JP7459886B2 - 発光素子、表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
有機EL素子は、自発光型の素子であり、消費電力が低く、コントラスト比も大きいため、照明装置が不要であり、薄型で低消費電力の高精細な表示装置を構成することが可能となっている。
図1は、実施形態の表示装置の概要構成ブロック図である。
表示装置10は、赤(R:波長620nm~750nm)の光をそれぞれ発生する複数の有機EL素子11R、緑(G:波長495nm~570nm)の光をそれぞれ発生する複数の有機EL素子11G、青(B:波長450nm~495nm)の光をそれぞれ発生する複数の有機EL素子11Bが所定の順番でマトリックス状に配置されている。
図3は、第1実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
有機EL画素素子11R、11G、11Bは、同様の構成であるので、以下においては、有機EL画素素子11Rを例として説明する。
有機EL画素素子11Rは、第1絶縁膜層(半導体基板)21と、第1絶縁膜層21上に周縁部に凸状に形成された側壁部22を有するアノード電極部23と、電極部23の側壁部22の外側壁部22A、上面部22B、内側壁部22Cを覆うように形成された第2絶縁膜層24と、第2絶縁膜層24及び電極部23の上面を覆うように積層された有機EL層25と、有機EL層25の上面に積層され、透明電極として構成されたカソード電極部26と、を備えている。
上記構成において、アノード電極部23を構成する材料としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、第2絶縁膜層24を構成する材料としては、SiOx,SiON,SiN,AlOx,TaOx,HfOx,ポリイミド等が挙げられる。
まず、従来の問題点について説明する。
従来においては、有機EL薄膜箇所にリークパス(リーク電流流路)が形成されており、アノード電極から注入されたホールがリークパスを介して移動することによりリーク電流が流れることとなっていた。
このため、本第1実施形態においては、画素側壁、すなわち、側壁部22の内側壁部22Cを覆うように(第2)絶縁膜層24を形成した。これにより、アノード電極部23の側壁部22からのホール注入を絶つことによりリーク電流を遮断する。
この結果、画素側壁部において発生する発光を抑制して発色異常を抑制することが可能となるのである。
これにより、電界ベクトルE=(Ex,Ey)とすると、次式が成立するようにする。
arctan(Ey/Ex)≦θ
図5は、有機EL画素素子におけるアノード電極の製造工程の説明図である。
まず、第1絶縁膜層(半導体基板)21上に結合層CNTを介しPVD(Plasma Vapor Deposition)法などによりアノード電極部23を形成する(図5(a)参照)。
さらにフォトリソグラフィーにより、第2絶縁膜層24の一部にレジストマスクMSKを形成する(図5(c)参照)。
これにより、アノード電極部23の周縁部には、側壁部22が凸状に形成される(図5(e)参照)。
続いて、全面エッチバックを行い、アノード電極部23の上面側の第2絶縁膜層24を除去してアノード電極部23の側壁部22を除く上面側を露出させる(図5(g)参照)。
また、電流リークに起因する異常発光を抑制できるため、色度制御性を向上することが可能となる。
図6は、第2実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第2実施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、アノード電極部23を構成している側壁部22に代えて、アノード電極部23の電極材料とは異なる電極材料で側壁部22-1を形成して、アノード電極部23を構成した点である。
また、アノード電極部23の側壁部22-1を構成する電極材料M2としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。
図7は、第3実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第3実施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、アノード電極部23の上層に形成された電極部23B(有機EL層25/アノード電極部23接合部)及び側壁部22をアノード電極部23の本体23Aの電極材料とは異なる電極材料で形成して、アノード電極部23を構成した点である。
また、アノード電極部23の上層部23B(有機EL層25/アノード電極部23接合部)及び側壁部22を構成する電極材料M3としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等が挙げられる。
図8は、第4実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第4実施形態の有機EL画素素子が第3実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、側壁部22に代えて、アノード電極部23の電極部(第1特性層)23B(有機EL層25/アノード電極部23接合部)の電極材料とは異なる電極材料で側壁部22-1を形成して、アノード電極部23を構成した点である。
また、アノード電極部23の電極部23B(有機EL層25/アノード電極部23接合部)の電極材料M2を有機EL層25へのキャリア注入性の高い材料とする。
この場合において、アノード電極部23を構成する電極材料M1としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
図9は、第5実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第5実施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、アノード電極部23の下層部23C(アノード電極部23/第1絶縁膜層21接合部)を、アノード電極部23の本体部23Dの電極材料とは異なる電極材料で形成して、アノード電極部23を構成した点である。
また、アノード電極部23の下層部23C(アノード電極部23/第1絶縁膜層21接合部)を構成する電極材料M4)としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。
図10は、第6実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第6実施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、側壁部22に代えて、アノード電極部23の上層部23B(有機EL層25/アノード電極部23接合部)の電極材料とは異なる電極材料で側壁部22-2を形成した点、アノード電極部23の上層部23F(有機EL層25/アノード電極部23接合部)をアノード電極部23の本体23Eの電極材料とは異なる電極材料で形成した点、及び、アノード電極部23の下層部23C(アノード電極部23/第1絶縁膜層21接合部)を、アノード電極部23の本体部23Eの電極材料とは異なる電極材料で形成した点である。
さらにアノード電極部23の下層部23C(アノード電極部23/第1絶縁膜層21接合部)を構成する電極材料(電極材料M4という)としては、アノード電極部23の本体部23Eを形成する電極材料M1及び第1絶縁膜層21との接着性が高い材料を用いる。
例えば、アノード電極部23の本体部23Eを形成する電極材料M1としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、側壁部22-1を構成する電極材料M3としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。
図11は、第7実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第7実施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、第1絶縁膜層21に代えて、側壁部22-3を形成するための凸部21-aを有する第1絶縁膜層21-1を備え、第1絶縁層膜21-1を上面から覆う形状を有するアノード電極部23を形成した点である。
図12は、第8実施形態の有機EL画素素子の基本構成の説明図である。
第8施形態の有機EL画素素子が第1実施形態の有機EL画素素子と異なる点は、第1絶縁膜層21に代えて、側壁部22-3を形成するための凹部を有する第1絶縁膜層21-2を備え、第1絶縁層膜21-1を上面から覆う形状を有するアノード電極部23を形成した点である。
