JP2019096439A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光路長の調整が容易なマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】第１副画素領域及び第２副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記第１副画素領域の前記基板上に配置され、第１の光を出射する第１発光膜と、前記第２副画素領域の前記基板上に配置され、前記第１の光より波長の短い第２の光を出射する第２発光膜と、前記第１発光膜及び前記第２発光膜の上層側に、導電性並びに光の透過特性及び反射特性を併せ持つ上部電極と、前記第１及び第２副画素領域において、前記上部電極の上層側に、屈折率がそれぞれ異なる高屈折率膜、中屈折率膜及び低屈折率膜を含んで構成され、前記低屈折率膜は前記基板から最も遠く配置されるキャップ層と、を有し、前記第１副画素領域の前記中屈折率膜は、前記第２副画素領域の前記中屈折率膜よりも厚く形成されることを特徴とする。【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が発した光を取り出す効率を向上させるため、キャップ層が設けられる場合がある。例えば、特許文献１は、異なる波長の光を出射する画素毎に、異なる厚さのキャップ層を設ける点を開示している。
また、さらに光の取り出し効率を上げる為に、特許文献２は、キャップ層が屈折率の異なる２種類の層で構成され、屈折率の高いキャップ層の厚さが副画素毎に異なる構成が開示されている。これにより、有機ＥＬ素子の発した光が当該２種類の層の界面で反射することにより、いわゆるマイクロキャビティ構造が形成されている。
特開２０１７−４９８０号公報 特開２０１５−９９７７３号公報
マイクロキャビティ構造を形成する為には、キャップ層の厚さを変化させることによって、光の波長に合わせて光路長を調整する必要がある。そのため、副画素ごとに異なる波長の光が出射される場合には、副画素ごとにキャップ層の厚さを調整する必要がある。
しかしながら、特許文献２では、屈折率の高いキャップ層の厚さを変化させることによって光路長が調整されている。この場合、キャップ層のわずかな厚さの変化によって光路長が大きく変化してしまうため、光路長の調整が難しい。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、光路長の調整が容易なマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
本発明の一態様は、第１副画素領域及び第２副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記第１副画素領域の前記基板上に配置され、第１の光を出射する第１発光膜と、前記第２副画素領域の前記基板上に配置され、前記第１の光より波長の短い第２の光を出射する第２発光膜と、前記第１発光膜及び前記第２発光膜の上層側に、導電性並びに光の透過特性及び反射特性を併せ持つ上部電極と、前記第１及び第２副画素領域において、前記上部電極の上層側に、屈折率がそれぞれ異なる高屈折率膜、中屈折率膜及び低屈折率膜を含んで構成され、前記低屈折率膜は前記基板から最も遠く配置されるキャップ層と、を有し、前記第１副画素領域の前記中屈折率膜は、前記第２副画素領域の前記中屈折率膜よりも厚く形成されることを特徴とする。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 表示パネルを概略的に示す図である。 表示パネルの断面の積層構造について概略的に示す一例である。 １画素あたりの反射膜と上部電極の間に形成される各層を模式的に示す図である。 第１副画素領域の各層を模式的に示す図である。 第１副画素領域の各層を模式的に示す図である。 第２副画素領域の各層を模式的に示す図である。 第２副画素領域の各層を模式的に示す図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。
図２は、図１の表示パネル２００を概略的に示す図である。表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。
また、表示パネル２００は、表示領域２１０にマトリクス状に配置された画素２０８を有する。具体的には、表示パネル２００は、それぞれ第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４を有する複数の画素を有する。第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４は、それぞれ後述する有機ＥＬ層３１４、上部電極３１６及びキャップ層３１８等が配置される。第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４に配置された有機ＥＬ層３１４は、それぞれ異なる波長の光を出射する。なお、複数の画素が有する副画素領域は３個である場合に限られず、４個以上であってもよい。
アレイ基板２０２は、後述するアレイ層３０２、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６やホール輸送層４０８等が形成される。
駆動ＩＣ２０６は、例えば、各副画素領域に配置された駆動トランジスタ３０４に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各データ信号線に対して階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０６によって、表示パネル２００は、複数色からなる複数の画素２０８によって構成されるカラー画像を、表示領域２１０に表示する。
保護フィルム２０４は、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムであって、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。
