JP2017037825A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017037825A JP2017037825A JP2015160136A JP2015160136A JP2017037825A JP 2017037825 A JP2017037825 A JP 2017037825A JP 2015160136 A JP2015160136 A JP 2015160136A JP 2015160136 A JP2015160136 A JP 2015160136A JP 2017037825 A JP2017037825 A JP 2017037825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- display device
- pixel electrode
- layer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 5
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- MHMNJMPURVTYEJ-UHFFFAOYSA-N fluorescein-5-isothiocyanate Chemical compound O1C(=O)C2=CC(N=C=S)=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 MHMNJMPURVTYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- FWBHETKCLVMNFS-UHFFFAOYSA-N 4',6-Diamino-2-phenylindol Chemical compound C1=CC(C(=N)N)=CC=C1C1=CC2=CC=C(C(N)=N)C=C2N1 FWBHETKCLVMNFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017105 AlOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】光取出し効率が向上した表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に設けられ複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の前記基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、前記バンクには光散乱体が含まれている表示装置である。【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置の構成及びその製造方法に関する。特に、表示装置の画素の構成及びその製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと呼ぶ。)表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機EL材料を含む層(以下、「発光層」ともいう)を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
有機EL表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられる構造が主流である。有機EL表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
発光層中の発光分子はランダムに配向しているため、発光分子を中心に等方的に光が出射される。そのため、発光層内から発光層の面へ低角度で入射する光が存在し、当該光は発光層の面から出射されずに発光層内を伝搬してしまい、表示面から表示装置の外部に取出されずに損失してしまうという課題があった。また、発光層の面から発光層の外へ出射した光の一部は、表示面の方向へは出射されずに例えば画素を区分するバンク層の側面に当たり、表示装置の外部に取出されずに損失してしまうという課題もあった。
このような課題に対し、例えば特許文献1には、基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた光反射面を有する第1の電極と、第1の電極の周縁領域を覆うバンク層と、第1の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層と、エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第2の電極とを有し、絶縁層は、前記第1の電極の周縁領域において第2の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、第1の電極の周縁領域は段差部の傾斜面に沿って設けられていることを特徴とするエレクトロルミネセンス装置が開示されている。
しかしながら、このような構成では、絶縁層の傾斜面上の反射電極で反射する光を表示面方向に効率良く取り出すためには、絶縁層の傾斜面の傾斜をなだらかにする必要がある。しかし、当該傾斜をなだらかにすると、絶縁層の占める面積が大きくなり、開口率が小さくなってしまうという課題がある。一方、当該傾斜が垂直に近くなると、基板に対して平行に出射された光を取り出すことが困難になる。
本発明は、光取出し効率が向上した表示装置及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
本発明による表示装置の一態様は、基板上に設けられ複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の前記基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、前記バンクには光散乱体が含まれている。
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、アレイ基板上に行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域を有する絶縁層を形成し、開口領域に、絶縁層の側壁を覆い、光反射面を有する画素電極を形成し、絶縁層の開口端部を覆い、光散乱体を含むバンクを形成し、画素電極上に発光層を形成し、発光層上に透光性を有する共通電極を形成することを含む。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
<第1実施形態>
[構成]
