CN108155300A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；第一绝缘层，位于基底上；第一坝，在外围区域中，并且与第一绝缘层分离；电极电源线，位于在第一绝缘层与第一坝之间的基底上；保护导电层，位于第一绝缘层上，在电极电源线之上延伸，电连接到电极电源线，并且包括在其上表面上的不平坦结构；像素电极，位于第一绝缘层上；对电极，位于像素电极上，并且通过延伸到外围区域接触保护导电层；以及包封层，位于对电极上，并且在保护导电层与电极电源线叠置的区域中具有与保护导电层的上表面接触的下表面。

Description

显示装置
本申请要求于2016年12月5日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0164384号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及防止或减少组件之间的剥离的显示装置。
背景技术
通常，各种层堆叠在显示装置中。例如，在有机发光显示装置的情况下，子像素均包括包含像素电极、包含发射层的中间层以及对电极的有机发射器件。此外，有机发光显示装置还包括覆盖有机发射器件的包封层，以保护有机发射器件免受外部水分、杂质等影响。除了包封层之外，有机发光显示装置可以包括各种层。诸如液晶显示装置的其他显示装置也可以包括各种层。
然而，在制造现有的显示装置期间，或者在制造后的显示装置的使用期间，一些层可能会剥离。
发明内容
一个或更多个实施例包括防止或减少组件之间的剥离的显示装置。然而，一个或更多个实施例是示例，并且本公开的范围不限于此。
将在下面的描述中部分地阐述附加方面，并且从描述中附加方面将部分地是明显的，或者可以通过实施所呈现的实施例来了解附加方面。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域的外部区域中的外围区域；第一绝缘层，跨过显示区域和外围区域地位于基底上；第一坝，在外围区域中，并且与第一绝缘层分离；电极电源线，位于基底上，并且包括在第一绝缘层与第一坝之间的部分；保护导电层，位于第一绝缘层上，在电极电源线之上延伸，电连接到电极电源线，并且包括在其上表面上的不平坦结构；像素电极，位于显示区域中的第一绝缘层上；对电极，位于像素电极上，并且通过延伸到外围区域接触保护导电层；以及包封层，位于对电极上，并且在保护导电层与电极电源线叠置的区域中具有与外围区域中的保护导电层的上表面接触的下表面。
电极电源线可以包括第一图案，保护导电层的上表面可以包括与第一图案对应的不平坦结构。
在保护导电层与电极电源线叠置的区域中，电极电源线之下的至少一层可以包括第二图案，保护导电层的上表面可以包括与第二图案对应的不平坦结构。
显示装置还可以包括电连接到像素电极的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的栅电极上的层间绝缘层朝向外围区域延伸，并且在外围区域中包括第二图案。
显示装置还可以包括在保护导电层与电极电源线叠置的区域中的电极电源线之下的虚设图案。
显示装置还可以包括电连接到像素电极并且包括栅电极的薄膜晶体管，其中，虚设图案包括与栅电极相同的材料。
显示装置还可以包括覆盖层，覆盖层在对电极与包封层之间，朝向对电极的外侧延伸，并且具有位于第一绝缘层上的端部。
第一绝缘层可以限定在外围区域中的开口，覆盖层的端部可以位于第一绝缘层的端部与开口之间。
保护导电层可以填充第一绝缘层的开口。
显示装置还可以包括位于覆盖层与包封层之间的保护层。
包封层可以包括依次堆叠的第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层，保护导电层的上表面可以包括与第一无机包封层的下表面接触的不平坦结构。
第一无机包封层和第二无机包封层可以在第一坝的外围处彼此接触。
在保护导电层与电极电源线叠置的区域中，第一无机包封层可以包括与不平坦结构对应的上表面。
显示装置还可以包括在第一坝与第一绝缘层之间的第二坝，其中，第二坝的至少一部分位于保护导电层上。
第一坝距离基底的高度可以大于第二坝距离基底的高度。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并且将更容易地理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；
图2是沿图1的线I-I'和线II-II'截取的示意性剖视图；
图3是在图2的显示装置的组件之间的相关性的示意性概念图；
图4是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的示例的示意性剖视图；
图5是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的示意性剖视图；
图6是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的示意性剖视图；
图7是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的示意性剖视图；
图8是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的示意性剖视图。
具体实施方式