図３は、表示パネル２００の断面について概略的に示す図である。図に示すように、表示パネル２００は、図面上の下から上に向かって順に、基板３００と、アレイ層３０２と、平坦化膜３０６と、反射膜３０８と、下部電極３１０と、リブ３１２と、有機ＥＬ層３１４と、上部電極３１６と、キャップ層３１８と、封止膜３２０と、保護フィルム２０４と、を含んで構成される。
基板３００は、例えばガラス基板であるが、樹脂で形成された可撓性を有する基板であってもよい。
アレイ層３０２は、基板３００の上層に形成される。具体的には、アレイ層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層等を含んで構成される複数の駆動トランジスタ３０４を含むように基板３００の上層に形成される。
平坦化膜３０６は、アレイ層３０２の上層に絶縁材料により形成される。具体的には、平坦化膜３０６は、駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極の一方の上側でスルーホールを有するように、かつ、当該スルーホールが形成される領域以外の領域においてアレイ層３０２を覆うように絶縁材料で形成される。
反射膜３０８は、有機ＥＬ層３１４から出射された光を反射する材料で、平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、例えば、反射膜３０８は、Ａｇで形成される。
下部電極３１０は、反射膜３０８及び平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、下部電極３１０は、ＩＴＯ等の透明かつ導電性を有する材料で、反射膜３０８を覆うように、かつ、スルーホールを介して駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続するように形成される。下部電極３１０を金属で形成し、下部電極３１０が反射膜３０８を兼ねる構造、即ち反射膜３０８を省略する構造にしてもよい。
リブ３１２は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、リブ３１２は、下部電極３１０が形成されていない領域では平坦化膜３０６を覆うように、かつ、下部電極３１０が形成された領域では下部電極３１０の上層に形成される。また、リブ３１２は、反射膜３０８が形成された領域の上層側にリブ開口部を有するように形成される。リブ開口部は、表示パネル２００から光が取り出される領域となる。
有機ＥＬ層３１４は、光を出射する第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６やホール輸送層４０８等を含んで構成される。具体的には、第１発光膜４１２は、第１副画素領域４００の基板３００上に配置され、第１の光を出射する。第２発光膜４１４は、第２副画素領域４０２の基板３００上に配置され、第１の光より波長の短い第２の光を出射する。第３発光膜４１６は、第３副画素領域４０４の基板３００上に配置され、第２の光より波長の短い第３の光を出射する。ホール輸送層４０８等については後述する。
上部電極３１６は、第１発光膜４１２及び第２発光膜４１４の上層側に、導電性並びに光の透過特性及び反射特性を併せ持つ材料で形成される。具体的には、上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４を覆うように形成される。上部電極３１６は、光の透過特性及び反射特性（半透過半反射性ともいう）と共に導電性を有するＭｇＡｇ等の材料で形成される。上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４に電子を供給することによって、有機ＥＬ層３１４を発光させる。
キャップ層３１８は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、上部電極３１６の上層側に、屈折率がそれぞれ異なる高屈折率膜４２４、中屈折率膜４２６及び低屈折率膜４２８を含んで構成され、低屈折率膜４２８は基板３００から最も遠く配置される。具体的には、キャップ層３１８は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、屈折率の異なる少なくとも３種の層で構成される。キャップ層３１８は、屈折率の高い高屈折率膜４２４と、高屈折率膜４２４より屈折率の低い低屈折率膜４２８と、高屈折率膜４２４より屈折率が低く低屈折率膜４２８より屈折率が高い中屈折率膜４２６と、を含む。また、第３副画素領域４０４において、屈折率の異なる少なくとも２種の層で構成される。キャップ層３１８の詳細な構成については、図４を用いて説明する。
封止膜３２０は、キャップ層３１８の上層に形成される。具体的には、封止膜３２０は、キャップ層３１８を覆うように、水分を透過しない無機材料で形成される。封止膜３２０は、有機ＥＬ層３１４に水分が侵入することで有機ＥＬ層３１４が劣化することを防止する。
続いて、キャップ層３１８の詳細について、図４（ａ）及び図４（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、１画素２０８のリブ開口部において、反射膜３０８と封止膜３２０の間に形成される各層を模式的に示す図である。図４（ａ）に示すように、各画素２０８は、反射膜３０８、下部電極３１０、ホール注入層４０６、ホール輸送層４０８、電子ブロック層４１０、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６、ホールブロック層４１８、電子輸送層４２０、電子注入層４２２、上部電極３１６、高屈折率膜４２４、中屈折率膜４２６、低屈折率膜４２８、封止膜３２０が積層される。
なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）は模式的な図であって、反射膜３０８及び下部電極３１０が第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４において繋がって記載されているが、反射膜３０８及び下部電極３１０は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４のそれぞれにおいて分離して配置される。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、左から順に第１副画素領域４００、第２副画素領域４０２及び第３副画素領域４０４が配置される構造を模式的に示している。また、ホール輸送層４０８と電子輸送層４２０とは、電荷輸送層ともいう。また、ホール注入層４０６から電子注入層４２２までの層が、図３における有機ＥＬ層３１４に相当する。
ホール注入層４０６は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、ホール注入層４０６は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４において、下部電極３１０の上層に形成される。
また、ホール注入層４０６は、下部電極３１０から注入されたホールを、ホール輸送層４０８に供給する機能を有する材料を用いて形成される。例えば、ホール注入層４０６は、ホール注入障壁を低減するために、下部電極３１０に用いられる材料のフェルミ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料を用いて形成される。
ホール輸送層４０８は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４において、それぞれ異なる厚さで形成される。具体的には、ホール輸送層４０８は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４の全ての領域において、ホール注入層４０６の上層に同じ厚さで配置される。また、ホール輸送層４０８は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、当該ホール輸送層４０８の上層に重ねて配置される。
ここで、第１副画素領域４００において重ねて配置されたホール輸送層４０８は、第２副画素領域４０２において重ねて配置されたホール輸送層４０８よりも厚く形成される。これにより、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６と反射膜３０８との距離は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４のそれぞれにおいて、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６が出射する光が共振する長さとなる。これにより、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６と反射膜３０８との間でマイクロキャビティ構造が形成される。
また、ホール輸送層４０８は、ホール注入層４０６から供給されたホールを、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６に供給する機能を有する材料を用いて形成される。例えば、ホール輸送層４０８は、ホール注入層４０６のＨＯＭＯ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料で形成されることが望ましい。
電子ブロック層４１０は、ホール輸送層４０８の上層に形成される。具体的には、ホールブロック層４１８は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４において、電子輸送層４２０から第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６に供給された電子がホール輸送層４０８に到達することを防止する機能を有する材料で形成される。
第１発光膜４１２は、第１副画素領域４００において電子ブロック層４１０の上層に配置される。第１発光膜４１２は、例えば赤色の光を出射する材料で形成される。
第２発光膜４１４は、第２副画素領域４０２において電子ブロック層４１０の上層に配置される。第２発光膜４１４は、例えば緑色の光を出射する材料で形成される。
第３発光膜４１６は、第３副画素領域４０４において電子ブロック層４１０の上層に配置される。第３発光膜４１６は、例えば青色の光を出射する材料で形成される。
ホールブロック層４１８は、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６の上層に形成される。具体的には、ホールブロック層４１８は、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６の上層に、ホール輸送層４０８から第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６に供給されたホールが電子輸送層４２０に到達することを防止する機能を有する材料で形成される。
電子輸送層４２０は、ホールブロック層４１８の上層に形成される。具体的には、電子輸送層４２０は、ホールブロック層４１８の上層に、上部電極３１６から供給された電子を第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６に供給する機能を有する材料で形成される。
ホール注入層４０６は、電子輸送層４２０の上層に形成される。具体的には、電子注入層４２２は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４において、電子輸送層４２０の上層に形成される。また、電子注入層４２２は、上部電極３１６から注入された電子を、電子輸送層４２０に供給する機能を有する材料を用いて形成される。
高屈折率膜４２４は、上部電極３１６の上層に配置される。具体的には、図４（ａ）に示すように、高屈折率膜４２４は、キャップ層３１８の中で基板３００から最も近く配置される。高屈折率膜４２４は、低屈折率膜４２８及び中屈折率膜４２６よりも屈折率の高い材料で形成される。
