TWI712119B - 凹槽封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種凹槽封裝結構，包括：一基板、一下導電層、一光學元件、一上導電層、一密封層及一阻隔層。該下導電層設置於該基板的一側面上。該光學元件設置於該下導電層的一側面上。該上導電層設置於該光學元件的一側面上，於該光學元件的無效區域上至少設有一凹槽。於該光學元件及該上導電層的一側面上具有該密封層。於該密封層的一側面上具有該阻隔層。以該密封層與該阻隔層封裝結構，進一步結合該光學元件無效區域周邊的凹槽設置，可以增加側邊橫向封合密封之效果增加，延伸密封層與阻隔層與基板封合之介面，以達成阻水阻氣的目的。

Description

凹槽封裝結構
本發明係有關於一種電子元件封裝結構，尤指一種薄型元件基板的凹槽封裝結構。
有鑑於電子元件對於環境敏感性的需求，一般封裝性元件需要加以遮蔽已達阻隔水氣與氧氣之密封的狀態，來保護其內環境敏感電子元件(如有機發光二極體或是薄膜光伏電池等)遮蔽受到外面環境溫度與濕度的影響，以免產生失效或效能衰減、進而損壞整個環境敏感電子元件，以確保產品之品質與使用壽命。
常用的封裝置技術如應用在太陽電池模組及OLED，多使用如耐濕性佳之乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)作為封裝材料或貼合防滲薄膜(Barrier Film)貼合而成阻水阻氣膜。不過在太陽光之紫外線照射下容易損壞變黃，或是封裝阻水阻氣材料與結構上有壽命年限，進而影響如OLED的產品外觀壽命或是太陽能電池之效率。
參考為改善此封裝技術如台灣專利第I479940號進而改善以多層複合材料以無機封裝層及阻隔層交互堆疊達成封裝效果。或是在封裝結構上加以設計如台灣專利第I549290號於元件與封裝層進行結構摺疊以增加貼合介面區域或面積達成封裝的效果，不過對於日趨薄型化元件的需要，該等結構為不利有效區域與空間之利用。
因此，本發明之主要目的，在於提供一種在薄型元件的光學元件的無效區域上製作凹槽，並於該光學元件及上導電層上依序製作有密封層與阻隔層，該密封層與該阻隔層更可以連續交互塗佈堆疊增厚封裝結構以達成封裝目的，進一步結合結構上於光學元件無效區域周邊的凹槽設置，可以增加側邊橫向封合密封之效果增加，延伸密封層與阻隔層與基板封合之介面，以達成阻水阻氣的目的。
本發明之另一目的，在於本發明應用於薄型元件結構封裝後，並且降低非有效面的使用及結構性浪費，有利於元件設計薄型化及增益封裝阻隔之目的。
為達上述之目的，本發明提供一種凹槽封裝結構，包括：一基板、一下導電層、一光學元件、一上導電層、一密封層及一阻隔層。該下導電層設置於該基板的一側面上。該光學元件設置於該下導電層的一側面上。該上導電層設置於該光學元件的一側面上，於該光學元件的無效區域上至少設有一凹槽。於該光學元件及該上導電層的一側面上具有該密封層。於該密封層的一側面上具有該阻隔層。
在本發明之一實施例中，該基板為透光塑料或透光玻璃基板。
在本發明之一實施例中，該透光塑料為聚亞醯胺、聚亞醯胺與無機混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸聚合物或玻璃纖維增強型塑膠基板。
在本發明之一實施例中，該基板與該下導電層之間設有一硬化層。
在本發明之一實施例中，該硬化層為二氧化矽。
在本發明之一實施例中，該硬化層的厚度為1μm-3μm。
在本發明之一實施例中，該下導電層及上導電層為無機導體材料。
在本發明之一實施例中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
在本發明之一實施例中，該光學元件為有機二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。
在本發明之一實施例中，該光伏電池元件為有機太陽能電池、鈣鈦礦的薄膜太陽能電池。
在本發明之一實施例中，該凹槽寬度為10μm-100μm。
在本發明之一實施例中，該凹槽為多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
在本發明之一實施例中，該密封層為無機金屬氧化物。
在本發明之一實施例中，該無機金屬氧化物為氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿，或以上材料之組合構成之膜層。
在本發明之一實施例中，該氧化鋁厚度10nm-80nm。
在本發明之一實施例中，該氧化鋁厚度為30nm-50nm。
在本發明之一實施例中，該阻隔層為聚矽酸鈉、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸羥乙酯、環氧樹脂，或以上材料之組合。
在本發明之一實施例中，該阻隔層厚度為0.5μm-10μm。
在本發明之一實施例中，該聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成膜層，其膜層厚度1μm-3μm。
在本發明之一實施例中，該密封層與該阻隔層可以重複交錯多層堆疊。
為達上述之目的，本發明提供另一種凹槽封裝結構，包括：一基板、一第一密封層、一下導電層、一光學元件、一上導電層、一第二密封層及一阻隔層。該第一密封層設於該基板的一側面上。該下導電層設置於該第一密封層的一側面上。該光學元件設置於該下導電層的一側面上。該上導電層設置於該光學元件的一側面上，於該光學元件的無效區域上至少設有一凹槽，於該光學元件及該上導電層的一側面上具有該第二密封層。於該第二密封層的一側面上具有該阻隔層。