通过参照实施例的下面的详细描述和附图，可以更容易地理解发明构思的特征和实现发明构思的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将把本发明的多方面和特征全面地传达给本领域技术人员。因此，可以不描述本领域普通技术人员对于完全理解本发明的多方面和特征所不必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不重复其描述。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
在下面的描述中，为了说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的彻底理解。然而，显然，可以在没有这些具体细节或者一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于说明，这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下面的”、“在……之下”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称作“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接在其他元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到其他、层、区域或组件，或者可以存在一个或更多个中间元件、层、区域或组件。此外，还将理解的是，当元件或层被称作“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种)”可以被解释为例如仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的符号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
这里使用的术语仅出于描述具体的实施例的目的，而不意图成为本发明的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式的“一个(种)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在此说明书中使用术语“包括”、“包含”及其变形时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰所述列的个别元件(元素)。
如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语作为近似术语而非程度术语来使用，并且意在解释本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值中的固有误差。此外，当描述本发明的实施例时使用“可以”是指“本发明的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变形可以被认为分别与术语“利用”及其变形同义。此外，术语“示例性”意图指示例或例证。
当可以不同地实施某个实施例时，可以不同于所描述的顺序执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
此外，这里公开和/或叙述的任何数值范围意在包括归入所叙述范围之内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意在包括在所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括最小值和最大值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，例如以2.4至7.6为例。这里所叙述的任何最大数值限制意在包括这里包含的所有较低的数值限制，并且本说明书中叙述的任何最小数值限制意在包括这里包含的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地叙述包含在这里明确叙述的范围内的任何子范围。
这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施例。如此，由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将是预期的。因此，这公开的实施例不应该被理解为局限于示出的区域的具体形状，而将包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘将通常具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的埋区可能导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状且不意图是限制性的。
