JP5937409B2 - フォトマスク用基板、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 - Google Patents
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Description
第1主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすための、厚さT(mm)のフォトマスク用基板であって、
前記第1主表面の裏面にある第2主表面において、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0を満たすフォトマスク用基板が提供される。
第1主表面に転写用パターンが形成された、厚さT(mm)のフォトマスクであって、
前記第1主表面の裏面にある第2主表面において、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0を満たすフォトマスクが提供される。
近接露光用である第2の態様に記載のフォトマスクが提供される。
カラーフィルタ製造用である第2又は第3の態様に記載のフォトマスクが提供される。
第1主表面に転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
厚さT(mm)のフォトマスク用基板であって、前記第1主表面の裏面にある第2主表面上の、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0
を満たすフォトマスク用基板を用意し、
前記フォトマスクの前記第1主表面に光学膜を形成し、
前記光学膜にパターニングを施すことにより、前記転写用パターンを形成することを含むフォトマスクの製造方法が提供される。
第1主表面に転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
厚さT(mm)のフォトマスク用基板の、前記第1主表面の裏面にある第2主表面上に所定の離間距離P(mm)をおいて等間隔に複数の測定点を設定し、
該複数の測定点における、前記第2主表面の基準面に対する高さZをそれぞれ求め、
前記複数の測定点における高さZの最大値と最小値の差を高さ変動の最大値ΔZbmaxとするとき、
ΔZbmax≦(P/T)×0.3
を満たす前記フォトマスク用基板を用意し、
前記用意したフォトマスク用基板の前記第1主表面に、光学膜を形成し、
前記光学膜上にレジスト膜を形成し、
前記フォトマスク用基板を、描画装置のステージ上に載置して、所定の転写用パターンを描画し、
描画後の前記フォトマスク用基板に対し、レジスト現像と光学膜のパターニングを施して、前記転写用パターンを形成することを含むフォトマスクの製造方法が提供される。
前記離間距離Pを5≦P≦15(mm)とする
第6の態様に記載のフォトマスクの製造方法が提供される。
前記フォトマスクは、近接露光用である
第5又は第6の態様に記載のフォトマスクの製造方法が提供される。
前記転写用パターンは、カラーフィルタ製造用である
第5〜第8のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法が提供される。
フォトマスクの有する転写用パターンを、プロキシミティ露光機を用いて、被転写体に転写するパターン転写方法において、
第2〜第4のいずれかの態様に記載のフォトマスク又は第5〜第9のいずれかの態様に記載の製造方法にかかるフォトマスクを、前記プロキシミティ露光機により露光する
パターン転写方法が提供される。
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
まず、液晶表示装置等に用いられるカラーフィルタの製造工程について、図1〜図3を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るカラーフィルタの製造工程の概略を例示するフロー図である。図2(a)は、本実施形態に係るカラーフィルタの製造工程において近接露光を行う様子を例示する側面図であり、図2(b)はその平面図である。図3(a)は、本実施形態に係るフォトマスクの平面構成を例示する平面図であり、図3(b)は、その変形例を例示する平面図である。
まず、透光性樹脂やガラス等からなる透光性基材11を用意し、透光性基材11の一主表面上に遮光材膜12を形成し、遮光材膜12上にレジスト膜13を形成する(図1(a))。
続いて、ブラックマトリックス層12pが形成された透光性基材11の一主表面上に、例えば感光性樹脂材料からなる赤レジスト膜14を形成する(図1(f))。
続いて、緑フィルタ層15p及び青フィルタ層16pの形成を赤フィルタ層14pの形成と同様に行い、ブラックマトリックス層12pに区切られた透光性基材11の一主表面上へ赤フィルタ層14p、緑フィルタ層15p、青フィルタ層16p等のカラーフィルタ層を形成する工程を終了する(図1(j))。
その後、図示しないがブラックマトリックス層12p、赤フィルタ層14p、緑フィルタ層15p、青フィルタ層16p等のカラーフィルタ層の上面を覆うようにITO膜を形成して透明電極とし、カラーフィルタ10の製造を終了する。
上述の第1、第2フォトマスク100,200の転写用パターンは、後述するように、遮光膜上に形成されたレジスト膜に対し、所定のパターンデータを描画する描画工程を経ることにより形成される。すなわち、該描画工程後、現像によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングすることで形成される。しかしばがら、描画装置の精度は充分に高いにも関わらず、最終製品において転写時のパターンの座標精度が不十分であり、結果としてブラックマトリックス層やカラーフィルタ層の位置ずれが生じる(転写精度が劣化する)懸念が見出された。
d=(T×103)/2×sinθ(μm)
である(θは、図5に示す透明基板の屈曲角度)。
sinθ=ΔZb/(P×103)
と近似することができるので、
0.15(μm)≧d=(T×103)/2×(ΔZb/(P×103))
が成り立つ。
ΔZb≦(P/T)×0.3
である。
ΔZb≦(1/T)×3.0
である。
ΔZb≦(P/T)×0.3
を満たすものとすることが好ましい。
ΔZb≦(P/T)×0.3
であることができる。
以下、上述の知見が適用された本実施形態に係るフォトマスクの製造方法について、図8、図6を参照しながら説明する。図8は、本実施形態に係る透明基板101を用いた場合のフォトマスク100の製造工程を示すフロー図である。図6は、レーザ光を入射することで透明基板101の主表面の平坦度を測定する様子を例示する模式図である。なお、以下の説明では、ブラックマトリックス形成用の第1フォトマスク100を製造する場合を例に挙げて説明するが、カラーフィルタ層形成用の第2〜第4フォトマスクの製造も、第1フォトマスク100の製造と同様に行うことができる。
まず、フォトマスク用基板としての透明基板101を用意する(図8(a))。なお、図3(a)にも例示したように、透明基板101は、平面視が長方形の板状であり、その寸法は、例えば長辺L1が600〜1400mm、短辺L2が500〜1300mm、厚さTが5〜13mm程度とすることができる。透明基板101は、例えば石英(SiO2)ガラスや、SiO2,Al2O3,B2O3,RO,R2O等を含む低膨張ガラス等から構成することができる。透明基板101の主表面のうち、転写用パターン112pを形成する側の主表面(図8(a)では上側の面)を第1主表面とする。第1主表面には、転写用パターン112pの形成予定領域が設定される。また、転写用パターン112pの形成予定領域の外側であって、透明基板101の外周を構成する対向する二辺(本実施形態では長辺L1)のそれぞれの近傍の領域内には、長辺L1にそれぞれ平行な一対の帯状の保持部103が設けられている。例えば、保持部103は、第1フォトマスク100の外周を構成する対向する長辺(L1)のそれぞれから10mm離間した直線と、長辺(L1)のそれぞれから50mm離間した直線とに挟まれた、長辺(L1)にそれぞれ平行な一対の帯状の領域として構成することができる。
ΔZbmax(μm)≦(P/T)×0.3
である。更には、上述の測定領域内において、この関係が充足することが好ましい。
ΔZbmax(μm)≦(1/T)×3.0
である。
続いて、透明基板101の第1主表面上に、例えばCrを主成分とする光学膜としての遮光膜112を形成する(図8(b))。遮光膜112は、例えばスパッタリングや真空蒸着等の手法により形成することができる。遮光膜112の厚さは、露光機500の照射光を遮るのに十分な厚さであって、例えば100〜120(nm)程度とすることができる。なお、遮光膜112の上面には、例えばCrO等を主成分とする反射防止層を形成することができる。また、保持部103を第1主表面側に設定する場合、遮光膜112は、保持部103上には形成しなくてもよい。尚、本態様では、第1フォトマスク100に形成される転写用パターン112として、遮光膜によるものを用いて説明しているが、遮光膜以外の光学膜(所定の光透過率を有する半透光膜など)を用いても構わない。
続いて、製造したフォトマスクブランクス100bを描画装置に配置する。この際、透明基板101の第2主表面を、描画装置が備えるステージ603の上面によって下方から支持し、フォトマスクブランクス100bが水平になるようにする(図8(c))。続いて、レジスト膜113に対して描画を行い、レジスト膜113の一部を感光させる(図8(d))。なお、ステージ603の上面は平坦に構成されているが、透明基板101の第2主表面の平坦度が上述の範囲内とされていることから、透明基板101は、上述の場合と異なりその自重により殆ど変形しない。