在本發明之一實施例中，該基板為透光塑料或透光玻璃基板。
在本發明之一實施例中，該透光塑料為聚亞醯胺、聚亞醯胺與無機混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸聚合物或玻璃纖維增強型塑膠基板。
在本發明之一實施例中，該基板與該下導電層之間設有一硬化層。
在本發明之一實施例中，該硬化層為二氧化矽。
在本發明之一實施例中，該硬化層的厚度為1μm-3μm。
在本發明之一實施例中，該下導電層及上導電層為無機導體材料。
在本發明之一實施例中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
在本發明之一實施例中，該光學元件為有機二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。
在本發明之一實施例中，該光伏電池元件為有機太陽能電池、鈣鈦礦的薄膜太陽能電池。
在本發明之一實施例中，該凹槽寬度為10μm-100μm。
在本發明之一實施例中，該凹槽為多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
在本發明之一實施例中，該第一密封層及該第二密封層為無機金屬氧化物。
在本發明之一實施例中，該無機金屬氧化物為氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿或以上材料之組合構成之膜層。
在本發明之一實施例中，該氧化鋁厚度10nm-80nm。
在本發明之一實施例中，該氧化鋁厚度為30nm-50nm。
在本發明之一實施例中，該阻隔層為聚矽酸鈉、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸羥乙酯、環氧樹脂，或以上材料之組合。
在本發明之一實施例中，該阻隔層厚度為0.5μm-10μm。
在本發明之一實施例中，該聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成膜層，其膜層厚度1μm-3μm。
在本發明之一實施例中，該密封層與該阻隔層可以重複交錯多層堆疊。
茲有關本發明之技術內容及詳細說明，現配合圖式說明如下：
請參閱圖1，係本發明之第一實施例的薄型元件封裝結構示意圖。如圖所示：本發明之凹槽封裝結構，係於薄型元件10上製作凹槽的封裝結構，該薄型元件10包含有﹕一基板1、一下導電層2、一光學元件3及一上導電層4。
該基板1，係為透光塑料或透光玻璃基板。該透光塑料為聚亞醯胺(Polyimide，PI)、聚亞醯胺與無機混合物(hybrid PI)、聚對苯二甲酸乙二酯 (Polyethylene terephthalate，PET)、聚醚碸(PolyethersUlfone，PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalatc，PEN)、環烯烴聚合物(Cyclo olefin polymer，COP)、玻璃纖維增強型塑膠基板(Fiberglass Reinforced Plastic Substrate)。再，於該基板1一側面進行硬化處理形成有一硬化層11，以增加基板1的挺性。該硬化層為二氧化矽為主成分。在本圖式中，該硬化層的厚度為1μm-3μm。
該下導電層2，係設於該硬化層11的一側面上，該下導電層2可以經含無機導體材料蝕刻技術形成具有透明複數個電極線路(圖中未示)，藉由一電路連接裝置(圖中未示)與外部電性連接。在本圖式中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
該光學元件3，經製作於該下導電層2的一側面上。其中，該光學元件3為有機二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。其中，該光伏電池元件為有機太陽能電池、鈣鈦礦(perovskite)等薄膜太陽能電池。在本圖式中，該光伏電池元件層依序塗佈有一電子傳遞層、一反應層及一電洞傳遞層或依序塗佈有一電洞傳遞層、一反應層及一電子傳遞層。
該上導電層4，係設於該光學元件3的一側面上，該上導電層4可以經無機導體材料蝕刻技術形成具有透明複數個電極線路(圖中未示)，藉由一電路連接裝置(圖中未示)與外部電性連接。在本圖式中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
請參閱圖2，係圖1在薄型元件的光學元件上製作凹槽結構示意圖。如圖所示﹕在薄型元件10的上導電層4在製作完成後，利用雷射雕刻技術，於光學元件3周邊的無效區域進行雷射蝕刻，使該光學元件3的無效區域上形成有至少一凹槽31。其中，該凹槽31以雷射蝕刻，雷射光源條件為，光源之能量條件，光點大小(spot size)視需要的直徑可以為調整1-100μm，能量1-5 W，脈衝是進行蝕刻，蝕刻深度是以蝕刻基板1表面光學元件3四周非有效區域(無效區域)構成一環狀之凹槽31(如圖5所示)，蝕刻深度以不破壞下導電層2結構為限，凹槽31寬度為10μm-100μm。該環狀的凹槽31可以多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