可以使用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现这里描述的根据本发明的实施例的电子或电气装置和/或任何其他相关装置或组件。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或分立的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以实施在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上或者形成在一个基底上。此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行、执行计算机程序指令并且与用于执行这里所描述的各种功能的其他系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以在使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)的计算机装置中实施。计算机程序指令也可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应该认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其他计算设备上。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的领域中的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和/或本说明书的环境中的它们的意思一致的意思，而不应该以理想化或过于形式化的含义来解释。
图1是根据实施例的显示装置10的一部分的示意性平面图。图2是沿图1的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。图3是在图2的显示装置10的组件之间的相关性的示意性概念图。
根据本实施例的显示装置10包括包含基底100的各种组件。基底100包括显示区域DA和在显示区域DA的外部区域中的外围区域PA。基底100可以包括各种材料，例如，玻璃材料、金属材料、塑料材料等。当基底100是柔性基底时，基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。
作为选择性示例，基底100可以具有包括两个塑料基底和两个塑料基底之间的无机层的结构。两个塑料基底可以均包括上述聚合物树脂，并且可以具有相同的厚度或不同的厚度。例如，每个塑料基底可以包括PI，并且可以具有约3μm至约20μm的厚度。无机层可以是防止或减少外部杂质的渗透的阻挡层，并且可以是包括例如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的一层或多层。无机层可以具有约的厚度。然而，一个或更多个实施例不限于此。
薄膜晶体管210位于基底100的显示区域DA中，电连接到薄膜晶体管210的显示元件也可以在显示区域DA中。图2示出了作为显示元件的有机发光元件300。在下文中，为了方便起见，描述了显示装置10包括作为显示元件的有机发光元件300的情况。作为显示元件的有机发光元件300电连接到薄膜晶体管210的事实可以表示有机发光元件300的像素电极310电连接到薄膜晶体管210。薄膜晶体管也可以在基底100的外围区域PA中。外围区域PA中的薄膜晶体管可以是例如用于控制传输到显示区域DA的电信号的电路部的一部分。
薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极216和漏电极217，半导体层211包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。在基底100上，定位包括SiOx、SiNx、氮氧化硅等的缓冲层110，以使基底100的表面平坦化，或者防止或减少杂质等渗透到半导体层211中。半导体层211可以位于缓冲层110上。
栅电极213可以在半导体层211的上方。考虑到与相邻层的粘附力、堆叠层的表面平坦度、可加工性等，栅电极213可以是一层或者可以是多层，其包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。在这种情况下，包括SiOx、SiNx、氮氧化硅等的栅极绝缘层120可以在半导体层211与栅电极213之间，以使半导体层211与栅电极213绝缘。
层间绝缘层130可以位于栅电极213上，并且可以是包括SiOx、SiNx、氮氧化硅等的一层或多层。
源电极216和漏电极217可以位于层间绝缘层130上。源电极216和漏电极217可以通过形成在层间绝缘层130中和栅极绝缘层120中的接触孔而均电连接到半导体层211。
考虑到电导率等，源电极216和漏电极217可以均为包括例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的一层或多层。
覆盖薄膜晶体管210的保护层可以保护薄膜晶体管210等。保护层可以包括无机材料，例如SiOx、SiNx、氮氧化硅等。保护层可以是单层或者可以是多层。
平坦化层140可以位于保护层上。例如，如图2所示，当有机发光元件300在薄膜晶体管210的上方时，平坦化层140可以使覆盖薄膜晶体管210的保护层的上表面基本平坦化。平坦化层140可以包括例如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的组合。然而，一个或更多个实施例不限于此。此外，图2示出了平坦化层140为单层，但可以是多层。根据适合性，根据本实施例的显示装置10可以包括保护层和平坦化层140，或者可以仅包括平坦化层140。为了方便起见，平坦化层140可以被称为第一绝缘层。
在基底100的显示区域DA中，有机发光元件300可以包括像素电极310、对电极330和在像素电极310与对电极330之间的中间层320。中间层320可以包括发射层，并且可以位于平坦化层140上。