本実施形態に係る表示装置100の構成を、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る表示装置100の構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置100は、第1基板102と、第2基板104と、複数の画素108と、シール材110と、端子領域114と、接続端子116とを有している。
[構成]
本実施形態に係る表示装置100の構成を、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る表示装置100の構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置100は、第1基板102と、第2基板104と、複数の画素108と、シール材110と、端子領域114と、接続端子116とを有している。
第1基板102には、表示領域106が設けられている。表示領域106は複数の画素108が配列することによって構成されている。表示領域106の上面には第1基板102と対向する第2基板104が設けられている。第2基板104は表示領域106を囲むシール材110によって、第1基板102に固定されている。第1基板102に形成された表示領域106は、第2基板104とシール材110によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素108に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
第1基板102には、一端部に端子領域114が設けられている。端子領域114は第2基板104の外側に配置されている。端子領域114は、複数の接続端子116によって構成されている。接続端子116には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネル(図1では表示装置100)とを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子116の接点は、外部に露出している。第1基板102には接続端子116から入力された映像信号を表示領域106に出力するドライバIC112が設けられている。
図2を参照し、本実施形態に係る表示装置100の構成について詳細に説明する。図2は、本実施形態に係る表示装置100の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る表示装置100は、行列状に配列された複数の画素108を備える。複数の画素108の各々は、少なくとも、絶縁層118と、画素電極120と、バンク122と、発光層124と、共通電極126とを有している。
絶縁層118は、第1基板102(以下では、アレイ基板とも呼ぶことがある。)上に設けられ、開口領域118aを有している。開口領域118aは、一つの画素108を構成する複数の副画素毎に設けられている。開口領域118aにおける絶縁層118の側壁118bは、第1基板102に対して垂直であってもよく、傾斜を有していてもよい。傾斜を有する場合、第1基板102と側壁118bとの成す角のうち、絶縁層118側の角は鋭角とする。尚、絶縁層118は、第1基板102の直上に設けられる必要は無く、下地層となる他の絶縁層等を介して設けられてもよい。また、絶縁層118と第1基板102との間には、複数の画素108の各々の発光を制御するための、トランジスタや配線等を含む図示しない駆動回路や、トランジスタや配線等を覆う図示しない絶縁膜が設けられている。
絶縁層118の材料としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。
絶縁層118として無機絶縁層を使用する場合、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)、窒化酸化珪素(SiNxOy)、酸化アルミニウム(AlOx)、窒化アルミニウム(AlNx)、酸化窒化アルミニウム(AlOxNy)、窒化酸化アルミニウム(AlNxOy)等の膜を使用することができる(x、yは任意)。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマCVD法やスパッタリング法を用いることができる。
絶縁層118として有機絶縁層を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
画素電極120は、開口領域118aに設けられ、少なくとも絶縁層118の側壁118bを覆っている。画素電極120は、その周縁部が、絶縁層118の第1基板102と対向する面の表面の一部を覆うように延在してもよい。換言すると、画素電極120は、第1基板102上に設けられ、画素電極120の周縁部は、平面視において絶縁層118の開口領域118aの開口縁を囲むように延伸している。また、画素電極120は、光反射性の材料を含んでいる。これによって、発光層124で発生した光は第1基板102側へ伝搬せず、表示面の側である第2基板104側へ伝搬する。
バンク122は、その端部が画素電極120の周縁部を覆うように設けられている。これによって、バンク122は、絶縁層118の開口端部、側壁118bを覆うように設けられることになる。
バンク122は、画素電極120の端部で発光層124が十分に被覆されず、共通電極126と短絡するのを防ぎ、隣接する副画素間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク122を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。バンク122の膜厚は1μmから5μmの厚さが好適である。
また、バンク122は、光散乱体128を含有している。光散乱体128としては、例えば、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子等の微粒子を用いることができる。また、これらから選択された複数の組み合わせであってもよい。即ち、バンク122は単一の粒径を有する複数の光散乱体128を含有してもよいし、粒径の異なる複数の光散乱体128、材質の異なる複数の光散乱体128を含有してもよい。光散乱体128の粒径は、バンク122の膜厚よりも小さければ、光散乱体128の材質に応じて適宜定めることができる。例えば300nmから3μmの粒径が好適である。但し、この粒径に限定されるものではなく、例えば数nmの粒径の高誘電率超微粒子を光散乱体128に用いる場合も有る。
金属酸化物粒子としては、例えば、ジルコニア(ZrO2)、チタニア(TiO2)、アルミナ(Al2O3)、酸化スズ(SnO2)等を用いることができる。
