TW201423974A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含基板；鈍化層，係設置於基板之上；至少一色彩濾波器，係設置於鈍化層之上；保護層，係覆蓋至少一色彩濾波器；第一電極，係設置於鈍化層之上並包圍保護層；第二電極，係面對第一電極；以及有機層，係設置於第一電極與第二電極之間。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張2012年12月10日向韓國智慧財產局所申請之申請案號10-2012-0142904之優先權效益，其全部內容將併入於此作為參照。
本發明是有關於一種具有個別封閉的子像素結構之有機發光顯示裝置，以及一種製造此有機發光顯示裝置的方法。
一般來說，有機發光二極體(OLED)具有以功能性薄膜形狀之有機發光層嵌設於正極與負極之間的結構，而有機發光二極體是當電子與電洞在有機發光層結合時發光的一種裝置，電洞是從正極注入，電子是從負極注入。
有機發光二極體可分類為使用被動驅動設計的被動矩陣型態以及使用主動驅動設計的主動矩陣型態。在被動矩陣有機發光二極體(passive matrix organic light-emitting diode, PM-OLED)中，正極與負極是分別以行和列的方式去排列，掃描訊號由列驅動電路提供至正極，且在這個情況中，只有其中一列是被選擇的。除此之外，資料訊號被輸入至在行驅動電路中的每一個像素。主動矩陣有機發光二極體(active matrix organic light-emitting diode, AM-OLED)透過使用薄膜電晶體來控制輸入至每一個像素之訊號，因為適合處理大量的訊號，主動矩陣型態的有機發光二極體被廣泛的使用以作為重現移動圖案的顯示裝置。
目前，頂部發光型態的紅綠藍獨立沉積(RGB-independent deposition)是被廣泛地使用因而實現具有低功率消耗及高亮室對比度特性(contrast ratio, CR)的主動矩陣有機發光二極體。在紅綠藍獨立沉積的製程中，每一種欲發光之顏色的圖樣化是藉由在製程期間使用一個微金屬罩來執行，然而因為金屬罩對準時的精確度問題，或是由於金屬罩尺寸增加造成的金屬罩下陷問題，應用紅綠藍獨立沉積的製程在大型裝置上是非常困難的。噴墨法是另一種紅綠藍獨立的發光層形成方法，且此方法的優勢在於可以用在較大的基板上，但這個方法需要先確定材料特性，因為目前的可溶性材料比那些用於沉積的材料來的更糟。也有一種雷射誘發的熱影像技術，係使用雷射獨立地轉移設置於施體薄膜上的發光層，但這種技術的缺點在於會減少有機發光二極體的壽命。
根據本發明的一態樣，提出一種有機發光顯示裝置，其包含基板；鈍化層，係設置於基板上；至少一個色彩濾波器，係設置於鈍化層之上；保護層，係覆蓋至少一色彩濾波器；第一電極，係設置於鈍化層之上且包圍保護層；第二電極，係面對第一電極；以及有機層，係設置於第一電極與第二電極之間。
至少一色彩濾波器可以是紅色濾波器、綠色濾波器、或是藍色濾波器的其中一種。
顯示裝置可以更包含偏振薄膜在基板的其中一側之上。
顯示裝置可以更包含黑色矩陣，係設置於第一電極之上且包含透光區域及光阻擋區域。
顯示裝置可以更包含黑色矩陣，係設置於基板與鈍化層之間且包含透光區域及光阻擋區域。
顯示裝置可以更包含像素定義層，其係設置於第一電極之上且包含像素區域及非像素區域。
色彩濾波器的厚度可以大約是1微米至大約5微米。
保護層的厚度可以大約是1微米至大約10微米。
鈍化層可以包含矽氧化物或矽氮化物。
第一電極可由選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、及三氧化二銦所組成的族群中的一或多個組合所形成。
根據本發明的另一個態樣，提出一種製造有機發光顯示裝置的方法，其包含提供基板；設置鈍化層於基板之上；設置至少一色彩濾波器於鈍化層之上；設置保護層覆蓋至少一色彩濾波器；設置第一電極於鈍化層之上並包圍保護層；設置有機層於第一電極之上；以及設置第二電極於有機層之上。
鈍化層係由矽氧化物為基底的層(SiOx-based layer)或矽氮化物為基底的層(SiNx-based layer)所形成。
該色彩濾波器的厚度大約是1微米至約5微米。
保護層的厚度大約是1微米至約10微米。
該方法可以更包含於第一電極上形成像素定義層，像素定義層係包含像素區域及非像素區域。
該方法可以更包含設置偏振薄膜於基板的一側之上。
該方法可以更包含形成黑色矩陣於第二鈍化層之上，黑色矩陣係包含透光區域及光阻擋區域。
該方法可以更包含形成黑色矩陣於基板之上，黑色矩陣係包含透光區域及光阻擋區域。