开口形成在平坦化层140中，以使薄膜晶体管210的源电极216和漏电极217中的至少一个暴露，通过开口与源电极216和漏电极217中的任何一个接触并且电连接到薄膜晶体管210的像素电极310可以位于平坦化层140上。像素电极310可以是透明(半透明)电极或反射电极。当像素电极310是(半透明)透明电极时，像素电极310可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。当像素电极310是反射电极时，像素电极310可以包括例如包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的组合的反射层，并且可以包括包含ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的层。然而，一个或更多个实施例不限于此。像素电极310可以包括各种材料，并且可以具有各种结构，例如单层结构、多层结构等。
像素限定层150可以位于平坦化层140上。像素限定层150通过包括与每个子像素的对应的开口(即，使像素电极310至少中心部分暴露的开口)来限定像素。此外，如图2所示，像素限定层150使像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离增大，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧等。像素限定层150可以包括诸如PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。像素限定层150可以被称为第二绝缘层。
有机发光元件300的中间层320可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以具有单层结构，或者可以具有其中堆叠有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等的多层结构。中间层320可以包括各种有机材料，例如，铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。上述层可以通过真空沉积形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL包括PEDOT，EML可以包括聚合物材料，诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)类材料和聚芴类材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像等形成。
中间层320不限于上述描述，并且可以具有各种结构。
如图2所示，对电极330可以在显示区域DA上方，并且可以覆盖显示区域DA。也就是说，有机发光元件300的对电极330一体形成，因此可以与像素电极310对应。对电极330可以是透明(半透明)电极或反射电极。当对电极330是透明(半透明)电极时，对电极330可以包括包含具有小逸出功的金属(即Li、Ca、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的组合)的层以及包含ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明(半透明)层。当对电极330是反射电极时，对电极330可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的组合的层。然而，对电极330的结构和材料不限于此，并且可以变化。
因为诸如有机发光元件300的显示元件包括对电极330，所以需要将预设的电信号传输到对电极330以显示图像。因此，电极电源线410在外围区域PA中，因此预设的电信号传输到对电极330。
当各种导电层形成在显示区域DA中时，电极电源线410可以通过使用与导电层相同的材料与导电层同时形成。图2示出了，与薄膜晶体管210的源电极216和漏电极217位于显示区域DA中的层间绝缘层130上一样，电极电源线410位于外围区域PA中的层间绝缘层130上。在这种情况下，当薄膜晶体管210的源电极216和漏电极217位于显示区域DA中的层间绝缘层130上时，可以理解的是，电极电源线410可以在与源电极216和漏电极217相同的工艺期间通过使用相同的材料形成在外围区域PA中的绝缘层130上。因此，电极电源线410具有与源电极216和漏电极217相同的结构。然而，一个或更多个实施例不限于此。电极电源线410可以以各种方式形成，诸如，例如按照在与栅电极213相同的工艺期间通过使用与栅电极213相同的材料在栅极绝缘层120上形成电极电源线410的方式形成。
对电极330可以直接接触电极电源线410，或者如图2所示，对电极330可以经由保护导电层420电连接到电极电源线410。也就是说，位于作为第一绝缘层的平坦化层140上的保护导电层420朝向电极电源线410延伸，并且因此可以与电极电源线410电连接。因此，对电极330可以与外围区域PA中的保护导电层420接触，保护导电层420也可以接触外围区域PA中的电极电源线410。
如图2所示，因为保护导电层420位于平坦化层140上，所以保护导电层420可以在与另一组件相同的工艺期间通过使用相同的材料形成在外围区域PA中的平坦化层140上。具体地，像素电极310位于显示区域DA中的平坦化层140上，保护导电层420可以在与像素电极310相同的工艺期间通过使用相同的材料形成在外围区域PA中的平坦化层140上。因此，保护导电层420可以具有与像素电极310相同的结构。如图2所示，保护导电层420不被平坦化层140覆盖，并且可以覆盖电极电源线410的暴露部分。