蛍光体粒子としては、例えば、ZnS:Cu,Cl、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Mn,Cl等を用いることができる。
高誘電率超微粒子としては、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化イットリウム(Y2O3)等を用いることができる。
発光層124は、少なくとも画素電極120上に設けられている。この例では、発光層124は、複数の画素108に共通して設けられ、画素電極120及び画素108間のバンク122を覆うように設けられている。
発光層124が、例えば有機EL層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層124は、発光性の有機材料を含む発光層124に加え、当該発光層124を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層124は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。
共通電極126は、発光層124上に設けられている。また、共通電極126は、発光層124で発光した光を透過させるため、透光性を有している。共通電極126の材料としては、透光性を有し且つ導電性を有するITO(酸化スズ添加酸化インジウム)やIZO(酸化インジウム・酸化亜鉛)等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極126として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
以上のような構成を有することによって、本実施形態に係る表示装置100は、発光層124で生成された光の一部が光散乱体128によって乱反射し、表示装置100の外部に、特に図1に示す矢印の方向に、取出され易くなるため、光取出し効率、光利用効率が向上する。特に、発光層124で生成された光のうち、発光層124の面に対して平行な方向に出射した光であっても、光散乱体128によって進行方向を変えることが可能であため、表示装置100の外部に取出され易くなる。光取出し効率、光利用効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、低消費電力化に繋がる。
従来の光散乱体128を設けない表示装置の場合、発光層124で生成された光のうち、発光層124の面に対して平行な方向に出射した光を表示装置の外部に取出すためには、例えば、絶縁層118の開口領域118aにおける側壁の傾斜をなだらかにする等の対策が考えられる。このようにすれば、当該側壁に延伸し、光反射面を有する画素電極120によって、進行方向を表示面側に変えることができる。しかしながら、この構成では、絶縁層118の占める面積が大きくなり、開口率が小さくなってしまうという課題がある。一方、当該傾斜が垂直に近くなると、基板に対して平行に出射された光を取り出すことが困難になる。
本実施形態に係る表示装置100は、上述の作用によって、発光層124で生成された光のうち、発光層124の面に対して平行な方向に出射した光であっても、光散乱体128によって進行方向を変えることが可能であため、絶縁層118の開口領域118aにおける側壁の傾斜をほぼ垂直としても、表示装置100の外部に取出すことができる。よって、絶縁層118の占める面積を小さく設計することができ、開口率の低下を抑制することができる。
尚、絶縁層118を無機材料で形成し、バンク122を有機材料で形成することが望ましい。更に絶縁層118よりもバンク122を厚く形成することが望ましい。絶縁層118の位置に無機材料が配置されることにより、外部から発光層124の側へ水分が侵入することを防ぐ効果が得られる。
また、上述の光取出し効率向上の効果を有するためには、光散乱体128が含有されているバンク122はある程度厚く形成することが好適である。しかし、ある程度厚いバンク122を無機材料で形成すると、クラックが入りやすくなる。特に、第1基板102が樹脂基板(例えばポリイミド)であり、湾曲可能な表示面を有するシートディスプレイ、フレキシブルディスプレイにおいては、よりクラックが入りやすくなる。従って、ある程度厚いバンク122を有機材料で形成することで、クラックの発生を抑制することができる。バンク122が厚い分、無機材料で形成された絶縁層118は薄く形成することができ、絶縁層118のクラック発生も抑制することができる。
以上、本実施形態に係る表示装置100の構造について説明した。本実施形態によれば、光取出し効率が向上した表示装置100を提供することができる。
[製造方法]
本実施形態に係る表示装置100の製造法について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る表示装置100の製造方法を説明するためのプロセスフローである。
本実施形態に係る表示装置100の製造法について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る表示装置100の製造方法を説明するためのプロセスフローである。
先ず、第1基板102上に、行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域118aを有する絶縁層118を形成する(S101)。絶縁層118の材料としては、上述の通り無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。
開口領域118aは、絶縁層118を成膜した後、フォトリソグラフィー法によって副画素毎に形成される。
次いで、開口領域118aに、絶縁層118の側壁を覆い、光反射面を有する画素電極120を形成する(S102)。画素電極120は、発光層124で発生した光を共通電極126側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、画素電極120を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。画素電極120は、副画素毎に形成される。
次いで、絶縁層118の開口端部を覆い、光散乱体128を含むバンク122を形成する(S103)。尚、バンク122に光散乱体128を包含させることは発光層124を形成する前に行うことが望ましい。これにより、バンク122に光散乱体128を包含させる際に、発光層124に損傷を与えることは無い。
次いで、画素電極120上に発光層124を形成する(S104)。発光層124は、例えば有機EL層から成る。発光層124は、複数の画素に共通して形成される。
