WO2023084588A1

WO2023084588A1 - 発光デバイスおよびその製造方法

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Publication number: WO2023084588A1
Application number: PCT/JP2021/041152
Authority: WO
Inventors: 昌行兼弘
Original assignee: シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority date: 2021-11-09
Filing date: 2021-11-09
Publication date: 2023-05-19

Abstract

発光デバイスは、バンク（３２）の開口部（３２ａ）における第３電極（３６）上に設けられた高屈折率材料層（３７）と、第３電極（３６）上に形成され、開口部（３２ａ）に対応して設けられた開口部（３８ａ）を有し、平面視で、開口部（３８ａ）を取り囲む周端部が、高屈折率材料層（３７）の周端部を覆う補助配線（３８）とを備えている。

Description

発光デバイスおよびその製造方法

　本開示は、補助配線を有する自発光型の発光デバイスおよびその製造方法に関する。

　ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）あるいはＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）等の発光素子を備えた自発光型の発光デバイスは、一対の電極間に、発光層を含む、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層と称される機能層が設けられた構造を有している。従来、このような発光デバイスにおいて、上層電極の低抵抗化を図るために、上層電極上に補助配線（補助電極と称される場合もある）が設けられた発光デバイスが知られている（例えば特許文献１参照）。

　特許文献１には、一例として、副画素間に設けられた各凸状構造物部の少なくとも一部を覆うように発光領域（副画素）の外側に補助配線（補助電極）を設けることが開示されている。また、特許文献１には、この場合、補助配線として非透明な補助配線を用いることができることが開示されている。

日本国特開２０１９－０１２６８４号

　しかしながら、特許文献１のように上層電極上に補助配線を形成する場合、下層の発光層等のＥＬ層が、補助配線のパターニングに用いられるエッチング液の浸透によりダメージを受ける。この結果、発光デバイスの発光効率が低下する。

　本開示の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、補助配線のパターニングに用いられるエッチング液の浸透によるＥＬ層のダメージを抑制することができる発光デバイスおよびその製造方法を提供することにある。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光デバイスは、第１貫通口が設けられたバンクと、上記第１貫通口を塞ぐように上記バンク上に形成された下層電極と、上記下層電極の上方に形成された上層電極と、少なくとも発光層を含み、上記下層電極と上記上層電極との間に、少なくとも一部が上記下層電極と上記上層電極とにそれぞれ隣接して形成されたＥＬ層と、上記第１貫通口における上記上層電極上に設けられ、屈折率が１．７よりも高い屈折率を有する第１屈折率層と、上記上層電極上に、上記上層電極に隣接して設けられた補助配線と、上記第１屈折率層よりも低い屈折率を有し、上記第１屈折率層および上記補助配線を覆うように上記上層電極上に設けられた第２屈折率層と、を備え、上記補助配線は、上記第１貫通口に対応して設けられた第２貫通口を有し、平面視で、上記補助配線における、上記第２貫通口を取り囲む周端部が、上記第１屈折率層の周端部を覆っている。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、本開示の一態様に係る上記発光デバイスの製造方法であって、上記第１貫通口が設けられたバンクを形成する工程と、上記第１貫通口を塞ぐように上記バンク上に形成された下層電極を形成する工程と、少なくとも発光層を含み、少なくとも一部が上記下層電極に隣接するＥＬ層を形成する工程と、上記ＥＬ層上に、上記ＥＬ層に隣接して上記上層電極を形成する工程と、上記第１貫通口における上記上層電極上に、屈折率が１．７よりも高い上記屈折率を有する第１屈折率層を形成する工程と、上記上層電極上に、上記上層電極に隣接して上記補助配線を形成する工程と、上記上層電極上に、上記第１屈折率層よりも低い屈折率を有し、上記第１屈折率層および上記補助配線を覆うように上記第２屈折率層を形成する工程と、を含み、上記補助配線を形成する工程では、上記補助配線が上記第１貫通口に対応して設けられた上記第２貫通口を有し、平面視で、上記補助配線における上記第２貫通口を取り囲む周端部が上記第１屈折率層の周端部を覆うように、上記補助配線を形成する。

　本開示の上記一態様によれば、補助配線のパターニングに用いられるエッチング液の浸透によるＥＬ層のダメージを抑制することができる発光デバイスおよびその製造方法を提供することができる。

実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成の一例を示す平面図である。実施形態１に係る表示装置を該表示装置の各サブ画素の補助配線上から見たときの該表示装置の要部の概略構成の一例を示す平面図である。実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。実施形態１に係る表示装置における各サブ画素の第２電極と補助配線とを並べて示す平面図である。実施形態１に係る表示装置における発光素子の各発光領域での積層構造の一例を模式的に示す図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。図６にステップＳ４で示す発光素子層の形成工程の一例を示すフローチャートである。図７に示す発光素子層の要部の形成工程の一例を示す断面図である。上層電極上に補助配線を形成する従来の方法を、実施形態１に係る表示装置の製造方法に適用したときの、発光素子層の要部の形成工程の一例を示す断面図である。実施形態１に係る表示装置の発光素子層における発光領域内での光の光路を示す断面図である。従来の発光素子における発光領域内での光の光路を示す断面図である。実施形態２に係る表示装置の発光素子層の要部の概略構成を、発光領域内での光の光路と併せて示す断面図である。実施形態３に係る表示装置を該表示装置のサブ画素の補助配線上から見たときの該表示装置の要部の概略構成の一例を示す平面図である。実施形態３に係る表示装置におけるサブ画素の第２電極と補助配線とを並べて示す平面図である。実施形態４に係る表示装置における各色の発光素子の各発光領域での積層構造の一例を模式的に示す図である。実施形態４に係る表示装置における各色の発光素子の各発光領域での第２電極における、反射電極上のＩＴＯの層厚と光取り出し効率との関係を示すグラフである。実施形態５に係る表示装置の発光素子層の要部の概略構成を、該発光素子層における発光領域内での光の光路と併せて示す断面図である。実施形態６に係る表示装置の発光素子層の要部の概略構成を、該発光素子層における発光領域内での光の光路と併せて示す断面図である。

　〔実施形態１〕
　本開示の一実施形態について、図１～図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、以下では、本実施形態に係る発光デバイスが表示装置である場合を例に挙げて説明する。

　（表示装置の概略構成）
　図１は、本実施形態に係る表示装置１（発光デバイス）の要部の概略構成の一例を示す平面図である。

　図１に示すように、表示装置１は、複数のサブ画素ＳＰを含む表示領域ＤＡ（画素領域）と、表示領域ＤＡを取り囲むように表示領域ＤＡの周囲に設けられた額縁領域ＮＤＡとを備えている。

　額縁領域ＮＤＡは非表示領域である。額縁領域ＮＤＡには、各サブ画素ＳＰを駆動するための信号が入力される端子部ＴＳが設けられている。なお、端子部ＴＳには、例えば、ＩＣ（集積回路）チップ、ＦＰＣ（フレキシブル印刷回路基板）等の、図示しない電子回路基板が設けられていてよい。

　表示領域ＤＡには、一例として、複数のゲート配線ＧＨ、複数の発光制御線ＥＭ、および複数の初期化電位線ＩＬを含む複数の配線が、行方向に伸びるように延設されている。また、表示領域ＤＡには、一例として、複数の電源線ＰＬおよび複数のソース配線ＳＨを含む複数の配線が、列方向に伸びるように延設されている。サブ画素ＳＰは、これらゲート配線ＧＨとソース配線ＳＨとの交差部にそれぞれ対応するように、例えばマトリクス状に複数設けられている。

　表示装置１は、サブ画素ＳＰとして、例えば、赤色発光する、赤色（Ｒ）のサブ画素ＲＳＰと、緑色発光する、緑色（Ｇ）のサブ画素ＧＳＰと、青色発光する、青色（Ｂ）のサブ画素ＢＳＰとを有している。なお、本実施形態では、これらサブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、サブ画素ＢＳＰを特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「サブ画素ＳＰ」と称する。

　図１では、一例として、表示装置１が、これらＲＧＢの３つの異なる色を呈する３つの各色のサブ画素ＳＰで構成された画素Ｐを複数備え、これら複数の画素Ｐが、表示領域ＤＡにマトリクス状に設けられている場合を例に挙げて図示している。また、図１では、一例として、ＲＧＢの各色のサブ画素ＳＰが、ゲート配線ＧＨの延伸方向に、この順に繰り返し並べて配列されるとともに、ソース配線ＳＨの延伸方向に沿って、色毎に複数並べて配列されている場合を例に挙げて図示している。但し、上記例示は一例であり、表示装置１は、ＲＧＢ以外のサブ画素ＳＰを備えていてもよい。また、サブ画素ＳＰの配列も上記配列に限定されない。

　図２は、本実施形態に係る表示装置１を、各サブ画素ＳＰの補助配線３８上から見たときの該表示装置１の要部の概略構成の一例を示す平面図である。

　表示装置１は、自発光型の表示装置である。図２に示すように、各サブ画素ＳＰには、それぞれ自発光型の発光素子ＬＥが形成されている。各発光素子ＬＥには、バンク３２および補助配線３８で小孔形状に区切られた発光領域（小孔発光領域）ＥＳが複数形成されている。各発光領域ＥＳは、平面視で、非発光領域となるバンク３２および補助配線３８で互いに分離されている。このため、表示装置１は、各サブ画素ＳＰ内に、バンク３２および補助配線３８で囲まれた複数の発光領域ＥＳを有する発光素子ＬＥがそれぞれ設けられた構成を有している。

　本実施形態によれば、このように１つのサブ画素ＳＰ（言い換えれば、１つの発光素子ＬＥ）に、小孔形状の発光領域が複数設けられていることで、従来よりも表示装置１の輝度を向上させることができる。

　サブ画素ＲＳＰには、発光色が赤色の発光素子ＲＬＥ（赤色発光素子）が設けられている。サブ画素ＧＳＰには、発光色が緑色の発光素子ＧＬＥ（緑色発光素子）が設けられている。サブ画素ＢＳＰには、発光色が青色の発光素子ＢＬＥ（青色発光素子）が設けられている。なお、同一のサブ画素ＳＰに設けられた発光素子ＬＥの発光領域ＥＳの発光色は、何れも同一である。したがって、赤色のサブ画素ＲＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光色が赤色の発光領域ＲＥＳ（赤色発光領域）が複数設けられている。緑色のサブ画素ＧＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光色が緑色の発光領域ＧＥＳ（緑色発光領域）が複数設けられている。青色のサブ画素ＢＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光色が青色の発光領域ＢＥＳ（青色発光領域）が複数設けられている。このように、表示領域ＤＡには、発光色が互いに異なる複数の発光素子ＬＥにおける複数の発光領域ＥＳが設けられている。

　なお、本実施形態では、発光素子ＲＬＥ、発光素子ＧＬＥ、発光素子ＢＬＥを特に区別する必要がない場合、これら発光素子ＲＬＥ、発光素子ＧＬＥ、発光素子ＢＬＥを総称して単に「発光素子ＬＥ」と称する。また、本実施形態では、発光素子ＲＬＥ、発光素子ＧＬＥ、発光素子ＢＬＥを特に区別する必要がない場合、これら発光領域ＲＥＳ、発光領域ＧＥＳ、発光領域ＢＥＳを総称して、単に「発光領域ＥＳ」と称する。また、発光素子ＬＥの各発光領域ＥＳにおける各層についても、発光領域ＲＥＳと発光領域ＧＥＳと発光領域ＢＥＳとで特に区別する必要がない場合、同様に総称するものとする。

　図３は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。なお、図３では、一例として、赤色発光する発光層を備えたＥＬ層３５Ｒが設けられた、表示装置１における、図２に示すＡ－Ａ’線矢視断面に対応する断面を例に挙げて図示している。しかしながら、図２に示すＡ－Ａ’線矢視断面と、Ｂ－Ｂ’線矢視断面と、Ｃ－Ｃ’線矢視断面とは、各断面における各発光素子ＬＥが、それぞれ、互いに異なる色の光を発する発光層を備えていることを除けば、同じ断面構成を有している。このため、以下では、Ａ－Ａ’線矢視断面の概略構成を、Ａ－Ａ’線矢視断面と、Ｂ－Ｂ’線矢視断面と、Ｃ－Ｃ’線矢視断面とに共通する構成として、サブ画素ＳＰ（発光素子ＬＥ）毎に区別することなく説明する。