第一電極可由選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、及三氧化二銦所組成之族群中的一或多個組合所形成。
100．．．基板
112．．．鈍化層
113．．．保護層
140．．．第一電極
150．．．有機層
160．．．第二電極
170．．．像素定義層
180．．．偏振薄膜
190．．．黑色矩陣
211．．．絕緣層
213．．．閘極絕緣層
214．．．層間絕緣層
221．．．主動層
222．．．閘極電極
223．．．源極和汲極電極
225．．．接觸孔洞
250．．．驅動電晶體
R、G、B．．．像素
Cst．．．電容單元
DATA．．．資料線
M1．．．驅動薄膜電晶體
M2．．．開關薄膜電晶體
OLED．．．有機發光二極體
PC．．．像素電路
SCAN．．．掃描線
Vdd．．．電源供應線
120R．．．紅色濾波器
120G．．．綠色濾波器
120B．．．藍色濾波器
本發明之上述及其他特徵將藉由參閱附圖及其部分實施例之詳細的描述而變得更顯而易見，其中：
第1圖係為電路圖，代表根據本發明實施例之主動驅動有機發光顯示裝置的像素電路；
第2圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B；
第3圖係為截面圖，圖示性地描述第2圖的驅動電路；
第4圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B；
第5圖係為截面圖圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B；
第6圖係為截面圖圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B；以及
第7A圖至第7H圖係為截面圖，描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置之逐步的製造方法，其中：
第7A圖係為截面圖，描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置提供基板後的狀態；
第7B圖係為截面圖，描述設置鈍化層於第7A圖的基板上之後的狀態；
第7C圖係為截面圖，描述設置至少一色彩濾波器於第7B圖的鈍化層上之後的狀態；
第7D圖係為截面圖，描述設置保護層覆蓋第7C圖中的色彩濾波器之後的狀態；
第7E圖係為截面圖，描述設置第一電極於鈍化層之上以包圍第7D圖中的保護層之後的狀態；
第7F圖係為截面圖，描述設置像素定義層於第7E圖中的第一電極之上後的狀態；
第7G圖係為截面圖，描述設置有機層於第7F圖中的第一電極與像素定義層之上後的狀態；以及
第7H圖係為截面圖，描述設置第二電極於第7G圖中的有機層之上後的狀態。
例如「至少其中之一的(at least one of)」的表達方式係於所列元件中，修飾整個所列元件而非修飾所列元件中的個別元件。
本發明可以進行多種變化及擁有數個實施例；因此特定的實施例會描述在圖式上及仔細地描述於實施方式中。然而，這並非意圖限制本發明於特定的實施例，反而應該被理解為包含本發明之技術範疇與精神中的所有變化、等效物、及替代物。為了避免非必要性地模糊本發明的內容，廣為人知的相關科技於此不再詳細描述。
雖然用詞像是「第一(first)」及「第二(second)」可以用來描述不同的元件，該些元件不應被限制於這些用詞。這些用詞僅用於分辨一個元件與另外一個元件的目的。
使用於此的用詞僅是用於描述特定的實施例且並非意圖去限制本發明。用詞的單數形式可以包含複數的形式，除非於內文中被明確地用為不同的涵義。應該了解的是，用詞如「組成(comprises)」、「包含(includes)」、或「有(has)」是於此意指來指定出說明書中描述的特徵、數字、步驟、操作、元件、部份、或其組合，並不排除一或更多個其他的特徵、數字、步驟、操作、元件、部分、或其組合。
考慮過程和產出，使用色彩濾波器之白色有機發光二極體的色彩濾波器(white organic light-emitting diode color filter, WOLED-CF)的設計係備受矚目。該白色有機發光二極體的色彩濾波器設計具有一個結構，其係使用用於顏色圖樣化之色彩濾波器，且應用保護層使這個結構平坦。然而不像無機薄膜，該色彩濾波器和該保護層會從材料中釋放出氣體，因此由於有機發光層發生劣化的現象而導致像素收縮的限制。
本發明的實施例提出一種有機發光顯示裝置及其製造方法，可以有效率地阻擋從色彩濾波器及保護層中釋放出氣體。
某些本發明的實施例將會參考附圖並於後續內文中更詳細地描述。