次いで、発光層124上に透光性を有する共通電極126を形成する(S105)。共通電極126は、複数の画素に共通して形成される。
次いで、対向基板の形成及び、アレイ基板と対向基板の貼り合わせといった工程が続くが、ここではそれらの詳細な説明は省略する。
以上、本実施形態に係る表示装置100の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置100の製造方法によれば、光取出し効率の向上した表示装置100を提供することができる。
<第2実施形態>
図4を参照し、本実施形態に係る表示装置200の構成について詳細に説明する。図4は、本実施形態に係る表示装置200の構成を示す上面図及び断面図である。上面図に示すように、複数の画素108の各々が、2行2列に配置された赤(R)、緑(G)、青(B)、白(W)の4つの副画素108R、108G、108B、108Wを有している。断面図では、行方向に青(B)、赤(R)、青(B)、赤(R)の順で並んだ副画素の断面を例示している。
図4を参照し、本実施形態に係る表示装置200の構成について詳細に説明する。図4は、本実施形態に係る表示装置200の構成を示す上面図及び断面図である。上面図に示すように、複数の画素108の各々が、2行2列に配置された赤(R)、緑(G)、青(B)、白(W)の4つの副画素108R、108G、108B、108Wを有している。断面図では、行方向に青(B)、赤(R)、青(B)、赤(R)の順で並んだ副画素の断面を例示している。
本実施形態に係る表示装置200は、第1実施形態に係る表示装置100と比較すると、光散乱体128は、色素を有する光散乱体128であることを特徴としている。つまり、各々の色の副画素において、各々に配置されたバンク122は、当該各々の色に対応した光散乱体128を含有する。具体的には、赤の副画素内に配置されたバンク122には、発光層で生成された光を赤色に変換する光散乱体128Rを含有する。緑の副画素内に配置されたバンク122には、発光層で生成された光を緑色に変換する光散乱体128Gを含有する。青の副画素内に配置されたバンク122には、発光層で生成された光を青色に変換する光散乱体128Bを含有する。白の副画素内に配置されたバンク122には、第1実施形態で説明した材料から成る光散乱体128を含有してもよい。
また、図4に示すように、本実施形態に係る表示装置200は、バンク122の開口領域と対向する位置にカラーフィルタ130が配置されている。カラーフィルタ130は、第1基板102に形成されても、第1基板102と対向する第2基板104に形成されてもよい。図4においては、赤の副画素108Rにはカラーフィルタ130Rが、青の副画素108Bにはカラーフィルタ130Bが配置されている。図示しないが、白の副画素にはカラーフィルタを配置しない構造でもよいし、透光性の例えばほぼ無色の樹脂層を配置しても良い。副画素の境界部には遮光層132が配置されている。
このような構成を有することによって、バンク122に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。発光層124で生成された光(例えば白色光)が色変換機能を備えた光散乱体128R、128G、128Bの各々で色変換されるので色変換機能を備えた光散乱体を備えない構造に比べ、、本実施形態においては、カラーフィルタ130を透過することによる色変換量は少なくて済む。即ち、カラーフィルタ130を従来よりも薄く設計することができる。従って、カラーフィルタ130をの材料を削減することができる。更に、カラーフィルタ130を薄くすることができると、カラーフィルタ130を透過する際の輝度低下も小さくなるので、発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置200の低消費電力化に繋がる。
尚、光散乱体128R、128G、128Bによって画像表示に必要な色変換が十分に得られる場合は、カラーフィルタ130を配置しない構造にすることも可能である。
更に、図2の例において、赤(R)の副画素において、発光層124で生成された光がバンク122で赤色に変換された場合、その光が隣接する青(B)の副画素に伝搬したとしても、青(B)のカラーフィルタ130Bに吸収されて外部に取出されることは無いため、光学的な混色を低減することができる。
色素を有する光散乱体128としては、例えば、蛍光シリカ粒子又は顔料微粒子等を用いることができる。蛍光シリカ粒子としては、シリカ(SiO2)の微粒子に蛍光色素を付与することによって色変換機能を有する光散乱体を得ることができる。赤色に変換する蛍光色素としては、例えばローダミンB誘導体等、緑色に変換する蛍光色素としては、例えばFITC(Fluorescein isothiocyanate)等、青色に変換する蛍光色素としては、例えばDAPI(4´,6−diamidino−2−phenylindole)等を用いることができる。
以上、本実施形態に係る表示装置200について説明した。本実施形態係る表示装置200によれば、色素を有する光散乱体128を用いることによって、バンク122に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。これによって、カラーフィルタを通常よりも薄く設計することができ、カラーフィルタの材料を削減し、発光効率、光取出し効率の向上した表示装置200を提供することができる。
<第3実施形態>
図5を参照し、本実施形態に係る表示装置300の構成について詳細に説明する。図5は、本実施形態に係る表示装置300の構成を示す断面図である。
図5を参照し、本実施形態に係る表示装置300の構成について詳細に説明する。図5は、本実施形態に係る表示装置300の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る表示装置300は、第2実施形態に係る表示装置200と比較すると、複数の画素108の各々は、開口領域118aの、共通電極126と対向する位置に設けられた光反射層134と、光反射層134上に設けられた光吸収層136とを更に有している。
このような構成を有することによって、発光層124で生成された光のほぼ全てが光散乱体128Rを経由することによって色変換される。従って、図4に示すカラーフィルタ130Rを省略することができる。カラーフィルタを省略することができると、発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置300の低消費電力化に繋がる。更に、カラーフィルタを省略することができると、工程が簡略化されることのみならず、特に対向基板側にカラーフィルタ130を設ける表示装置に比べて、アレイ基板と対向基板との高精度な位置合わせが要求されず、両基板の貼り合わせが容易になる。尚、カラーフィルタを形成する構造にしてもよい。
