JP2010066646A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】カラーフィルタの形成方法とは異なる方法で、反射表示領域を明るく表示することが望まれていた。
【解決手段】反射層51において一部の外光は反射(図中破線矢印)するが、第2層間絶縁層16sに侵入した外光は、反射層51と反射層52との間において、図示(図中実線矢印)するように繰返し反射される。このとき、原理的に反射層51と反射層52との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層40側に射出される。このとき、反射層51と反射層52との間の距離に応じて、反射表示領域毎に異なる色(赤色、緑色、あるいは青色)の波長光を共振させることができるので、共振した波長を有する光によって、例えばカラーフィルタを薄くすることなく反射表示領域におけるカラー表示を明るくすることができる。
【選択図】図5
【解決手段】反射層51において一部の外光は反射(図中破線矢印)するが、第2層間絶縁層16sに侵入した外光は、反射層51と反射層52との間において、図示(図中実線矢印)するように繰返し反射される。このとき、原理的に反射層51と反射層52との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層40側に射出される。このとき、反射層51と反射層52との間の距離に応じて、反射表示領域毎に異なる色(赤色、緑色、あるいは青色)の波長光を共振させることができるので、共振した波長を有する光によって、例えばカラーフィルタを薄くすることなく反射表示領域におけるカラー表示を明るくすることができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
バックライトからの光の透過光を利用した透過表示とは異なり、液晶層に入射した太陽光などの外光の反射光を利用した反射表示を行う反射表示領域を備えた液晶装置が知られている。これは、外光が、観察者側の基板および液晶層を順次透過後、観察者と反対側の基板に設けられた反射層により反射され、観察者側に射出されることを利用して表示を行うものである。
この反射表示領域において、カラー表示を行う場合、原理的にカラーフィルタを2回透過した外光が観察者側に射出されることになる。このため、例えば、カラーフィルタを1回のみ透過する透過表示に比べて表示が暗くなり、充分な視認性が得られないという課題がある。そこで、反射表示領域におけるカラーフィルタを、透過表示領域におけるカラーフィルタと異なる特性を有するカラーフィルタとして形成することが提案されている。例えば、特許文献1には、カラーフィルタの色純度を低くしたりカラーフィルタを薄くしたりして淡い色とし、表示を明るくする技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1に開示された技術では、反射表示領域のカラーフィルタと、透過表示領域のカラーフィルタとを別々に製造することになるため、製造工程が複雑になり、ひいてはコストアップになってしまうという課題がある。また、表示を明るくするためにカラーフィルタの色純度を低くしたりカラーフィルタを薄くしたりして淡い色とするため、色の表示特性が犠牲になるという課題もある。このため、カラーフィルタの形成方法とは異なる方法で、反射表示領域を明るく表示することが望まれていた。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]対向配置された第1の基板および第2の基板と、当該第1の基板と当該第2の基板との間に挟持された液晶層とを有し、入射光の反射を利用して画像を表示する反射表示領域が少なくとも設けられた液晶装置であって、前記反射表示領域において、前記第1の基板の前記液晶層側には、前記液晶層に対して近い順に、前記第2の基板側から入射する前記入射光の一部が透過する第1の反射層と、前記第1の反射層と平面的な重なりを有するとともに前記第1の反射層と所定の距離を隔てて設けられ、前記入射光を反射する第2の反射層と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、第1の反射層と第2の反射層との間において所定の距離に応じた波長を有する光が共振する。従って、共振した波長を有する光によって、反射表示領域を明るく表示することができる。
[適用例2]上記液晶装置であって、前記液晶装置は、前記第1の基板の前記液晶層側において、前記液晶層からの距離が異なるように形成された第1の電極と第2の電極とによって、前記液晶層に電界を印加して前記画像を表示する装置であり、前記反射表示領域において、前記第1の電極と前記第2の電極のうち、前記液晶層に近い位置に形成された電極が前記第1の反射層であり、前記液晶層から遠い位置に形成された電極が前記第2の反射層であることを特徴とする。
この構成によれば、液晶に電界を印加するための電極と反射層とが共用されることになる。従って、第1の反射層および第2の反射層を別途形成する必要がないので、共振した波長を有する光によって、反射表示領域を明るく表示することができることに加えて、液晶装置の製造が複雑にならず済む。