　図３に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、発光素子層３と、封止層４とを、この順に備えている。以下では、アレイ基板２から封止層４に向かう方向を上方向とし、その逆方向を下方向として説明する。また、以下では、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を「下層」と称し、比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を「上層」と称する。なお、表示装置１における封止層４上には、図３に示すように、アプリケーションにより適宜選択された機能層５を備えていてもよい。

　アレイ基板２は、絶縁性基板２１上に、薄膜トランジスタ層２２が設けられた構成を有している。

　絶縁性基板２１は、薄膜トランジスタ層２２から機能層５までの各層を支持する支持体である。絶縁性基板２１は、例えば、ガラス、石英、セラミックス等の無機材料からなる無機基板であってもよく、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の樹脂を主成分とする可撓性基板であってもよい。絶縁性基板２１が可撓性基板である場合、絶縁性基板２１は、ポリイミド膜等の樹脂膜（樹脂層）で構成されていてもよく、二層の樹脂膜とこれら樹脂膜で挟まれた無機絶縁膜とで構成されていてもよい。

　また、絶縁性基板２１の表面には、水、酸素等の異物が薄膜トランジスタ層２２および発光素子層３に侵入することを防ぐためのバリア層が設けられていてもよい。このようなバリア層は、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長）法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　表示装置１は、絶縁性基板２１とは反対側（言い替えれば、発光素子層３における、後述する第３電極３６側）から光を射出する、トップエミッション型の表示装置である。このため、使用する絶縁性基板２１は特に限定されない。

　薄膜トランジスタ層２２には、発光素子層３を制御するサブ画素回路および該サブ画素回路に接続する、前記ゲート配線ＧＨおよびソース配線ＳＨを含む複数の配線が形成されている。サブ画素回路は、表示領域ＤＡに、各サブ画素ＳＰに対応して、サブ画素ＳＰ毎に設けられている。サブ画素回路は、図２および図３に示す薄膜トランジスタＴｒを含む複数の薄膜トランジスタを備えている。これら複数の薄膜トランジスタは、前述したゲート配線ＧＨおよびソース配線ＳＨ等の配線を含む複数の配線に電気的に接続されている。なお、これら薄膜トランジスタとしては、従来公知の構造を採用することができ、その構造は、特に限定されるものではない。

　薄膜トランジスタ層２２の表面には、薄膜トランジスタ層２２に設けられた、上記薄膜トランジスタＴｒを含む複数の薄膜トランジスタの表面を平坦化するように、これら複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化膜２２１が設けられている。平坦化膜２２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の、塗布可能な有機絶縁材料によって構成することができる。

　発光素子層３は、上述した複数の発光素子ＬＥを備えている。また、発光素子層３には、各発光素子ＬＥにおける、上述した複数の発光領域ＥＳが設けられている。これら発光領域ＥＳは、上述したように、画素単位で見れば、発光領域ＲＥＳ、発光領域ＧＥＳ、発光領域ＢＥＳを含む。なお、本実施形態では、上述したように、同一のサブ画素ＳＰ内に、発光色が同じ複数の発光領域ＥＳを備えている。

　発光素子層３は、第１電極３１、バンク３２（壁体）、第２電極３３、エッジカバー３４、ＥＬ層３５、第３電極３６、高屈折率材料層３７、補助配線３８（補助電極）、および低屈折率材料層３９を、薄膜トランジスタ層２２側からこの順に備えている。

　発光素子ＬＥは、各発光領域ＥＳに、それぞれ、第２電極３３と、少なくとも発光層を含むＥＬ層３５と、第３電極３６と、高屈折率材料層３７（第１屈折率層）と、低屈折率材料層３９（第２屈折率層）と、を含む。なお、本実施形態では、第２電極３３と第３電極３６との間の層を総称して、ＥＬ層３５と称する。

　第１電極３１は、各サブ画素回路における薄膜トランジスタＴｒとの接続電極である。第１電極３１は、図２および図３に示すように、平坦化膜２２１上に、例えば、平面視で、対応するサブ画素ＳＰ全体（言い換えれば、サブ画素領域全体）を覆うように、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されている。各サブ画素ＳＰにおける第１電極３１は、それぞれ、平坦化膜２２１にサブ画素ＳＰ毎に設けられたコンタクトホールＣＨを介して、ソース配線ＳＨと接続された、自サブ画素ＳＰの薄膜トランジスタＴｒのソース電極ＳＥと接続（電気的に接続）されている。

　また、平坦化膜２２１上には、発光領域ＥＳを形成させる膜として、第１電極３１の一部を露出させる開口部３２ａ（第１貫通口）を有するバンク３２が、第１電極３１を覆って形成されている。

　バンク３２は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の、感光性樹脂からなる有機絶縁膜である。

　本実施形態に係るバンク３２には、図２および図３に示すように、貫通口（第１貫通口）として、傾斜した開口側壁３２ａ１を有する例えば小孔形状の開口部３２ａ（貫通孔、クレータ）が複数設けられている。本実施形態では、図２に示すように、１つのサブ画素ＳＰ内に、上記小孔形状の開口部３２ａが複数設けられている。

　開口部３２ａは、その開口サイズ（直径）が下側ほど小さくなるように形成されていることが望ましい。したがって、開口部３２ａの内壁である、該開口部３２ａを囲む開口側壁３２ａ１は、断面視で逆テーパ状の開口部３２ａが形成されるように、開口部３２ａの開口サイズが下側ほど小さくなるように傾斜していることが望ましい。言い換えれば、開口部３２ａの開口側壁３２ａ１は、開口部３２ａの開口サイズが下側ほど小さくなるようなテーパ状の傾斜面（つまり、逆テーパ状の傾斜面）を有していることが好ましい。

　図３に示すように、バンク３２は、上記傾斜面（言い換えれば、傾斜した開口側壁３２ａ１）と、該バンク３２の下面（底面）とがなす角度（傾斜角度）をθ（°）とすると、θが、１５°≦θ≦４０°であることが好ましく、２０°≦θ≦３０°であることがより好ましい。

　また、図３に示すようにバンク３２の下側（下端側）の開口サイズ（直径）をφ１（μｍ）とすると、φ１は、１０μｍ≦φ１≦２０μｍであることが好ましく、１２μｍ≦φ１≦１５μｍであることがより好ましい。また、バンク３２の上側（上端側）の開口サイズ（直径）をφ２（μｍ）とすると、φ２は、１２μｍ≦φ２≦６５μｍ（但し、φ２＞φ１）であることが好ましく、１８μｍ≦φ２≦３２μｍ（但し、φ２＞φ１）であることがより好ましい。

　なお、本実施形態において、バンク３２の上側（上端側）とは、バンク３２における、第２電極３３側（つまり、第２電極３３形成面側）を示す。また、バンク３２の下側（下端側）とは、その反対側（第２電極３３側とは反対側）、つまり、バンク３２の絶縁性基板２１側を示す。また、バンク３２の下側（下端側）の開口サイズとは、バンク３２の開口部３２ａの下端側の開口径を示し、バンク３２の上側（上端側）の開口サイズとは、バンク３２の開口部３２ａの上端側の開口径を示す。

　また、図３に示すように、コンタクトホールＣＨおよび開口部３２ａ以外の部分におけるバンク３２の高さをｈ（μｍ）とすると、ｈは、１μｍ≦ｈ≦４μｍであることが好ましく、２μｍ≦ｈ≦３μｍであることがより好ましい。なお、コンタクトホールＣＨおよび開口部３２ａ以外の部分におけるバンク３２の高さは、バンク３２における、開口部３２ａの上端と下端との間の高さ（厚み）に等しい。

　第２電極３３は、発光素子ＬＥにおける、ＥＬ層３５を挟持する一対の電極のうちの下層電極である。第２電極３３は、バンク３２上に、各サブ画素ＳＰ内に位置するバンク３２の各開口部３２ａを、それらの開口側壁３２ａ１の傾斜面も含めて覆うように、バンク３２の表面に沿って形成されている。

　これにより、第２電極３３は、上記開口側壁３２ａ１上に、該開口側壁３２ａ１に沿って形成された、テーパ状の傾斜面を有している。

　また、第２電極３３は、バンク３２の各開口部３２ａで、これら開口部３２ａから露出する第１電極３１の一部に接触することで、該第１電極と接続（電気的に接続）されている。このため、第２電極３３は、第１電極３１を介して、ソース配線ＳＨと接続された薄膜トランジスタＴｒのソース電極ＳＥと電気的に接続されている。

　第２電極３３は、島状電極（サブ画素電極）として、図２に示すように、各サブ画素ＳＰにおける第１電極３１の一部と重畳するように、例えば、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されている。このため、第１電極３１および第２電極３３は、各サブ画素ＳＰ内における各発光領域ＥＳに共通して設けられており、それぞれ、各サブ画素ＳＰ（言い換えれば、各発光素子ＬＥ）に１つ設けられている。

　図４は、本実施形態に係る表示装置１における各サブ画素ＳＰの第２電極３３と補助配線３８とを並べて示す平面図である。なお、図４では、第２電極３３の凹部３３ａ（トレンチ部）および補助配線３８の開口部３８ａと、バンク３２の開口部３２ａとの関係を示すため、開口部３２ａを点線で示している。

　本実施形態では、第２電極３３は、図２および図４に示すように、バンク３２の開口形状に沿った凹部３３ａを複数有し、平面視で例えば矩形状に形成されている。第２電極３３は、凹部３３ａの底面において、バンク３２の開口部３２ａから露出する第１電極３１と接触している。

　第２電極３３は、バンク３２の各開口部３２ａに対応して開口部３４ａ（第３貫通口）が設けられた、複数の開口部３４ａ（第３貫通口）を有するエッジカバー３４で覆われている。エッジカバー３４は、第２電極３３が設けられたバンク３２上に、該バンク３２の上面、並びに、第２電極３３における、バンク３２の上面および開口側壁３２ａ１上に位置する部分を覆うように形成されている。第２電極３３における、凹部３３ａの底面は、エッジカバー３４で覆われておらず、エッジカバー３４の開口部３４ａから露出している。

　エッジカバー３４は、バンク３２の開口部３２ａの上端でＥＬ層３５が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、各発光領域ＥＳにおける第２電極３３と第３電極３６とが短絡することを防止するための絶縁層である。

　エッジカバー３４の材料には、例えば、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜等の無機絶縁膜や、ポリイミド、アクリル樹脂等の、感光性樹脂からなる有機絶縁膜が用いられる。

　本実施形態では、図３に示すように、エッジカバー３４に、第２電極３３における、バンク３２の上面および開口側壁３２ａ１上に位置する部分を覆い、凹部３３ａの底面を露出させる開口部３４ａを形成する。このため、エッジカバー３４の各開口部３４ａの開口サイズ（直径）は、バンク３２の開口部３２ａの下端側の開口径に大凡等しい。

　したがって、本実施形態に係るエッジカバー３４の開口サイズ（直径）は、１０μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、１２μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましい。

　本実施形態に係る表示装置１は、トップエミッション型の表示装置であり、光の取出し面側の電極である第３電極３６は透光性を有している。そして、図３に示すように第３電極３６上に設けられた補助配線３８は、図４に示すように、第２電極３３と同じ外形を有し、各開口部３２ａに対応して開口部３８ａ（第２貫通口）が設けられている。

　本実施形態では、図３に示すように、エッジカバー３４は、第２電極３３における、開口側壁３２ａ１上に位置する部分を覆っている。このため、本実施形態では、エッジカバー３４に、透光性を有する絶縁性のエッジカバーを使用することが望ましい。これにより、第２電極３３の傾斜面で反射された光を、開口側壁３２ａ１上に設けられた、第２電極３３の傾斜面を覆うエッジカバー３４を介して外部に取り出すことができる。