更に、光吸収層136を設けることによって、表示面に入射する外光の反射を抑制することができるため、視認される光のうち発光成分の割合が増大し、高画質化する。
以上、本実施形態に係る表示装置300について説明した。本実施形態係る表示装置300によれば、色素を有する光散乱体128を用いることによって、バンク122に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。更に、発光層124で生成された光のほぼ全てが光散乱体128によって色変換されるため、カラーフィルタを省略することができる。よって、発光効率の向上した表示装置300を提供することができる。
<第4実施形態>
図6を参照し、本実施形態に係る表示装置400の構成について詳細に説明する。図6は、本実施形態に係る表示装置400の構成を示す断面図である。
図6を参照し、本実施形態に係る表示装置400の構成について詳細に説明する。図6は、本実施形態に係る表示装置400の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る表示装置400は、第1実施形態に係る表示装置100と比較すると、画素電極120は、絶縁層118を覆う領域に凹凸形状を有することを特徴としている。この例では、画素電極120の形成後に、画素電極120上に複数の粒状の膜からなる凹凸部138が形成されている。
このような構成を有することによって、発光層124から基板に対して平行な方向に出射した光も効率的に外部へ取出すことができ発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置400の低消費電力化に繋がる。
凹凸形状を形成する幾つかの方法としては、例えば、微粒子を画素電極120の表面に塗布し、当該塗布膜をエッチングすること等によって凹凸を形成することができる。
<第5実施形態>
図7を参照し、本実施形態に係る表示装置500の構成について詳細に説明する。図7は、本実施形態に係る表示装置500の構成を示す断面図である。
図7を参照し、本実施形態に係る表示装置500の構成について詳細に説明する。図7は、本実施形態に係る表示装置500の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る表示装置500は、第1実施形態に係る表示装置100と比較すると、画素電極120は、絶縁層118を覆う領域に凹凸形状を有することを特徴としている。この例では、画素電極120の形成前に、絶縁層118上に凹凸部138が形成され、画素電極120も凹凸部138に倣って凹凸形状を備えている。
このような構成を有することによって、発光層124から基板に対して平行な方向に出射した光も効率的に外部へ取出すことができ発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、低消費電力化に繋がる。
凹凸形状を形成する幾つかの方法の一つとしては、絶縁層118を、アクリル樹脂等を主材料として形成し、絶縁層118内に酸化珪素(SiO2)、珪素(Si)等の微粒子を分散させることによって、表面に凹凸形状を有する絶縁層118を形成することができる。
他の例として、絶縁層118の表面に微細パターンを転写することによって表面に凹凸形状を有する絶縁層118を形成することができる。
更に他の例として、結晶性ポリマーを有機溶媒に溶解して得られた溶液を絶縁層118の表面に塗布し、当該溶媒を蒸発させることによって、表面に微細な凹凸形状を有する絶縁層118を形成することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置100乃至500について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
100、200、300、400、500:表示装置
102:第1基板
104:第2基板
106:表示領域
108:画素
110:シール材
112:ドライバIC
114:端子領域
116:接続端子
118:絶縁層
118a:開口領域
118b:側壁
120:画素電極
122:バンク
124:発光層
126:共通電極
128、128R、128B:光散乱体
130、130R、130B:カラーフィルタ(CF)
132:遮光層
134:光反射層
136:光吸収層
138:凹凸部
102:第1基板
104:第2基板
106:表示領域
108:画素
110:シール材
112:ドライバIC
114:端子領域
116:接続端子
118:絶縁層
118a:開口領域
118b:側壁
120:画素電極
122:バンク
124:発光層
126:共通電極
128、128R、128B:光散乱体
130、130R、130B:カラーフィルタ(CF)
132:遮光層
134:光反射層
136:光吸収層
138:凹凸部
Claims (19)
- 第1基板と、
複数の画素と、
前記第1基板上に設けられ、前記複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、
前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、
前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、
前記画素電極の前記第1基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、
前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、
前記バンクには光散乱体が含まれていることを特徴とする表示装置。 - 前記画素電極は、光反射性の材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記発光層と前記共通電極とは、前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。
- 前記光散乱体は、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子のいずれか、またはこれらの複数の組み合わせであることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記光散乱体は、色素を有する光散乱体であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記色素を有する光散乱体は、蛍光シリカ粒子又は顔料微粒子であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、第1の色を出射する第1の画素と、前記第1の画素に隣接し前記第1の色とは異なる第2の色を出射する第2の画素とを含み、