[適用例3]上記液晶装置であって、前記反射表示領域を複数有し、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間の前記所定の距離が他と異なる前記反射表示領域が、少なくとも1つ設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、液晶装置において共振する波長が異なる反射表示領域を有することになる。従って、例えば、反射表示領域毎に異なる波長を共振させることによって、反射表示領域毎に異なる色の光を強くして明るく表示することができる。
[適用例4]上記液晶装置であって、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間の前記所定の距離は、赤色、青色、緑色のうちいずれかの色を呈する波長を有する光が共振する距離であることを特徴とする。
この構成によれば、赤色、青色、あるいは緑色を有する光を共振させることができるので、共振した波長を有する光によって、例えばカラーフィルタを薄くすることなく反射表示領域におけるカラー表示を明るくすることができる。
[適用例5]上記液晶装置であって、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間に、透明層が介在していることを特徴とする。
この構成によれば、介在する透明層の層厚によって、所定の距離を容易に調節することができる。また、透明であることから共振する光の減光を抑制することができる。
[適用例6]上記液晶装置であって、前記透明層は、複数層によって構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、複数の透明層のうちいずれかの透明層の層厚を調節することによって、第1の反射層と第2の反射層との間における所定の距離を容易に調節することができる。
[適用例7]上記液晶装置を備えた電子機器。
この構成によれば、共振した波長を有する光によって、反射表示領域を明るく表示する電子機器を提供することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
(液晶装置の構成)
図1は、本発明の一実施例となる液晶装置100について模式的に示した説明図である。液晶装置100は、第1の基板としての基板10と、第2の基板としての基板30とが、図示しない液晶層を封止状態で挟んで、同じく図示しないシール材によって貼り合わされた構造を有している。
図1は、本発明の一実施例となる液晶装置100について模式的に示した説明図である。液晶装置100は、第1の基板としての基板10と、第2の基板としての基板30とが、図示しない液晶層を封止状態で挟んで、同じく図示しないシール材によって貼り合わされた構造を有している。
一方の基板10は、その外周部分に、データ駆動回路110と走査駆動回路120、および電極端子130とが、ガラスや石英あるいは樹脂などの透光性を有する平板上(図面表面側)に形成されたものである。また、データ駆動回路110からはデータ線111が、走査駆動回路120からは走査線121が、電極端子130からは共通配線131が、それぞれ図1に示したように配線されている。そして、各画素に対応してデータ線111と走査線121との交点付近にそれぞれ図示しない薄膜トランジスタが形成されている。薄膜トランジスタは、走査線121によって供給される電圧によってオン・オフが制御され、薄膜トランジスタがオンしたとき、データ線111によって供給される電圧が、画素毎に設けられた1つの電極(これを「画素電極」と称す)に導通印加されるように構成されている。
電極端子130は、これに接続された共通配線131によって、各画素に同じ電圧(例えば接地電位の電圧)を、画素毎に設けられたもう1つの電極(これを「共通電極」と称す)に供給する。従って、各画素において、薄膜トランジスタのオンによって、データ線111によって供給される電圧と共通配線131によって供給される電圧との間の電圧によって、画素に対応する液晶層に対して基板10に略平行な方向を有する所定の電界を発生させるように構成されている。すなわち、液晶装置100は、液晶層に対して基板10に略平行な方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行うFFS(Fringe-Field Switching)方式と呼ばれる横電界方式の液晶装置である。
他方の基板30は、光変調を行って画像の表示対象領域を画素Sとし、その他の領域部分を遮光するように、遮光層がガラスや石英または樹脂などの透光性を有する平板上(図面裏側)に形成されている。画素Sの領域には、所定の波長を透過するフィルタ層が形成されている。従って、画素S間が遮光層によって遮光され、フィルタ層によって特定される波長を有する光を、画素Sの領域から射出する。