中屈折率膜４２６は、高屈折率膜４２４の上層に配置される。具体的には、中屈折率膜４２６は、第１副画素領域４００及び第２副画素領域４０２において、高屈折率膜４２４の上層に形成される。また、第１副画素領域４００の中屈折率膜４２６は、第２副画素領域４０２の中屈折率膜４２６よりも厚く形成される。
低屈折率膜４２８は、中屈折率膜４２６及び高屈折率膜４２４の上層に配置される。具体的には、低屈折率膜４２８は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、中屈折率膜４２６の上層に配置される。また、低屈折率膜４２８は、第３副画素領域４０４において、高屈折率膜４２４の上層に配置される。
上記のように、キャップ層３１８は、高屈折率膜４２４、中屈折率膜４２６及び低屈折率膜４２８によって構成される。第１及び第２副画素領域４００，４０２におけるキャップ層３１８は、高屈折率膜４２４と、中屈折率膜４２６と、低屈折率膜４２８とを含んで構成される。第３副画素領域４０４におけるキャップ層３１８は、高屈折率膜４２４と低屈折率膜４２８とを含んで構成される。
上記のキャップ層３１８の構成によって、第１及び第２発光膜４１２，４１４から出射された波長の異なる光が、キャップ層３１８と上部電極３１６との間で共振するように、マイクロキャビティ構造が形成される。具体的には、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６が発した光は、屈折率の異なる層の界面で反射する。従って、当該光は、高屈折率膜４２４と中屈折率膜４２６の界面及び中屈折率膜４２６と低屈折率膜４２８の界面（以下、キャップ層３１８内の界面、とする）で反射する。
上記のように、中屈折率膜４２６は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、第１及び第２発光膜４１２，４１４が出射する光の波長に応じて異なる厚さで形成される。また、第３副画素領域４０４において、中屈折率膜４２６は配置されない。これにより、キャップ層３１８内の界面と上部電極３１６との距離は、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４のそれぞれにおいて、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６が出射する光が共振する長さとなる。従って、キャップ層３１８内と上部電極３１６との間でマイクロキャビティ構造が形成される。
ここで、マイクロキャビティ構造が形成されるためには、第１乃至第３副画素領域４００，４０２，４０４におけるキャップ層３１８内の界面と上部電極３１６の間の光路長は、第１乃至第３発光膜４１２，４１４，４１６が発した光の各波長のそれぞれ整数倍である必要がある。高屈折率膜４２４の厚さを制御することによって当該光路長を調整した場合、高屈折率膜４２４のわずかな厚さの変化によって光路長が大きく変化してしまう。一方、中屈折率膜４２６の厚さを制御することによって当該光路長を調整する場合、厚さの変化による光路長の変化は、高屈折率膜４２４の厚さによって制御する場合と比較して低減することができる。これにより光路長の調整を容易にすることができる。
なお、中屈折率膜４２６は、キャップ層３１８の中で基板３００から最も近く配置されるようにしてもよい。具体的には、図４（ｂ）に示すように、中屈折率膜４２６は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において、上部電極３１６の上層に配置されてもよい。この場合、高屈折率膜４２４は、第１及び第２副画素領域４００，４０２において中屈折率膜４２６の上層に配置される。また、高屈折率膜４２４は、第３副画素領域４０４において上部電極３１６の上層に配置される。さらに、低屈折率膜４２８は、高屈折率膜４２４の上層に配置される。当該構成においても、図４（ａ）に示す構成と同様にキャップ層３１８内と上部電極３１６との間でマイクロキャビティ構造を形成することができる。
また、中屈折率膜４２６は、第３副画素領域４０４にも配置される構成としてもよい。この場合、第３副画素領域４０４における中屈折率膜４２６は、第３発光膜４１６が出射する光の波長に応じて、第２副画素領域４０２における中屈折率膜４２６よりも薄く形成される。当該構成においても、上記と同様にキャップ層３１８内と上部電極３１６との間でマイクロキャビティ構造を形成することができる。
続いて、図４（ａ）に示す構成の各層の具体的な材料及び厚さについて説明する。図５（ａ）乃至（ｃ）は、第１副画素領域４００の反射膜３０８乃至封止膜３２０の構成を示す模式的な図である。
図５（ａ）に示すように、下部電極３１０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で１０ｎｍの厚さで形成される。ホール注入層４０６及びホール輸送層４０８は、チル置換ベンジジン（αＮＰＤ）で２３５ｎｍの厚さで形成される。第１発光膜４１２は、ビス(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノラト)アルミニウム（ＢＡｌｑ）をホスト、ＤＣＪＴＢ（4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran, 4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran）を発光ドーパントとして、３０ｎｍの厚さで形成される。電子輸送層４２０は、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム（Ａｌｑ３）で３０ｎｍの厚さで形成される。電子注入層４２２は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）で１ｎｍの厚さで形成される。上部電極３１６は、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）で１５ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。中屈折率膜４２６は、Ａｌｑ３で７０ｎｍの厚さで形成される。なお、Ａｌｑ３の屈折率は１．６である。低屈折率膜４２８は、ＬｉＦで８０ｎｍの厚さで形成される。なお、ＬｉＦの屈折率は、１．４である。封止膜３２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で１０００ｎｍの厚さで形成される。なお、ＳｉＮの屈折率は、１．８である。