前記バンクは、前記第1の画素と前記第2の画素との境界部に位置する前記絶縁層の前記上面と重畳する位置で、前記第1の画素の側に位置する第1の領域と、前記2の画素の側に位置する第2の領域とに分断されており、
前記第1の領域には、前記第1の色の色素を有する前記光散乱体が含まれ、
前記第2の領域には、前記第2の色の色素を有する前記光散乱体が含まれることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の表示装置。 - 前記絶縁層は無機材料からなり、前記バンクは有機材料からなることを特徴とする請求項1から請求項7の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記絶縁層の前記上面と対向する位置における前記バンクの厚さは、前記絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1から請求項8の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記複数の画素の各々は、
前記開口領域と対向し、前記共通電極の前記発光層とは反対側に位置する光反射層と、
前記光反射層と接し、前記光反射層の前記共通電極とは反対側に位置する光吸収層とを有することを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第1基板と対向する第2基板を有し、
前記光反射層と前記光吸収層とは、前記第2基板に配置されていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。 - 前記側壁と対向する領域の前記画素電極は、前記バンクと対向する側の表面に複数の粒状の膜が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項11の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記側壁は凹凸形状を有し、
前記側壁の前記凹凸形状と対向する領域の前記画素電極は、凹凸形状を有していることを特徴とする請求項1から請求項11の何れか1項に記載の表示装置。 - アレイ基板上に行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域を有する絶縁層を形成し、
前記開口領域に、前記絶縁層の側壁を覆い、光反射性の材料を含む画素電極を形成し、
前記絶縁層の開口端部を覆い、光散乱体を含むバンクを形成し、
前記画素電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に透光性を有する共通電極を形成することを含む表示装置の製造方法。 - 前記光散乱体は、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子のいずれかであることを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記光散乱体は、色素を有する光散乱体であることを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 対向基板上の前記開口領域に対向する位置に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に光反射層を形成し、
前記アレイ基板と前記対向基板とを貼り合わせることを更に含む請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 前記画素電極を形成する前に、前記絶縁層の表面に凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記画素電極を形成した後に、
前記画素電極表面の、前記絶縁層を覆う周縁部に凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015160136A JP2017037825A (ja) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015160136A JP2017037825A (ja) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017037825A true JP2017037825A (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=58049427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015160136A Pending JP2017037825A (ja) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017037825A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110459570A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光基板及有机电致发光显示面板 |
CN110620136A (zh) * | 2019-10-30 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及包含其的显示面板 |
WO2020100417A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN111384289A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 具有反射电极的显示装置 |
CN112599562A (zh) * | 2019-10-01 | 2021-04-02 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN112913325A (zh) * | 2018-11-19 | 2021-06-04 | 索尼公司 | 发光元件、显示装置和电子设备 |
WO2023084588A1 (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
