WO2021053814A1 - 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2021053814A1
WO2021053814A1 PCT/JP2019/037005 JP2019037005W WO2021053814A1 WO 2021053814 A1 WO2021053814 A1 WO 2021053814A1 JP 2019037005 W JP2019037005 W JP 2019037005W WO 2021053814 A1 WO2021053814 A1 WO 2021053814A1
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layer
light emitting
display device
functional layer
pixel
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PCT/JP2019/037005
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康 浅岡
青森　繁
豪 鎌田
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シャープ株式会社
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    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Document 1 describes a discharge liquid containing fine particle-like quantum dots and a dispersion medium for dispersing the quantum dots, a discharge liquid set, a thin film pattern forming method, a thin film, a light emitting element, an image display device, and an electronic device. It is disclosed.
  • QD Quantum Dot
  • a ligand suitable for the quantum dot light emitting diode (QLED) is selected, and the solvent (dispersion medium) is also limited depending on the ligand.
  • the coating method that can be used at the time of film formation is limited.
  • the display device includes a first electrode, a second electrode, a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode, and the first electrode and the second electrode.
  • a charge transport layer provided between the light emitting layer and containing a charge transporting material for transporting charges to the light emitting layer is provided, and at least one of the light emitting layer and the charge transporting layer is nano. It is a functional layer containing a fiber and a photosensitive material.
  • a solution containing nanofibers, a photosensitive material, a light emitting material or a charge transporting material is applied, and a film is formed by the applied solution.
  • a functional layer containing the light emitting material or the charge transport material is formed.
  • the viscosity of the solvent which is too low at the time of coating, is adjusted to the optimum range.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the schematic structure of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a flowchart which shows the manufacturing method of the display device of Embodiment 1. It is a figure which shows the state of applying the colloidal solution which becomes the 1st charge transport layer in the manufacturing process of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a figure which shows the state of evaporating the solvent of the colloidal solution shown in FIG.
  • FIG. It is a figure which shows the state that the 1st charge transport layer which was formed by the evaporation of the solvent shown in FIG. 3 is exposed.
  • It is a figure which shows the state that the 1st charge transport layer shown in FIG. 5 is patterned by development.
  • FIG. 9 shows the state that the light emitting layer which was formed by the evaporation of the solvent shown in FIG. 8 is exposed. It is a figure which shows the state that the light emitting layer shown in FIG. 9 is patterned by development. It is sectional drawing which shows the schematic structure of the display device which concerns on Embodiment 2. FIG. It is sectional drawing of the substrate which patterned the light emitting layer which concerns on Embodiment 2. FIG. It is a top view of the substrate shown in FIG.
  • FIG. 12 is a plan view showing the light emitting layer shown in FIGS. 12 and 13. It is a top view which shows the schematic structure of the display device which concerns on Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line A1-B1 in FIG. It is a top view which shows the schematic structure of the display device which concerns on Embodiment 4.
  • FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line A2-B2 in FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line A3-B3 in FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line A4-B4 in FIG.
  • It is a top view which shows the schematic structure of the display device which concerns on Embodiment 5.
  • “same layer” means a layer formed by the same process (deposition process) as the layer to be compared, and “lower layer” is prior to the layer to be compared. It means a layer formed by a process, and "upper layer” means a layer formed by a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 is used, for example, in a display of a television, a smartphone, or the like. As shown in FIG. 1, the display device 1 of the present embodiment has a plurality of pixels 2 provided on the array substrate 10.
  • the plurality of pixels 2 include a blue pixel (first pixel) 2B that emits blue light (first color light), a green pixel (second pixel) 2G that emits green light (second color light), and the like. It includes a red pixel (third pixel) 2R that emits red light (light of a third color).
  • the green pixel 2G is adjacent to the red pixel 2R.
  • the blue pixel 2B is adjacent to the green pixel 2G.
  • the arrangement order of each of the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B can be arbitrarily changed.
  • the plurality of pixels 2 are formed in the light emitting element 3 (blue pixel 2B, green pixel 2G, and red pixel 2R) in a region partitioned by an insulating bank 70 (pixel restriction layer) provided on the array substrate 10, respectively.
  • Each is configured by forming a light emitting element 3B, a light emitting element 3G, and a light emitting element 3R).
  • the blue light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the green light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 500 nm and 600 nm or less.
  • the red light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 600 nm and 780 nm or less.
