CN105514137B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

Abstract

有机发光二极管显示器包括定位在衬底上方的第一电极、定位在第一电极上方的有机发射层、定位在有机发射层上方的第二电极、定位在第二电极上方的折射层、以及定位在折射层上方的光半透反射式金属层。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

本公开涉及有机发光二极管显示器。更具体地，本公开涉及通过使用相长干涉提高了从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。

背景技术

显示设备在其显示表面上显示图像。近来，有机发光二极管显示器已受到瞩目。

有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且不同于液晶显示器，因为有机发光二极管显示器不需要单独的光源，因此其可具有相对小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器展现出了诸如低功耗、高亮度、高响应速度等高品质特性。

典型的有机发光二极管显示器包括有机发光元件(有机发光二极管)，其中，有机发光元件包括依次布置的第一电极、有机发射层和第二电极。

近来，通过将第一电极与第二电极之间的距离控制成或调节成与从有机发射层发出的光的波长相对应，已开发出了通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。

本背景技术部分公开的上述信息仅仅是用于增强理解，并因此，其可包含并不形成本国的本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的实施方式提供了在不考虑从有机发射层发出的光的波长的情况下通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。

本发明的一个方面提供了有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括定位在衬底上的第一电极、定位在第一电极上的有机发射层、定位在有机发射层上的第二电极、定位在第二电极上的折射层、以及定位在折射层上的光半透反射式金属层。

从第一电极至光半透反射式金属层的距离可满足下式。

L<λ/N，

此处，L为从第一电极至光半透反射式金属层的距离，λ为从有机发射层发出的光的波长，以及N为偶数。

N可以是2、4、8和16中的一个。

折射层可在第二电极与光半透反射式金属层之间分别与第二电极和光半透反射式金属层接触。

第一电极可与有机发射层接触，有机发射层可与第二电极接触。

有机发射层可包括与第一电极接触的第一有机层、与第二电极接触的第二有机层、以及在第一有机层与第二有机层之间分别与第一有机层和第二有机层接触的主发射层。

主发射层可包括发出第一颜色的光的第一子发射层、在平面上与第一子发射层相隔开并且发出第二颜色的光的第二子发射层、以及在平面上与第二子发射层相隔开并且发出第三颜色的光的第三子发射层。

从分别与第一子发射层、第二子发射层和第三子发射层一同定位的第一电极至光半透反射式金属层的距离可相同。

第一电极可为光反射电极，并且第二电极可为光半透反射式电极。

第二电极和光半透反射式金属层可分别具有5nm至15nm的厚度。

折射层可具有小于第二电极厚度的厚度。

折射层可具有小于光半透反射式金属层厚度的厚度。

折射层的厚度可为5nm至15nm。

第二电极和光半透反射式金属层可由相同的材料形成。

第二电极和光半透反射式金属层可分别包括银(Ag)。

折射层可包括有机材料或无机材料。

折射层的折射率可为1.1至1.8。

折射层的折射率可为1.8至2.2。

还可包括定位在光半透反射式金属层上的覆盖层。

覆盖层可具有50nm至110nm的厚度。

本发明的另一方面提供了有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括衬底、定位在衬底上方的第一电极、定位在第一电极上方的有机发射层、定位在有机发射层上方的第二电极、定位在第二电极上方的折射层、以及定位在折射层上方的光半透反射式金属层。

在上述显示器中，从第一电极至光半透反射式金属层的距离可满足下式：L<λ/N，其中，L为从第一电极至光半透反射式金属层的距离，λ为从有机发射层发出的光的波长，以及N为偶数。N可以是2、4、8和16中的一个。折射层可位于第二电极与光半透反射式金属层之间，并且可与第二电极和光半透反射式金属层都接触。第一电极可与有机发射层接触，并且有机发射层又与第二电极接触。有机发射层可包括与第一电极接触的第一有机层、与第二电极接触的第二有机层、以及位于第一有机层与第二有机层之间并且与第一有机层和第二有机层都接触的主发射层。主发射层可包括配置成发出第一颜色的光的第一发射层部、当在与衬底的主要表面垂直的观察方向上观察时与第一发射层部相隔开并且配置成发出第二颜色的光的第二发射层部、以及当在该观察方向上观察时与第一发射层部和第二发射层部相隔开并且配置成发出第三颜色的光的第三发射层部。从第一电极经由第一发射层部至光半透反射式金属层的距离、从第一电极经由第二发射层部至光半透反射式金属层的距离、以及从第一电极经由第三发射层部至光半透反射式金属层的距离可基本相同。

仍在上述显示器中，第一电极可为光反射电极，并且第二电极可为光半透反射式电极。第二电极和光半透反射式金属层中的每个可具有约5nm至约15nm的厚度。折射层可具有小于第二电极厚度的厚度。折射层可具有小于光半透反射式金属层厚度的厚度。折射层的厚度可为约5nm至约15nm。第二电极和光半透反射式金属层可由相同的材料形成。第二电极和光半透反射式金属层可分别包括银(Ag)。折射层可包括有机材料。折射层的折射率可为约1.1至约1.8。折射层的折射率可为约1.8至约2.2。显示器还可包括定位在光半透反射式金属层上方的覆盖层。覆盖层可具有约50nm至约110nm的厚度。

根据本发明实施方式，在不考虑从有机发射层发出的光的波长的情况下，提供了通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。

附图说明

图1是根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。

图2是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的视图。

图3A、图3B和图3C是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的图表。

图4是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的表格。

图5是根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。

具体实施方式

下文中，将参照示出了本发明的实施方式的附图对本发明的实施方式进行更加全面的描述。本领域的技术人员将认识到，所描述的实施方式可以各种不同的方式修改，而所有修改都不背离本发明的精神或范围。

附图和描述应被视为本质上是说明性的、而非限制性的，并且在整个说明书中，相似的参考编号指示相似的元件。

另外，在实施方式中，由于相似的参考编号指示具有相同配置的相似的元件，因此代表性地描述了第一实施方式，而在其他实施方式中，将仅对与第一实施方式不同的配置进行描述。

此外，为了更好的理解以及描述的便利，附图中所示的各元件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明并不限于此。

在附图中，为了清楚起见，层、膜、板、区域等的厚度被夸大。在附图中，为了更好的理解以及描述的便利，一些层或区域的厚度被夸大。应理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，其可直接位于另一元件上，或者也可存在有中间元件。

此外，除非明确相反地描述，否则措辞“包括(comprise)”以及诸如“包括(comprises)”或“包括有(comprising)”的变型将被理解为暗示对相关元件的包含，而不是对任何其他元件的排除。另外，在说明书中，措辞“上(on)”意味着定位在目标部分的上方或下方，但不在本质上意味着定位在基于重力方向的目标部分的上侧上。

现在，将参照图1至图4对根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。

图1是根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。

在实施方式中，有机发光二极管显示器包括衬底、布置在衬底上方的像素阵列、布置在衬底上方的多个开关电路。开关电路中的每个控制像素中的一个像素的操作并且包括至少一个薄膜晶体管。

如图1中所示，根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器包括衬底100、定位在衬底100上的第一电极200、定位在第一电极200上的有机发射层300、定位在有机发射层300上的第二电极400、定位在第二电极400上的折射层500、定位在折射层500上的光半透反射式金属层600、以及定位在光半透反射式金属层600上的覆盖层700。在实施方式中，第一电极200、有机发射层300和第二电极400形成像素阵列中的像素中的一个像素。

衬底100为包括玻璃、聚合物的绝缘衬底或不锈钢。衬底100可为柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或者可卷曲的。当衬底100为柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或者可卷曲的时，整个有机发光二极管显示器可为柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或者可卷曲的。

至少一个扫描线、至少一个数据线、多个薄膜晶体管和至少一个电容器可形成在衬底100上，并且这些元件可具有各种公开的结构。

第一电极200定位在衬底100上。第一电极200可经由形成在绝缘层中的接触孔连接至多个薄膜晶体管中的任意一个漏电极。第一电极200是作为空穴注入电极的阳极，并且是光反射电极。第一电极200包括光反射电极层210和空穴注入电极层220

光反射电极层210可包括具有镁-银(MgAg)、银-镁(AgMg)、铝(Al)和银(Ag)中的至少一个的单层或多层。

空穴注入电极层220可包括具有铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的至少一个的单个光透射导电层或多个光透射导电层。空穴注入电极层220可包括具有比光反射电极层210更高的功函数的传导材料，以增加有机发射层300的空穴注入能力。

有机发射层300在第一电极200上定位成与第一电极200的发射区域(EA)相对应。有机发射层300可由低分子有机材料或如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有机材料制成。

有机发射层300包括定位在第一电极200上的第一有机层310、定位在第一有机层310上的主发射层320、以及定位在主发射层320上的第二有机层330。

第一有机层310可由布置有第一有机子层311和第二有机子层312的多层结构形成，其中，第一有机子层311和第二有机子层312包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。

主发射层320在第一有机层310与第二有机层330之间分别与第一有机层310和第二有机层330接触。

主发射层320可包括发红光的红色有机发射层、发绿光的绿色有机发射层以及发蓝光的蓝色有机发射层，并且红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中，从而实现了彩色图像。主发射层320可通过在红色像素、绿色像素和蓝色像素中整体地层压红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层中的所有以及通过分别在各个像素中形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片来实现彩色图像。

作为另一示例，发白光的白色有机发射层被形成作为主发射层320，并且分别为每个像素形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片以实现彩色图像。当彩色图像通过使用作为主发射层320的白色有机发射层以及彩色滤光片来实现时，则不需要用于沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层以形成单独的彩色像素(例如，红色像素、绿色像素和蓝色像素)的多个沉积掩模。

在另一实施方式中描述的作为主发射层320的白色有机发射层可形成为具有单个有机发射层，并且还可包括多个有机发射层被层压以发出白光的配置。例如，主发射层320可包括组合至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层以发出白光的配置、组合至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层以发出白光的配置、以及组合至少一个紫红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层以发出白光的配置。

第二有机层330可由布置有第三有机子层331和第四有机子层332的多层结构形成，其中，第三有机子层331和第四有机子层332包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。

第二电极400是电子注入电极的阴极，并且是光半透反射式电极。第二电极400可为定位在整个衬底100上以覆盖有机发射层300的公共电极。第二电极400可包括包含镁-银(MgAg)、银-镁(AgMg)、铝(Al)和银(Ag)中的至少一个的单个导电层或多层。在一个实施方式中，第二电极400可具有约5nm至约15nm的厚度以实现光的半透反射，但是并不限于此。在另一实施方式中，第二电极400可具有约3nm至约25nm的厚度。当第二电极400太薄时，岛状或不期望的孔可能形成在第二电极400中。当第二电极400太厚时，从有机发射层300发出的光可能被第二电极400阻挡，由此可能恶化从有机发射层300发出的光的亮度。

所描述的第一电极200与有机发射层300接触，有机发射层300与第二电极400接触。

如上所述，在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器中，从有机发射层300发出的光被作为光反射电极的第一电极200反射，以及透射过作为光半透反射式电极的第二电极400，从而在朝向覆盖层700的方向上发光。也就是说，根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器是正面发射型有机发光二极管显示器。另一方面，在根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器中，第一电极由光半透反射式电极形成并且第二电极由光反射电极形成，从而形成了从有机发射层发出的光在朝向衬底的方向上发出的底部发射型有机发光二极管显示器。在这种情况下，折射层、光半透反射式金属层和覆盖层可分别定位在第一电极与衬底之间。

折射层500在第二电极400与光半透反射式金属层600之间分别与第二电极400和光半透反射式金属层600接触。

折射层500具有比第二电极400和光半透反射式金属层600的厚度小的厚度。折射层500可具有约5nm至约15nm的厚度。在另一实施方式中，折射层500可具有约3nm至约25nm的厚度。当折射层500太薄时，岛状或不期望的孔可能形成在折射层500中。当折射层500太厚时，因折射层500的厚度而导致从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离被不期望地设置成，与对应于红色、绿色或蓝色光的波长相对应的距离，其中红色、绿色或蓝色光不与从有机发射层300发出的光相对应，由此从有机发射层300发出的光中可能发生相消干涉，从而恶化了从有机发射层300发出的光的色再现性或亮度，并且因此，可能恶化从有机发射层300发出的光的效率。

折射层500可包括有机材料或无机材料。折射层500的折射率可根据其材料而变化。在一个实施方式中，折射层500的折射率可为约1.1至约1.8。在另一实施方式中，折射层500的折射率可为约1.8至约2.2。当折射层500的折射率太高时，从有机发射层300发出并且透射过折射层500的光被折射层500折射并被照射在不期望的方向上，由此从有机发射层300发出的光被辨识在不期望的方向上，并且可能恶化整个有机发光二极管显示器的显示。

光半透反射式金属层600可包括具有镁-银(MgAg)、银-镁(AgMg)、铝(Al)和银(Ag)中的至少一个的单层或多层结构。光半透反射式金属层600可由与第二电极400相同的材料形成。光半透反射式金属层600分别与折射层500和覆盖层700接触。光半透反射式金属层600可具有约5nm至约15nm的厚度以实现光的半透反射。在另一实施方式中，光半透反射式金属层600可具有约3nm至约25nm的厚度。当光半透反射式金属层600太薄时，岛状或不期望的孔可能形成在光半透反射式金属层600中。当光半透反射式金属层600太厚时，从有机发射层300发出的光被光半透反射式金属层600阻挡，由此可能恶化从有机发射层300发出的光的亮度。

从光半透反射式金属层600至第一电极200的距离满足下式。

L<λ/N

此处，L是从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离，λ是从有机发射层300发出的光的波长，并且N是偶数。例如，N可以是2、4、8和16中的任一个。

也就是说，从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离并不是与从有机发射层300发出的光的波长相对应的距离，并且同时短于与从有机发射层300发出的光的波长相对应的距离。

总的来说，光半透反射式金属层600与第一电极200之间的距离并不被设置成与从有机发射层300发出的光的波长的λ相对应，而是光半透反射式金属层600与第一电极200之间的距离L被设置成比与从有机发射层300发出的光的波长的λ相对应的距离短的距离。

覆盖层700定位在光半透反射式金属层600上以与光半透反射式金属层600接触，并且具有约50nm至约110nm的厚度。覆盖层700可通过沉积具有各种折射率的多个层而形成，并且具有不同折射率的元件可被定位在其中。

在实施方式中，光半透反射式金属层600比紧邻的层(例如，折射层500和覆盖层700的子层)反射更多的光。另一方面，光半透反射式金属层600比紧邻的层透射更少的光。然而，本发明并不限于此。

接着，将参照图2至图4对根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果进行描述。

图2是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的视图。

如图2中所示，从根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的有机发射层300发出的光，通过作为光反射电极的第一电极200与作为光半透反射式电极的第二电极400之间的相长干涉而经历谐振和反射，随后通过第一电极200与光半透反射式金属层600之间的相长干涉而二次经历强谐振和反射，并且通过第一电极200与覆盖层700之间的相长干涉而进一步经历谐振和反射，由此改善从有机发射层300发出的光的光强度以及色再现性范围。

进行了用于确认从有机发射层300发出的光的强度改善的实验，并且在图3A、图3B和图3C中示出了结果。

图3A、图3B和图3C是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的图表。在图3A、图3B和图3C中，Ref表示没有折射层500和光半透反射式金属层600的传统的有机发光二极管显示器，金属谐振示例1表示具有厚度为5nm的折射层500的实验性示例，金属谐振示例2表示具有厚度为10nm的折射层500的实验性示例，并且金属谐振示例3是具有厚度为15nm的折射层500的实验性示例。图3A是示出发出蓝光的有机发射层的光的强度的图表，图3B是示出发出绿光的有机发射层的光的强度的图表，并且图3C是示出发出红光的有机发射层的光的强度的图表。

如图3A、图3B和图3C中所示，相比于Ref的典型的有机发光二极管显示器，确认了在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的金属谐振示例1、2和3中，光的强度得到了改善。

进行了用于确认从有机发射层300发出的光的色再现性改善的实验，并且在图4中示出了结果。

图4是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的表格。图4是示出根据CIE色度图的色坐标的表格。在图4中，Ref表示没有折射层500和光半透反射式金属层600的传统的有机发光二极管显示器，MM 1表示具有厚度为5nm的折射层500的实验性示例，MM 2表示具有厚度为10nm的折射层500的实验性示例，并且MM 3表示具有厚度为15nm的折射层500的实验性示例。

如图4中所示，相比于Ref的典型的有机发光二极管显示器，确认了在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的MM 1、2和3中，蓝色(蓝_y)、绿色(绿_x)和红色(红_x)的每个色再现性得到了改善。

如上所述，根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器包括定位在第二电极400上的折射层500和光半透反射式金属层600。因此，来自有机发射层300的光强度和色再现性得到改善。另外，从有机发射层300发出的光的效率得到改善，从而提供了具有经改善的图像显示品质的有机发光二极管显示器。

并且，在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器中，能够简单地将折射层500和光半透反射式金属层600作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑从有机发射层300发出的光的波长。因此，由于有机发光二极管显示器的制造工艺被简化，因而相比于需要致力于谨慎地调节或控制用于生成与从有机发射层300发出的光的波长相对应的谐振的距离的传统的有机发光二极管显示器，减少了制造时间和制造成本。

并且，在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器中，能够简单地将折射层500和光半透反射式金属层600中的每一个作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑从有机发射层300发出的光的波长。因此，不需要用于调节或控制能够生成与从有机发射层300发出的光的波长相对应的谐振的距离的附加配置或层。这种附加配置或层可降低从有机发射层300发出的光的亮度。因此，相比于使用传统的谐振结构的有机发光二极管显示器，具有经改善的亮度的有机发光二极管显示器可被提供在根据本发明实施方式的设备中。

接着，将参照图5对根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。

在下文中，将对与上面所描述的根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的差异进行描述。

图5是根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。

如图5中所示，根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器包括衬底100、定位在衬底100上的第一电极200、定位在第一电极200上的有机发射层300、定位在有机发射层300上的第二电极400、定位在第二电极400上的折射层500、定位在折射层500上的光半透反射式金属层600、以及定位在光半透反射式金属层600上的覆盖层700。

主发射层320包括发出第一颜色的光的第一发射层部321、在平面上与第一发射层部321相隔开并且发出第二颜色的光的第二发射层部322、以及在平面上与第二发射层部322相隔开并且发出第三颜色的光的第三发射层部323。此处，第一颜色、第二颜色和第三颜色中的每个可为红色、蓝色、绿色和白色中的一种颜色。第一颜色、第二颜色和第三颜色可彼此相同，或者可彼此不同。

从第一电极200经由第一发射层部321至光半透反射式金属层600的第一距离L1、从第一电极200经由第二发射层部322至光半透反射式金属层600的第二距离L2、以及从第一电极200经由第三发射层部323至光半透反射式金属层600的第三距离L3基本相同。

如上所述，根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器包括定位在第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323上方的折射层500和光半透反射式金属层600，从而改善了从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的强度和色再现性。因此，从有机发射层300发出的光的效率被改善，由此提供了具有经改善的图像显示品质的有机发光二极管显示器。

并且，在根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器中，通过简单地将折射层500和光半透反射式金属层600作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑分别从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长，由于有机发光二极管显示器的制造工艺被简化，因此，相比于通过考虑分别从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长来控制用于生成与从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长相对应的谐振的距离的传统的有机发光二极管显示器，减少了制造时间和制造成本。

另外，在根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器中，通过简单地将折射层500和光半透反射式金属层600作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑分别从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长，不需要通过考虑分别从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长来控制生成与从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的波长相对应的谐振的距离的附加配置，因此抑制了亮度因用于从第一发射层部321、第二发射层部322和第三发射层部323发出的光的附加配置而被恶化。也就是说，相比于使用传统的谐振结构的有机发光二极管显示器，提供了具有经改善的亮度的有机发光二极管显示器。

虽然已结合目前对实际示例性实施方式所考虑来描述了本发明，但是应理解，本发明并不限于所公开的实施方式，但是相反，旨在覆盖包括在随附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (19)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

衬底；

第一电极，定位在所述衬底上方；

有机发射层，定位在所述第一电极上方；

第二电极，定位在所述有机发射层上方；

折射层，定位在所述第二电极上方；以及

光半透反射式金属层，定位在所述折射层上方，

其中，从所述有机发射层发出的光通过所述第一电极与所述光半透反射式金属层之间的相长干涉而经历谐振和反射，并且从所述第一电极至所述光半透反射式金属层的距离满足下式：

L<λ/N，

其中，L为从所述第一电极至所述光半透反射式金属层的谐振距离，λ为从所述有机发射层发出的光的波长，以及N为偶数。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，N为2、4、8和16中的一个。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层位于所述第二电极与所述光半透反射式金属层之间，并且与所述第二电极和所述光半透反射式金属层都接触。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极与所述有机发射层接触，所述有机发射层与所述第二电极接触。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发射层包括：

第一有机层，与所述第一电极接触；

第二有机层，与所述第二电极接触；以及

主发射层，位于所述第一有机层与所述第二有机层之间，并且与所述第一有机层和所述第二有机层都接触。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主发射层包括：

第一发射层部，配置成发出第一颜色的光；

第二发射层部，当在与所述衬底的主要表面垂直的观察方向上观察时与所述第一发射层部相隔开，并且配置成发出第二颜色的光；以及

第三发射层部，当在所述观察方向上观察时与所述第一发射层部和所述第二发射层部相隔开，并且配置成发出第三颜色的光。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，从所述第一电极经由所述第一发射层部至所述光半透反射式金属层的距离、从所述第一电极经由所述第二发射层部至所述光半透反射式金属层的距离、以及从所述第一电极经由所述第三发射层部至所述光半透反射式金属层的距离相同。

8.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极为光反射电极，并且所述第二电极为光半透反射式电极。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述光半透反射式金属层中的每个具有5nm至15nm的厚度。

10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层具有小于所述第二电极的厚度的厚度。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层具有小于所述光半透反射式金属层的厚度的厚度。

12.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层的厚度为5nm至15nm。

13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述光半透反射式金属层由相同的材料形成。

14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述光半透反射式金属层分别包括银(Ag)。

15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层包括有机材料。

16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层的折射率为1.1至1.8。

17.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，所述折射层的折射率为1.8至2.2。

18.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括定位在所述光半透反射式金属层上方的覆盖层。

19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中，所述覆盖层具有50nm至110nm的厚度。

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