請參閱圖3，係圖2在薄型元件的上導電層及光學元件上製作密封層結構示意圖。如圖所示﹕在光學元件3的無效區域上形成有至少一凹槽31後，於該上導電層4及光學元件3上塗佈有一密封層5，該密封層5為無機金屬氧化物如氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿構成之膜層或以上材料之組合，亦可為交替排列之多層材料，藉由原子層沉積(Atomic Layer Deposition ，ALD)循環重複堆疊而成，本發明實施例採用氧化鋁成膜，厚度10nm-80nm。本發明以氧化鋁經原子層沉積(ALD)循環重複100-200次堆疊構成厚度30nm-50nm，所謂的原子層沉積係將氧化鋁的前驅物與惰性氣體加熱後混成蒸氣噴塗沉積於基板1表面。利用該原子層沉積(ALD)技術提供密封材料細小化並且重新反應架構於基板1及元件表面達成薄層封裝效果。在本圖式中，該密封層5更可設置於該基板1與該下導電層2之間(圖後詳述)。
請參閱圖4、5，係圖3在薄型元件的密封層上製作阻隔層結構及圖4的薄型元件的上視示意圖。如圖所示﹕在本發明的薄型元件10上的密封層5製作完成後，於該密封層5上製作一阻隔層6，其中該阻隔層6可以是對應前述密封層5之金屬氧化物化可以有很好的貼合效果之材料為佳，如聚矽酸鈉、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚丙烯酸(Polyacrylate)、聚乙烯醇縮丁醛(Polyvinyl butyral，PVB)、聚甲基丙烯酸羥乙酯(poly hydroxyethyl methacrylate，pHEMA)、環氧樹脂或以上材料之組合等，實施方式可以利用狹縫式塗佈裝置(slot die coater)塗佈後經乾燥處理成膜而成，乾厚度可以為0.5μm-10μm，本發明以聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成之塗料，經塗佈裝置(coater)塗佈後熱100℃烘乾成膜與前氧化鋁密封層可以有很好的黏合效果，乾膜厚度1μm-3μm。藉此阻隔層可以修補原子層沉積(ALD)構成之密封層5表面仍有空隙之疑慮，利用該阻隔層6可以進一步填補前密封層5的表面結構，以更確保達成封裝阻水阻氣之效果。
請參閱圖6、7，係本發明之第二實施例的薄型元件封裝結構的基板製作及圖6在薄型元件的硬化層上製作第一密封層結構視示意圖。如圖所示﹕本第二實施例與第一實施例大致相同，所不處係在於基板1的一側面進行硬化處理形成有一硬化層11，以增加基板1的挺性。該硬化層為二氧化矽述兩為主成分，且該硬化層的厚度為1μm-3μm。在本圖式中，該基板為透光塑料或透光玻璃基板。
在硬化層11製作完成後，於該硬化層11的一側面上製作有一第一密封層5a，該第一密封層5a為無機金屬氧化物如氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿構成之膜層或以上材料之組合，亦可為交替排列之多層材料，藉由原子層沉積(ALD)循環重複堆疊而成，本發明實施例採用氧化鋁成膜，厚度10nm-80nm。
請參閱圖8，係圖7在薄型元件的第一密封層上製作下導電層、光學元件及上導電層結構示意圖。如圖所示﹕在第二實施例的薄型元件10上的第一密封層5a製作完成後，於該第一密封層5a上製作有下導電層2，該下導電層2可以經含無機導體材料蝕刻技術形成具有透明複數個電極線路(圖中未示)，藉由一電路連接裝置(圖中未示)與外部電性連接。在本圖式中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
在下導電層2製作完成後，於該下導電層2的一側面上製作有一光學元件。其中，該光學元件3為基二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。
在該光學元件3製作完成後，於該光學元件3的一側面上製作有一上導電層4，該上導電層4可以經無機導體材料蝕刻技術形成具有透明複數個電極線路(圖中未示)，藉由一電路連接裝置(圖中未示)與外部電性連接。在本圖式中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
請參閱圖9，係圖8在薄型元件的上導電層製作凹槽結構示意圖。如圖所示﹕在第二實施例的薄型元件10上的下導電層2、光學元件3及上導電層4製作完成後，於該利用雷射雕刻技術，於光學元件3周邊的無效區域進行雷射蝕刻，使該光學元件3的無效區域上形成有至少一凹槽31。其中，該凹槽31以雷射蝕刻，雷射光源條件為，光源之能量條件，光點大小(spot size)視需要的直徑可以為調整1-100μm，能量1-5 W，脈衝是進行蝕刻，蝕刻深度是以蝕刻基板1表面光學元件3四周非有效區域(無效區域)構成一環狀之凹槽31(如圖5所示)，蝕刻深度以不破壞下導電層2結構為限，凹槽31寬度為10μm-100μm。該環狀的凹槽31可以多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
請參閱圖10，係圖9在薄型元件的上導電層及光學元件上製作第二密封層結構示意圖。在第二實施例的薄型元件10的凹槽31製作完成後，於該上導電層4及光學元件3上塗佈有一第二密封層5b，該第二密封層5b為無機金屬氧化物如氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、或氧化鉿構成之膜層，亦可為交替排列之多層材料，藉由原子層沉積(ALD)循環重複堆疊而成，本發明實施例採用氧化鋁成膜，厚度10nm-80nm。本發明以氧化鋁經原子層沉積(ALD)循環重複100-200次堆疊構成厚度30nm-50nm，所謂的原子層沉積係將氧化鋁的前驅物與惰性氣體加熱後混成蒸氣噴塗沉積於基板1表面。利用該原子層沉積(ALD)技術提供密封材料細小化並且重新反應架構於基板1及元件表面達成薄層封裝效果。