  • the array substrate 10 is a substrate provided with a TFT, which is a thin film transistor, for controlling light emission and non-light emission of each light emitting element 3.
  • the array substrate 10 of the present embodiment is configured by forming a TFT on a flexible resin layer.
  • an inorganic insulating film for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film
  • the resin film for example, a polyimide film.
  • the array substrate 10 may be configured by forming a TFT on a hard substrate such as a glass substrate.
  • an interlayer insulating film 20 (flattening film) is provided on the upper surface of the array substrate 10 of the present embodiment.
  • the interlayer insulating film 20 is made of, for example, a polyimide or acrylic material.
  • a plurality of contact hole CHs are formed in the interlayer insulating film 20.
  • the array substrate 10 and the interlayer insulating film 20 formed on the upper surface of the array substrate 10 may be referred to as a substrate 13.
  • the light emitting element 3B, the light emitting element 3G, and the light emitting element 3R have a first electrode 31, a first charge transport layer 46, a light emitting layer 80, a second charge transport layer 47, and a second electrode 32, respectively.
  • a layer containing nanofibers and a photosensitive material is referred to as a functional layer.
  • the functional layer is a layer that can be applied by a coating method such as a slit coating method, and further can be patterned by photolithography or the like.
  • the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 are functional layers, respectively, and include nanofibers and a photosensitive material, as will be described later. At least one of the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 may be a functional layer (that is, a layer containing nanofibers and a photosensitive material).
  • the light emitting element 3B provided on the blue pixel 2B has a first electrode (first pixel electrode) 31B and a first charge transport layer (functional layer, first function) overlapping the first electrode 31B.
  • the light emitting element 3G provided in the green pixel 2G includes a first electrode (second pixel electrode) 31G and a first charge transport layer (functional layer, second functional layer) 46G overlapping the first electrode 31G.
  • the light emitting element 3R provided on the red pixel 2R includes a first electrode (third pixel electrode) 31R, a first charge transport layer (functional layer, third functional layer) 46R overlapping the first electrode 31R, and a first charge. It has a light emitting layer (functional layer, third functional layer) 80R that overlaps with the transport layer 46R, and a second charge transport layer (functional layer, third functional layer) 47R that overlaps with the light emitting layer 80R.
  • first electrode 31B, the first electrode 31G, and the first electrode 31R are not distinguished, they are simply referred to as the first electrode 31.
  • first charge transport layer 46B, the first charge transport layer 46G, and the first charge transport layer 46R are not distinguished, they are simply referred to as the first charge transport layer 46.
  • second charge transport layer 47B, the second charge transport layer 47G, and the second charge transport layer 47R are not distinguished, they are simply referred to as the second charge transport layer 47.
  • the first electrode 31 injects a charge into the first charge transport layer 46.
  • the first electrode 31 of the present embodiment functions as an anode for injecting holes into the first charge transport layer 46.
  • the first electrode 31 of the present embodiment is provided in an island shape for each region forming each pixel 2 on the interlayer insulating film 20. Then, the first electrode 31 is electrically connected to the TFT via the contact hole CH provided in the interlayer insulating film 20.
  • a metal containing Al, Cu, Au, Ag, etc. which has a high reflectance of visible light, and a transparent material such as ITO, IZO, ZnO, AZO, or BZO are formed on the array substrate 10. It has a structure in which the layers are laminated in this order.
  • the first electrode 31 is formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
  • the bank 70 is formed so as to cover the contact hole CH.
  • the bank 70 is formed by applying an organic material such as polyimide or acrylic on the array substrate 10 and then patterning it by photolithography. Further, as shown in FIG. 1, the bank 70 of the present embodiment is formed so as to cover the edge of the first electrode 31. That is, the bank 70 of the present embodiment also functions as an edge cover of the first electrode 31. With such a configuration, it is possible to suppress the generation of an excessive electric field at the edge portion of the first electrode 31.
  • the substrate 13 array substrate 10 and interlayer insulating film 20
  • the first electrode 31 and the bank 70 formed on the substrate 13 may be referred to as the substrate 15.
  • the first charge transport layer 46 further transports the charge injected from the first electrode 31 to the light emitting layer 80.
  • the first charge transport layer 46 of the present embodiment functions as a hole transport layer for transporting holes to the light emitting layer 80.