第1圖係為電路圖，代表根據本發明實施例之主動驅動有機發光顯示裝置的像素電路。
參考第1圖，根據實施例之有機發光顯示裝置包含複數個像素R、G、B，其係連接至複數條訊號線並實質上以矩陣型態排列，且每一個像素皆有一個像素電路(PC)。
每一個像素包含資料線DATA、掃描線SCAN、及提供電源供應以驅動有機發光二極體OLED的電源供應線Vdd。像素電路PC電性連接至資料線DATA，而掃瞄線SCAN及電源供應線Vdd，且控制有機發光二極體的光的放射。
每一個像素包含電容單元Cst、有機發光二極體、以及至少兩個薄膜電晶體(TFT)：開關薄膜電晶體M2及驅動薄膜電晶體M1。
透過施加於掃描線SCAN的掃描訊號，以及傳輸施加至資料線DATA的資料訊號至電容單元Cst和驅動薄膜電晶體M1，以開啟或關閉開關薄膜電晶體M2。開關裝置不需限制於第1圖中的開關薄膜電晶體M2，但可以包含含有複數個薄膜電晶體及複數個電容之電路，且更包含補償驅動薄膜電晶體M1的臨界電壓Vth、或補償電源供應線Vdd的電壓降的電路。
根據透過開關薄膜電晶體M2傳輸的資料訊號，驅動薄膜電晶體M1決定了流經有機發光二極體的電流量。
於一個幀(frame)中，電容單元Cst儲存經由開關薄膜電晶體M2傳輸的資料訊號。
儘管驅動薄膜電晶體M1和開關薄膜電晶體M2在第1圖的電路圖中被繪示為P通道的金屬氧化物半導體薄膜電晶體，實施例並不被限制於此，且驅動薄膜電晶體M1和開關電晶體M2之至少其中之一可以由N通道的金屬氧化物半導體薄膜電晶體所形成。除此之外，薄膜電晶體及電容的數量不被限制於此實施例，可以包含一個更大數量的薄膜電晶體及電容。
第2圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B。第3圖係為截面圖，圖示性地描述第2圖的驅動電路。
三個像素包含紅色像素R、綠色像素G、及藍色像素B，可以沿著列或行而重複設置，且像素的設置方式可以變化。
參考第2圖，根據實施例之有機發光顯示裝置包含像素R、G、B於基板100之上。除此之外，顯示裝置包含紅色濾波器120R、綠色濾波器120G、及藍色濾波器120B分別對應至每個像素，且濾波器選擇性地吸收由每一個像素所發射出來的白光。
基板100是一個透明的基板，且可以使用以二氧化矽(SiO2)為基底的玻璃基板。基板100不需被限制於此例，但可以由塑膠材料或金屬材料所形成。
驅動電晶體250可以放置於基板100的頂端如同第3圖所示。第3圖的實施例描述一個頂端閘極類型的薄膜電晶體做為薄膜電晶體的例子。然而，其他結構的薄膜電晶體也可以被使用。
在設置薄膜電晶體250於基板100的頂端之前，可以形成一個絕緣層211，像是阻隔層及/或緩衝層，來預防雜質離子擴散、以及溼氣或外部的空氣穿透去破壞表面。絕緣層211可以由矽氧化物(SiOX)或矽氮化物(SiNX)所形成。
薄膜電晶體的主動層221是由半導體材料形成於絕緣層211之上，且形成閘極絕緣層213來覆蓋主動層221。主動層221可以由無機的半導體材料所形成，像是非晶矽、多晶矽、或是有機半導體材料，其具有源極區域、汲極區域、及介於源極與汲極之間的通道區域。
主動層221可以由多晶矽所形成，且主動層221可以被摻雜物摻雜。主動層221可以由非晶矽而不是多晶矽所形成，且主動層221亦可由多種有機半導體材料所形成，像是稠五苯(pentacene)。
主動層221可以由氧化半導體所形成。舉例來說，氧化半導體可以包含元素表中12、13、及14族的金屬，像是鋅、銦、鎵、錫、鎘、鍺、或鉿、及選自上述材料的組合之氧化物。舉例來說，主動層221可以包含G-I-Z-O [(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c] (其中a、b、及c皆為實數，且滿足a≥0、b≥0、c>0)。
閘極絕緣層213設置於主動層221與閘極電極222之間以達到絕緣的功效。閘極絕緣層213可以由絕緣的無機材料像是矽氧化物或是矽氮化物所形成，也可以由絕緣的有機材料所形成。
閘極電極222設置於閘極絕緣層213之上，且層間絕緣層214是設置來覆蓋閘極絕緣層213。除此之外，源極和汲極電極233經由位於層間絕緣層214上的接觸孔洞225連接至主動層221。
閘極電極222可以由多種導電材料所形成。舉例來說，閘極電極可以由鎂、鋁、鎳、鉻、鉬、鎢、鎢化鉬、或是鉑所形成，且亦有可能去製造多種的變化像是形成複數層或是單一層。
層間絕緣層214可以由絕緣材料所形成，像是矽氧化物或是矽氮化物，或是由其他的絕緣有機材料所形成。透過選擇性地移除層間絕緣層214和閘極絕緣層213，可以形成暴露源極和汲極區域的接觸孔洞225。除此之外，源極和汲極電極223可以由上述閘極電極222的材料所形成，以單一層或複數層的型態設置於層間絕緣層214之上來填滿接觸孔洞225。