続いて、描画が完了したフォトマスクブランクス100bを描画装置から取り外す。そして、現像液をレジスト膜113に供給して現像し、遮光膜112の一部を覆うレジストパターン113pを形成する(図8(e))。なお、保持部103上に遮光膜112を形成した場合には、保持部103上に形成された遮光膜112をエッチングにより除去してもよい。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
101 透明基板
112p 転写用パターン
200 第2フォトマスク
201 透明基板
212p 転写用パターン
603 ステージ
Claims (10)
- 一辺が500mm以上の第1主表面に表示装置製造用の転写用パターンを形成して、プロキシミティ露光用フォトマスクとなすための、厚さT(mm)のフォトマスク用基板であって、
前記フォトマスク用基板の主表面を鉛直にすることにより、自重による撓みの影響を排除した状態で、
前記第1主表面の裏面にある第2主表面において、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0
を満たすことを特徴とするフォトマスク用基板。 - 一辺が500mm以上の第1主表面に表示装置製造用の転写用パターンが形成された、厚さT(mm)の、プロキシミティ露光用フォトマスクであって、
前記フォトマスクの主表面を鉛直にすることにより、自重による撓みの影響を排除した状態で、
前記第1主表面の裏面にある第2主表面において、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0
を満たすことを特徴とするフォトマスク。 - i線、h線、及びg線を含む波長域の光源を用いたプロキシミティ露光用であることを特徴とする、請求項2に記載のフォトマスク。
- カラーフィルタ製造用であることを特徴とする請求項2又は3に記載のフォトマスク。
- 一辺が500mm以上の第1主表面に表示装置製造用の転写用パターンを備えた、プロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法であって、
厚さT(mm)のフォトマスク用基板の主表面を鉛直にすることにより、自重による撓みの影響を排除した状態で、前記第1主表面の裏面にある第2主表面上の、10(mm)離間した任意の2点の高低差がΔZb(μm)であるとき、前記第1主表面のパターン形成領域に対応する前記第2主表面の領域内のΔZbが、
ΔZb≦(1/T)×3.0
を満たすフォトマスク用基板を用意し、
前記フォトマスクの前記第1主表面に光学膜を形成し、
前記光学膜にパターニングを施すことにより、前記転写用パターンを形成する
ことを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 一辺が500mm以上の第1主表面に表示装置製造用の転写用パターンを備えた、プロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法であって、
厚さT(mm)のフォトマスク用基板の、前記第1主表面の裏面にある第2主表面上に所定の離間距離P(mm)をおいて等間隔に複数の測定点を設定し、
前記フォトマスク用基板の主表面を鉛直にすることにより、自重による撓みの影響を排除した状態で、該複数の測定点における、前記第2主表面の基準面に対する高さZをそれぞれ求め、
前記複数の測定点における高さZの最大値と最小値の差を高さ変動の最大値ΔZbmaxとするとき、
ΔZbmax≦(P/T)×0.3
を満たす前記フォトマスク用基板を用意し、
前記用意したフォトマスク用基板の前記第1主表面に、光学膜を形成し、
前記光学膜上にレジスト膜を形成し、
前記フォトマスク用基板を、描画装置のステージ上に載置して、所定の転写用パターンを描画し、
描画後の前記フォトマスク用基板に対し、レジスト現像と光学膜のパターニングを施して、前記転写用パターンを形成する
ことを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記離間距離Pを5≦P≦15(mm)とすることを特徴とする請求項6に記載のフォトマスクの製造方法。
- i線、h線、及びg線を含む波長域の光源を用いたプロキシミティ露光用であることを特徴とする、請求項5、又は6に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記転写用パターンは、カラーフィルタ製造用であることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
- フォトマスクの有する転写用パターンを、プロキシミティ露光機を用いて、被転写体に転写するパターン転写方法において、
請求項2〜4のいずれかに記載のフォトマスク又は請求項5〜9のいずれかに記載の製造方法にかかるフォトマスクを、前記プロキシミティ露光機により露光することを特徴とするパターン転写方法。
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