発明者は、図５（ａ）に示す構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光について検証を行った結果、中屈折率膜４２６を高屈折率膜４２４で置き換えた構成と同等の色度及び輝度が得られた。具体的には、図５（ａ）に示す構成のうち高屈折率膜４２４及び中屈折率膜４２６の代わりに、２．２の屈折率を有する有機材料で１２５ｎｍの厚さで形成された高屈折率膜４２４が配置された構成を有する場合を比較対象として検証した。その結果、比較対象の構成では第１副画素領域４００から発せられる光の色度は、xyY表色系において（０．６８０，０．３１５）であった。また、当該光の輝度は、１９．９ｃｄ／Ａであった。一方、図５（ａ）に示す構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１５）であった。また、当該光の輝度は、１９．７ｃｄ／Ａであった。従って、中屈折率膜４２６を有する構成によって、比較対象の構成と同等の色度及び輝度が得られることが分かった。
また、上記図５（ａ）に示す実施形態は、比較対象の構成と比較して、高屈折率膜４２４の材料の使用量を低減することができる。高屈折率を有する材料は、中屈折率を有する材料と比較して高価であることから、有機ＥＬ表示装置１００の製造コストを低減することができる。
なお、中屈折率膜４２６は、αＮＰＤで形成されてもよい。具体的には、図５（ｂ）に示すように、中屈折率膜４２６は、αＮＰＤで５０ｎｍの厚さで形成されてもよい。なお、αＮＰＤの屈折率は１．８である。図５（ｂ）に示す構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１５）であった。また、当該光の輝度は、２０．３ｃｄ／Ａであった。
また、中屈折率膜４２６は、8-ヒドロキシキノリノラト-リチウム（Ｌｉｑ）で形成されてもよい。具体的には、図５（ｃ）に示すように、中屈折率膜４２６は、Ｌｉｑで７０ｎｍの厚さで形成されてもよい。なお、Ｌｉｑの屈折率は、１．７である。図５（ｃ）に示す構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１５）であった。また、当該光の輝度は、１９．８ｃｄ／Ａであった。従って、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示す構成によって、比較対象の構成と同等の色度及び輝度が得られることが分かった。
続いて、図４（ｂ）に示す構成を有する実施形態について、各層の具体的な材料及び厚さについて説明する。図６（ａ）乃至（ｃ）に示す構成を有する実施形態は、中屈折率膜４２６及び高屈折率膜４２４以外の構成は、図５（ａ）乃至（ｃ）に示す実施形態と同様である。
図６（ａ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にＡｌｑ３で５５ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。当該構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１６）であった。また、当該光の輝度は、２０．２ｃｄ／Ａであった。
図６（ｂ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にαＮＰＤで５８ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。当該構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１６）であった。また、当該光の輝度は、２０．１ｃｄ／Ａであった。
図６（ｃ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にＬｉｑで５５ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。当該構成を有する第１副画素領域４００から発せられる光の色度は（０．６８０，０．３１６）であった。また、当該光の輝度は、２０．２ｃｄ／Ａであった。従って、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示す構成によって、比較対象の構成と同等の色度及び輝度が得られることが分かった。
図７（ａ）乃至（ｃ）は、第２副画素領域４０２の反射膜３０８乃至封止膜３２０の構成を示す模式的な図である。
図７（ａ）に示すように、下部電極３１０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で１０ｎｍの厚さで形成される。ホール注入層４０６及びホール輸送層４０８は、αＮＰＤで１８６ｎｍの厚さで形成される。第２発光膜４１４は、4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)ビフェニル（ＣＢＰ）をホスト、Ir(ppy)3（Tris[2-phenylpyridinato-C2,N]iridium (III)）を発光ドーパントとし、３０ｎｍの厚さで形成される。ホールブロック層４１８は、ＢＡｌｑで１０ｎｍの厚さで形成される。電子輸送層４２０は、Ａｌｑ３で２０ｎｍの厚さで形成される。電子注入層４２２は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）で１ｎｍの厚さで形成される。上部電極３１６は、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）で１５ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。中屈折率膜４２６は、Ａｌｑ３で２８ｎｍの厚さで形成される。低屈折率膜４２８は、ＬｉＦで８０ｎｍの厚さで形成される。封止膜３２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で１０００ｎｍの厚さで形成される。