如图2所示，平坦化层140可以在外围区域PA中具有开口140b，以减少或防止外部氧或水分通过平坦化层140穿透显示区域DA。此外，当保护导电层420形成时，保护导电层420可以填充开口140b。因此，可以有效地减少或防止另外穿透外围区域PA中的平坦化层140的杂质穿透显示区域DA中的平坦化层140。
平坦化层140的开口140b可以具有各种形状。例如，参照图3，平坦化层140包括沿着显示区域DA的外部区域的边缘或沿着显示区域DA的外部区域的周围彼此分开的开口140b。可选择地，平坦化层140可以具有沿着显示区域DA的外部区域的边缘无缝地包围显示区域DA的开口140b。平坦化层140可以具有无缝地包围显示区域DA的开口140b。
位于对电极330上的是改善从有机发光元件300产生的光的效率的覆盖层160。覆盖层160覆盖对电极330，并且朝向对电极330的外侧延伸，使得覆盖层160的端部160a在作为第一绝缘层的平坦化层140的上方。具体地，覆盖层160的端部160a位于在平坦化层140的开口140b与平坦化层140的端部140a之间的区域处的平坦化层140的上方。也就是说，覆盖层160可以接触在对电极330之下的靠近对电极330的外侧的保护导电层420。因为对电极330覆盖显示区域DA并且朝向显示区域DA的外部区域延伸，所以覆盖层160也覆盖显示区域DA并且朝向显示区域DA的外部区域中的外围区域PA延伸。覆盖层160可以包括有机材料。
包封层500位于覆盖层160上。包封层500保护有机发光元件300免受外部水分、氧等的影响。包封层500朝向存在有机发光元件300的显示区域DA延伸，也朝向显示区域DA的外部区域中的外围区域PA延伸。如图2所示，包封层500可以具有多层结构。详细地，包封层500可以包括第一无机包封层510、有机包封层520和第二无机包封层530。
第一无机包封层510可以覆盖覆盖层160，并且可以包括SiOx、SiNx和/或氮氧化硅。第一无机包封层510可以沿着第一无机包封层510的下结构形成。
有机包封层520具有足以覆盖第一无机包封层510(例如，使第一无机包封层510平面化)的厚度，因此有机包封层520的上表面可以在整个显示区域DA之上是基本平坦的。有机包封层520可以包括从由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、PAR和六甲基二硅氧烷组成的组中选择的至少一种。
第二无机包封层530可以覆盖有机包封层520，并且可以包括SiOx、SiNx和/或氮氧化硅。第一无机包封层510和第二无机包封层530可以具有或可以覆盖比有机包封层520更大的面积。第一无机包封层510和第二无机包封层530可以分别接触有机包封层520的外侧。也就是说，由于第一无机包封层510和第二无机包封层530，可以保护有机包封层520使其免于暴露于外部。
包封层500包括第一无机包封层510、有机包封层520和第二无机包封层530，因此，即使包封层500破裂，由于包封层500的多层结构，裂纹也不会在第一无机包封层510与有机包封层520之间或有机包封层520与第二无机包封层530之间传播。因此，可以防止或减少外部氧、水分等可经由其穿透显示区域DA的路径的产生。
当形成包封层500的同时，包封层500之下的结构可能被损坏。例如，第一无机包封层510可以通过化学气相沉积(CVD)形成，当通过CVD形成第一无机包封层510时，第一无机包封层510正下方的层可能被损坏。因此，当第一无机包封层510直接形成在覆盖层160上时，可以损坏改善从有机发光元件300产生的光的效率的覆盖层160，使得显示装置10的光效率可能会降低。因此，为了减少或防止在形成包封层500时另外引起的覆盖层160的损坏，保护层170可以位于覆盖层160与包封层500之间。保护层170可以包括LiF。
如上所述，覆盖层160从显示区域DA和在显示区域DA的外部区域中的外围区域PA延伸。为了至少在显示区域DA中减少或防止对覆盖层160的损坏，保护层170也从显示区域DA和外围区域PA延伸。在这种情况下，尽管覆盖层160可能在显示区域DA的外部区域中的外围区域PA中被部分地损坏，但在外围区域PA中不存在显示元件，因此由用户识别的图像的质量不会降低。因此，如图2和图3所示，保护层170至少朝向显示区域DA的外部区域延伸，但是保护层170的端部170a可以比覆盖层160的端部160a更靠近显示区域DA。然而，一个或更多个实施例不限于此。保护层170可以完全覆盖覆盖层160，因此保护层170的端部170a可以在比覆盖层160的端部160a更远的外部区域(例如，外围区域PA)中延伸。
当形成包封层500时，更具体地，当形成有机包封层520时，包括在有机包封层520中的材料被限制地放置在预设区域中。为此，如图2所示，第一坝610可以位于外围区域PA中。具体地，如图2所示，缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和作为第一绝缘层的平坦化层140可以存在于基底100的显示区域DA和外围区域PA两者中。第一坝610在外围区域PA中，以与平坦化层140分开。
第一坝610可以具有多层结构。例如，第一坝610可以在远离基底100延伸的方向上包括第一层611、第二层613和第三层615。第一层611可以在与显示区域DA中的作为第一绝缘层的平坦化层140相同的工艺期间通过使用相同的材料而形成。第二层613可以在与显示区域DA中的作为第二绝缘层的像素限定层150相同的工艺期间通过使用相同的材料而形成。第三层615可以通过使用与第二层613相同的材料另外形成在第二层613上。