　また、これにより、本実施形態では、ＥＬ層３５が平面視で補助配線３８により覆われていない部分（言い換えれば、補助配線３８の開口部３２ａ内の領域）が、各サブ画素ＳＰ（言い換えれば、各発光素子ＬＥ）の発光領域ＥＳとなる。

　なお、本実施形態では、上述したように、第２電極３３における、バンク３２の上面および開口側壁３２ａ１上に位置する部分がエッジカバー３４により覆われている。このため、ＥＬ層３５における、第２電極３３の凹部３３ａの底面上の部分は、第２電極３３と第３電極３６とにそれぞれ接しているが、開口側壁３２ａ１上の部分は、第２電極３３とは接していない。このため、ＥＬ層３５は、その一部が、第２電極３３と第３電極３６とに隣接して設けられており、第２電極３３における、開口側壁３２ａ１上の部分は、電極ではなく、反射層として機能する。このため、ＥＬ層３５における開口側壁３２ａ１上の部分は、発光しておらず、ＥＬ層３５が、第２電極３３と第３電極３６とに隣接して設けられている部分（本実施形態では、第２電極３３の凹部３３ａの底面上の部分）が、ＥＬ層３５における発光層の発光領域となる。しかしながら、上述したように、第２電極３３における、開口側壁３２ａ１上の部分が反射層として機能することで、発光層から発せられて反射した光は、平面視で、開口側壁３２ａ１上の部分からも取り出すことができる。したがって、本開示では、発光層の発光領域であるか否かに拘らず、発光素子ＬＥが外部に光を発する領域を、各サブ画素ＳＰ（言い換えれば、各発光素子ＬＥ）の発光領域ＥＳと称する。

　なお、エッジカバー３４の厚みは、第２電極３３を第３電極３６から絶縁することができる厚みに形成されていれば、特に限定されない。エッジカバー３４は、例えば、従来公知の絶縁層やエッジカバーと同様の厚みに設定することができるが、第３電極３６の段切れを抑制するために、絶縁可能な範囲内で薄く形成することが好ましい。

　第３電極３６は、発光素子ＬＥの上層電極である。第３電極３６は、全サブ画素ＳＰに共通する共通電極として、複数のサブ画素ＳＰが形成されたサブ画素領域にベタ状に形成されている。

　第２電極３３および第３電極３６は、一方がアノード（陽極）であり、他方がカソード（陰極）である。アノードは、電圧が印加されることにより、正孔（ホール）をＥＬ層３５に供給する電極である。カソードは、電圧が印加されることにより、電子をＥＬ層３５に供給する電極である。

　本実施形態では、第３電極３６に、透光性を有する透光性電極が使用され、第２電極３３に、光反射性を有するいわゆる反射電極が使用される。

　第３電極３６には、高屈折率材料層３７を支持するために、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透光性電極が好適に用いられる。

　補助配線３８は、このように透明導電膜からなる第３電極３６を低抵抗化し、ＩＲ（電流－配線抵抗）ドロップを図るために、第３電極３６上に、該第３電極３６の一部に接して島状に形成されている。このため、補助配線３８は、第３電極３６と同一の電位を有している。

　補助配線３８は、金属配線である。補助配線３８には、第３電極３６よりも導電性が高い、Ａｇ（銀）、Ａｇ合金等の、金属材料が用いられる。

　第２電極３３には、例えば、Ａｇ、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、それら金属を含む合金、等の光反射性材料からなる反射電極が用いられる。なお、第２電極３３は、透光性材料と光反射性材料とを積層することで反射電極としてもよい。一例として、本実施形態では、第２電極３３として、例えば、Ａｇを含むＡｇ合金とＩＴＯとを下層側からＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯの順に積層してなる積層体、ＡｇとＩＴＯとを下層側からＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの順に積層してなる積層体、ＡｌとＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）とを下層側からＡｌ／ＩＺＯの順に積層してなる積層体、等からなる反射電極を使用する。

　第１電極３１は、透光性電極であってもよく、反射電極であってもよい。第１電極３１に用いられる透光性電極としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡｇＮＷ（銀ナノワイヤ）、ＭｇＡｇ（マグネシウム－銀）合金の薄膜、Ａｇの薄膜等からなる透光性電極が挙げられる。また、第１電極３１に用いられる反射電極としては、上記例示の光反射性材料からなる反射電極が挙げられる。なお、第１電極３１でも、第２電極３３同様、透光性材料と光反射性材料とを積層することで反射電極としてもよい。

　ＥＬ層３５は、第２電極３３における、凹部３３ａの底面、および、エッジカバー３４で覆われた、凹部３３ａの傾斜面を覆うように、第２電極３３の表面およびエッジカバー３４の表面の一部に沿って島状に形成されている。

　これにより、ＥＬ層３５は、第２電極３３の傾斜面を覆うエッジカバー３４の傾斜面上に、該傾斜面に沿って形成された、テーパ状の傾斜面を有している。

　第３電極３６は、このＥＬ層３５の傾斜面も含めてＥＬ層３５の表面を覆うように、ＥＬ層３５およびエッジカバー３４上に、これらＥＬ層３５およびエッジカバー３４の表面に沿って形成されている。

　これにより、第３電極３６は、ＥＬ層３５の傾斜面上に、該傾斜面に沿って形成された、テーパ状の傾斜面を有している。

　このため、第２電極３３、ＥＬ層３５、および第３電極３６は、それぞれ、バンク３２の開口部３２ａ内に、該開口部３２ａの開口側壁３２ａ１の形状に追従した、テーパ状の側壁（内壁、傾斜面）を有する凹部（トレンチ部）を有している。ＥＬ層３５には、上記凹部として、凹部３５ａが設けられている。第３電極３６には、上記凹部として、凹部３６ａが設けられている。

　発光素子ＬＥは、例えば、ＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）であってもよいし、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）であってもよい。発光素子ＬＥがＱＬＥＤである場合、発光層には、発光材料としてＱＤ（量子ドット）を含むＱＤ発光層（量子ドット発光層）が用いられる。発光素子ＬＥがＯＬＥＤである場合、発光層には、発光材料として有機発光材料を用いた有機発光層が用いられる。

　発光素子ＬＥがＱＬＥＤである場合、アノードとカソードとの間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、ＱＤの伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で光が放出される。発光素子ＬＥがＯＬＥＤである場合、アノードとカソードとの間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。但し、発光素子ＬＥは、ＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（例えば無機発光ダイオード等）であってもよい。

　なお、ＥＬ層３５は、発光層のみからなる単層型であってもよいし、発光層以外の機能層を含む多層型であってもよい。ＥＬ層３５は、発光層以外に、例えば、ＨＩＬ（正孔注入層）、ＨＴＬ（正孔輸送層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）のうち少なくとも一層を含んでいてもよい。

　発光素子ＬＥがＱＬＥＤである場合、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬは、それぞれ有機材料により形成されてもよいし、無機材料により形成されてもよい。発光素子ＬＥがＯＬＥＤである場合、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬには、例えば、それぞれ有機材料が用いられる。

　図５は、本実施形態に係る表示装置１における発光素子ＬＥの各発光領域ＥＳでの積層構造の一例を模式的に示す図である。図５では、表示装置１が、コンベンショナル構造を有している場合を例に挙げて図示している。この場合、第２電極３３が島状にパターン形成されたアノード（パターン陽極）であり、第３電極３６が全サブ画素ＳＰに共通して設けられたカソード（共通陰極）である。

　また、図５に示す例では、第２電極３３と第３電極３６との間には、ＥＬ層３５として、第２電極３３側から、ＨＩＬ３５１、ＨＴＬ３５２、ＥＭＬ３５３、ＥＴＬ３５４が、この順に形成されている。なお、上記積層順は、上述したように第２電極３３をアノードとし、第３電極３６をカソードとしたものである。表示装置１は、インバーテッド構造を有していてもよく、第２電極３３がカソードであり、第３電極３６がアノードであってもよい。この場合、ＥＬ層３５の積層順は、図４とは反転する。

　なお、以下では、発光素子ＬＥがＱＬＥＤであり、ＥＬ層３５が、発光材料としてナノサイズのＱＤを含むＱＤ発光層を備えた、ナノＬＥＤ（発光ダイオード）層である場合を例に挙げて説明する。

　ＱＬＥＤは、発光材料であるＱＤが有する狭小化された発光特性を利用することから、従来ＯＬＥＤで適用される、反射電極と半透過電極によるマイクロキャビティ効果による発光スペクトルの狭小化を必要としない。このため、上層電極である第２電極３３に透明電極を用いることができる。また、発光材料であるＱＤが無機材料であることから、プロセス耐性が高く、発光層形成工程後に補助配線３８のパターニングプロセスを行うことができる。

　しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、上述したように、発光素子ＬＥは、ＯＬＥＤであってもよく、無機発光ダイオードであってもよい。

　ＨＩＬ３５１は、正孔輸送性を有し、第２電極３３からＥＭＬ３５３への正孔の注入を促進する。ＨＩＬ３５１には、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。ＨＩＬ３５１に用いられる正孔輸送性材料としては、例えば、ポリ(３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との複合物（略称「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、ＣｕＳＣＮ（チオシアン酸銅）等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。これら正孔輸送性材料のなかでも、後述するＥＭＬ３５３のパターニングプロセスに対する耐性が高いことから、ＨＩＬ３５１に用いられる正孔輸送性材料は、ＮｉＯナノ粒子を含んでいることが、より望ましい。

　ＨＴＬ３５２は、正孔輸送性を有し、ＨＩＬ３５１から注入された正孔をＥＭＬ３５３に輸送する。ＨＴＬ３５２には、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。ＨＴＬ３５２に用いられる正孔輸送性材料としては、例えば、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（略称「ＴＦＢ」）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］（略称「ｐ－ＴＰＤ」）、ポリビニルカルバゾール（略称「ＰＶＫ」）等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。

　ＥＴＬ３５４は、電子輸送性を有し、第３電極３６からＥＭＬ３５３に電子を輸送する。ＥＴＬ３５４には、公知の電子輸送性材料を用いることができる。ＥＴＬ３５４に用いられる電子輸送性材料としては、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＭｇＺｎＯ（酸化亜鉛マグネシウム）等が挙げられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。

　ＥＭＬ３５３は、第２電極３３（アノード）から輸送された正孔と、第３電極３６（カソード）から輸送された電子との再結合が発生することにより光を発する発光層である。

　発光素子ＬＥがＱＬＥＤである場合、ＥＭＬ３５３には、上述したように、発光材料としてＱＤを含むＱＤ発光層が用いられる。

　ＱＤは、特に限定されるものではなく、公知の各種ＱＤを用いることができる。上記ＱＤは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている半導体材料を含んでいてもよい。また、上記ＱＤは、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。

　なお、前述したように、サブ画素ＲＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光領域ＲＥＳが設けられる。発光領域ＲＥＳには、ＥＬ層３５（この場合、ＥＬ層３５Ｒ）として、発光材料に赤色ＱＤを用いたＥＭＬ３５３を備えたＥＬ層３５が形成される。また、サブ画素ＧＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光領域ＧＥＳが設けられる。発光領域ＧＥＳには、ＥＬ層３５として、発光材料に緑色ＱＤを用いたＥＭＬ３５３を備えたＥＬ層３５が形成される。サブ画素ＢＳＰには、発光領域ＥＳとして、発光領域ＢＥＳが設けられる。発光領域ＢＥＳには、ＥＬ層３５として、発光材料に青色ＱＤを用いたＥＭＬ３５３を備えたＥＬ層３５が形成される。

　同一のサブ画素ＳＰ（言い換えれば、同一の発光素子ＬＥ）に設けられた発光領域ＥＳの発光色は、何れも同一である。したがって、同一のサブ画素ＳＰは、同種のＱＤを備えている。

　このため、ＥＭＬ３５３は、各開口部３２ａに対応して、発光領域ＥＳ毎に島状に形成されていてもよく、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されていてもよい。

　何れにしても、発光領域ＥＳは、上述したように、バンク３２の開口部３２ａにそれぞれ対応して形成されており、本実施形態では、バンク３２は、各サブ画素ＳＰ内に、複数の開口部３２ａを有している。このため、同じサブ画素ＳＰ内における開口部３２ａには、何れも、同じ発光色を有するＥＭＬ３５３が形成される。

　なお、ＥＬ層３５に含まれる、ＥＭＬ３５３以外の層は、それぞれ、発光領域ＥＳ毎に島状に形成されていてもよく、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されていてもよく、全サブ画素ＳＰに共通してベタ状に形成されていてもよい。図３では、一例として、ＥＬ層３５における各層が、何れも、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されている場合を例に挙げて図示している。

　高屈折率材料層３７および低屈折率材料層３９は、ＥＭＬ３５３から発せられる光を屈折させる光学層として機能するとともに、第３電極３６を保護する保護層として機能する。

　また、高屈折率材料層３７は、バンク３２の開口部３２ａにおける第３電極３６の凹部３６ａを充填する充填材として機能するとともに、補助配線３８のパターニング時のエッチング液からＥＬ層３５を保護する保護層としても機能する。

　高屈折率材料層３７は、第３電極３６上における、バンク３２の開口部３２ａに対応する位置に、該バンク３２の開口部３２ａにおける上記凹部３６ａを埋めるように形成されている。言い換えれば、高屈折率材料層３７は、第２電極３３、ＥＬ層３５、および第３電極３６が形成された、バンク３２の開口部３２ａ内に、該開口部３２ａ内（厳密には、第３電極３６の凹部３６ａ内）を埋めるように形成されている。

　このように高屈折率材料層３７が開口部３２ａ内（厳密には、第３電極３６の凹部３６ａ内）を埋めるように形成されていることで、バンク３２の開口側壁３２ａ１の傾斜面を覆う第２電極３３で反射された光を効率良く外部に取り出すことができる。

　補助配線３８は、第３電極３６上に、上記凹部３６ａにおける高屈折率材料層３７の周端部を覆うように該高屈折率材料層３７に隣接して形成されている。前述したように、補助配線３８は、複数の開口部３８ａを備えている。これら開口部３８ａは、バンク３２の各開口部３２ａに対応して設けられている。言い換えれば、これら開口部３８ａは、第３電極３６の各凹部３６ａに対応して設けられており、各凹部３６ａに設けられた高屈折率材料層３７を、各開口部３８ａから露出させるようになっている。

　図４に示すように、開口部３８ａは、平面視で、凹部３６ａよりも一回り小さく形成されている。このため、補助配線３８は、凹部３６ａ内を埋めるように島状に形成された高屈折率材料層３７上に開口端（外縁）を有する開口部３８を有している。補助配線３８は、
図３に示すように、島状に形成された高屈折率材料層３７の周端部に、該補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む領域（周端部）が重畳するように形成されている。該補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部は、高屈折率材料層３７の周端部に乗り上げている。言い換えれば、補助配線３８は、平面視で、該補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部が、高屈折率材料層３７の周端部を覆っている。このため、本実施形態では、補助配線３８は、該補助配線３８における、開口部３８ａを囲む周端部の下面が、高屈折率材料層３７の周端部の上面と接している。

　なお、ここで、高屈折率材料層３７の周端部とは、凹部３６ａを埋めるように島状に形成された高屈折率材料層３７の端部（周縁部分）を示す。また、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部とは、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む、開口部３８ａ側の端部を示す。

　本実施形態によれば、上記ＥＬ層３５が、第３電極３６を介して高屈折率材料層３７で覆われていることで、補助配線３８のパターニング時にエッチング液がＥＬ層３５に浸透することを抑制あるいは防止することができる。また、上述したように、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部が、高屈折率材料層３７の周端部を覆っているので、高屈折率材料層３７の周端部からの上記エッチング液の浸透も抑制あるいは防止することができる。このため、本実施形態によれば、補助配線３８のパターニング時のエッチング液がＥＬ層３５に浸透してＥＬ層３５にダメージを与えることを抑制あるいは防止することができる。したがって、本実施形態によれば、補助配線３８の形成による第３電極３６の低抵抗化と、光取り出し効率の改善とを、両立することができる。

　図４に示すように、平面視での、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部と、高屈折率材料層３７の周端部との重なり幅をｄ（μｍ）とすると、ｄは、０．５μｍ以上（但し、φ２＞２×ｄ）であることが好ましい。また、ｄは、１．０μｍ以上（但し、φ２＞２×ｄ）であることがより好ましい。これにより、補助配線３８のパターニング時のエッチング液がＥＬ層３５に浸透してＥＬ層３５にダメージを与えることを、より効果的に抑制することができる。

　なお、ｄは、平面視で、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部が高屈折率材料層３７の周端部を覆っている部分における、高屈折率材料層３７の一端と開口部３８ａの開口端との最短距離で示される。

　また、第３電極３６の凹部３６ａの側壁３６ａ１（傾斜面）の上端と下端との平面視での最短距離をＤ（μｍ）とすると、ｄ＜Ｄであることが好ましく、ｄ≦１／４×Ｄであることがより好ましい。なお、Ｄは、（φ２－φ１）／２に略等しい。したがって、Ｄは、（φ２－φ１）／２と言い換えることができる。ｄ＜Ｄとすることで、平面視で開口側壁３２ａ１上における、補助配線３８で覆われていない領域から、該領域に設けられた第２電極３３で反射させた光を、正面方向に取り出すことができる。これにより、開口側壁３２ａ１上の反射層としての第２電極３３を効率的に利用することができる。

　また、本実施形態において、Ｄは、１μｍ≦Ｄ≦２２．５μｍであることが好ましく、３μｍ≦Ｄ≦８．５μｍであることがより好ましい。したがって、ｄは、具体的には、ｄ＜５．６μｍであることが好ましく、ｄ≦２．１μｍであることがより好ましい。

　また、図３および図４に示すように補助配線３８の開口部３８ａの開口サイズ（直径）をφ３（μｍ）とすると、φ３は、φ３＜φ２である。具体的には、φ３は、１７μｍ≦φ３≦５４μｍ（但し、φ３＜φ２）であることが好ましく、１９μｍ≦φ３≦２８μｍ（但し、φ３＜φ２）であることがより好ましい。

　開口部３８ａの開口端は、平面視で、バンクの開口部３２ａの下端よりも外側、つまり、第３電極３６の凹部３６ａの側壁３６ａ１（傾斜面）の上端と下端との間に位置することになる。このため、平面視で開口側壁３２ａ１上における、補助配線３８で覆われていない領域から、該領域に設けられた第２電極３３で反射させた光を、正面方向に取り出すことができる。したがって、開口側壁３２ａ１上の反射層としての第２電極３３を効率的に利用することができる。

　なお、混色を防止するために、高屈折率材料層３７は、バンク３２の開口部３２ａ毎に島状に形成されていることが望ましい。

　バンクの開口部３２ａの下端上の高屈折率材料層３７の厚みは、１．０μｍ以上であることが望ましく、２μｍ以上であることがより望ましい。一方、高屈折率材料層３７の厚みが厚すぎると、高精細化が困難なことから、上記Ｈ２は、４μｍ以下であることが望ましく、３μｍ以下であることがより望ましい。

　低屈折率材料層３９は、第３電極３６上に、高屈折率材料層３７および補助配線３８を覆うように、これら第３電極３６、高屈折率材料層３７、および補助配線３８に隣接して形成されている。低屈折率材料層３９は、第３電極３６および補助配線３８を保護するため、第３電極３６および補助配線３８全体を覆うように、全サブ画素ＳＰに共通して設けられた共通層である。

　高屈折率材料層３７は、低屈折率材料層３９の屈折率よりも屈折率が高い材料で形成される。これにより、高屈折率材料層３７に入射した光の一部を低屈折率材料層３９との界面で反射させてバンク３２上に形成されている反射面に導くことができ、正面方向の輝度向上に寄与できる。つまり、本実施形態によれば、このように高屈折率材料層３７を設けることで、開口側壁３２ａ１上の反射層としての第２電極３３を効率的に利用することができる。

　一方、低屈折率材料層３９は、高屈折率材料層３７の屈折率よりも屈折率が低い材料で形成される。このように上記開口部３２ａ内に高屈折率材料層３７が形成されているとともに低屈折率材料層３９が高屈折率材料層３７上に該高屈折率材料層３７に隣接して形成されていることで、高屈折率材料層３７と低屈折率材料層３９との界面で、ＥＭＬ３５３からの光を全反射させ、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１の傾斜面に向かわせて、その導光成分を、光取り出し方向（正面方向）から取り出すことができる。

　高屈折率材料層３７の屈折率は、低屈折率材料層３９の屈折率よりも高ければ特に限定されるものではないが、１．７以上であることが望ましく、１．８以上であることがより望ましい。なお、高屈折率材料層３７の屈折率は、低屈折率材料層３９の屈折率との屈折率差を大きくすることができればできるだけよく、その下限は特に限定されるものではない。しかしながら、屈折率を向上させるための添加物を多く含むと、パターニング性能が低下する懸念がある。このため、高屈折率材料層３７の屈折率は、２．０以下であることが望ましい。

　上記高屈折率材料層３７の形成に用いられる高屈折率材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、および、それらの樹脂に酸化物を添加した材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の有機絶縁材料が挙げられる。

　低屈折率材料層３９の屈折率は、高屈折率材料層３７の屈折率よりも低ければ特に限定されるものではないが、１．４以下であることが望ましく、１．３以下であることがより望ましい。なお、低屈折率材料層３９の屈折率は、高屈折率材料層３７の屈折率との屈折率差を大きくすることができればできるだけよく、その上限は特に限定されるものではない。しかしながら、屈折率を低下させるために空隙を増加させると、信頼性の懸念が生じる。このため、低屈折率材料層３９の屈折率は、１．２以上であることが望ましい。

　上記低屈折率材料層３９の形成に用いられる低屈折率材料としては、例えば、シロキサン系樹脂等が挙げられる。なお、高屈折率材料層３７と同様に、低屈折率材料層３９も、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を組み合わせて用いてもよい。なお、本開示において、屈折率とは、可視光領域における絶対屈折率を示す。

　また、高屈折率材料層３７および低屈折率材料層３９は、それぞれ単層であってもよく、積層構造を有していてもよい。なお、低屈折率材料層３９の厚みは、特に限定されない。

　封止層４は、発光素子層３への水、酸素等の異物の浸透を防ぐ層である。図３に示すように、封止層４は、例えば、上記低屈折率材料層３９を覆う無機封止膜４１と、無機封止膜４１よりも上層の有機バッファ膜４２と、有機バッファ膜４２よりも上層の無機封止膜４３と、を含む。

　無機封止膜４１および無機封止膜４３は、透光性無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で構成することができる。有機バッファ膜４２は、平坦化効果のある透光性有機絶縁膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜４２は、例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるための図示しないバンクを、額縁領域ＮＤＡに設けてもよい。

　なお、薄膜トランジスタ層２２、第２電極３３、ＥＬ層３５、第３電極３６、および封止層４の材料並びに厚みは、特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。

　封止層４上には、アプリケーションにより適宜選択された機能層５が形成される。機能層５は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能のうち少なくとも１つの機能を有する機能フィルムであってもよく、タッチパネル、偏光板、カバーガラス等のガラス基板であってもよい。

　（表示装置１の製造方法）
　次に、上記表示装置１の製造方法について説明する。

　図６は、本実施形態に係る表示装置１の製造工程の一例を示すフローチャートである。

　表示装置１としてフレキシブルな表示装置を製造する場合、図６に示すように、まず、図示しない透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に、絶縁性基板２１となる樹脂層を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層を形成する（ステップＳ２）。次いで、薄膜トランジスタ層２２を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層３を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層４を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層４上に、図示しない、保護用の上面フィルムを一次的に貼り付ける（ステップＳ６）。次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層の下面に図示しない下面フィルムを貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム、樹脂層、バリア層、薄膜トランジスタ層２２、発光素子層３、封止層４、上面フィルムを含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片から上面フィルムを剥離した後（ステップＳ１０）、機能層５として機能フィルムを貼り付ける（ステップＳ１１）。次いで、複数の画素Ｐ（複数のサブ画素ＳＰ）が形成された表示領域ＤＡよりも外側（額縁領域ＮＤＡ）の一部（端子部ＴＳ）に図示しない電子回路基板（例えば、ＩＣチップ、ＦＰＣ等）を実装する（ステップＳ１２）。なお、ステップＳ１～Ｓ１２は、表示装置の製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。

　なお、上面フィルムは、上述したように封止層４上に貼り付けられ、支持基板を剥離したときの支持材として機能する。上面フィルムとしては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等が挙げられる。下面フィルムは、支持基板を剥離した後に樹脂層の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示装置１を実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。なお、樹脂層およびバリア層としては、前述した通りである。

　なお、上記説明では、フレキシブルな表示装置１の製造方法について説明したが、非フレキシブルな表示装置１を製造する場合は、一般的に、樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要である。このため、非フレキシブルな表示装置１を製造する場合、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後、ステップＳ９に移行する。

　図７は、図６にステップＳ４で示す発光素子層３の形成工程の一例を示すフローチャートである。

　発光素子層３の形成工程では、図７に示すように、まず、薄膜トランジスタ層２２上に、第１電極３１を形成する（ステップＳ２１）。次いで、バンク３２を形成する（ステップＳ２２）。次いで、第２電極３３を形成する（ステップＳ２３）。次いで、エッジカバー３４を形成する（ステップＳ２４）。次いで、ＨＩＬ３５１（正孔注入層）を形成する（ステップＳ２５）。次いで、ＨＴＬ３５２（正孔輸送層）を形成する（ステップＳ２６）。次いで、ＥＭＬ３５３（発光層）を形成する（ステップＳ２７）。次いで、ＥＴＬ３５４（電子輸送層）を形成する（ステップＳ２８）。次いで、第３電極３６を形成する（ステップＳ２９）。次いで、高屈折率材料層３７を形成する（ステップＳ３０）。次いで、補助配線３８を形成する（ステップＳ３１）。次いで、低屈折率材料層３９を形成する（ステップＳ３１）。

　図８は、図７に示す発光素子層３の要部の形成工程の一例を示す断面図である。図８は、図７に示すステップＳ２９～Ｓ３１の工程を示している。なお、図８では、図示の便宜上、ＨＩＬ３５１、ＨＴＬ３５２、ＥＭＬ３５３、ＥＴＬ３５４の個別の図示を省略し、それらをまとめて、ＥＬ層３５として図示している。

　なお、第１電極３１、第２電極３３、および第３電極３６は、例えば、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）、スピンコート法、インクジェット法等により形成することができる。

　また、バンク３２およびエッジカバー３４は、例えば、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等のＰＶＤ、スピンコート法、インクジェット法等で堆積させた絶縁材料からなる層を、フォトリソグラフィ法等によりパターニングすることで、所望の形状に形成することができる。

　本実施形態では、図８にＳ２９で示すように、バンク３２が、第１電極３１を露出させる開口部３２ａを有するとともに、開口部３２ａが、テーパ状の傾斜面を有する開口側壁３２ａ１を有するように、バンク３２を形成する。そして、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１に沿った傾斜面をそれぞれ有するように、凹部３３ａを有する第２電極３３、開口部３４ａを有するエッジカバー３４ａ、凹部３５ａを有するＥＬ層３５、凹部３６ａを有する第３電極３６を、順に形成する。

　なお、ＨＩＬ３５１、ＨＴＬ３５２、ＥＴＬ３５４の成膜には、例えば、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等のＰＶＤ、スピンコート法、インクジェット法等が用いられる。

　ＥＭＬ３５３が上述したようにＱＤ発光層である場合、例えば、まず、下地層（図５に示す例ではＨＩＬ３５１）上の、被ＱＤ発光層形成領域以外の領域（形成対象のＱＤ発光層の非形成領域）に、リフトオフ用のテンプレートを形成する。次いで、上記下地層上に、ＱＤと溶媒とを含むＱＤ分散液を塗布し、上記テンプレートを剥離する。これにより、被ＱＤ発光層形成領域に、所望のＱＤ発光層をパターン形成することができる。

　なお、上記テンプレートは、例えば、該テンプレート用のレジストを塗布した後、仮焼成して、ＵＶ（紫外線）マスク露光した後、現像することで形成することができる。

　前記したように表示装置１がサブ画素ＳＰとして、例えば、サブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、サブ画素ＢＳＰを備えている場合、上記テンプレートの形成～上記テンプレートの剥離までの工程を繰り返し３回行うことで、３色のＱＤ発光層を形成することができる。

　なお、ＥＭＬ３５３が例えば有機発光材料からなる発光層である場合、ＥＭＬ３５３の形成には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、インクジェット法等を用いることができる。

　高屈折率材料層３７は、図８にＳ３０で示すように、下地層となる第３電極３６上に、該第３電極３６の凹部３６ａを埋めるように前記高屈折率材料を塗布した後、仮焼成し、ＵＶマスク露光を行った後、現像し、本焼成を行うことで形成することができる。

　補助配線３８は、図８にＳ３１で示すように、まず、第３電極３６上に、高屈折率材料層３７を覆うように、補助配線３８となる、Ａｇ膜等の金属膜１３８を成膜する。次いで、上記金属膜１３８上に、フォトレジストを成膜し、パターン露光後、現像する。これにより、金属膜１３８の非除去部を覆う、上記フォトレジストからなるフォトレジストパターン１０１を形成する。次いで、上記フォトレジストパターン１０１をマスクとしてエッチング液１０２を滴下することにより、金属膜１３８をパターニングする。これにより、上記金属膜１３８からなり、第３電極３６の凹部３６ａに対応して開口部３８ａを有するとともに、凹部３６ａ内に充填された高屈折率材料層３７の周端部のみを覆う補助配線３８を形成する。なお、ここで、補助配線３８が、高屈折率材料層３７の周端部のみを覆うとは、前述したように、高屈折率材料層３７の周端部を、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部が覆うことを示す。

　上記エッチング液１０２には、金属を溶解させることができる酸性エッチング液が使用される。

　本実施形態では、上述したように、金属膜１３８のパターニング前に、高屈折率材料層３７が形成される。このため、ＥＬ層３５は、第３電極３６を介して高屈折率材料層３７で覆われており、上記補助配線３８をパターン形成する際にエッチング液１０２がＥＬ層３５に浸透することを抑制あるいは防止することができる。また、上述したように、補助配線３８における、開口部３８ａを取り囲む周端部が、高屈折率材料層３７の周端部を覆っているので、高屈折率材料層３７の周端部からのエッチング液１０２の浸透も抑制あるいは防止することができる。このため、本実施形態によれば、上記エッチング液１０２によるＥＬ層３５のダメージを抑制あるいは防止することができる。

　その後、レジスト溶剤を用いて上記フォトレジストパターン１０１を除去した後、図８にＳ３２で示すように、低屈折率材料層３９を、上記第３電極３６上に、高屈折率材料層３７および補助配線３８を覆うように形成する。

　高屈折率材料層３７の塗布並びに低屈折率材料層３９の形成には、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等を用いることができる。

　なお、上記説明では、ＥＭＬ３５３の形成にのみリフトオフ用のテンプレートを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、ＥＬ層３５における、ＥＭＬ３５３以外の層の形成にもリフトオフ用のテンプレートを用いてもよい。

　（効果）
　次に、本実施形態に係る表示装置１による効果について、図９～図１１を参照して以下に説明する。

　図９は、上層電極上に補助配線を形成する従来の方法を、本実施形態に係る表示装置１の製造方法に適用したときの、発光素子層３の要部の形成工程の一例を示す断面図である。図９では、ステップＳ２９の後、ステップＳ３１を行い、その後、ステップＳ３０、ステップＳ３２を行う場合を例に挙げて図示している。

　このため、図９では、ステップＳ２９の後、第３電極３６上に、該第３電極３６全体を覆うように、Ａｇ膜等の金属膜１３８を成膜する。この場合、第３電極３６上に、該第３電極３６の凹部３６ａに沿った凹部を有する金属膜１３８が形成される。その後、上記金属膜１３８上に、フォトレジストを成膜し、パターン露光後、現像する。これにより、金属膜１３８の非除去部を覆う、上記フォトレジストからなるフォトレジストパターン１０１を形成する。次いで、上記フォトレジストパターン１０１をマスクとしてエッチング液１０２を滴下することにより、金属膜１３８をパターニングする。これにより、上記金属膜１３８からなり、第３電極３６の凹部３６ａに対応して開口部３８ａ’を有する補助配線３８’を形成する。

　このとき、図９に示す例では、凹部３６ａ内に高屈折率材料層３７が形成されていないことから、エッチング液１０２がＥＬ層３５に浸透して、ＥＬ層３５にダメージを与える。

　その後、レジスト溶剤を用いて上記フォトレジストパターン１０１を除去した後、図９にＳ３０で示すように、高屈折率材料層３７を、補助配線３８’の開口部３８’から露出している第３電極３６上に、該第３電極３６の凹部３６ａを埋めるように形成する。したがって、この場合、高屈折率材料層３７の周端部は、補助配線３８’における、開口部３８ａ’の側壁あるいは開口部３８ａ’を囲む周端部の上面と接して形成される。

　次いで、図８にＳ３２で示すように、低屈折率材料層３９を、第３電極３６上に、高屈折率材料層３７および補助配線３８’を覆うように形成する。

　このように、補助配線３８’をパターン形成する際にＥＬ層３７が高屈折率材料層３７で覆われていない場合、ＥＬ層３５が、エッチング液１０２によってダメージを受けてしまう。このため、補助配線３８’を形成することで、該補助配線３８’によりＩＲドロップを抑制することができたとしても、上記ダメージにより、発光効率が低下してしまう。したがって、この場合、補助配線３８の形成による第３電極３６の低抵抗化と、光取り出し効率の改善とを、両立することができない。

　これに対し、本実施形態によれば、上述したように、金属膜１３８のパターニング前に高屈折率材料層３７を形成する。そして、補助配線３８における、開口部３８ａを囲む周端部が、高屈折率材料層３７の周端部を覆っている。これにより、補助配線３８の形成による第３電極３６の低抵抗化と、光取り出し効率の改善とを、両立することができる。

　また、図１０は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層３における発光領域ＥＳ内での光の光路を示す断面図である。

　前述したように、本実施形態に係る表示装置１は、傾斜した開口側壁３２ａ１（具体的には、テーパ状の傾斜面を有する開口側壁３２ａ１）を有する開口部３２ａが設けられたバンク３２と、上記開口部３２ａを塞ぐようにバンク３２上に形成された第２電極３３と、第２電極３３の上方に形成された第３電極３６と、第２電極３３と第３電極３６との間に、これら第２電極３３と第３電極３６とにそれぞれ隣接して形成された、少なくともＥＭＬ３５３を有するＥＬ層３５と、を備えている。第２電極３３は、上記開口側壁３２ａ１上に、該開口側壁３２ａ１に沿って形成された傾斜面を有している。ＥＬ層３５は、上記第２電極３３の傾斜面上に、該第２電極３３の傾斜面に沿って形成された傾斜面を有している。第３電極３６は、凹部３６ａの側壁３６ａ１として、上記ＥＬ層３５の傾斜面上に、該ＥＬ層３５の傾斜面に沿って形成された傾斜面を有している。

　このような表示装置１において、第２電極３３と第３電極３６との間に、発光閾値電流以上の電流を供給すると、その間のＥＭＬ３５３が発光する。ＥＭＬ３５３から発光した光のうち、全反射角（臨界角）よりも小さな角度（入射角）で第３電極３６に入射した光は、第３電極３６、高屈折率材料層３７、および低屈折率材料層３９を通って、表示装置１の光取り出し方向（正面方向）に向かって、補助配線３８の開口部３８ａから、外部に放出される。

　一方、ＥＭＬ３５３から発光した光のうち、全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）でＥＬ層３５と第３電極３６との界面に入射した光は、該界面で全反射される。このＥＬ層３５と第３電極３６との界面で全反射した光は、バンク３２の開口部３２ａ内で、第２電極３３とＥＬ層３５との界面および第３電極３６とＥＬ層３５との界面で反射しながら、ＥＬ層３５内を、その面内方向に伝播する。そして、このＥＬ層３５内を伝播した光が、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１上に形成された第２電極３３の傾斜面に到達すると、該傾斜面で反射され、第３電極３６、高屈折率材料層３７、および低屈折率材料層３９を介して、補助配線３８の開口部３８ａから、表示装置１の光取り出し方向（正面方向）に向かって、外部に出射される。

　また、本実施形態では、上述したように、バンク３２の開口部３２ａ内（より厳密には、開口部３２ａ内における、第３電極３６の開口部３６ａ内）に、高屈折率材料層３７が形成されている。さらに、該高屈折率材料層３７上に、該高屈折率材料層３７に隣接して、低屈折率材料層３９が形成されている。このため、高屈折率材料層３７と低屈折率材料層３９との界面に、臨界角以上の入射角で入射した光を全反射させて、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１の傾斜面に向かわせて、その導光成分を、光取り出し方向（正面方向）から取り出すことができる。

　本実施形態では、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１上に、第２電極３３が形成されている。この開口側壁３２ａ１上に形成された第２電極３３は、反射層として機能する。このため、上述したように、全反射によりＥＬ層３５内を上記開口側壁３２ａ１に向かって伝播（導光）した光（導光成分）、並びに、高屈折率材料層３７と低屈折率材料層３９との界面で反射させた光を反射させることができる。このように、本実施形態では、上記開口側壁３２ａ１に設けた、反射層としての第２電極３３（言い換えれば、反射面となる第２電極３３の傾斜面）で上記光を反射させて、表示装置１の光取り出し方向（正面方向）に向けて外部に取り出すことができる。

　したがって、本実施形態によれば、従来よりも光取り出し効率を向上させることができるとともに、補助配線のパターニングに用いられるエッチング液の浸透によるＥＬ層のダメージを抑制することができる発光デバイスを提供することができる。

　また、本実施形態によれば、バンク３２の開口部３２ａが、前述した小孔形状、特に、前述した傾斜角度（θ）、前述したバンク３２の上側の開口サイズ（φ１）、前述したバンク３２の下側の開口サイズ、前述したバンク３２の高さ（ｈ）等を有することで、上記導光成分を効率良く外部に取り出すことができる。

　一方、図１１は、特許文献１のような従来の発光素子における、発光領域ＥＳ’内での光の光路を示す断面図である。

　図１１に示すように、開口部３２ａの開口側壁３２ａ１上に第２電極３３が形成されていない場合、ＥＭＬ３５３から発光した光のうち、全反射によりＥＬ層３５内を上記開口側壁３２ａ１に向かって伝播（導光）した光（導光成分）を、表示装置１の正面方向に向かって効率良く取り出すことができない。

　また、上記高屈折率材料層３７および低屈折率材料層３９が形成されていない場合、高屈折率材料層３７と低屈折率材料層３９との界面に臨界角以上の入射角で入射した光を全反射させて、その導光成分を表示装置１の正面方向から取り出すことができない。

　図１１に示す構造では、正面方向に取り出せずに導光した光が、バンク３２の開口側壁３２ａ１に当たることで、僅かに取り出せるにすぎない。

　したがって、本実施形態によれば、上述したように、従来よりも光取り出し効率を向上させるとともに、駆動電圧の上昇を抑制することができる発光デバイスを提供することができる。

　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、主に図１２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、先の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図１２は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層３の要部の概略構成を、発光領域内での光の光路と併せて示す断面図である。

　本実施形態に係る表示装置１は、以下の点を除けば、実施形態１に係る表示装置１と同じである。

　本実施形態に係る表示装置１は、エッジカバー３４の開口部３４ａが、バンク３２の各開口部３２ａを開口するように、各開口部３２ａに対応して形成された構成を有している。

　本実施形態に係るエッジカバー３４は、第２電極３３が設けられたバンク３２上に、該バンク３２の上面、並びに、第２電極３３における、バンク３２の上面に位置する部分を覆うように形成されている。第２電極３３における、凹部３３ａの底面並びにバンク３２の開口部３２ａを覆っている部分は、エッジカバー３４で覆われておらず、エッジカバー３４の開口部３４ａから露出している。

　本実施形態では、上述したようにエッジカバー３４に、バンク３２の各開口部３２ａに対応した開口部３４ａを形成することで、エッジカバー３４の開口部３４ａの開口サイズは、バンクの上側の開口サイズ（φ２）と同じサイズを有している。このため、本実施形態に係るエッジカバー３４の開口サイズ（直径）は、１２μｍ以上、６５μｍ以下であり、かつ、バンクの下側の開口サイズ（φ１）よりも大きいことが好ましく、１８μｍ以上、３２μｍ以下の範囲内であり、かつ、バンクの下側の開口サイズ（φ１）よりも大きいことが好ましい。

　本実施形態では、図１２に示すように、エッジカバー３４が、第２電極３３における、開口側壁３２ａ１上に位置する部分を覆っていない。また、本実施形態でも、実施形態１同様、補助配線３８に、第２電極３３と同じ外形を有し、各開口部３２ａに対応して開口部３８ａが設けられた補助配線を使用する。

　なお、本実施形態でも、エッジカバー３４には、透光性を有する絶縁性のエッジカバーを使用してもよい。

　本実施形態では、第２電極３３における、開口側壁３２ａ１上に位置する部分が、エッジカバー３４で覆われていないことから、バンク３２の開口側壁３２ａ１上に形成された第２電極３３が、反射層として機能するとともに、電極として機能する。

　このように、本実施形態では、上記開口側壁３２ａ１上に形成された第２電極３３自体も電極として機能することで、図８に示すように、上記開口側壁３２ａ１上でもＥＭＬ３５３を発光させることができる。このため、バンク３２の開口側壁３２ａ１上も発光部として利用することが可能であり、バンク３２の開口側壁３２ａ１上に、ＥＬ層３５に電流を供給することができる電極が形成されていない場合と比較して、発光面積を広げることができ、光取り出し効率を向上させることができる。

　なお、ここで、バンク３２の開口側壁３２ａ１上に、ＥＬ層３５に電流を供給することができる電極が形成されていない場合とは、下記（１）および（２）、
　（１）バンク３２の開口側壁３２ａ１上に第２電極３３が形成されていない場合、並びに、
　（２）バンク３２の開口側壁３２ａ１上に第２電極３３が形成されていたとしても、実施形態１のように、バンク３２の開口側壁３２ａ１上の第２電極３３が、エッジカバー３４等の絶縁層で覆われており、電極として機能しない場合、
の両方を含む。

　また、本実施形態によれば、上記開口部３２ａの開口側壁３２ａ１上に形成された第２電極３３自体も電極として機能することで、電極面積を大きくすることができる。このため、実施形態１に示す小孔形状を有する、バンク３２の開口部３２ａに起因する駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　〔実施形態３〕
　本開示のさらに他の実施形態について、主に図１３および図１４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、先の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図１３は、本実施形態に係る表示装置１を該表示装置１のサブ画素ＳＰの補助配線３８上から見たときの該表示装置１の要部の概略構成の一例を示す平面図である。図１４は、本実施形態に係る表示装置１におけるサブ画素ＳＰの第２電極３３と補助配線３８とを並べて示す平面図である。なお、図１４では、第２電極３３の凹部３３ａ（トレンチ部）および補助配線３８の開口部３８ａと、バンク３２の開口部３２ａとの関係を示すため、開口部３２ａを点線で示している。

　本実施形態に係る表示装置１は、以下の点を除けば、実施形態１、２に係る表示装置１と同じ構成を有している。

　本実施形態では、第２電極３３が、各サブ画素ＳＰにおける第１電極３１の一部と重畳するように、図１３および図１４に示すように例えば発光領域ＥＳ毎（言い換えれば、開口部３２ａ毎）に島状に形成されている。このため、第２電極３３は、各サブ画素ＳＰ内に複数設けられている。

　本実施形態では、第２電極３３は、好適には、例えば、傾斜面を有する開口側壁３２ａ１を含む、バンク３２の開口部３２ａ内にのみ第２電極３３が形成されるようにパターン形成されている。各第２電極３３のエッジは、それぞれ、バンク３２の上面に位置する。

　補助配線３８は、幹線部３８１と、開口部３８ａを有し、平面視で、高屈折率材料層３７の周端部を、該周端部に沿って枠状に覆う枠状部３８２と、上記幹線部３８１と枠状部３８２とを電気的に接続する枝線部３８３と、を備えている。

　なお、図１３および図１４に示す例では、平面視で、バンク３２の開口部３２ａが円形に形成されており、該開口部３２ａ内に、高屈折率材料層３７および第２電極３３が円形に形成されている。このため、枠状部３８２は、バンク３２の開口部３２ａを囲むとともに高屈折率材料層３７および第２電極３３のエッジを覆うリング状に形成されている。

　なお、本実施形態において、エッジカバー３４は、バンク３２上に、バンク３２の上面を覆うとともに各第２電極３３のエッジあるいは開口側壁３２ａ１上に形成されている部分を覆うように形成されていてもよい。また、バンク３２上に、バンク３２の上面を覆うとともに各第２電極３３のエッジを囲むように形成されていてもよい。また、枠状部３８２は、上記エッジカバー３４の開口部３４ａを囲むように形成されていてもよい。

　また、枝線部３８３は、幹線部３８１と枠状部３８２とを電気的に接続することができるように形成されていればよい。したがって、枝線部３８３は、図１３および図１４に示すように、幹線部３８１と枠状部３８２とを連結するように形成されていてもよく、幹線部３８１に電気的に接続された枠状部３８２と他の枠状部３８２とを連結するように形成されていてもよい。

　また、本実施形態では、第１電極３１に透明電極を使用する。

　本実施形態によれば、第１電極３１、第２電極３３、および補助配線３８を上述したように形成することで、表示装置１の不要な反射を抑制することができる。

　〔実施形態４〕
　本開示のさらに他の実施形態について、主に図１５および図１６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、先の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図１５は、本実施形態に係る表示装置１における各色の発光素子ＬＥ（発光素子ＲＬＥ、発光素子ＧＬＥ、発光素子ＢＬＥ）の各発光領域（発光領域ＲＥＳ、発光領域ＧＥＳ、発光領域ＢＥＳ）での積層構造の一例を模式的に示す図である。なお、図１５でも、表示装置１が、コンベンショナル構造を有するトップエミッション型の表示装置である場合を例に挙げて図示しているが、本実施形態に係る表示装置１は、これに限定されるものではない。

　本実施形態に係る表示装置１は、各サブ画素ＳＰにおける光学距離調整層としてのアノード膜厚がそれぞれ異なる点を除けば、実施形態１～３に係る表示装置１と同じである。なお、本実施形態では、第２電極３３に、例えば、Ａｇを含むＡｇ合金とＩＴＯとを下層側からＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯの順に積層してなる積層体を使用している。本実施形態では、この第２電極３３のＡｇ合金（反射電極）上のＩＴＯ（透光性電極）の層厚を、サブ画素ＳＰ毎（言い換えれば、発光素子ＬＥ毎）に変更した。

　ＯＬＥＤで適用されるマイクロキャビティ構造は、アノード反射電極とカソード半透過電極との間の層の層厚等を最適に設計することで、その効果を得ることができる。しかしながら、発光層以外のＥＬ層（例えばＨＴＬ）等の層厚も、ＯＬＥＤの発光色に応じて変える必要がある。また、各ＥＬ層の層厚が変わることでキャリアバランスが変わる可能性があり、最適化設計が非常に煩雑である。

　一方で、本実施形態のように、ＱＬＥＤのアノード膜厚を、ＱＬＥＤの発光色に応じて光取り出し効率が最適になるように設計した場合、ＱＬＥＤ内のキャリアバランスが変わることが無い。このため、この場合、最適化されたキャリアバランスでの層構造（各ＥＬ層の層厚）で光取り出し効率を向上させることが可能となる。

　図１５に示す例では、コンベンショナル構造を有するトップエミッション型の表示装置１において、アノードである、各色のサブ画素ＳＰにおける各色の発光素子ＬＥの第２電極３３を、反射電極と透光性電極との積層構造としている。そして、各サブ画素ＳＰにおける発光素子ＬＥの各発光領域ＥＳでの光取り出し効率が最大化するように、各発光素子ＬＥの第２電極３３の透光性電極の層厚を、各サブ画素ＳＰ毎（言い換えれば、各色の発光素子ＬＥ毎）に変更した場合を例に挙げて図示している。

　図１５に示すように、発光素子ＲＬＥは、各発光領域ＲＥＳにおいて、例えば、第２電極３３Ｒと、ＥＬ層３５Ｒと、第３電極３６と、高屈折率材料層３７Ｒと、低屈折率材料層３９と、を下層側からこの順に備えている。ＥＬ層３５Ｒは、例えば、ＨＩＬ３５１Ｒと、ＨＴＬ３５２Ｒと、ＥＭＬ３５３Ｒと、ＥＴＬ３５４Ｒと、を下層側からこの順に備えている。

　また、発光素子ＧＬＥは、各発光領域ＧＥＳにおいて、例えば、第２電極３３Ｇと、ＥＬ層３５Ｇと、第３電極３６と、高屈折率材料層３７Ｇと、低屈折率材料層３９と、を下層側からこの順に備えている。ＥＬ層３５Ｇは、例えば、ＨＩＬ３５１Ｇと、ＨＴＬ３５２Ｇと、ＥＭＬ３５３Ｇと、ＥＴＬ３５４Ｇと、を下層側からこの順に備えている。

　発光素子ＢＬＥは、各発光領域ＢＥＳにおいて、例えば、第２電極３３Ｂと、ＥＬ層３５Ｂと、第３電極３６と、高屈折率材料層３７Ｂと、低屈折率材料層３９と、を下層側からこの順に備えている。ＥＬ層３５Ｂは、例えば、ＨＩＬ３５１Ｂと、ＨＴＬ３５２Ｂと、ＥＭＬ３５３Ｂと、ＥＴＬ３５４Ｂと、を下層側からこの順に備えている。

　図１６は、これら各色の発光素子ＬＥの各発光領域ＥＳでの各アノード（つまり、第２電極３３Ｒ、第２電極３３Ｇ、第２電極３３Ｂ）における、反射電極上のＩＴＯの層厚と光取り出し効率との関係を示すグラフである。

　本実施形態では、図１６に示す光学シミュレーションの結果を参考にして、これら各色の発光素子ＬＥのアノードの、反射電極上の透光性電極（ＩＴＯ）の層厚をそれぞれ選定した。このとき、上記透光性電極（ＩＴＯ）の層厚として、各色の発光素子ＬＥの各発光領域ＥＳでの光取り出し効率がそれぞれ最大化するような所望の層厚をそれぞれ選定した。

　シミュレーションでの積層構造は、ＨＩＬ３５１Ｒ、ＨＩＬ３５１Ｇ、およびＨＩＬ３５１Ｂには、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを、４０ｎｍの層厚で設定した。ＨＴＬ３５２Ｒ、ＨＴＬ３５２Ｇ、ＨＴＬ３５２Ｂには、ＴＦＢを、３５ｎｍの層厚で設定した。ＥＭＬ３５３Ｒには、赤色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で設定した。ＥＭＬ３５３Ｇには、緑色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で設定した。ＥＭＬ３５３Ｂには、青色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で設定した。ＥＴＬ３５４Ｒ、ＥＴＬ３５４Ｇ、およびＥＴＬ３５４Ｂには、ＺｎＯを、５０ｎｍの層厚で設定した。第３電極３６には、ＩＴＯを、層厚１００ｎｍとなるように設定した。

　なお、本シミュレーションでは、計算を簡略化するためにバンク構造を設定せず、また高屈折材料および低屈折材料は省いて計算した。

　図１６に示す結果より、本実施形態では、第２電極３３における、反射電極上の透光性電極の層厚を、第２電極３３Ｒの透光性電極の層厚＞第２電極３３Ｇの透光性電極の層厚＞第２電極３３Ｂの透光性電極の層厚となるように設定した。

　具体的には、上述したように、第２電極３３を、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造（３層構造）とした。そして、サブ画素ＲＳＰの発光領域ＲＥＳでは、第２電極３３Ｒにおける、反射電極としてのＡｇ電極上に位置するＩＴＯの層厚（つまり、第２電極３３Ｒの反射電極と、第３電極３６との間に位置するＩＴＯの層厚）を、１６０ｎｍとした。

　サブ画素ＧＳＰの発光領域ＧＥＳでは、第２電極３３Ｇにおける、反射電極としてのＡｇ電極上に位置するＩＴＯの層厚（つまり、第２電極３３Ｇの反射電極と、第３電極３６との間に位置するＩＴＯの層厚）を、１００ｎｍとした。

　サブ画素ＢＳＰの発光領域ＢＥＳでは、第２電極３３Ｂにおける、反射電極としてのＡｇ電極上に位置するＩＴＯの層厚（つまり、第２電極３３Ｂの反射電極と、第３電極３６との間に位置するＩＴＯの層厚）を、６５ｎｍとした。

　また、ＨＩＬ３５１から第３電極３６のＩＴＯまでは、シミュレーションと同じ材料を使用し、同じ層厚となるように形成した。具体的には、ＨＩＬ３５１Ｒ、ＨＩＬ３５１Ｇ、およびＨＩＬ３５１Ｂには、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを、４０ｎｍの層厚で形成した。ＨＴＬ３５２Ｒ、ＨＴＬ３５２Ｇ、ＨＴＬ３５２Ｂには、ＴＦＢを、３５ｎｍの層厚で形成した。ＥＭＬ３５３Ｒには、赤色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で形成した。ＥＭＬ３５３Ｇには、緑色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で形成した。ＥＭＬ３５３Ｂには、青色ＱＤを、３０ｎｍの層厚で形成した。ＥＴＬ３５４Ｒ、ＥＴＬ３５４Ｇ、およびＥＴＬ３５４Ｂには、ＺｎＯを、５０ｎｍの層厚で形成した。第３電極３６には、ＩＴＯを、層厚１００ｎｍとなるように形成した。また、高屈折率材料層３７は、バンク３２の形成領域における第３電極３６の窪み（トレンチ部）を埋めるように、バンク３２の開口部３２ａの下端上の層厚が２μｍとなるように形成した。低屈折率材料層３９は、層厚（設計値）が３５０ｎｍとなるように形成した。

　本実施形態によれば、第２電極３３Ｒの透光性電極の層厚、第２電極３３Ｇの透光性電極の層厚、および第２電極３３Ｂの透光性電極の層厚を上述したように設定することで、発光領域ＲＥＳ、発光領域ＧＥＳ、および発光領域ＢＥＳの光取り出し効率をそれぞれ向上させることができた。

　なお、本実施形態では、サブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、およびサブ画素ＢＳＰで、それぞれの第２電極３３における反射電極上の透光性電極の層厚が互いに異なる場合を例に挙げて説明した。本実施形態では、上述したように、上記透光性電極の層厚が、第２電極３３Ｒの透光性電極の層厚＞第２電極３３Ｇの透光性電極の層厚＞第２電極３３Ｂの透光性電極の層厚の順に厚い。しかしながら、デバイス構造が変われば、この限りではない。デバイス構造によっては、上記透光性電極の層厚の関係が変化する場合がある。

　例えば、サブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、およびサブ画素ＢＳＰのうち１つのサブ画素ＳＰにおける上記透光性電極の層厚が、残りの２つのサブ画素ＳＰにおける上記透光性電極の層厚と異なる場合もあり得る。

　したがって、第２電極３３は、サブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、およびサブ画素ＢＳＰのうち少なくとも２つのサブ画素ＳＰにおいて、上記透光性電極の層厚が互いに異なっていてもよい。つまり、選択した少なくとも２つのサブ画素ＳＰ同士の間で第２電極３３における反射電極上の透光性電極の層厚を比較した場合に、それぞれの透光性電極の層厚が互いに異なっていてもよい。言い換えれば、サブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、およびサブ画素ＢＳＰのうち少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおける上記透光性電極の層厚が、他のサブ画素ＳＰにおける上記透光性電極の層厚と異なっていてもよい。このように、第２電極３３の透光性電極は、少なくとも２つの異なる厚みを有していてもよい。

　〔実施形態５〕
　本開示のさらに他の実施形態について、主に図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、先の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図１７は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層３の要部の概略構成を、該発光素子層３における発光領域ＥＳ内での光の光路と併せて示す断面図である。

　本実施形態では、例えば図１７に示すように、傾斜面を有する開口側壁３２ａ１を含むバンク３２の開口部３２ａ内にのみ第２電極３３が形成されるように第２電極３３をパターン形成するとともに、エッジカバー３４の開口部３４ａの端部（開口端）を、開口側壁３２ａ１上に形成している。

　また、本実施形態では、開口側壁３２ａ１上の第２電極３３の一部（つまり、第２電極３３の傾斜面の一部）がエッジカバー３４で覆われている。このため、ＥＬ層３５は、開口側壁３２ａ１上の一部に、第２電極３３の傾斜面の一部（つまり、第２電極３３の傾斜面のうちエッジカバー３４で覆われていない部分）に沿った傾斜面を有している。また、第３電極３６は、開口側壁３２ａ１上の一部に、上記第２電極３３の傾斜面に沿ったＥＬ層３５の傾斜面に沿った傾斜面を有している。

　本実施形態に係る表示装置１は、これらの点を除けば、実施形態１～４に係る表示装置１と同じである。

　本実施形態では、バンク３２の開口側壁３２ａ１の長さをＬとし、該開口側壁３２ａ１における、エッジカバー３４で覆われていない部分の長さをＬ’とすると、該Ｌ’が１／３Ｌより長く、２／３Ｌより短くなる位置に、エッジカバー３４の開口部３４ａの端部が位置するように、エッジカバー３４を、例えばフォトリソグラフィ等によりパターン形成する。つまり、本実施形態では、１／３Ｌ＜Ｌ’＜２／３Ｌとなるようにエッジカバー３４を形成する。

　なお、ここで、バンク３２の開口側壁３２ａ１の長さ（Ｌ）とは、バンク３２の開口側壁３２ａ１の上端と下端とを、該開口側壁３２ａ１の表面に沿って最短距離で結ぶ長さを示す。また、バンク３２の開口側壁３２ａ１の下端とは、バンク３２の開口部３４ａにおける、第１電極３１側（アレイ基板２側となる下側）の端部を示す。バンク３２の開口側壁３２ａ１の上端とは、バンク３２の開口部３４ａにおける、第１電極３１側とは反対側（封止層４側となる上側）の端部を示す。

　また、バンク３２の開口側壁３２ａ１における、エッジカバー３４で覆われていない部分の長さ（Ｌ’）とは、バンク３２の開口側壁３２ａ１の上端と下端とを、該開口側壁３２ａ１の表面に沿って最短距離で結ぶ長さのうち、バンク３２の開口側壁３２ａ１上に位置するエッジカバー３４の開口部３４ａの端部と、バンク３２の開口側壁３２ａ１の下端とを、該開口側壁３２ａ１の表面に沿って最短距離で結ぶ長さを示す。なお、バンク３２の開口側壁３２ａ１における、エッジカバー３４で覆われていない部分の長さ（Ｌ’）は、開口側壁３２ａ１上において第２電極３３が電極（斜面電極）として機能する部分の長さと言い替えることができる。

　本実施形態によれば、このようにエッジカバー３４を形成することで、上記開口側壁３２ａ１の傾斜面に形成されるＥＬ層３５の薄膜化による、第２電極３３と第３電極３６との間のリーク（つまり、アノード－カソード間リーク）を抑制することができる。また、上記開口側壁３２ａ１における発光部（斜面発光部）を効果的に機能させることができる。

　なお、図１７では、上述したように、第２電極３３が、傾斜面を有する開口側壁３２ａ１を含む、バンク３２の開口部３２ａ内にのみ第２電極３３が形成されるようにパターン形成されている場合を例に挙げて図示した。

　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。エッジカバー３４が上述したように形成されてさえいれば、第２電極３３および補助配線３８は、実施形態１で示したようにサブ画素ＳＰ毎に島状に形成されていてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。

　〔実施形態６〕
　本開示のさらに他の実施形態について、主に図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、先の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図１８は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層３の概略構成を、該発光素子層３における発光領域ＥＳ内での光の光路と併せて示す断面図である。

　本実施形態では、図１８に示すように、第２電極３３を、該第２電極３３のエッジが、開口側壁３２ａ１の途中（つまり、開口側壁３２ａ１の傾斜面の途中）に位置するように第２電極３３をパターン形成するとともに、該第２電極３３のエッジを覆うように、エッジカバー３４の開口部３４ａの端部（開口端）を、開口側壁３２ａ１上に形成している。なお、ここで、開口側壁３２ａ１の途中とは、開口側壁３２ａ１の上端と下端との間を示す。

　また、本実施形態では、上述したように、開口側壁３２ａ１の一部を第２電極３３が覆うとともに、エッジカバー３４が、上記第２電極３３のエッジ並びに開口側壁３２ａ１における第２電極３３で覆われていない部分を覆っている。このため、第２電極３３は、開口側壁３２ａ１上の一部に、上記開口側壁３２ａ１の傾斜面に沿った傾斜面を有している。このため、ＥＬ層３５は、開口側壁３２ａ１上の一部に、上記第２電極３３の傾斜面に沿った傾斜面を有している。このため、第３電極３６は、開口側壁３２ａ１上の一部に、上記第２電極３３の傾斜面に沿った傾斜面を有している。

　本実施形態に係る表示装置１は、これらの点を除けば、実施形態１～５に係る表示装置１と同じである。

　本実施形態でも、バンク３２の開口側壁３２ａ１の長さをＬとし、該開口側壁３２ａ１における、エッジカバー３４で覆われていない部分の長さをＬ’とすると、該Ｌ’が１／３Ｌより長く、２／３Ｌより短くなる位置に、エッジカバー３４の開口部３４ａの端部が位置するように、第２電極３３およびエッジカバー３４を、例えばフォトリソグラフィ等によりパターン形成する。つまり、本実施形態では、１／３Ｌ＜Ｌ’＜２／３Ｌとなるようにエッジカバー３４を形成するとともに、該エッジカバー３４で第２電極３３のエッジが覆われるようにバンク３２の開口部３２ａ内に、第２電極３３をパターン形成する。なお、本実施形態でも、実施形態４同様、バンク３２の開口側壁３２ａ１における、エッジカバー３４で覆われていない部分の長さ（Ｌ’）は、開口側壁３２ａ１上において第２電極３３が電極（斜面電極）として機能する部分の長さと言い替えることができる。

　本実施形態でも、上述したようにエッジカバー３４を形成することで、上記開口側壁３２ａ１の傾斜面に形成されるＥＬ層３５の薄膜化による、第２電極３３と第３電極３６との間のリーク（つまり、アノード－カソード間リーク）を抑制することができる。また、上記開口側壁３２ａ１における発光部（斜面発光部）を効果的に機能させることができる。

　また、本実施形態によれば、バンク３２よりも上層に、バンク３２の開口部３２ａ以外の部分での反射層が限り無く少ないので、不要な反射を抑制することができる。

　〔変形例１〕
　なお、上記実施形態１～６では、本開示に係る発光デバイスが表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本開示に係る発光デバイスは、これに限定されるものではなく、例えば、照明装置であってもよく、発光素子であってもよい。

　〔変形例２〕
　また、図２、図４、図１３、および図１４では、バンク３２が、各サブ画素ＳＰ内に、複数の開口部３２ａを有している場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本開示に係る発光デバイス（例えば表示装置１）は、上記構成に限定されるものではない。バンク３２は、各サブ画素ＳＰ内に、貫通口（第１貫通口、例えば上記開口部３２ａ）を少なくとも１つ有していればよい。このため、サブ画素ＳＰの大きさと上記貫通口（例えば上記開口部３２ａ）の大きさとの関係にもよるが、各サブ画素ＳＰ内には、上記貫通口（例えば上記開口部３２ａ）が１つのみ形成されていても構わない。

　また、上記実施形態１～６では、開口部３２ａが、前述した小孔形状を有する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記開口部３２ａは、前述した小孔形状を有することが望ましいものの、これに限定されるものではない。開口部３２ａの形状は特に限定されるものではなく、例えば、開口部３２ａは、平面視で、矩形状等の多角形状に形成されていてもよい。また、同様に、補助配線３８も、平面視で、矩形状等の多角形状に形成されていてもよい。なお、何れの場合にも、開口部３２ａは、傾斜した開口側壁３２ａ１を有していることが望ましい。

　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　　１　　表示装置（発光デバイス）
　　２　　アレイ基板
　３１　　第１電極（接続電極）
　３２　　バンク
　３２ａ　　開口部（第１貫通口）
　３２ａ１　　開口側壁
　３３、３３Ｂ、３３Ｇ、３３Ｒ　　第２電極（下層電極）
　３４　　エッジカバー
　３４ａ　　開口部（第３貫通口）
　３５、３５Ｂ、３５Ｇ、３５Ｒ　　ＥＬ層
　３６　　第３電極（上層電極）
　３７、３７Ｂ、３７Ｇ、３７Ｒ　　高屈折率材料層（第１屈折率層）
　３８　　補助配線
　３８１　　幹線部
　３８２　　枠状部
　３８３　　枝線部
　３８ａ　　開口部（第２貫通口）
　３９　　低屈折率材料層（第２屈折率層）
　ＬＥ　　発光素子（発光デバイス）

Claims

　第１貫通口が設けられたバンクと、
　上記第１貫通口を塞ぐように上記バンク上に形成された下層電極と、
　上記下層電極の上方に形成された上層電極と、
　少なくとも発光層を含み、上記下層電極と上記上層電極との間に、少なくとも一部が上記下層電極と上記上層電極とにそれぞれ隣接して形成されたＥＬ層と、
　上記第１貫通口における上記上層電極上に設けられ、屈折率が１．７よりも高い屈折率を有する第１屈折率層と、
　上記上層電極上に、上記上層電極に隣接して設けられた補助配線と、
　上記第１屈折率層よりも低い屈折率を有し、上記第１屈折率層および上記補助配線を覆うように上記上層電極上に設けられた第２屈折率層と、を備え、
　上記補助配線は、上記第１貫通口に対応して設けられた第２貫通口を有し、
　平面視で、上記補助配線における、上記第２貫通口を取り囲む周端部が、上記第１屈折率層の周端部を覆っていることを特徴とする発光デバイス。
　上記第１貫通口は、傾斜した開口側壁を有し、
　上記下層電極は、上記開口側壁の少なくとも一部に沿った傾斜面を有し、
　上記ＥＬ層は、上記下層電極の傾斜面の少なくとも一部に沿った傾斜面を有し、
　上記上層電極は、上記ＥＬ層の傾斜面の少なくとも一部に沿った傾斜面を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
　上記バンクの下面と上記開口側壁とがなす角度が２０°以上、３０°以下であることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
　上記第１貫通口の下端側の開口径が１０μｍ以上、２０μｍ以下であり、上記第１貫通口の上端側の開口径が１２μｍ以上、６５μｍ以下であることを特徴とする請求項２または３の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記第１貫通口の上端と下端との間の高さが１μｍ以上、４μｍ以下であることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の発光デバイス。
　平面視での、上記補助配線における、上記第２貫通口を取り囲む周端部と、上記第１屈折率層の周端部との重なり幅が、０．５μｍ以上、５．６μｍ未満の範囲内であることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の発光デバイス。
　平面視での、上記補助配線における、上記第２貫通口を取り囲む周端部と、上記第１屈折率層の周端部との重なり幅が、１．０μｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の発光デバイス。
　平面視での、上記補助配線における、上記第２貫通口を取り囲む周端部と、上記第１屈折率層の周端部との重なり幅が、２．１μｍ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の発光デバイス。
　上記ＥＬ層が、ＮｉＯナノ粒子を含む正孔注入層を含んでいることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記発光層が量子ドットを含む量子ドット発光層であることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の発光デバイス。
　当該発光デバイスは表示装置であり、
　複数のサブ画素を備え、
　上記バンクは、各サブ画素内に上記第１貫通口を少なくとも１つ有していることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記バンクは、上記各サブ画素内に、上記第１貫通口として、小孔形状の上記第１貫通口を複数有していることを特徴とする請求項１１に記載の発光デバイス。
　複数の薄膜トランジスタを有するアレイ基板と、
　上記アレイ基板上に、上記サブ画素毎に形成され、上記複数の薄膜トランジスタのうちの１つと接続された複数の接続電極と、をさらに備え、
　上記バンクは、上記アレイ基板上に、上記第１貫通口が上記接続電極の一部を露出させるように上記接続電極を覆って形成されており、
　上記下層電極は、上記第１貫通口で、上記接続電極と接続されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光デバイス。
　上記複数のサブ画素は、赤色のサブ画素と、緑色のサブ画素と、青色のサブ画素と、を含み、
　上記下層電極は、反射電極と、該反射電極上に形成された透光性電極とを少なくとも含み、
　上記赤色のサブ画素、上記緑色のサブ画素、および上記青色のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素において、上記透光性電極の層厚が互いに異なることを特徴とする請求項１１～１３の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記下層電極は、上記サブ画素毎に島状に形成されていることを特徴とする請求項１１～１３の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記バンク上に、上記第１貫通口を開口するように上記第１貫通口に対応した第３貫通口を有するエッジカバーをさらに備え、
　上記エッジカバーは、上記下層電極における、上記バンクの上面に位置する部分を覆っていることを特徴とする請求項１５に記載の発光デバイス。
　上記下層電極は、上記第１貫通口毎に島状に形成されていることを特徴とする請求項１１～１４の何れか１項に記載の発光デバイス。
　当該発光デバイスは発光素子であることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記下層電極は、上記第１貫通口内にのみ形成されていることを特徴とする請求項１～１４、１７、１８の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記下層電極は、そのエッジが、上記開口側壁の上端と下端との間に位置するように形成されていることを特徴とする請求項２～４の何れか１項に記載の発光デバイス。
　上記バンク上に、上記バンクの上記開口側壁上に開口端を有する第３貫通口を有するエッジカバーをさらに備え、
　上記バンクの上記開口側壁の長さをＬとし、上記開口側壁における、上記エッジカバーで覆われていない部分の長さをＬ’とすると、１／３Ｌ＜Ｌ’＜２／３Ｌであることを特徴とする請求項２０に記載の発光デバイス。
　請求項１～２１の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法であって、
　上記第１貫通口が設けられたバンクを形成する工程と、
　上記第１貫通口を塞ぐように上記バンク上に形成された下層電極を形成する工程と、
　少なくとも発光層を含み、少なくとも一部が上記下層電極に隣接するＥＬ層を形成する工程と、
　上記ＥＬ層上に、上記ＥＬ層に隣接して上記上層電極を形成する工程と、
　上記第１貫通口における上記上層電極上に、屈折率が１．７よりも高い上記屈折率を有する第１屈折率層を形成する工程と、
　上記上層電極上に、上記上層電極に隣接して上記補助配線を形成する工程と、
　上記上層電極上に、上記第１屈折率層よりも低い屈折率を有し、上記第１屈折率層および上記補助配線を覆うように上記第２屈折率層を形成する工程と、を含み、
　上記補助配線を形成する工程では、上記補助配線が上記第１貫通口に対応して設けられた上記第２貫通口を有し、平面視で、上記補助配線における上記第２貫通口を取り囲む周端部が上記第１屈折率層の周端部を覆うように、上記補助配線を形成することを特徴とする発光デバイスの製造方法。