薄膜電晶體250的源極和汲極電極223可以電性連接至像素的較低端電極。
以此方式形成的薄膜電晶體被鈍化層112覆蓋及保護。鈍化層112可以使用無機絕緣層及/或有機絕緣層，其可包含矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(Al2O3)、鈦氧化物(TiO2)、鉭氧化物(Ta2O5)、鉿氧化物(HfO2)、鋯氧化物(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)、鋯鈦酸鉛(PZT)以做為無機絕緣層，且可以包含一般的聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA_)、聚苯乙烯(polystyrene, PS))、具有苯基的聚合物衍生物、丙烯醯基為基底的聚合物、醯亞胺為基底的聚合物、芳香基醚(arylether)為基底的聚合物、醯胺為基底的聚合物、氟為基底的聚合物、對二甲苯(p-xylene)為基底的聚合物、乙烯醇(vinylalcohol)為基底的聚合物、或其混合物來做為有機絕緣層。鈍化層112亦可以由無機絕緣層與有機絕緣層的交錯堆疊所形成。
對應到像素R的紅色濾波器120R、對應到像素G的綠色濾波器120G、及對應到像素B的藍色濾波器120B設置於鈍化層112之上。色彩濾波器120R、120G、及120B可以於鍍膜後透過圖樣化而形成。色彩濾波器120R、120G、及120B可形成為具有約1微米至約5微米之厚度以滿足目標的顏色座標。
色彩濾波器120R、120G、和120B可以用一個色彩濾波器矩陣(color filter on array, COA)的方式來架設。色彩濾波器120R、120G、及120B接收從每一個像素所發出的白光並產生不同顏色的光。
保護層113可以設置於色彩濾波器120R、120G、及120B之上以保護色彩濾波器並使放置色彩濾波器的表面層平坦化。保護層113個別地覆蓋每一個色彩濾波器120R、120G、及120B。保護層113可以透過只留在需求的區域，即發光區域，來形成，且在鍍膜之後透過使用顯影製程以移除其他的區域。保護層113可形成以具有約1微米至約10微米之厚度，取決於平坦度及尖度。保護層113可以使用無機絕緣層及/或有機絕緣層，可包含二氧化矽、矽氮化物、矽氮氧化物(SiON)、鋁的氧化物(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、鉭氧化物(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛以做為無機絕緣層，且可包含一般的聚合物(如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS))、具有苯基的聚合物衍生物、丙烯醯基為基底的聚合物、醯亞胺為基底的聚合物、芳香基醚為基底的聚合物、醯胺為基底的聚合物、氟為基底的聚合物、對二甲苯為基底的聚合物、乙烯醇為基底的聚合物、或其混合物來做為有機絕緣層。保護層113亦可以由無機絕緣層與有機絕緣層的交錯堆疊所形成。除此之外，考慮發光效率的情況下可以使用具有高光線穿透率的材料。
第一電極140係設置於鈍化層112之上以包圍保護層113。第一電極140可由導電的材料像是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或是氧化銦(In2O3)所形成。除此之外，第一電極140可以完整的形成於基板100之上。除此之外，可以形成第一電極140以致於給定的圖樣是透過光微影以一個像素接著另一個像素的方式去形成。
第一電極140可以電性連接至較低的薄膜電晶體。第一電極140連接至一個外部電極端(未顯示)以做為一個正極。
因此，保護膜層113獨立地覆蓋每一個色彩濾波器120R、120G、及120B，且第一電極140係形成以包圍保護層113。因此，可以形成每一個色彩濾波器120R、120G、120B獨立封閉的結構。由於這種結構，出氣可以被有效地阻擋來預防因為有機發光層的劣化所導致的像素收縮，並提升產品的可靠度。
可以形成從非像素區域中分離出像素區域的像素定義層170於第一電極140之上。
對應到紅、綠、及藍色濾波器120R、120G、及120B的像素R、G、B形成於保護層113之上。每一個像素R、G、B包含第一電極140、有機層150、及第二電極160。