在显示装置的制造期间，第一坝610可以支撑掩模，并且可以防止用掩模预先形成的组件的接触，从而防止损坏，在制造显示装置期间，当形成有机发光元件300的中间层320或对电极330时或者在中间层320或对电极330的形成之后形成覆盖层160或保护层170时使用所述掩模。此外，当有机包封层520位于第一无机包封层510上时，第一坝610可以防止包括在有机包封层520中的材料朝向基底100的边缘移动。此外，由于与平坦化层140的分离，第一坝610可以减少或防止外部水分沿着包括有机材料的平坦化层140穿透显示区域DA。
如图2所示，包封层500的第一无机包封层510覆盖第一坝610，朝向第一坝610的外侧延伸，并且可以接触在第一坝610的外侧上的层间绝缘层130。因为第一无机包封层510和层间绝缘层130包括无机材料，所以第一无机包封层510和层间绝缘层130可具有极好的粘附力。
此外，包封层500的最下表面与覆盖层160的端部160a和第一坝610之间的保护导电层420接触。也就是说，因为作为包封层500的最下面的层的第一无机包封层510接触包括与像素电极310相同的材料的保护导电层420，所以包封层500与包封层500下方的层之间的粘附力可以保持极好。
如果包括有机材料的覆盖层160的端部160a从平坦化层140的端部140a朝向第一坝610延伸，则包封层500在第一坝610的内部区域中接触包括有机材料的层。结果，包封层500与其下面的层之间的粘附力可能会减小。然而，在根据本实施例的显示装置10的情况下，包封层500与其下面的层之间的粘附力在平坦化层140的端部140a与第一坝610之间保持极好，并且在第一坝610的外侧保持极好。因此，在显示装置10的制造期间或在制造之后的显示装置10的使用期间，可以有效地防止或减少包封层500从下层的剥离。
此外，保护导电层420可以包括在其上表面的至少一部分处的不平坦结构/不平坦表面422。详细地，保护导电层420可以包括不平坦结构422，所述不平坦结构422位于第一坝610与平坦化层140的端部140a之间的直接接触包封层500的区域中，也就是在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中。不平坦结构422使得保护导电层420的上表面不平坦，因此，保护导电层420的上表面的面积可以增大。因此，包括相同材料的像素电极310和保护导电层420可以具有不同的表面粗糙度。详细地，像素电极310的上表面的表面粗糙度可以小于保护导电层420的上表面的表面粗糙度。因此，包封层500附着到下层的区域的面积增大，因此，包封层500与下层之间的粘附力可以增大。
不平坦结构422可以具有各种形状或图案。例如，不平坦结构422可以直接位于保护导电层420的上表面上。然而，一个或更多个实施例不限于此，不平坦结构422可以以各种方式位于保护导电层420的上表面上。将参照图4至图7对其进行描述。
在其他实施例中，第一无机包封层510可以具有与包括在保护导电层420的上表面中的不平坦结构422对应的上表面(例如，至少在第一坝610与平坦化层140的端部140a之间)。因此，第一无机包封层510附着到第二无机包封层530的区域的面积增大，因此第一无机包封层510与第二无机包封层530之间的粘附力可以增大。
图4是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的示例的剖视图。
由于电极电源线410的形状，图4的显示装置10B不同于图1至图3所示的显示装置10。参照图4，显示装置10B的电极电源线410可以包括第一图案412。第一图案412不与电极电源线410的平坦的上表面对应，位于电极电源线410上的保护导电层420在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中具有与电极电源线410的上表面的第一图案412对应的上表面。因此，保护导电层420的上表面可以具有不平坦结构422。因此，第一无机包封层510附着到第二无机包封层530的区域的面积增大，保护导电层420与接触保护导电层420的第一无机包封层510之间的粘附力可以增大。
例如，第一图案412可以具有直接位于电极电源线410的上表面上的不平坦结构。作为另一示例，第一图案412可以包括穿过电极电源线410的孔。在这种情况下，孔可以具有各种形状，诸如圆形和多边形，并且可以规则地或不规则地布置。
此外，在其他实施例中，第一无机包封层510可以具有与包括在保护导电层420的上表面中的不平坦结构422对应的上表面。因此，第一无机包封层510与第二无机包封层530之间的粘附力可以增大。
图5是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的剖视图。
参照图5的显示装置10C，在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中，电极电源线410下方的层中的至少一层包括第二图案132，因此，保护导电层420的上表面可以具有不平坦结构422。例如，第二图案132可以包括与层间绝缘层130相同的材料，或者可以形成在层间绝缘层130中，因此可以在与层间绝缘层130相同的工艺期间形成。