請參閱圖11，係圖10在薄型元件的密封層上製作阻隔層結構示意圖。如圖所示﹕在第二實施例的薄型元件10上的第二密封層5b製作完成後，於該第二密封層5b上製作一阻隔層6，其中該阻隔層6可以是對應前述該第二密封層5b之金屬氧化物化可以有很好的貼合效果之材料為佳，如聚矽酸鈉、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚丙烯酸(Polyacrylate)、聚乙烯醇縮丁醛(Polyvinyl butyral，PVB)、聚甲基丙烯酸羥乙酯(poly hydroxyethyl methacrylate，pHEMA)、環氧樹脂或以上材料之組合等，實施方式可以利用狹縫式塗佈裝置(slot die coater)塗佈後經乾燥處理成膜而成，乾厚度可以為0.5μm-10μm，本發明以聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成之塗料，經塗佈裝置(coater)塗佈後熱100℃烘乾成膜與前氧化鋁密封層可以有很好的黏合效果，乾膜厚度1μm-3μm。藉此阻隔層可以修補原子層沉積(ALD)構成之密封層表面仍有空隙之疑慮，利用該阻隔層6可以進一步填補前第二密封層5b的表面結構，以更確保達成封裝阻水阻氣之效果。
進一步，在於本發明之密封層與阻隔層可以重複交錯多層堆疊的在薄型元件上。
綜上，本發明凹槽封裝結構，結合多層密封層5、5a或5b與阻隔層6，更結合凹槽式阻隔設計延伸封裝與基板1間之介面可以增易封裝阻水、阻氣之效果。
惟以上所述僅為本發明之較佳實施例，非意欲侷限本發明的專利保護範圍，故舉凡運用本發明說明書或圖式內容所為的等效變化，均同理皆包含於本發明的權利保護範圍內，合予陳明。
10:薄型元件
1:基板
11:硬化層
2:下導電層
3:光學元件
31:凹槽
4:上導電層
5:密封層
5a:第一密封層
5b:第二密封層
6:阻隔層
圖1，係本發明之第一實施例的薄型基元件封裝結構示意圖；
圖2，係圖1在薄型元件的光學元件上製作凹槽結構示意圖；
圖3，係圖2在薄型元件的上導電層、光學元件上製作密封層結構示意圖；
圖4，係圖3在薄型元件的密封層上製作阻隔層結構示意圖；
圖5，係圖4的薄型元件的上視示意圖﹔
圖6，係本發明之第二實施例的薄型元件封裝結構的基板製作示意圖；
圖7，係圖6在薄型元件的硬化層上製作第一密封層結構視示意圖；
圖8，係圖7在薄型元件的第一密封層上製作下導電層、光學元件及上導電層結構示意圖；
圖9，係圖8在薄型元件的上導電層製作凹槽結構示意圖；
圖10，係圖9在薄型元件的上導電層及光學元件上製作第二密封層結構示意圖；
圖11，係圖10在薄型元件的密封層上製作阻隔層結構示意圖。
10:薄型元件
1:基板
11:硬化層
2:下導電層
3:光學元件
31:凹槽
4:上導電層
5:密封層
6:阻隔層

Claims (38)

  1. 一種凹槽封裝結構，包括：一基板，其上一側面具有一硬化層；一下導電層，設置於該硬化層的一側面上；一光學元件，設置於該下導電層的一側面上；一上導電層，設置於該光學元件的一側面上；其中，於該光學元件的無效區域上至少設有一凹槽，於該光學元件及該上導電層的一側面上具有一密封層；於該密封層的一側面上具有一阻隔層，以該密封層與該阻隔層結合該光學元件無效區域周邊的凹槽設置，使側邊橫向封合密封之效果增加，延伸該密封層與該阻隔層與該基板封合之介面，以達成阻水阻氣的目的。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該基板為透光塑料或透光玻璃基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之凹槽封裝結構，其中，該透光塑料為聚亞醯胺、聚亞醯胺與無機混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸聚合物或玻璃纖維增強型塑膠基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該硬化層為二氧化矽。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之凹槽封裝結構，其中，該硬化層的厚度為1μm-3μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該下導電層及上導電層為無機導體材料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之凹槽封裝結構，其中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該光學元件為有機二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之凹槽封裝結構，其中，該光伏電池元件為有機太陽能電池、鈣鈦礦的薄膜太陽能電池。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該凹槽寬度為10μm-100μm。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該凹槽為多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該密封層為無機金屬氧化物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之凹槽封裝結構，其中，該無機金屬氧化物為氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿構成之膜層或以上材料之組合。