第二電極160設置於有機層150之上且面對第一電極140。第二電極160可以是一個普遍的形態，其中每一個像素的第二電極160是普遍地透過導電材料的前端沉積來設置，那些導電材料包括鋰、鈣、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁、銀、鎂、鋇、或其化合物。第二電極160連接至一個外部電極端(未顯示)以做為一個負極。
上述中第一電極140和第二電極160的極性是可以互換的。
在單一或複合的結構中，介於第一電極140和第二電極160之間的有機層150可以透過發光層與電洞傳遞層、電洞注入層、電子傳遞層、以及一個電子注入層的其中之一的堆疊來形成。
有機層150可以由低分子或聚合性有機材料來形成。低分子有機材料可以包含銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N’-二（萘-1-基）-N,N’-二苯基-聯苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、三(8-羥基喹啉)鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)。使用聚合性有機材料的聚合物有機層可以由噴墨印刷或是透過使用聚-(2,4)-伸乙二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT)或聚苯胺(polyaniline, PANI)旋轉塗佈而形成，且聚合性有機發光層可以使用聚對苯乙烯(PPV)、可溶性的聚對苯乙烯、氰基聚對苯乙烯、及聚芴(polyfluorene)等等。
發光層可以為堆疊型態或串聯型態。堆疊型態的發光層可以由紅、綠、及藍次發光層所形成，而其堆疊順序並沒有特別的限制。對於堆疊型態的發光層，所有的紅、綠、及藍色發光層可以是螢光的發光層，或其至少其中之一是磷光的發光層。對於串聯型態的發光層而言，所有的紅、綠、及藍發光層可以是螢光的發光層，或其至少其中之一是磷光的發光層。除此之外，對於堆疊型態的發光層而言，每一個堆疊於電荷產生層(Charge generation layer, CGL)之兩邊的發光層可以發出白光、不同顏色的光、或是相同顏色的光。在這個例子中，不同顏色的光或相同顏色的光可以是由單色光所構成或多色光所構成。
每一個像素的次發光層的結構可以是不同的，且使用非紅、非綠、或非藍的不同顏色組合去呈現白光是可行的。
除此之外，有機發光二極體包含基板、設置於基板上的顯示單元、及覆蓋顯示單元的封閉層，且封閉層可以透過一或多個有機層與一或多個無機層交替的堆疊來形成。
每一個無機層或有機層皆可以用複數層的方式來形成。
有機層由聚合物形成，且可以為單一層、或為由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterepthalate)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(polycarbonate)、環氧樹脂(epoxy)、聚乙烯(polyethylene)、及聚丙烯酸(polyacrylate)之任一所形成的堆疊層。有機層可以由聚丙烯酸所形成，且包含由含有二丙烯酸酯為基底及三丙烯酸酯為單體的單體成分聚合反應所形成的材料。單體成分可以更包含單丙烯酸酯為基底的單體。除此之外，單體成分可以更包含已知的光起始劑，像是熱塑性聚烯烴(thermoplastic polyolefin, TPO)。
無機層可以為單一層或是包含金屬氧化物或金屬氮化物的堆疊層。無機層可以特別地包含矽氮化物、三氧化二鋁、二氧化矽、或二氧化鈦的任何一種。
暴露在封閉層外部的頂層可以由無機層形成，以預防溼氣穿透有機發光二極體。
封閉層可以包含至少一三明治結構，其中至少一有機層嵌設於至少二無機層之間。此外，封閉層可以包含至少一三明治結構，其中至少一有機層嵌設於至少二有機層之間。
封閉層從顯示單元的頂部依序可以包含第一無機層、第一有機層、及第二無機層。除此之外，封閉層從顯示單元的頂部依序可以包含第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、及第三無機層。除此之外，封閉層從顯示單元的頂部依序可以包含第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、及第四無機層。
包含氟化鋰之金屬鹵化物層更可以包含於顯示單元與第一無機層之間。金屬鹵化物層可以預防顯示單元透過濺鍍或電漿沉積以形成第一無機層時遭到損害。
第一有機層的特徵在於其區域比第二無機層來的窄，且第二無機層可以比第三無機層來的窄。除此之外，第一無機層的特徵在於其完全地被第二無機層覆蓋、且第二無機層亦可被第三無機層完全地覆蓋。