当层间绝缘层130在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中具有第二图案132时，电极电源线410堆叠在与第二图案132对应的区域中的层间绝缘层130上，因此电极电源线410的上表面可以具有与第二图案132对应的第一图案412。结果，电极电源线410上的保护导电层420具有与电极电源线410的第一图案412对应的上表面，保护导电层420的上表面具有不平坦结构422，使得保护导电层420附着到第一无机包封层510的区域的面积增大，并且使得保护导电层420与第一无机包封层510之间的粘附力可以增大。
然而，一个或更多个实施例不限于此。第二图案132可以包括在层间绝缘层130之下的栅极绝缘层(例如，图2的栅极绝缘层120)中。此外，如附图所示，第一无机包封层510可以具有与包括在保护导电层420的上表面中的不平坦结构422对应的上表面，第一无机包封层510与第二无机包封层530之间的粘附力可以增大。
图6是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的剖视图。
参照图6的显示装置10D，显示装置10D可以在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中包括在电极电源线410之下的虚设图案215。例如，虚设图案215可以位于栅极绝缘层120上。在这种情况下，当薄膜晶体管(例如，图2的薄膜晶体管210)的栅电极(例如，图2的栅电极213)位于显示区域(例如，图1的显示区域DA)中的栅极绝缘层120上时，可以理解的是，虚设图案215可以在与栅极绝缘层120相同的工艺期间形成在栅极绝缘层120上，并且可以在外围区域(例如，图1的外围区域PA)中包括相同的材料。
虚设图案215可以具有各种形状。例如，虚设图案215可以是彼此电绝缘的图案，并且可以规则地或不规则地布置。在这种情况下，虚设图案215可以具有诸如圆形图案或多边形形状的形状。
当虚设图案215在该区域中位于栅极绝缘层120上时，那么依次堆叠在栅极绝缘层120上的层间绝缘层130、电极电源线410和保护导电层420可以具有与虚设图案215对应的形状。因此，保护导电层420的上表面可以具有与虚设图案215对应的不平坦结构422，因此，保护导电层420与第一无机包封层510之间的粘附力可以增大。在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中，第一无机包封层510可以具有与包括在保护导电层420的上表面中的不平坦结构422对应的上表面，因此，在第一无机包封层510与第二无机包封层530之间的粘附力可以增大。
图7是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的剖视图。
参照图7的显示装置10E，显示装置10E可以在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中包括在电极电源线410之下的第一虚设图案215a和第二虚设图案215b。例如，电连接到薄膜晶体管(例如，图2的薄膜晶体管210)的存储电容器可以包括第一电极和第二电极。第一虚设图案215a可以位于与存储电容器的第一电极相同的层上，第二虚设图案215b可以位于与存储电容器的第二电极相同的层上。
更详细地，第一虚设图案215a可以位于栅极绝缘层120上，第二虚设图案215b可以位于在存储电容器的第一电极与第二电极之间的第一层间绝缘层130a上。此外，第二虚设图案215b也可以被位于存储电容器的第二电极上的第二层间绝缘层130b覆盖。第一虚设图案215a和第二虚设图案215b彼此不叠置，并且可以是竖直地不对齐的。也就是说，第一虚设图案215a和第二虚设图案215b可以沿着朝向显示装置10E的外周的方向交替布置。
当第一虚设图案215a和第二虚设图案215b交替布置在上述区域中时，依次堆叠在栅极绝缘层120上的第一层间绝缘层130a、第二层间绝缘层130b、电极电源线410和保护导电层420可以具有与第一虚设图案215a和第二虚设图案215b对应的形状。因此，保护导电层420的上表面可以具有不平坦结构422，因此，保护导电层420与第一无机包封层510之间的粘附力可以增大。在其他实施例中，第一无机包封层510可以具有与包括在上述区域中的保护导电层420的上表面中的不平坦结构422对应的上表面，因此，第一无机包封层510与第二无机包封层530之间的粘附力可以增大。
图8是示出沿图1的线II-II'截取的横截面的另一示例的剖视图。
因为显示装置10F还包括第二坝620，所以图8的显示装置10F与图1至图3的显示装置10不同。第二坝620可以与平坦化层140分离，并且可以位于第一坝610的内侧。也就是说，第二坝620可以在电极电源线410的与保护导电层420对应的部分上方。
如上所述，第一坝610可以具有其中堆叠有第一层611、第二层613和第三层615的结构，在这种情况下，第二坝620可以包括下层623和上层625，下层623可以在与第一坝610的第二层613相同的工艺期间通过使用相同的材料形成，上层625可以在与第一坝610的第三层615相同的工艺期间通过使用相同的材料形成在下层623上。因此，第二坝620可以具有比第一坝610低的高度，第一坝610和第二坝620的高度是距离基底(例如，图1的基底100)的高度。
第二坝620可以防止包括在有机包封层(例如，图2的有机包封层520)中的材料朝向第二坝620的外侧溢出。尽管包括在有机包封层中的材料部分地朝向第二坝620的外侧溢出，但是因为第二坝620的位置被第一坝610固定，所以材料可以不进一步朝向基底100的边缘移动。