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之凹槽封裝結構，其中，該氧化鋁厚度10nm-80nm。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之凹槽封裝結構，其中，該氧化鋁厚度為30nm-50nm。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該阻隔層為聚矽酸鈉、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸羥乙酯、環氧樹脂，或以上材料之組合。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該阻隔層厚度為0.5μm-10μm。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之凹槽封裝結構，其中，該聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成膜層，其膜層厚度1μm-3μm。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之凹槽封裝結構，其中，該密封層與該阻隔層可以重複交錯多層堆疊。
  20. 一種凹槽封裝結構，包括：一基板，其上一側面具有一硬化層； 一第一密封層，設於該硬化層的一側面上；一下導電層，設置於該第一密封層的一側面上；一光學元件，設置於該下導電層的一側面上；一上導電層，設置於該光學元件的一側面上；其中，於該光學元件的無效區域上至少設有一凹槽，於該光學元件及該上導電層的一側面上具有一第二密封層；於該第二密封層的一側面上具有一阻隔層，以該第二密封層與該阻隔層結合該光學元件無效區域周邊的凹槽設置，使側邊橫向封合密封之效果增加，延伸該第二密封層與該阻隔層與該基板封合之介面，以達成阻水阻氣的目的。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該基板為透光塑料或透光玻璃基板。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之凹槽封裝結構，其中，該透光塑料為聚亞醯胺、聚亞醯胺與無機混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸聚合物或玻璃纖維增強型塑膠基板。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該硬化層為二氧化矽。
  24. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該硬化層的厚度為1μm-3μm。
  25. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該下導電層及上導電層為無機導體材料。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之凹槽封裝結構，其中，該無機導體材料為氧化銦錫、銀膠。
  27. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該光學元件為有機二極體發光元件、電致變色顯示元件或光伏電池元件。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之凹槽封裝結構，其中，該光伏電池元件為有機太陽能電池、鈣鈦礦的薄膜太陽能電池。
  29. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該凹槽寬度為10μm-100μm。
  30. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該凹槽為多層重複設置之環狀或迴圈的凹槽。
  31. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該第一密封層及該第二密封層為無機金屬氧化物。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之凹槽封裝結構，其中，該無機金屬氧化物為氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、氧化鉿構成之膜層或以上材料之組合。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之凹槽封裝結構，其中，該氧化鋁厚度10nm-80nm。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之凹槽封裝結構，其中，該氧化鋁厚度為30nm-50nm。
  35. 如申請專利範圍第21項所述之凹槽封裝結構，其中，該阻隔層為聚矽酸鈉、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸羥乙酯、環氧樹脂，或以上材料之組合。
  36. 如申請專利範圍第21項所述之凹槽封裝結構，其中，該阻隔層厚度為0.5μm-10μm。
  37. 如申請專利範圍第35項所述之凹槽封裝結構，其中，該聚矽酸鈉混摻環氧樹脂構成膜層，其膜層厚度1μm-3μm。
  38. 如申請專利範圍第20項所述之凹槽封裝結構，其中，該第二密封層與該阻隔層可以重複交錯多層堆疊。
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