第4圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B。在這個實施例中，與前述圖中相同的參考標號為具有相同功能的相同元件。
本實施例將描述與前述中第2圖的實施例之差別。
參照第4圖，更可以設置偏振薄膜180於基板100的一側之上。因為偏振薄膜180設置於呈現影像的基板之上，所以可以解決亮室對比度的問題。
第5圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B，且第6圖係為截面圖，圖示性地描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中三個相鄰的像素R、G、B。在這些實施例中，與前述圖中相同的參考標號為具有相同功能的相同元件。
本實施例將描述與前述中第2圖的實施例之差別。
參考第5圖，形成為透光區域及光阻擋區域之黑色矩陣190可更包含於第一電極140之上。因此，光被阻擋於黑色矩陣190所形成的區域中。
參考第6圖，形成為透光區域及光阻擋區域之黑色矩陣190可更包含於基板100與鈍化層112之間。因此，光被阻擋於黑色矩陣190所形成的區域中。
儘管根據上述的第2圖、第4圖、第5圖、及第6圖的實施例皆為代表光從基板100射出的一種底部發光型態，本發明並不限制於此發光型態，且可以等效地應用於頂部發光型態。在這樣的實施例中，每一個像素的較低的電極可由反射電極所形成，而較高的電極則可由透明電極所形成。對應於每一個像素的色彩濾波器可以用堆疊的方式設置於透明電極的較高端，或是設置於一個獨立的基板上。
第7A到7H圖係為截面圖，描述根據實現第1圖之電路之本發明另一實施例的有機發光顯示裝置之逐步的製造方法。
參考第7A圖，提供基板100。黑色矩陣190(參考第6圖)可以透光區域及光阻擋區域而形成於基板100之上。
參考第7B圖，鈍化層112設置於基板100之上，且鈍化層112可由矽氧化物為基底的層或是矽氮化物為基底的層所形成。
參考第7C圖，至少一個色彩濾波器120R、120G、或120B設置於鈍化層112之上。色彩濾波器120R、120G、及120B的厚度可以大約是1微米至約5微米。
參考第7D圖，設置保護層113以覆蓋色彩濾波器120R、120G、及120B。保護層113的厚度可以大約是1微米至約10微米。
參考第7E圖，第一電極140形成於鈍化層112之上以包圍保護層113。第一電極140可由例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或三氧化二銦所形成。第一電極140可以完全地設置於基板100之上。可以形成第一電極140，以使給定的圖樣透過光微影以一個像素接著另一個像素的方式去形成。保護層113分別覆蓋每一個色彩濾波器120R、120G、及120B，並形成第一電極140以包圍保護層113。因此可以形成每一個色彩濾波器120R、120G、120B獨立封閉的結構。因此可以有效地阻擋出氣來預防有機發光層的劣化所導致的像素收縮。即使洩漏發生在第一電極140，因為出氣的散播被極小化，仍然可以將像素收縮所造成的缺陷極小化。
黑色矩陣190(參考第6圖)可以形成於第一電極140之上以做為透光區域及光阻擋區域。
參考第7F圖、第7G圖、及第7H圖，像素定義層170、有機層150、及第二電極160設置於第一電極140之上。在設置第一電極140之後，像素定義層170可形成於第一電極140之上以做為像素區域及非像素區域。接著，可以設置有機層150於第一電極140與像素定義層170之上，且第二電極160可以設置於有機層150之上。接著，設置偏振薄膜180(參考第4圖)於基板100的一側之上。
為了描述上的方便，所屬技術領域中具有通常知識者將會了解到附圖中所顯示的元件尺寸可能會被放大或縮小，因此本發明不受限於圖式中所描述的元件大小或形狀，其他多種的變化及其他等效的實施例也被考量在內。因此，本發明真正技術上所保護的範疇將由後續的申請專利範圍所界定。
根據本發明的一個態樣，透過防止有機發光層的劣化所導致的像素收縮，可以達成提升產品可靠度的效果。
儘管本發明已經透過某些實施例特別地顯示及描述，其將為所屬技術領域中具有通常知識者所了解的是，在不脫離本發明由申請專利範圍所定義之精神與範疇下，可對其進行形式及細節上的各種變更。
100．．．基板
112．．．鈍化層
113．．．保護層
140．．．第一電極
150．．．有機層
160．．．第二電極
170．．．像素定義層
120R．．．紅色濾波器
120G．．．綠色濾波器
120B．．．藍色濾波器
R、G、B．．．像素

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一基板；
    一鈍化層，係設置於該基板之上；
    至少一色彩濾波器，係設置於該鈍化層之上；
    一保護層，係覆蓋該至少一色彩濾波器；
    一第一電極，係設置於該鈍化層之上並包圍該保護層；
    一第二電極，係面對該第一電極；以及
    一有機層，係設置於該第一電極與該第二電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一色彩濾波器為一紅色濾波器、一綠色濾波器、及一藍色濾波器之其中之一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一偏振薄膜，係位於該基板之一側之上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一黑色矩陣，係形成於該第一電極之上且包含一透光區域及一光阻擋區域。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一黑色矩陣，係形成於該基板與該鈍化層之間且包含一透光區域及一光阻擋區域。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一像素定義區域，其係形成於該第一電極之上且包含一像素區域及一非像素區域。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該色彩濾波器之一厚度為約1微米至約5微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該保護層之一厚度為約1微米至約10微米。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該鈍化層包含一矽氧化物或一矽氮化物。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極係由選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、及三氧化二銦所組成之族群中之一或多個組合所形成。
  11. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，其包含：
    提供一基板；
    設置一鈍化層於該基板之上；
    設置至少一色彩濾波器於該鈍化層之上；
    設置一保護層覆蓋該至少一色彩濾波器；
    設置一第一電極於該鈍化層之上以包圍該保護層；
    設置一有機層於該第一電極之上；以及
    設置一第二電極於該有機層之上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中該鈍化層係由一矽氧化物為基底的層或一矽氮化物為基底的層所形成。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中該色彩濾波器之一厚度為約1微米至約5微米。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中該保護層之一厚度為約1微米至約10微米。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，更包含於該第一電極上形成一像素定義層，該像素定義層係包含一像素區域及一非像素區域。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，更包含設置一偏振薄膜於該基板之一側之上。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，更包含形成一黑色矩陣於一第二鈍化層之上，該黑色矩陣係包含一透光區域及一光阻擋區域。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，更包含形成一黑色矩陣於該基板之上，該黑色矩陣係包含一透光區域及一光阻擋區域。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中該第一電極係由選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、及三氧化二銦所組成之族群中之一或多個組合所形成。
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