第一无机包封层510和第二无机包封层530可以覆盖第一坝610，因此可以在第一坝610的外侧上彼此接触。此外，第一无机包封层510在第一坝610的外侧接触包括无机材料的层间绝缘层130，因此可以有效地防止外部水分等的渗透。
此外，在电极电源线410与保护导电层420叠置的区域中，保护导电层420可以具有不平坦结构，因此在保护导电层420与第一无机包封层510之间的粘附力可以增大。此外，因为第二坝620位于不平坦结构上，所以可以在显示装置的制造期间防止例如第二坝620的错位等的损坏。
根据一个或更多个实施例，可以实现可防止或减少组件之间的剥离的显示装置。然而，本公开的范围不限于此。
应当理解的是，这里描述的实施例应仅在描述性意义上进行考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似的特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其功能等同物所限定的精神和范围的情况下，在这里可以作出形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部区域中的外围区域；
第一绝缘层，跨过所述显示区域和所述外围区域地位于所述基底上；
第一坝，在所述外围区域中，并且与所述第一绝缘层分离；
电极电源线，位于所述基底上，并且包括在所述第一绝缘层与所述第一坝之间的部分；
保护导电层，位于所述第一绝缘层上，在所述电极电源线之上延伸，电连接到所述电极电源线，并且包括在保护导电层的上表面上的不平坦结构；
像素电极，位于所述显示区域中的所述第一绝缘层上；
对电极，位于所述像素电极上，并且通过延伸到所述外围区域接触所述保护导电层；以及
包封层，位于所述对电极上，并且在所述保护导电层与所述电极电源线叠置的区域中具有与所述外围区域中的所述保护导电层的所述上表面接触的下表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电极电源线包括第一图案，
其中，所述保护导电层的所述上表面包括与所述第一图案对应的不平坦结构。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述保护导电层与所述电极电源线叠置的区域中，所述电极电源线之下的至少一层包括第二图案，
其中，所述保护导电层的所述上表面包括与所述第二图案对应的不平坦结构。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述像素电极的薄膜晶体管，
其中，所述薄膜晶体管的栅电极上的层间绝缘层朝向所述外围区域延伸，并且在所述外围区域中包括所述第二图案。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述保护导电层与所述电极电源线叠置的所述区域中的所述电极电源线之下的虚设图案。
6.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述像素电极并且包括栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述虚设图案包括与所述栅电极相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖层，所述覆盖层在所述对电极与所述包封层之间，朝向所述对电极的外侧延伸，并且具有位于所述第一绝缘层上的端部。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层限定在所述外围区域中的开口，
其中，所述覆盖层的所述端部位于所述第一绝缘层的端部与所述开口之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述保护导电层填充所述第一绝缘层的所述开口。
10.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述覆盖层与所述包封层之间的保护层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述包封层包括依次堆叠的第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层，
其中，所述保护导电层的所述上表面包括与所述第一无机包封层的下表面接触的所述不平坦结构。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一无机包封层和所述第二无机包封层在所述第一坝的外围处彼此接触。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在所述保护导电层与所述电极电源线叠置的所述区域中，所述第一无机包封层包括与所述不平坦结构对应的上表面。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一坝与所述第一绝缘层之间的第二坝，其中，所述第二坝的至少一部分位于所述保护导电层上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一坝距离所述基底的高度大于所述第二坝距离所述基底的高度。
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