本実施例の液晶装置100では、図2に示すように、画素Sは、順に赤色(R)、緑色(G)、青色(B)を表示する画素SR,SG,SB(以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素Sとも呼ぶ)に配列形成され、これが一定方向(図では左右方向)に繰り返して配置されている。こうすることによって、画素SR,SG,SBが分散してカラー画像を滑らかに表示することができる。
画素Sの領域は、本実施例では矩形形状とする。そして、それぞれの画素Sは、図示するように、基板10に対して基板30と反対側に設けられたバックライト(不図示)からの光を透過する透過表示領域Tと、基板30側から入射する太陽光などの外光を反射する反射表示領域R(ハッチング部)とが設けられている。従って、液晶装置100は、所謂半透過反射型の表示装置である。なお、画素Sの領域外、すなわち隣り合う画素S同士の間には、遮光層32が配置される。
次に、画素Sの構成を図3および図4を用いて詳しく説明する。図3は1つの画素Sに関する構成を示した平面図で、基板30側から見た基板10を、基板30を透視状態で図示している。また、図4は、画素Sの構成を示した断面図である。なお、以降の説明において、基板10と基板30との混同を避けるために、基板10を素子基板10、基板30を対向基板30と呼称することにする。
(画素の構成)
図3に示したように、素子基板10には、データ線111と走査線121とが形成されている。そして、この両配線の交点付近には、データ線111の配線が延伸して形成されたソース電極20sと、チャネル領域が形成された半導体層20aと、走査線121が兼ねるゲート電極20gと、ドレイン電極20dと、からなる薄膜トランジスタ20が形成されている。そして、ドレイン電極20dは、コンタクトホールCH1によって、画素電極11と結線されている。従って、走査線121すなわちゲート電極20gに供給される電圧によって、薄膜トランジスタ20がオンすると、データ線111に供給された電圧が、ドレイン電極20dを介して画素電極11に印加される。画素電極11は、画素Sの領域を含む大きさの電極で形成され、図示するようにFFS方式の駆動を行うための複数のスリットが形成されている。
図3に示したように、素子基板10には、データ線111と走査線121とが形成されている。そして、この両配線の交点付近には、データ線111の配線が延伸して形成されたソース電極20sと、チャネル領域が形成された半導体層20aと、走査線121が兼ねるゲート電極20gと、ドレイン電極20dと、からなる薄膜トランジスタ20が形成されている。そして、ドレイン電極20dは、コンタクトホールCH1によって、画素電極11と結線されている。従って、走査線121すなわちゲート電極20gに供給される電圧によって、薄膜トランジスタ20がオンすると、データ線111に供給された電圧が、ドレイン電極20dを介して画素電極11に印加される。画素電極11は、画素Sの領域を含む大きさの電極で形成され、図示するようにFFS方式の駆動を行うための複数のスリットが形成されている。
また、素子基板10には、共通配線131が形成されている。そして、コンタクトホールCH2を介してこの共通配線131と電気的に接続された共通電極13が、画素Sの領域を含む大きさのベタ電極で形成されている。
このように形成された画素電極11と共通電極13との間に印加される電圧によって、前述したようにFFS方式による液晶分子の配向制御が行われる。なお、画素電極11および共通電極13は、導電性を有する透光性の材料(例えばITO)で形成されている。
さて、画素Sにおいて、前述するように、図中ハッチングで示した図面下側の領域部分は反射表示領域Rとし、その他の領域部分は透過表示領域Tとしている。そこで、本実施例の液晶装置100では、反射表示領域Rに相当する素子基板10上の領域に、所定の間隔を有する2つの反射層を積層形成することによって、反射表示領域Rを明るく表示することができる画素Sの構成を提供するものである。
それでは、この2つの反射層が積層形成された画素Sの構成について、図4に示した断面図を用いて詳しく説明する。図4は、図3におけるB−B断面を示した模式図である。図示するように、液晶装置100は、素子基板10と対向基板30とによって液晶層40を挟持した構成を有している。
まず、対向基板30について説明する。対向基板30は、本実施例ではガラス材料からなる平板31に対して、液晶層40側の面に、遮光層32、フィルタ層33、オーバーコート層34、位相差板35、配向膜36が順次形成されたものである。
遮光層32は金属膜(例えばクロム)や樹脂からなる。フィルタ層33は、例えばアクリル樹脂等からなり、画素で表示する色(本実施例ではR,G,Bの各色)に対応する色材を含有している。オーバーコート層34は、遮光層32とフィルタ層33とを覆うように形成されている。オーバーコート層34は、透光性を有する樹脂からなる。
配向膜36は、位相差板35とオーバーコート層34を覆うように形成されている。配向膜36は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜36の表面には所定の方向に配向処理が施されている。
位相差板35は、反射表示領域Rに配置されている。位相差板35は、例えば、複屈折性を有する光硬化性材料が所定の方向に配向された状態で硬化されて形成されて構成され、入射される外光に対し所定の位相差を付与する。また、位相差板35は、自身の厚さにより、反射表示領域Rと透過表示領域Tとにおいて液晶層40の層厚を異ならせる液晶層厚調整部材としての役割も果たしている。なお、位相差板35は、ここでは説明は省略するが、反射表示領域Rと透過表示領域Tとにおける表示(例えばノーマリーブラック表示かまたはノーマリーホワイト表示かなど)を同等にするために、反射表示領域Rに大抵形成される。
次に、素子基板10について説明する。素子基板10は、本実施例ではガラス材料からなる平板14に対して、液晶層40側の面に、走査線121(ゲート電極20g)および共通配線131、ゲート絶縁層15、半導体層20a、データ線111(ソース電極20s)およびドレイン電極20d、層間絶縁層16、平坦化層17、共通電極13、絶縁層18、画素電極11、配向膜19が順次形成されたものである。
走査線121(ゲート電極20g)および共通配線131、データ線111(ソース電極20s)、およびドレイン電極20dは、金属材料(例えばアルミニウム)によって形成されている。また、ゲート絶縁層15は例えば酸化シリコンが、半導体層20aは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体が、層間絶縁層16は例えば窒化シリコンが、それぞれ用いられ、透光性を有する層として形成される。
平坦化層17は、透光性を有する樹脂(例えばポジ型あるいはネガ型の感光性を有するアクリル樹脂や、UV硬化型樹脂)が用いられて形成される。さらに、平坦化層17の液晶層40側に位置する平坦面には、画素Sの領域に相当する領域に渡って、透光性を有する導電材料(例えばITO(Indium Tin Oxide))からなる共通電極13が形成されている。共通電極13は、コンタクトホールCH2によって共通配線131と電気的に接続されている。
共通電極13を覆うように形成された絶縁層18は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどが用いられ、透光性を有する透明層として形成される。この絶縁層18を挟んで、画素Sの領域に相当する領域に渡って、透光性を有する導電材料(例えばITO)からなる画素電極11が形成されている。画素電極11は、コンタクトホールCH1によってドレイン電極20dと電気的に接続されている。
配向膜19は、画素電極11の液晶層40に接する側であって、少なくとも画素電極11を覆うように形成されている。配向膜19は、例えばポリイミド樹脂からなる。
さらに、画素Sの領域における反射表示領域Rには、ゲート絶縁層15と層間絶縁層16との間に反射層52が形成されている。また、層間絶縁層16に対して第2層間絶縁層16sが積層形成され、この第2層間絶縁層16sと平坦化層17との間に、反射層51が形成されている。こうして、液晶層40側に対して、近い位置に反射層51が、遠い位置に反射層52が形成される。なお、第2層間絶縁層16sは、層間絶縁層16と同じ材料で形成され、反射層51と反射層52との間の距離を調整する層間調整層(後述する)である。
各反射層51,52は、例えばアルミニウムやアルミニウムと銅、あるいはアルミニウムとネオジムの合金やAPC(銀−パラジウム−銅の合金)などの材料が用いられる。そして、反射層51は、画素Sの領域において、対向基板側から入射する外光の一部を透過する所謂ハーフミラーとして機能するように層厚が薄く形成されている。一方、反射層52は、画素Sの領域に対向基板側から入射する外光が透過することなく反射する層厚で形成されている。
このように反射層51と反射層52とを形成することによって、反射層51と反射層52との間において、層間絶縁層16と第2層間絶縁層16sとの合計層厚に応じた波長を有する光が原理的に共振する。これを、図5を用いて説明する。
図5は、図4において反射表示領域Rの一部を拡大した図であり、入射した外光が反射する様子を示す説明図である。図示するように、反射層51において液晶層40側から入射する外光の一部は反射(図中破線矢印)するが、第2層間絶縁層16sに侵入した外光は、反射層51と反射層52との間において、図示(図中実線矢印)するように繰返し反射される。このとき、原理的に反射層51と反射層52との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層40側に射出される。
周知のように、共振する光の波長をλkとすると、λk=2×d3×nとなる。ここで、d3は層間絶縁層16の厚さd1と第2層間絶縁層16sの厚さd2との合計値である。また、nは層間絶縁層16(第2層間絶縁層16s)の屈折率である。従って、共振する光の波長が、画素Sが表示する色の波長となるように層間絶縁層16の厚さd1と第2層間絶縁層16sの厚さd2との合計値d3を調整することによって、共振した光が液晶層40側に射出される。
例えば、層間絶縁層16(第2層間絶縁層16s)の屈折率nが「1.5」であったとする。そして、画素Sが波長600nmの赤色を表示する画素SRであれば、d3は「200nm」となる。従って、層間絶縁層16の厚さd1と第2層間絶縁層16sの厚さd2の合計を「200nm」に形成する。また、画素Sが波長540nmの緑色を表示する画素SGであれば、d3は「180nm」となる。従って、層間絶縁層16の厚さd1と第2層間絶縁層16sの厚さd2の合計を「180nm」に形成する。また、画素Sが波長450nmの青色を表示する画素SBであれば、d3は「150nm」となる。従って、層間絶縁層16の厚さd1と第2層間絶縁層16sの厚さd2の合計を「150nm」に形成する。
本実施例における液晶装置100において、d3の値がこのような値であった場合、層間絶縁層16の厚さd1を「150nm」とし、第2層間絶縁層16sの厚さd2を画素SR,SG,SBで異ならせて形成する。すなわち、画素SRについては第2層間絶縁層16sの厚さd2を「50nm」、画素SGについては第2層間絶縁層16sの厚さd2を「30nm」、それぞれ形成する。そして、画素SBについては第2層間絶縁層16sの厚さd2は「0nm」となるので形成しないようにする。
本実施例では、層間絶縁層16を素子基板10の略全体に蒸着等によって形成したのち、画素SR,SG,SBの反射表示領域R毎に開口部を有するマスクを用いて、層間絶縁層16と同じ透光性材料(例えば窒化シリコン)を蒸着処理し、それぞれ上記の膜厚の第2層間絶縁層16sを、層間絶縁層16に対して積層形成する。
この結果、透光性材料からなる層間絶縁層16と第2層間絶縁層16sとによって、反射層51と反射層52との間の距離を所定の距離に容易に調節することができる。つまり、第2層間絶縁層16sを、反射層51と反射層52との間の距離を調整する層間調整層として用いるのである。また、層間絶縁層16と第2層間絶縁層16sとは透明であることから、反射層51と反射層52との間で共振する光が減光することを抑制することができる。
なお、本実施例では、図5に示したように、外光は反射層51あるいは反射層52の表面で反射するものとして説明しているが、例えば反射層51と反射層52の形成方法などによって実際に光が反射する位置が表面でなく反射層内で生ずる場合は、これを考慮して反射層51と反射層52との間の距離を調節することが好ましい。
以上、本実施例による液晶装置100によれば、反射層51と反射層52との間において、反射表示領域R毎に異なる色(赤色、緑色、あるいは青色)の波長光を共振させることができるので、共振した波長を有する光によって、例えばカラーフィルタを薄くすることなく反射表示領域におけるカラー表示を明るくすることができる。
(電子機器)
また、本実施例の液晶装置100を電子機器に組み込むことによって、共振した波長を有する光によって、反射表示領域Rを明るく表示する電子機器を提供することができる。例えば、液晶装置100を組み込んだ電子機器の一例として携帯電話を図6に示した。図示するように、携帯電話は折れ曲がる2つの筐体部分によって構成され、一方の筐体部分に液晶装置100が、また、その表示側と反対側の背面にはバックライトが備えられている。
また、本実施例の液晶装置100を電子機器に組み込むことによって、共振した波長を有する光によって、反射表示領域Rを明るく表示する電子機器を提供することができる。例えば、液晶装置100を組み込んだ電子機器の一例として携帯電話を図6に示した。図示するように、携帯電話は折れ曲がる2つの筐体部分によって構成され、一方の筐体部分に液晶装置100が、また、その表示側と反対側の背面にはバックライトが備えられている。
通常、携帯電話は電池容量の制約などからバックライトの輝度が低く設定されることが多い。従って外光が強い場合、バックライトからの照明光による透過表示領域Tの表示画像を視認することが困難となる。そこで、本実施例の液晶装置100を用いれば、画素SR,SG,SBのそれぞれの反射表示領域Rにおいて、フィルタ層33を通過して入射する外光つまり赤色、緑色、あるいは青色の光が、反射層51と反射層52との間で共振される。この結果、共振した赤色、緑色、青色の光によって、反射表示領域Rを明るく表示することができるのである。このように、外光が強い場合であっても、反射表示領域Rの表示画像によって、液晶装置100に表示される画像を容易に視認することが可能となる。
以上、本発明の実施の形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下、変形例を挙げて説明する。
(第1変形例)
上記実施例では、図4に示したように、反射層51と反射層52とを、共通電極13と平板14との間に設けたが、反射層51を画素電極11とし、反射層52を共通電極13とした構成としてもよい。こうすれば、液晶層40に電界を印加するための電極と反射層とが共用されることになるので反射層51および反射層52を別途形成する必要がない。
上記実施例では、図4に示したように、反射層51と反射層52とを、共通電極13と平板14との間に設けたが、反射層51を画素電極11とし、反射層52を共通電極13とした構成としてもよい。こうすれば、液晶層40に電界を印加するための電極と反射層とが共用されることになるので反射層51および反射層52を別途形成する必要がない。
本変形例における画素Sの構成について、図7および図8を用いて説明する。図7は、図3と同様に、画素Sに関する構成を示した平面図で、対向基板30側から見た素子基板10を、対向基板30を透視状態で示した図である。また、図8は、図7におけるB−B断面を示す模式断面図である。なお、本変形例において、上記実施例と同じ構成については同じ符号を付した。従って、以下の説明において、これらの構成についての説明は適宜省略する。
本変形例では、図7に示したように、画素Sの領域は、図中ハッチング部分で示したように全体が反射表示領域Rである。従って、本変形例の液晶装置100では、FFS方式の横電界を液晶に印加するための画素電極11と共通電極13とを、光透過性の材料で形成する必要がない。そこで、本変形例では、液晶層40に対して近い位置に存在する画素電極11を反射層51として形成し、液晶層40に対して遠い位置に存在する共通電極13を反射層52として形成する。
本変形例の画素Sの構成について、図8の模式断面図を用いて説明する。本変形例は、画素Sの領域が総て反射表示領域Rであり、透過表示領域Tが存在しないことから、前述した位相差板35を形成しなくてよい。従って、本変形例では、対向基板30は、平板31に対して、液晶層40側の面に、遮光層32、フィルタ層33、オーバーコート層34、配向膜36が順次形成されたものである。
一方、本変形例の素子基板10は、ガラス材料からなる平板14に対して、液晶層40側の面に、走査線121(ゲート電極20g)および共通配線131、ゲート絶縁層15、半導体層20a、データ線111(ソース電極20s)およびドレイン電極20d、層間絶縁層16、平坦化層17、共通電極13、絶縁層18、第2絶縁層18s、画素電極11、配向膜19が順次形成されたものである。そして、画素電極11が反射層51として、また共通電極13が反射層52として形成されている。
上記実施例では、画素電極11および共通電極13は、透光性を有する導電材料(例えばITO)で形成されていることとしたが、本変形例では、画素電極11および共通電極13が、それぞれ反射層51および反射層52を兼ねることから、画素電極11および共通電極13は、例えばアルミニウムやアルミニウムと銅、あるいはアルミニウムとネオジムの合金や、APC(銀−パラジウム−銅の合金)などの材料が用いられる。そして、画素電極11は、画素Sの領域において、対向基板30側から入射する外光の一部を透過する所謂ハーフミラーとして機能するように層厚が薄く形成されている。一方、共通電極13は、画素Sの領域に対向基板30側から入射する外光が透過することなく反射する層厚で形成されている。
本変形例では、画素Sの領域となる反射表示領域Rには、上記実施例とは異なり、画素電極11と共通電極13との間に、絶縁層18に対して第2絶縁層18sが積層形成されている。なお、第2絶縁層18sは絶縁層18と同じ透光性材料(例えば酸化シリコンや窒化シリコン)で形成され、上記実施例における第2層間絶縁層16sと同様に、画素電極11と共通電極13との間の距離を調整する層間調整層である。
また、本変形例では、絶縁層18を平坦化層17の略全体に蒸着等によって形成したのち、画素SR,SG,SBの領域毎に開口部を有するマスクを用いて、絶縁層18と同じ透光性材料(例えば酸化シリコンや窒化シリコン)を蒸着処理し、所望される層厚の第2絶縁層18sを、それぞれの画素SR,SG,SBに形成する。
このように画素電極11と共通電極13との間に絶縁層18および第2絶縁層18sを形成することによって、画素電極11と共通電極13との間において、絶縁層18と第2絶縁層18sとの合計厚さに応じた波長を有する光が原理的に共振する。これを、図9を用いて説明する。
図9は、図8において画素Sの領域つまり反射表示領域Rの一部を拡大した図であり、入射した外光が反射する様子を示す説明図である。図示するように、画素電極11において一部の外光は反射(図中破線矢印)するが、第2絶縁層18s(および絶縁層18)に侵入した外光は、画素電極11と共通電極13との間において、図示(図中実線矢印)するように繰返し反射される。このとき、原理的に画素電極11と共通電極13との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層40側に射出される。
前述するように、共振する光の波長をλkとすると、λk=2×d4×nとなる。ここで、d4は絶縁層18の厚さと第2絶縁層18sの厚さとの合計値である。また、nは絶縁層18(第2絶縁層18s)の屈折率である。従って、共振する光の波長が、画素Sが表示する色の波長となるように、絶縁層18の厚さと第2絶縁層18sの厚さとの合計値d4を調整する。こうすることによって、共振した光が液晶層40側に射出される。
従って、形成する第2絶縁層18sの層厚を調節することによって、画素電極11と共通電極13との間における絶縁層18と第2絶縁層18sとの合計層厚を、各画素SR,SG,SBに応じた赤色、緑色、青色の各光を共振させる層厚に形成することができる。なお、具体的に形成する絶縁層18と第2絶縁層18sの具体的な層厚の寸法については、上記実施例における層間絶縁層16と第2層間絶縁層16sと同様にすればよい。従ってここでは説明を省略する。