上述した本開示に係る表示装置に用いられる有機EL画素素子は、発光部ELPで発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
図13は、共振器構造の第1例を説明するための模式的な断面図である。
図14は、共振器構造の第2例を説明するための模式的な断面図である。
図15は、共振器構造の第3例を説明するための模式的な断面図である。
図16は、共振器構造の第4例を説明するための模式的な断面図である。
図17は、共振器構造の第5例を説明するための模式的な断面図である。
図18は、共振器構造の第6例を説明するための模式的な断面図である。
図19は、共振器構造の第7例を説明するための模式的な断面図である。
上記各実施形態の表示装置10は、例えば、図20に示すようなディスプレイモジュール30として、後述する適用例1~5などの種々の電子機器に組み込まれる。このディスプレイモジュール30は、特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。
図21は、実施形態の表示装置が適用されるディスプレイ装置の外観説明図である。
ディスプレイ装置(テレビジョン装置を含む)40は、例えば、フロントパネル41およびフィルターガラス42を含む映像表示画面部43を有しており、この映像表示画面部43は、各実施形態に係る表示装置10により構成されている。
図22は、上記実施の形態の表示装置が適用されるディジタルカメラの外観説明図である。
ディジタルカメラ50は、例えば、シャッターボタン51、フラッシュ用の発光部52、表示装置10及びメニュースイッチ53を有している。
図19は、実施形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観説明図である。
ノート型パーソナルコンピュータ60は、例えば、表示部61、文字等の入力操作のためのキーボード62および本体部63を有しており、その表示部61としては、各実施形態に係る表示装置10を備えて構成されている。
図24は、実施形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観説明図である。
ビデオカメラ70は、例えば、表示部71、スタート/ストップスイッチ72、レンズ73及び本体部74を有しており、その表示部71としては、各実施形態に係る表示装置10を備えて構成されている。
図25は、実施形態の表示装置が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観説明図である。
ヘッドマウントディスプレイ80は、例えば、眼鏡型の表示部81と、この表示部81の両側に設けられ、ヘッドマウントディスプレイ80を使用者の頭部に装着するための耳かけ部材82、83と、ヘッドマウントディスプレイ80に表示信号を入力するためのケーブル部84とを備えている。
上記構成において、表示部81として、実施形態の表示装置10を用いている。
(1)
有機EL画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、
前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
(2)
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成されている側壁部と、
を備えた(1)記載の発光素子。
(3)
前記アノード電極本体部を構成している電極材料は、前記側壁部の電極材料よりも加工選択比が高い材料とされている、
(2)記載の発光素子。
(4)
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部を有し、前記アノード電極本体部の上層に積層された電極部と、
を備えた(1)記載の発光素子。
(5)
前記アノード電極部は、前記アノード電極本体部の上層に積層された第1特性層を備えた(4)記載の発光素子。
(6)
前記アノード電極本体部は、反射率が所定の反射率よりも高い反射率を有する材料で形成され、
前記第1特性層は、キャリア注入性が所定のキャリア注入性の高い材料で形成されている、
(5)記載の発光素子。
(7)
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部と、前記アノード電極本体部の下層に積層された第2特性層と、
を備えた(1)記載の発光素子。
(8)
前記第2特性層は、前記アノード電極部が積層される第2絶縁膜との接着性が高い材料が用いられている、
(7)記載の発光素子。
(9)
有機EL画素の周縁部に沿って凸部を有する第1の絶縁膜層と、
前記第1の絶縁膜層を覆い、前記凸部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第2の絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、
前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
(10)
有機EL画素の周縁部に沿って凹部を有する第1の絶縁膜層と、
前記第1の絶縁膜層を覆い、前記凹部の外周部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第2の絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、
前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
(11)
前記アノード電極部と前記第2絶縁膜層との境界上の地点から前記カソード電極部への最短距離で結ぶ直線を引いたときに、前記直線とアノード電極部23の上面とのなす角度をθとし、前記アノード電極部と前記カソード電極部との間に、任意の電位差を印加したときに前記境界上の地点において形成される電界ベクトルと前記アノード電極部の上面とのなす角度がθ以下となるように前記側壁部の内側壁部に対向している前記第2絶縁膜層の厚さが設定されている、
(1)~(10)記載の発光素子。
(12)
マトリックス状に配置され、それぞれ信号線及び走査線が接続された複数の発光素子と、
前記信号線を駆動する信号線駆動回路と、
前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
前記発光素子に電流を供給する電流源と、
を備え、
前記発光素子は、有機EL画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、を備えた、
表示装置。
(13)
有機EL画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
(12)に記載の表示装置。
(14)
(12)記載の表示装置を備えた電子機器。
11R、11G、11B 有機EL画素素子
12 信号線駆動回路
13 走査線駆動回路
14 電流源
21 第1絶縁膜層
22 側壁部
22A 外側壁部
22C 内側壁部
23 アノード電極部
24 第2絶縁膜層
25 有機EL層
26 カソード電極部
31,31R,31G,31B 第1電極
40,40R,40G,40B 有機層
61 第2電極
71,71R,71G,71B 反射板
72R,72G,72B 光学調整層
73 下地の面
74R,74G,74B 酸化膜
Claims (8)
- 有機EL画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、
前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備え、
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部と、前記アノード電極本体部の下層に積層された第2特性層と、を有する、
発光素子。 - 前記アノード電極本体部を構成している電極材料は、前記側壁部の電極材料よりも加工選択比が高い材料とされている、
請求項1に記載の発光素子。 - 前記アノード電極部は、前記アノード電極本体部の上層に積層された第1特性層を有する、請求項1に記載の発光素子。
- 前記アノード電極本体部は、反射率が所定の反射率よりも高い反射率を有する材料で形成され、
前記第1特性層は、キャリア注入性が所定のキャリア注入性の高い材料で形成されている、
請求項3に記載の発光素子。 - 前記第2特性層は、前記アノード電極部が積層される第2絶縁膜との接着性が高い材料が用いられている、