第１副画素領域４００と同様に、第２副画素領域４０２において、中屈折率膜４２６は、αＮＰＤまたはＬｉｑで形成されてもよい。具体的には、図７（ｂ）に示すように、中屈折率膜４２６は、αＮＰＤで３５ｎｍの厚さで形成されてもよい。また、図７（ｃ）に示すように、中屈折率膜４２６は、Ｌｉｑで４５ｎｍの厚さで形成されてもよい。なお、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すホール注入層４０６及びホール輸送層４０８の厚さは、図７（ａ）に示すホール注入層４０６及びホール輸送層４０８の厚さと異なるが、当該厚さは適宜設計される事項である。
続いて、第２副画素領域４０２における、図４（ｂ）に示す各層の具体的な材料及び厚さについて説明する。図８（ａ）乃至（ｃ）に示す構成を有する実施形態は、ホール輸送層４０８、ホール注入層４０６、中屈折率膜４２６及び高屈折率膜４２４以外の構成は、図７（ａ）乃至（ｃ）に示す実施形態と同様である。なお、ホール注入層４０６及びホール輸送層４０８は、厚さは異なるが、αＮＰＤで形成される点は同様である。
図８（ａ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にＡｌｑ３で３６ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。
図８（ｂ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にαＮＰＤで３６ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。
図８（ｃ）に示す構成において、中屈折率膜４２６は、上部電極３１６の上層にＬｉｑで３６ｎｍの厚さで形成される。高屈折率膜４２４は、中屈折率膜４２６の上層に屈折率が２．２である有機材料で６５ｎｍの厚さで形成される。
上記構成のように、第２副画素領域４０２に配置される中屈折率膜４２６は、第１副画素領域４００に配置される中屈折率膜４２６の１／３乃至２／３程度の厚さで形成される。当該構成においても、上記と同様にキャップ層３１８内と上部電極３１６との間でマイクロキャビティ構造を形成することができる。これにより、第２副画素領域４０２においても、中屈折率膜４２６を設けない構成と比較して同程度の色度及び輝度を得ることが出来る。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 有機ＥＬ表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 表示パネル、２０２ アレイ基板、２０４ 保護フィルム、２０６ 駆動ＩＣ、２０８ 画素、２１０ 表示領域、３００ 基板、３０２ アレイ層、３０４ 駆動トランジスタ、３０６ 平坦化膜、３０８ 反射膜、３１０ 下部電極、３１２ リブ、３１４ 有機ＥＬ層、３１６ 上部電極、３１８ キャップ層、３２０ 封止膜、４００ 第１副画素領域、４０２ 第２副画素領域、４０４ 第３副画素領域、４０６ ホール注入層、４０８ ホール輸送層、４１０ 電子ブロック層、４１２ 第１発光膜、４１４ 第２発光膜、４１６ 第３発光膜、４１８ ホールブロック層、４２０ 電子輸送層、４２２ 電子注入層、４２４ 高屈折率膜、４２６ 中屈折率膜、４２８ 低屈折率膜。

Claims (6)

  1. 第１副画素領域及び第２副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、
    基板と、
    前記第１副画素領域の前記基板上に配置され、第１の光を出射する第１発光膜と、
    前記第２副画素領域の前記基板上に配置され、前記第１の光より波長の短い第２の光を出射する第２発光膜と、
    前記第１発光膜及び前記第２発光膜の上層側に、導電性並びに光の透過特性及び反射特性を併せ持つ上部電極と、
    前記第１及び第２副画素領域において、前記上部電極の上層側に、屈折率がそれぞれ異なる高屈折率膜、中屈折率膜及び低屈折率膜を含んで構成され、前記低屈折率膜は前記基板から最も遠く配置されるキャップ層と、を有し、
    前記第１副画素領域の前記中屈折率膜は、前記第２副画素領域の前記中屈折率膜よりも厚く形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 前記高屈折率膜は、前記キャップ層の中で前記基板から最も近く配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 前記中屈折率膜は、前記キャップ層の中で前記基板から最も近く配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 前記中屈折率膜は、Ａｌｑ３、αＮＰＤまたはＬｉｑで形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 前記第１及び第２発光膜から出射された波長の異なる光が、前記キャップ層と前記上部電極との間で共振するように、マイクロキャビティ構造が形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. さらに、前記基板上に前記第２の光より波長の短い第３の光を出射する第３発光膜と、前記上部電極と、前記キャップ層と、が配置された第３副画素領域を有し、
    前記第３副画素におけるキャップ層は、前記高屈折率膜と前記低屈折率膜とを含んで構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
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