ところで、本変形例では、形成する第2絶縁層18sの層厚を調節することによって、画素電極11と共通電極13との間の距離が各画素SR,SG,SBにおいてそれぞれ異なる。この結果、画素電極11と共通電極13との間に印加する電圧によって液晶層40に生ずる電界が、同じにならないことが生ずる。従って、本変形例においては、画素電極11と共通電極13との間に印加する電圧を各画素SR,SG,SBについて変更調節することが好ましい。
以上、本変形例によれば、液晶層40に電界を印加するための電極と反射層とが共用されることになる。従って、反射層51および反射層52を別途形成する必要がないので、共振した波長を有する光によって、反射表示領域Rを明るく表示することができる。また、液晶装置100の製造が複雑にならず済む。また反射層を積層形成する必要が無いので、液晶装置100が厚くなる虞もない。
(第2変形例)
上記第1変形例では、画素Sの領域が総て反射表示領域Rであるものとしたが、上記実施例と同様に画素Sの領域が透過表示領域Tと反射表示領域Rとを有する場合であってもよい。この場合における画素Sの構成を図10に示した。図10は、図8に示した上記変形例における画素Sの断面模式図において、透過表示領域Tを形成した状態を示す図である。なお、図10において、上記実施例(図4)および上記第1変形例(図8)と同じ構成については同じ符号を付した。従って、これらの構成についての説明は省略する。
上記第1変形例では、画素Sの領域が総て反射表示領域Rであるものとしたが、上記実施例と同様に画素Sの領域が透過表示領域Tと反射表示領域Rとを有する場合であってもよい。この場合における画素Sの構成を図10に示した。図10は、図8に示した上記変形例における画素Sの断面模式図において、透過表示領域Tを形成した状態を示す図である。なお、図10において、上記実施例(図4)および上記第1変形例(図8)と同じ構成については同じ符号を付した。従って、これらの構成についての説明は省略する。
図10に示したように、本変形例では、透過表示領域Tと平面的に重なる領域における画素電極11と共通電極13とを、透光性を有する層として形成する。一方、反射表示領域Rと平面的に重なる領域における画素電極11h(ハッチング部分)と共通電極13h(ハッチング部分)は、前述の反射層51と反射層52として機能する層となるように形成するのである。
具体的には、例えば、上記変形例と同様に画素Sの領域に透光性を有する共通電極13を形成した後、反射表示領域Rの領域と平面的に重なる共通電極13h(ハッチング部分)の領域部分に、アルミニウムなどの光反射性を有する材料を、マスク蒸着によって、外光の反射が可能となる厚さ分積層形成する。また、画素電極11を形成した後、反射表示領域Rの領域と平面的に重なる画素電極11h(ハッチング部分)の領域部分に、同じくアルミニウムなどの光反射性を有する材料を、マスク蒸着によって、ハーフミラーとして機能する厚さ分積層形成する。こうすることによって、画素電極11hは反射層51となり、また共通電極13hについては反射層52となるのである。
なお、この場合、反射層51と反射層52との間には、絶縁層18、第2絶縁層18sに加えて画素電極11の透明層分が存在することになる。従って、本変形例では、これらの3つの層の層厚合計を、各画素SR,SG,SBに応じた赤色、緑色、青色の各光を共振させる層厚に形成することが好ましい。
あるいは、透過表示領域Tと平面的に重なる画素電極11と共通電極13とを、透光性を有する材料で形成し、反射表示領域Rと平面的に重なる画素電極11hと共通電極13hとを、それぞれ光反射材料で所定の厚さ分形成することとしてもよい。もとより、この場合は、それぞれの層に適合するマスクを用いて蒸着処理を行うことによって、それぞれの層を形成すればよい。なお、画素電極11と画素電極11h、および共通電極13と共通電極13hは、それぞれ電気的に接続されるように形成されることは勿論である。
(その他の変形例)
上記実施例および変形例では、画素SはR,G,Bの各色を表示するものとして説明したが、特にこれに限らず、表示する色がさらに多くてもよいし、少なくてもよい。それぞれの色に応じて、反射層51と反射層52との間の距離を調節形成すればよい。なお、表示する色が単色の場合は、第2層間絶縁層16sあるいは第2絶縁層18sは、必ずしも形成する必要はない。
上記実施例および変形例では、画素SはR,G,Bの各色を表示するものとして説明したが、特にこれに限らず、表示する色がさらに多くてもよいし、少なくてもよい。それぞれの色に応じて、反射層51と反射層52との間の距離を調節形成すればよい。なお、表示する色が単色の場合は、第2層間絶縁層16sあるいは第2絶縁層18sは、必ずしも形成する必要はない。
また、上記実施例では、反射層51と反射層52との間に層間絶縁層16と第2層間絶縁層16sとの2つの層を形成して、反射層51と反射層52との間の距離を調節することとしたが、さらに多くの層を形成することとしてもよい。例えば、第2層間絶縁層16sに重ねて第3層間絶縁層を形成するようにした場合は、上記実施例において、画素SRと画素SGの両方に、画素SGに所望される厚さ30nmの第2層間絶縁層16sを形成し、その後画素SRに第3層間絶縁層を厚さ20nm形成することができる。従って、1回あたりのマスク蒸着によって形成する膜厚の合計値が少なくなるので、蒸着工程が短縮できる。なお、本変形例は上記変形例においても同様に適用可能である。
また、上記実施例では、反射層51と反射層52との間において層間絶縁層16に対して第2層間絶縁層16sを積層形成して、反射層51と反射層52との間の距離を調節することとしたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、層間絶縁層16の層厚を画素SR,SG,SB毎に変えて形成するようにしても差し支えない。また、画素SR,SG,SB総て同じ層厚さで形成した層間絶縁層16を薄くすることによって層厚を調節することとしてもよい。層間絶縁層16を薄くする方法としては、例えばマスクエッチング方法が採用できる。
また、上記実施例では、液晶装置100としてFFS方式の横電解方式の液晶装置としたが、これに限らず、他の横電解方式としても良いし、例えばVA(Vertical Alignment)方式などの縦電解方式の液晶装置としてもよい。
また、上記実施例では、電子機器として携帯電話としたが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、プロジェクタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン、モバイルコンピュータ、オーディオ機器などであってもよい。なお、電子機器をプロジェクタとした場合は、組み込む液晶装置100は、上記変形例のごとく画素Sは反射表示領域Rである液晶装置とすることが好ましい。もとよりこの場合において、画素Sに入射する外光が、R,G,Bの分光である場合は、フィルタ層33は不要である。
10…素子基板、11…画素電極、11h…画素電極、13…共通電極、13h…共通電極、14…平板、15…ゲート絶縁層、16…層間絶縁層、16s…第2層間絶縁層、17…平坦化層、18…絶縁層、18s…第2絶縁層、19…配向膜、20…薄膜トランジスタ、30…対向基板、31…平板、32…遮光層、33…フィルタ層、34…オーバーコート層、35…位相差板、36…配向膜、40…液晶層、51,52…反射層、100…液晶装置、110…データ駆動回路、111…データ線、120…走査駆動回路、121…走査線、130…電極端子、131…共通配線。
Claims (7)
- 対向配置された第1の基板および第2の基板と、当該第1の基板と当該第2の基板との間に挟持された液晶層とを有し、入射光の反射を利用して画像を表示する反射表示領域が少なくとも設けられた液晶装置であって、
前記反射表示領域において、前記第1の基板の前記液晶層側には、前記液晶層に対して近い順に、
前記第2の基板側から入射する前記入射光の一部が透過する第1の反射層と、
前記第1の反射層と平面的な重なりを有するとともに前記第1の反射層と所定の距離を隔てて設けられ、前記入射光を反射する第2の反射層と、
を備えたことを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記液晶装置は、前記第1の基板の前記液晶層側において、前記液晶層からの距離が異なるように形成された第1の電極と第2の電極とによって、前記液晶層に電界を印加して前記画像を表示する装置であり、
前記反射表示領域において、前記第1の電極と前記第2の電極のうち、前記液晶層に近い位置に形成された電極が前記第1の反射層であり、前記液晶層から遠い位置に形成された電極が前記第2の反射層であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1または2に記載の液晶装置であって、
前記反射表示領域を複数有し、
前記第1の反射層と前記第2の反射層との間の前記所定の距離が他と異なる前記反射表示領域が、少なくとも1つ設けられていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第1の反射層と前記第2の反射層との間の前記所定の距離は、赤色、青色、緑色のうちいずれかの色を呈する波長を有する光が共振する距離であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第1の反射層と前記第2の反射層との間に、透明層が介在していることを特徴とする液晶装置。 - 請求項5に記載の液晶装置であって、
前記透明層は、複数層によって構成されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
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2008
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