請求項1に記載の発光素子。 - マトリックス状に配置され、それぞれ信号線及び走査線が接続された複数の発光素子と、
前記信号線を駆動する信号線駆動回路と、
前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
前記発光素子に電流を供給する電流源と、
を備え、
前記発光素子は、有機EL画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、前記側壁部の前記有機EL画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機EL層と、前記有機EL層の上面に積層されたカソード電極部と、を備え、
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部と、前記アノード電極本体部の下層に積層された特性層と、を有する、
表示装置。 - 有機EL画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
請求項6に記載の表示装置。 - 請求項6に記載の表示装置を備えた電子機器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022155692A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、撮像装置、及び電子機器 |
CN116997201A (zh) * | 2022-04-22 | 2023-11-03 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017273A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2003077681A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2005340011A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2008225179A (ja) | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
CN102969329A (zh) | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 三星显示有限公司 | 含具有反射结构的电极的有机发光显示装置及其制造方法 |
JP2016143585A (ja) | 2015-02-03 | 2016-08-08 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP2017037825A (ja) | 2015-08-14 | 2017-02-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
US20170294501A1 (en) | 2016-04-12 | 2017-10-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same |
US20180166648A1 (en) | 2014-10-22 | 2018-06-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Top-emitting oled device and method of manufacturing the same, display device |
JP2018092912A (ja) | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
WO2018139171A1 (ja) | 2017-01-26 | 2018-08-02 | ソニー株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3691313B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2005-09-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP4637831B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 |
JP2007004997A (ja) | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR20070040027A (ko) * | 2005-10-11 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 표시패널용 어레이 기판, 이의 제조 방법, 이를 갖는표시패널 및 이를 갖는 액정표시장치 |
JP2007108248A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Sony Corp | 表示装置 |
JP5148170B2 (ja) | 2006-05-31 | 2013-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP5147290B2 (ja) | 2006-05-31 | 2013-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2008004290A (ja) | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
JP2010056015A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP5486920B2 (ja) | 2009-12-25 | 2014-05-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el装置及びその製造方法 |
JP2012155953A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sony Corp | 有機el表示装置及び電子機器 |
JP2012174356A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP5720887B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
JP5870546B2 (ja) | 2011-08-23 | 2016-03-01 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US9178174B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-11-03 | Sony Corporation | Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus |
JP6221418B2 (ja) | 2013-07-01 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP6286941B2 (ja) | 2013-08-27 | 2018-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
JP2017162832A (ja) * | 2017-05-08 | 2017-09-14 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017273A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2003077681A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2005340011A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2008225179A (ja) | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
CN102969329A (zh) | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 三星显示有限公司 | 含具有反射结构的电极的有机发光显示装置及其制造方法 |
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