-
2015
- 2015-08-14 JP JP2015160136A patent/JP2017037825A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020100417A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JPWO2020105544A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2021-10-14 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子、表示装置及び電子機器 |
JP7459886B2 (ja) | 2018-11-19 | 2024-04-02 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子、表示装置及び電子機器 |
JP2022058634A (ja) * | 2018-11-19 | 2022-04-12 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子、表示装置及び電子機器 |
JP7020566B2 (ja) | 2018-11-19 | 2022-02-16 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子 |
CN112913325A (zh) * | 2018-11-19 | 2021-06-04 | 索尼公司 | 发光元件、显示装置和电子设备 |
CN111384289A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 具有反射电极的显示装置 |
US11462710B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-10-04 | Lg Display Co., Ltd. | Display device having a reflective electrode |
CN111384289B (zh) * | 2018-12-28 | 2023-02-07 | 乐金显示有限公司 | 具有反射电极的显示装置 |
CN110459570A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光基板及有机电致发光显示面板 |
CN110459570B (zh) * | 2019-08-19 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光基板及有机电致发光显示面板 |
CN112599562A (zh) * | 2019-10-01 | 2021-04-02 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN110620136A (zh) * | 2019-10-30 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及包含其的显示面板 |
WO2023084588A1 (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017037825A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
US10243173B2 (en) | Display device | |
US11737319B2 (en) | Display apparatus including a blocking layer and method of manufacturing the same | |
TWI601283B (zh) | Display device | |
US9825109B2 (en) | Display device | |
KR102205526B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20200099251A (ko) | 표시 장치 | |
JP2007311046A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 | |
US10580847B2 (en) | Display device | |
CN104576690A (zh) | 有机发光显示装置 | |
US11393883B2 (en) | Display panel including conductive layer between TFT and substrate, and a display device including display panel and sensor | |
CN108352457A (zh) | Oled显示器堆叠的图案 | |
JP2016167400A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP2015109190A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
KR101972306B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20210138211A (ko) | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
KR20190107260A (ko) | 표시 장치 | |
JP2018181492A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2015149231A (ja) | 有機el表示装置 | |
TWI423718B (zh) | 有機電致發光裝置及具有此有機電致發光裝置的電子裝置 | |
KR102279497B1 (ko) | 대면적 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치 | |
KR20170079645A (ko) | 유기발광소자 | |
KR102018750B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102202797B1 (ko) | 휘도 시야각 및 색 시야각을 개선한 유기발광 다이오드 표시장치 | |
KR102153390B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |