光學膜，將進行圖案化處理之面作為第1主表面，將另一主表面稱為第2主表面。光學膜為典型之遮光膜，但亦可為某程度上具有曝光之光之穿透率的半透光膜性之膜。
於本實施形態中，所謂平坦度係指於將光罩設置於曝光機上時考慮到與曝光機側之保持構件抵接(既可為單純之接觸，亦可為吸附)之面所必需之性質的特定之區域內之平坦度。
一般而言，於將光罩設置於曝光機上時，曝光機之保持構件抵接於包圍基板之四角形之主平面之邊中相對向之兩邊之附近的帶狀區域(相當於圖2(b)之符號104所示之區域)內。保持區域104之尺寸係以如下方式設定者：以與保持構件抵接之部分為抵接面，將包含抵接面之部分(考慮到根據轉印圖案之位置或基板尺寸、形狀，曝光機之保持構件所抵接之位置多少會有所變動)設定為大於保持構件所具有之寬度尺寸之寬度尺寸，從而可包含抵接面；較佳可以如下方式進行。
保持區域例如可設定為自上述兩邊之各者相隔特定距離(5~15 mm左右)且具有一定寬度(30~60 mm)之帶狀區域。如下所述，於本實施形態中，例示有相對於上述兩邊之各者而具有被自主表面之兩邊之各者相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線所夾著之帶狀區域作為保持區域的光罩基板。
再者，於光罩之主表面為長方形之情形時，上述相對向之兩邊較佳設定為長邊(於圖3(a)中為L1>L2時)。
於本實施形態中，針對保持區域內與保持區域外，分別求出平坦度。例如，保持區域內之2點之高低差可以如下方式求出。
保持區域內之2點如圖2(b)中標出之符號M、N所例示，可設定為處於與上述兩邊正交之直線上者。保持區域外之2點之選擇亦可同樣地進行。
關於2點之相隔距離P較佳為進行以下考慮。如上所述，平坦度考慮到了適於光罩與保持構件之抵接的面，且應考慮到因潛在之凹凸之間距(pitch)而使得對轉印性造成之影響程度不同，故而測量點之相隔距離過大或過小均不佳。測量點之2點之相隔距離P必需根據曝光機所具有之保持構件之形狀、或與基板之接觸面積來選擇其數值，較佳為最大亦不超過與保持構件之抵接寬度。另一方面，若相隔距離過小，則需要進行以下之測量，該測量包括保持區域面之微小之變動、且表面凹凸所形成之斜率不會對與保持構件之抵接造成影響的情況。根據發明者之見解，相隔距離 P較佳為滿足5≦P≦15(mm)。例如較佳設定為P=10 mm，且自測量之效率等而言亦較佳。
此處，高低差(μm)可如下所述使用平面度測量機進行測量，且於求出本實施形態之平坦度之情形時，可使用裝置所規定之基準面求出。再者，於測量高低差時，較佳為於使基板鉛直且實質上排除因自重而彎曲之影響的狀況下進行。
2點之位置之選擇只要為處在與上述兩邊正交之直線上且具有上述相隔距離者，便可於保持區域內之任意位置處選擇。例如，可將以10 mm寬度之格子來分割保持區域整體時之各格子點作為測量點，使用相鄰接之測量點之高低差，求出平坦度。
然而，即便於上述保持區域104內產生有凹凸，只要因該高低差而產生之基板表面(第1主面)之變形非常小，則對處在圖案區域內之轉印用圖案之座標所造成的影響便幾乎不成問題。然而，於凹凸之高低差具有超過某基準之大小且該凹凸之距離較近(相對於抵接面之寬度不充分大)之情形時，判明因該高低差而產生之斜率會對鄰接於保持區域之圖案區域之座標精度造成影響。
進而，由凹凸之高低差而決定之斜率之方向亦與轉印性相關。即，當於基板表面內，在與上述兩邊垂直之方向上，存在較大高低差之情形時，會對轉印性產生負面影響。其原因在於：當與保持構件抵接而使基板表面變形時，該方向上之高低差對於該表面之畸變之影響易於傳遞 至轉印圖案側。
因此，於本實施形態中，將保持區域內亦即局部之部分之基板表面平坦度與其他部分加以區分而控制，藉此，轉印性得到大幅改善，且該平坦度之控制顧及到測量點之相隔距離、及因潛在之凹凸而形成之斜率之方向。
作為保持區域所應滿足之具體之平坦度較佳為如下者。即，較佳為當將該保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上之相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，滿足Fsx≦0.08。
再者，關於第1主平面之平坦度指數Fsx之範圍，若過度大，則有因圖案轉印所造成之座標偏差對於上述用途之一部分裝置而言超出容許範圍之情形。又，若過度小，則於基板之表面加工時，會存在超出加工裝置之能力、或需要過多加工時間之情形。因此，較佳為0.01≦Fsx≦0.08。
又，發現：於透明基板之厚度為T(mm)時，藉由使其滿足Fsx≦(1/T)×3.0，可更確實地抑制保持區域之附近之圖案之轉印精度之降低。
藉由如上所述使保持區域104內之透明基板101之一主表面之平坦度指數Fsx較低，可抑制於透明基板101之保持區域104內產生局部之畸變，從而可提昇近接於保持區域104之轉印圖案之轉印精度。
作為本發明之更佳態樣有如下者。
一種光罩用基板，其係用於在第1主表面上形成轉印用圖案而形成光罩之光罩用基板，且 於四角形狀之上述第1主表面上之、形成上述轉印用圖案之圖案區域之外且係上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上之相隔P(mm)的任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，該保持區域滿足Fsx≦0.08，並且當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊平行之直線上之相隔P(mm)的任意2點之高低差為Zsy(μm)時之[Zsy/P]設為平坦度指數Fsy時，該保持區域滿足Fsy≦0.08。
此係不僅對於與上述兩邊垂直之方向(X方向)，且對於平行方向(Y方向)，亦考慮到因表面凹凸而形成之斜率之影響。如上所述，只要於保持區域內之整個區域，將10 mm寬度之格子點作為測量點，而獲得相鄰接之相互之測量點之高低差，便可簡單地特定滿足上述之基板。
較佳為0.01≦Fsy≦0.08，進而，於透明基板之厚度為T(mm)時，更佳為滿足Fsy≦(1/T)×3.0。
(3)光罩之製造方法
以下，一面參照圖5、圖6一面對本實施形態之光罩之製造方法進行說明。圖5係例示本實施形態之光罩之製造步驟之流程圖。圖6係例示藉由入射雷射光而測量平坦度之情況之示意圖。再者，於以下之說明中，以製造黑矩陣形 成用之第1光罩100之情形為例進行說明，彩色濾光層形成用之第2~第4光罩之製造亦可與第1光罩100之製造同樣地進行。
(透明基板之準備及平坦度之檢查)
首先，準備作為光罩基板之透明基板101(圖5(a))。再者，亦如圖3(a)中之例示所示，透明基板101係俯視為長方形之板狀，其尺寸可設定為例如長邊L1為600~1400 mm、短邊L2為500~1300 mm、厚度T為5~13 mm左右。透明基板101例如可含有石英(SiO2 )玻璃或包含SiO2 、Al2 O3 、B2 O3 、RO、R2 O等之低膨脹玻璃等。於透明基板101之主表面上，有上述轉印用圖案112p之形成預定區域。又，於轉印用圖案112p之形成預定區域之外側且為構成透明基板101之外周的相對向之兩邊(於本實施形態中為長邊L1)之各者之附近，設置有分別平行於長邊L1之一對帶狀之保持區域104。其係包含當設置在曝光機500上時與曝光機500之保持構件503抵接之面的區域。例如，保持區域104可構成為被自構成第1光罩100之外周之相對向之長邊(L1)之各者相隔10 mm之直線及自長邊(L1)之各者相隔50 mm之直線夾著且分別平行於長邊(L1)之一對寬度40 mm的帶狀區域。
透明基板101之主表面(形成轉印用圖案之第1主表面及其背面即第2主表面)受到研磨等分別平坦且平滑地構成。透明基板101之第1主表面之平坦度以如下方式構成：當如上所述以存在於該主表面上之彼此相隔10 mm之2點間之高 低差表示時，保持區域104內之平坦度指數Fsx為保持區域104外之平坦度指數Fex以下(越小越平坦)。又，如上所述，保持區域104內之該主表面之平坦度指數Fsx較佳為Fsx≦0.08。進而，較佳為以滿足Fsx≦(1/T)×3.0之方式構成。
又，更佳為適宜使用滿足Fsy≦(1/T)×3.0之透明基板101。
又，保持區域104內之上述2點之高低之相互關係較佳為無論與上述兩邊正交之方向上的上述2點之位置如何均不變(一定)。即，較佳為：於一個保持區域104內，與上述兩邊正交之方向上之斜率一直為正(上升)，或一直為負(下降)。
更佳為，位於相對向之上述兩邊之附近的保持區域之斜率傾向為相互相反(較佳為一者為正(上升)，且另一者為負(下降))。
為了獲得本實施形態之光罩基板，於合成石英等之基板之研磨步驟中，可藉由調整研磨時間、研磨量，控制平坦度而進行。進而，本實施形態之光罩基板可自完成最終研磨步驟之複數個光罩基板中，選擇具有本實施形態所規定之平坦度者而獲得。進而，於完成最終研磨步驟之複數個光罩中，可測量第1主表面及/或第2主表面之平坦度，將滿足本實施形態所規定之平坦度之主表面設定為與曝光機500之保持構件503抵接之側。
關於平坦度指數Fsx是否滿足上述要件，例如可使用如 圖6所示向保持區域104內之該主表面斜入射雷射光之方法等而檢查。作為測量裝置之例，例如可列舉黑田精工公司製造之平面度測量機FFT-1500(註冊商標)或日本專利特開2007-46946號公報中記載者等。
(遮光膜及光阻膜之形成)
繼而，於透明基板101之主表面上，形成例如以Cr為主要成分之遮光膜112(圖5(b))。遮光膜112例如可藉由濺鍍(sputtering)或真空蒸鍍等方法形成。遮光膜112之厚度為足以遮蔽曝光機500之照射光之厚度，例如可設定為100~120nm左右。再者，於遮光膜112之上表面，較佳為形成例如以CrO等為主要成分之抗反射層。又，遮光膜112亦可不形成於保持區域104上。
其次，於遮光膜112上形成光阻膜113(圖5(b))。光阻膜113可藉由正(positive)型光阻材料或負(negative)型光阻材料而構成。於以下之說明中，光阻膜113係設定為由正型光阻材料形成者。光阻膜113例如可藉由旋塗法(spin coating)或狹縫塗佈法(slit coating)等方法而形成。
(圖案化步驟)
繼而，藉由雷射描畫機等對光阻膜113進行描畫曝光，使光阻膜113之一部分感光。其後，藉由噴霧(spray)方式等方法將顯影液供給至光阻膜113而使其顯影，形成覆蓋遮光膜112之一部分之光阻圖案113p(圖5(c))。
然後，將所形成之光阻圖案作為遮罩，而對遮光膜112之一部分進行蝕刻。遮光膜112之蝕刻可藉由利用噴霧方 式等方法將鉻(chrome)用蝕刻液供給至遮光膜112上而進行。其結果，於透明基板101之一主表面上，形成由遮光膜112圖案化而形成之轉印用圖案112p(圖5(d))。繼而，將光阻圖案113p除去而結束第1光罩100之製造(圖5(e))。
(4)本實施形態之效果
以下例示本實施形態之效果。
液晶顯示裝置之裝置圖案之微細化不斷推進。對於彩色濾光片中使用之黑矩陣(BM)而言，細線化之期望亦特別地強烈。例如，10 μm左右之被認為足夠之BM寬度最近卻被期待為8 μm或6 μm左右，製造技術之難度進一步變大。
例如，考慮欲形成6 μm之BM之情形(圖7(a))。當BM上重合有色版時，一方(例如為BM。以下同樣)所容許之座標偏差之最大值為3 μm(圖7(b))。其原因在於：若色版彼此(例如紅(red)與藍(blue))之邊界超出BM之寬度，則會產生色濁等不良狀況。進而，若考慮到色版自身存在線寬誤差、及BM自身存在線寬誤差，則一座標偏差必需控制於(3 μm×1/2×1/2=)0.75 μm以內(圖7(c))。
然而，由於描畫裝置所具有之描畫再現性為0.15 μm左右，所以光罩基板側之容限(margin)為(0.75-0.15=)0.60 μm。此係光罩引起之座標偏差之容許值(圖7(d))。
然而，光罩基板引起之座標偏差要因並不僅是由於與曝光機500之保持構件503之抵接所引起。根據發明者等人之研究，存在複數個因素，作為有意義者(作為因素無法無視者)，此外還有第1主表面之圖案區域之形狀、或對應於 圖案區域之第2主表面之形狀。此處，第2主表面之形狀係與轉印用圖案之描畫時所產生之座標偏差有關，因而無法無視。
從而，為了將可容許之座標偏差量分配給上述主要3個因素(圖7(e))，且滿足Cpk((Complex Process Capability index，製程能力指數))1.3，容許偏差量成為0.15 μm(圖7(f))。又，如上所述，由於與曝光機500之保持構件503之抵接而產生之透明基板101之主表面之變形、以及因變形而產生之座標偏差之大小存在以下之關係(圖4(b))。
當於所容許之最大上產生座標偏差時，dmax(最大偏差量：0.15 μm)=(T ＊ 103 )/2 ＊ sinθ=T/2 ＊ Z/P (Z(μm)：2點之高低差，P(mm)：2點之相隔距離，T(mm)：基板厚度)
此處，若假設P=10 mm，則Z=3.0/T(μm)
假設若T=8 mm，則Z=0.375 μm
若T=5 mm，則Z=0.6 μm
此處，若變更為P=12 mm，則Z=0.72 μm
於為如此之範圍之高低差時，根據本發明，平坦度指數F(=Z/P)≦0.08，故而可獲得充分之轉印精度。再者，當製造此種基板時，若考慮到研磨能力、研磨時間，則較佳為0.01≦F。此對於下述除Fsx以外之Fxy、 Fsa、Fbsx、Fbsy、Fbsa而言亦同樣適用。
依據上述說明可知，根據本實施形態，藉由控制透明基板101之第1主表面且係曝光機500之保持構件503所保持之保持區域104的特定之平坦度(Fsx、Fsy、或Fsa)，可於進行近接曝光時，抑制於透明基板之保持區域之附近產生局部之畸變，可使保持區域之附近之圖案之轉印精度提昇。
又，根據本實施形態，依據上述說明可知，於透明基板101之厚度為T(mm)時，較佳為使其滿足Fsx≦(1/T)×3.0。藉此，可於進行近接曝光時，更確實地抑制於透明基板101之保持區域104之附近產生局部之畸變，可更確實地使轉印精度提昇。更佳為Fsy≦(1/T)×3.0。
又，保持區域104內之2點之高低關係較佳為，以沿與附近設置有保持區域104之透明基板101之外周正交之方向(於圖3(a)之例中為與長邊L1正交之方向)單純增加或單純減少之方式構成。藉此，可縮小透明基板101之畸變、彎曲量，可使保持區域104之附近之圖案之轉印精度提昇。
<本發明之另一實施形態>
以上，對本發明之實施形態具體地進行了說明，但本發明並非限定於上述實施形態，可於不脫離其要旨之範圍內進行各種變更。
例如，保持區域104並不限於如上述實施形態般設置有一對之情形，亦可沿光罩之周圍設置有多個。即，如圖3(b)所示，於俯視為長方形之透明基板101之一主表面上，在轉印用圖案112p之外側且係構成透明基板101之外周的4 邊(L1、L2)之各者之附近之區域內，亦可設置有4個帶狀之保持區域104。
此時，使用一種光罩基板，其係用於在第1主表面上形成轉印用圖案而形成光罩之光罩用基板，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外且係上述第1主表面之四邊之各者之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上之相隔P(mm)的任意2點之高低差為Zsa(μm)時之[Zsa/P]設為平坦度指數Fsa時，上述保持區域滿足Fsa≦0.08，且，上述保持區域之各者係被自附近之上述四邊之一邊相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於附近之上述四邊之一邊的帶狀區域。藉此，可獲得具有與上述相同之效果之光罩。
於該情形時，亦較佳為0.01≦Fsa≦0.08。
例如，4個保持區域104構成為轉印用圖案112p之外側且係被自構成第1光罩100之外周之4邊之各者相隔10 mm之直線及自4邊之各者相隔50 mm之直線夾著並分別平行於4邊的4個帶狀區域即可。此時，亦構成為，4個保持區域104內之主表面之平坦度指數Fsa為保持區域104外之平坦度指數Fex以下。尤其，於透明基板之厚度為T(mm)時，只要 使得於4個保持區域104內分別滿足Fsa≦(1/T)×3.0即可。
<本發明之又一實施形態>
於曝光機中，有如下類型：保持構件抵接於成為形成有光罩之圖案之第1主表面之背面側的第2主表面，進行吸附保持等，且利用固定光罩之機構之構件。為了適合於此種態樣，以下之光罩基板有用。
即，使用一種光罩基板，其係用於在第1主表面上形成轉印用圖案而形成光罩之光罩用基板，且在位於上述第1主表面之背面上之四角形狀之第2主表面上且為上述第2主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域，當將上述背面保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上之相隔P(mm)的任意2點之高低差為Zbsx(μm)時之[Zbsx/P]設為平坦度指數Fbsx時，該背面保持區域滿足Fbsx≦0.08。藉此，可獲得具有與上述相同之效果之光罩。
於該情形時，較佳為0.01≦Fbsx≦0.08。進而，較佳為Fbsx≦(1/T)×3.0。
進而，於該情形時，上述背面保持區域較佳為於上述第2主表面上被自相對向之兩邊之各者相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於上述兩邊之帶狀區域。
進而，當將於與上述直線垂直之方向上相隔P(mm)之任 意2點之高低差為Zbsy(μm時之[Zbsy/P]設為平坦度指數Fbsy時，更佳為0.01≦Fbsy≦0.08。進而，更佳為Fbsy≦(1/T)×3.0。
再者，可使用第2主平面滿足針對第1主表面之保持區域而記載之上述實施形態之各特徵的光罩基板而製作光罩，且較為有用。
例如，使用一種光罩基板，其係用於在第1主表面上形成轉印用圖案而形成光罩之光罩用基板，且在位於上述第1主表面之背面上之四角形狀之第2主表面上且為上述第2主表面之四邊之各者之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上之相隔P(mm)的任意2點之高低差為Zbsa(μm)時之[Zbsa/P]設為平坦度指數Fbsa時，該保持區域滿足Fbsa≦0.08。藉此，可獲得具有與上述相同之效果之光罩。
於該情形時，較佳為0.01≦Fbsa≦0.08。進而較佳為Fbsa≦(1/T)×3.0。
又，較佳為，上述保持區域之各者設定為被自附近之上述四邊之一邊相隔10 mm之直線及相隔50 mm之直線夾著且平行於附近之上述四邊之一邊的帶狀區域。
藉由本實施形態，當獲得座標精度優異之光罩時，可於轉印用圖案形成之前，自透明基板之階段起進行評估。而 且，可確切地製造或選擇用於獲得優異之座標精度之液晶顯示裝置的光罩基板。
100‧‧‧第1光罩
101‧‧‧透明基板
103‧‧‧抵接面
104‧‧‧保持區域
105‧‧‧圖案區域
112p‧‧‧轉印用圖案
200‧‧‧第2光罩
201‧‧‧透明基板
203‧‧‧抵接面
212p‧‧‧轉印用圖案
500‧‧‧曝光機
503‧‧‧保持構件
圖1(a)~(j)係例示本實施形態之彩色濾光片之製造步驟之概略的流程圖。
圖2(a)係例示於本實施形態之彩色濾光片之製造步驟中進行近接曝光之情況的側視圖，(b)係其俯視圖。
圖3(a)係例示本實施形態之光罩之平面構成之俯視圖，(b)係例示其變形例之俯視圖。
圖4係例示保持區域附近之圖案之轉印精度降低之情況之示意圖，(a)表示將光罩配置於曝光機內之前之狀態，(b)表示於曝光機內配置有光罩之狀態。
圖5(a)~(e)係例示本實施形態之光罩之製造步驟的流程圖。
圖6係例示藉由斜入射雷射光而測量平坦度之情況的示意圖。
圖7(a)~(f)係表示光罩之重合與座標偏差之關係的圖。
11‧‧‧透光性基材
12‧‧‧遮光材膜
13‧‧‧光阻膜
100‧‧‧第1光罩
101‧‧‧透明基板
103‧‧‧抵接面
104‧‧‧保持區域
105‧‧‧圖案區域
112p‧‧‧轉印用圖案
500‧‧‧曝光機
501‧‧‧光源
502‧‧‧照射系統
503‧‧‧保持構件

Claims (20)

  1. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩者，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx，將該保持區域外之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zex(μm)時之[Zex/P]設為平坦度指數Fex時，該保持區域滿足Fsx≦Fex。
  2. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩者，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，該保持區域滿足Fsx≦0.08。
  3. 如請求項1或2之光罩用基板，其中上述保持區域係於上 述第1主表面上被距離上述兩邊分別相隔10mm之直線及相隔50mm之直線分別夾著且平行於上述兩邊的帶狀區域。
  4. 如請求項1或2之光罩用基板，其中上述相隔距離P滿足5≦P≦15(mm)。
  5. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩者，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsx(μm)時之[Zsx/P]設為平坦度指數Fsx時，該保持區域滿足Fsx≦0.08，並且當將上述保持區域內之2點且係位於與上述兩邊平行之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsy(μm)時之[Zsy/P]設為平坦度指數Fsy時，該保持區域滿足Fsy≦0.08。
  6. 如請求項1或2或5之光罩用基板，其中上述第1主表面為長方形，上述保持區域係於上述第1主平面上之上述圖案區域之外且於上述第1主表面之相對向之長邊之各者之附近，作為平行於上述長邊之帶狀區域而設置。
  7. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形 成轉印用圖案而用以作成光罩者，且於四角形狀之上述第1主表面上之形成上述轉印用圖案之圖案區域之外、且於上述第1主表面之四邊之各者之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zsa(μm)時之[Zsa/P]設為平坦度指數Fsa時，該保持區域滿足Fsa≦0.08，且，上述保持區域之各者係被距離附近之上述四邊之一邊相隔10mm之直線及相隔50mm之直線夾著且平行於附近之上述四邊之一邊的帶狀區域。
  8. 如請求項1、2、5、及7中任一項之光罩用基板，其中於上述透明基板之厚度為T(mm)時，上述第1主表面之上述保持區域內之平坦度指數Fsx滿足Fsx≦(1/T)×3.0。
  9. 如請求項1、2、及5中任一項之光罩用基板，其中上述保持區域內之上述2點之高低之相互關係係無論與上述兩邊正交之方向上的上述2點之位置如何均不變。
  10. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩者，且在位於上述第1主表面之背面的四角形狀之第2主表面上、且於上述第2主表面之相對向之兩邊之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域， 當將上述背面保持區域內之2點且係位於與上述兩邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zbsx(μm)時之[Zbsx/P]設為平坦度指數Fbsx時，該保持區域滿足Fbsx≦0.08。
  11. 如請求項10之光罩用基板，其中上述背面保持區域係於上述第2主表面上被距離相對向之兩邊分別相隔10mm之直線及相隔50mm之直線夾著且平行於上述兩邊的帶狀區域。
  12. 一種光罩用基板，其特徵在於：其係在第1主表面上形成轉印用圖案而用以作成光罩者，且在位於上述第1主表面之背面的四角形狀之第2主表面上、且於上述第2主表面之四邊之各者之附近，具有包含當曝光機保持上述光罩時保持構件所抵接之抵接面的背面保持區域，當對於上述保持區域之各者，將該保持區域內之2點且係位於與上述四邊中附近之一邊正交之直線上的相隔P(mm)之任意2點之高低差為Zbsa(μm)時之[Zbsa/P]設為平坦度指數Fbsa時，該保持區域滿足Fbsa≦0.08，且，上述保持區域之各者係被距離附近之上述四邊之一邊相隔10mm之直線及相隔50mm之直線夾著且平行於附近之上述四邊之一邊的帶狀區域。
  13. 如請求項1、2、5、7、10及12中任一項之光罩用基板，其係用以作為顯示裝置用光罩之光罩用基板。
  14. 如請求項1、2、5、7、10及12中任一項之光罩用基板， 其係用以作為近接曝光用光罩之光罩用基板。
  15. 一種光罩，其特徵在於：使用如請求項1、2、5、7、10及12中任一項之光罩用基板，對形成於上述光罩用基板之第1主表面上之光學膜實施所期望之圖案化處理，形成轉印用圖案。
  16. 如請求項15之光罩，其係用於近接曝光。
  17. 如請求項15之光罩，其係用於製造顯示裝置。
  18. 如請求項15之光罩，其係使用包含i線、h線、g線之光源進行曝光者。
  19. 如請求項15之光罩，其係用於製造彩色濾光片。
  20. 一種圖案轉印方法，其係使用近接式曝光機將光罩所具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上者，其特徵在於：以上述近接式曝光機之保持構件抵接於如請求項15之光罩之保持區域之方式，保持上述光罩，且進行曝光。
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