JP2016156857A - フォトマスク、フォトマスクセット、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた転写用パターンを有するフォトマスクであって、前記転写用パターンは、透光部と、遮光部と、半透光部と、半透光リム部とを含み、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部と隣接し、前記半透光リム部は前記遮光部に隣接し、かつ、0<W≦0.3であることを特徴とする、フォトマスクである。
【選択図】 図5
Description
本発明の構成1は、透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた転写用パターンを有するフォトマスクであって、前記転写用パターンは、透光部と、遮光部と、半透光部と、半透光リム部とを含み、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部と隣接し、前記半透光リム部は前記遮光部に隣接し、かつ、0<W≦0.3であることを特徴とする、フォトマスクである。
本発明の構成2は、前記透光部には、少なくとも対称な2方向から前記半透光リム部が隣接することを特徴とする、構成1記載のフォトマスクである。
本発明の構成3は、前記転写用パターンにおいて、前記半透光部は、前記遮光部に隣接し、かつ前記遮光部により囲まれていることを特徴とする、構成1又は2に記載のフォトマスクである。
本発明の構成4は、前記転写用パターンにおいて、前記透光部は、前記半透光部とは隣接しないことを特徴とする、構成1〜3のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成5は、前記転写用パターンにおいて、前記透光部の周囲に前記半透光リム部が配置されることにより、前記透光部は、前記半透光リム部により囲まれていることを特徴とする、構成1〜4のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成6は、前記半透光部の径をD2(μm)とするとき、D2≦20であることを特徴とする、構成1〜5のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成7は、前記透光部の径をD1(μm)とするとき、D1≦20であることを特徴とする、構成1〜6のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成8は、前記遮光部は、前記透明基板上に前記半透光膜と前記遮光膜がこの順に積層した積層体を含むことを特徴とする、構成1〜7のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成9は、前記積層体は、前記透明基板上に前記半透光膜、エッチングストッパ膜、及び前記遮光膜がこの順に積層した積層体を含むことを特徴とする、構成8に記載のフォトマスクである。
本発明の構成10は、表示装置製造用フォトマスクであることを特徴とする、構成1〜9のいずれかに記載のフォトマスクである。
本発明の構成11は、カラーフィルタ製造用であることを特徴とする、構成10に記載のフォトマスクである。
本発明は、本発明の構成12は、構成1〜11のいずれかに記載のフォトマスクを第1フォトマスクとするとき、前記第1フォトマスクと、前記第1フォトマスクとは異なる第2フォトマスクを含む、フォトマスクセットであって、前記第2フォトマスクは、前記第1フォトマスクと重ね合わせて露光される転写用パターンを含み、前記第2フォトマスクの転写用パターンは、幅M(μm)(但し5<M<25)のライン状パターンを含むことを特徴とする、フォトマスクセットである。
本発明は、本発明の構成13は、透明基板上の半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、半透光部、及び半透光リム部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、前記透明基板上に、前記半透光膜、前記遮光膜、及びレジスト膜がこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、描画装置を用い、領域によって異なる照射エネルギーを適用して、前記レジスト膜に対して描画を行い、現像することによって、前記遮光膜の一部を露出するとともに、残膜部分においては領域によって残膜厚が異なる第1レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングする、第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して、新たに前記遮光膜の一部を露出する第2レジストパターンとなすレジスト減膜工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜をエッチングする、第2エッチング工程と、を有し、前記第1エッチング工程及び前記第2エッチング工程により、前記透光部、前記遮光部、前記半透光部、及び、前記半透光リム部を含むパターンであって、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部を介して、前記遮光部に隣接するパターンが形成され、かつ、0<W≦0.3であることを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成14は、透明基板上の半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、半透光部、及び半透光リム部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、前記透明基板上に、前記半透光膜、エッチングストッパ膜、前記遮光膜、及びレジスト膜がこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、描画装置を用い、領域によって異なる照射エネルギーを適用して、前記レジスト膜に対して描画を行い、現像することによって、前記遮光膜の一部を露出するとともに、残膜部分においては領域によって残膜厚が異なる第1レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記半透光膜をエッチングする、第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して、新たに前記遮光膜の一部を露出する第2レジストパターンとなすレジスト減膜工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、少なくとも前記遮光膜をエッチングする、第2エッチング工程と、を有し、前記第1エッチング工程及び前記第2エッチング工程により、前記透光部、前記遮光部、前記半透光部、及び前記半透光リム部を含むパターンであって、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部を介して、前記遮光部に隣接するパターンが形成され、かつ、0<W≦0.3であることを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成15は、描画工程を1回のみ有することを特徴とする、構成13又は14に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明は、本発明の構成16は、構成1〜11のいずれかに記載のフォトマスク、構成12に記載のフォトマスクセット、又は構成13〜15に記載の製造方法によるフォトマスクのもつ前記転写用パターンを、露光装置を用いて被転写体に転写する工程を有する、表示装置の製造方法である。
図5に、製造方法1として、透光部、遮光部、半透光部を備えたフォトマスクの描画工程を1回としたフォトマスクの製造方法を示す。
0<W≦0.3
とすることが最も好ましい。
前記転写用パターンは、透光部と、遮光部と、半透光部と、半透光リム部を含み、
前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部と隣接し、前記半透光リム部は前記遮光部に隣接し、かつ、
0<W≦0.3
である。
2≦D2≦20
である。更に好ましくは、
5≦D2≦12
である。更にメインスペーサを形成するための透光部の径をD1(μm)とするとき、
D1≦20
であることが好ましい。より好ましくは、
2≦D1≦20
である。更に好ましくは、
5≦D1≦12
である。
0<W≦0.3
の範囲内であり、実質的に一定幅である。すなわち、マスク上のリム幅Wの面内分布を考慮し、リム幅Wの中心値をWA(μm)としたとき、
(WA−0.05)≦W≦(WA+0.05)
の範囲内である。
図6に、製造方法2の工程を示す。製造方法1(図5)との相違点は、半透光膜及び遮光膜がいずれも共通のエッチング特性をもち(例えば、いずれもCrを含む)、このため、半透光膜及び遮光膜の間にエッチングストッパ膜を配置したものであること、及びそれに応じた工程上の変更点である。
Claims (16)
- 透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、透光部と、遮光部と、半透光部と、半透光リム部とを含み、
前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部と隣接し、前記半透光リム部は前記遮光部に隣接し、かつ、
0<W≦0.3
であることを特徴とする、フォトマスク。 - 前記透光部には、少なくとも対称な2方向から前記半透光リム部が隣接することを特徴とする、請求項1記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンにおいて、前記半透光部は、前記遮光部に隣接し、かつ前記遮光部により囲まれていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンにおいて、前記透光部は、前記半透光部とは隣接しないことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンにおいて、前記透光部の周囲に前記半透光リム部が配置されることにより、前記透光部は、前記半透光リム部により囲まれていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記半透光部の径をD2(μm)とするとき、D2≦20であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記透光部の径をD1(μm)とするとき、D1≦20であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記遮光部は、前記透明基板上に前記半透光膜と前記遮光膜がこの順に積層した積層体を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記積層体は、前記透明基板上に前記半透光膜、エッチングストッパ膜、及び前記遮光膜がこの順に積層した積層体を含むことを特徴とする、請求項8に記載のフォトマスク。
- 表示装置製造用フォトマスクであることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- カラーフィルタ製造用であることを特徴とする、請求項10に記載のフォトマスク。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のフォトマスクを第1フォトマスクとするとき、前記第1フォトマスクと、前記第1フォトマスクとは異なる第2フォトマスクを含む、フォトマスクセットであって、
前記第2フォトマスクは、前記第1フォトマスクと重ね合わせて露光される転写用パターンを含み、
前記第2フォトマスクの転写用パターンは、幅M(μm)(但し5<M<25)のライン状パターンを含むことを特徴とする、フォトマスクセット。 - 透明基板上の半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、半透光部、及び半透光リム部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
前記透明基板上に、前記半透光膜、前記遮光膜、及びレジスト膜がこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
描画装置を用い、領域によって異なる照射エネルギーを適用して、前記レジスト膜に対して描画を行い、現像することによって、前記遮光膜の一部を露出するとともに、残膜部分においては領域によって残膜厚が異なる第1レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングする、第1エッチング工程と、
前記第1レジストパターンを減膜して、新たに前記遮光膜の一部を露出する第2レジストパターンとなすレジスト減膜工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜をエッチングする、第2エッチング工程と、を有し、
前記第1エッチング工程及び前記第2エッチング工程により、前記透光部、前記遮光部、前記半透光部、及び、前記半透光リム部を含むパターンであって、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部を介して、前記遮光部に隣接するパターンが形成され、かつ、
0<W≦0.3
であることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 透明基板上の半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、半透光部、及び半透光リム部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
前記透明基板上に、前記半透光膜、エッチングストッパ膜、前記遮光膜、及びレジスト膜がこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
描画装置を用い、領域によって異なる照射エネルギーを適用して、前記レジスト膜に対して描画を行い、現像することによって、前記遮光膜の一部を露出するとともに、残膜部分においては領域によって残膜厚が異なる第1レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜、前記エッチングストッパ膜、及び前記半透光膜をエッチングする、第1エッチング工程と、
前記第1レジストパターンを減膜して、新たに前記遮光膜の一部を露出する第2レジストパターンとなすレジスト減膜工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして、少なくとも前記遮光膜をエッチングする、第2エッチング工程と、を有し、
前記第1エッチング工程及び前記第2エッチング工程により、前記透光部、前記遮光部、前記半透光部、及び前記半透光リム部を含むパターンであって、前記透光部は、幅W(μm)の前記半透光リム部を介して、前記遮光部に隣接するパターンが形成され、かつ、
0<W≦0.3
であることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 描画工程を1回のみ有することと特徴とする、請求項13又は14に記載のフォトマスクの製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のフォトマスク、請求項12に記載のフォトマスクセット、又は請求項13〜15に記載の製造方法によるフォトマスクのもつ前記転写用パターンを、露光装置を用いて被転写体に転写する工程を有する、表示装置の製造方法。
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