  • the first charge transport layer 46 is formed on the first electrode 31 and is electrically connected to the first electrode 31. Specifically, the first charge transport layer 46 is formed in an island shape for each region defining the pixel 2.
  • the first charge transport layer 46 has a photosensitive resin 41 containing a photosensitive material, and a first charge transport material and nanofibers 51 dispersed in the photosensitive resin 41.
  • the first charge transport material of the present embodiment is composed of nanoparticles 61. That is, the first charge transport layer 46B includes a photosensitive resin 41B containing a first photosensitive material, nanoparticles (first nanoparticles) 61B and nanofibers (first nanofibers) 51B dispersed in the photosensitive resin 41B. And have.
  • the first charge transport layer 46G includes a photosensitive resin 41G containing a second photosensitive material, nanoparticles (second nanoparticles) 61G and nanofibers (second nanofibers) 51G dispersed in the photosensitive resin 41G.
  • the first charge transport layer 46R includes a photosensitive resin 41R containing a third photosensitive material, nanoparticles (third nanoparticles) 61R and nanofibers (third nanofibers) 51R dispersed in the photosensitive resin
  • the material constituting the nanoparticles 61 for example, NiO, Cr 2 O 3, LaNiO 3, MoO 3, WO metal oxide having a hole transporting property such as 3.
  • the photosensitive resin 41 either a positive type or a negative type photoresist may be used.
  • the first charge transport layer 46 is formed by a coating method such as a slit coating method. The details of the nanofiber 51 will be described later.
  • the substrate 15 array substrate 10, interlayer insulating film 20, first electrode 31 and bank 70
  • the first charge transport layer 46 formed on the substrate 15 may be referred to as the substrate 16. is there.
  • the light emitting layer 80 is provided between the first electrode 31 and the second electrode 32. Specifically, the light emitting layer 80 of the present embodiment is provided between the first charge transport layer 46 and the second charge transport layer 47. Further, the light emitting layer 80 of the present embodiment includes a photosensitive resin 81 containing a photosensitive material, nanofibers 82 dispersed in the photosensitive resin 81, and quantum dots 83 (semiconductor nanoparticles). Specifically, for example, the light emitting layer 80B includes a photosensitive resin 81B containing a first photosensitive material, nanofibers (first nanofibers) 82B, and quantum dots (first quantum dots) 83B.
  • the light emitting layer 80G includes a photosensitive resin 81G containing a second photosensitive material, nanofibers (second nanofibers) 82G, and quantum dots (second quantum dots) 83G. Further, the light emitting layer 80R includes a photosensitive resin 81R containing a third photosensitive material, nanofibers (third nanofibers) 82R, and quantum dots (third quantum dots) 83R.
  • the photosensitive resin 81 either a positive type or a negative type photoresist may be used.
  • the light emitting layer 80 is formed by a coating method such as a slit coating method.
  • the photosensitive resins 81B, 81G, and 81R may contain the same type of photosensitive material. The details of the nanofiber 82 will be described later.
  • the quantum dot 83 is a light emitting material that has a valence band level and a conduction band level, and emits light by recombination of holes in the valence band level and electrons in the conduction band level. Since the emission from the quantum dots 83 having the same grain size has a narrow spectrum due to the quantum confinement effect, it is possible to obtain emission with a relatively deep chromaticity.
  • the quantum dot 83 may be, for example, a semiconductor nanoparticle having a core / shell structure having CdSe, InP, ZnTeSe, ZnTeS in the core and ZnS in the shell.
  • the quantum dot 83 may have as a core / shell structure included in the combination of the core and the shell, such as CdSe / CdS, InP / ZnS, ZnSe / ZnS or CIGS / ZnS, or the shell has multiple layers.
  • a double shell structure such as InP / ZnSe / ZnS may be used.
  • a ligand composed of an organic substance such as thiol or amine may be coordinate-bonded to the outer peripheral portion of the shell.
  • the particle size of the quantum dots 83 is about 3 nm to 15 nm.
  • the wavelength of light emitted from the quantum dots 83 can be controlled by the particle size of the quantum dots 83. Therefore, by controlling the particle size of each of the quantum dots 83R, the quantum dots 83G, and the quantum dots 83B, it is possible to obtain light emission of each color.
  • the second charge transport layer 47 further transports the electrons injected from the second electrode 32 to the light emitting layer 80.
  • the second charge transport layer 47 of the present embodiment functions as an electron transport layer for transporting electrons to the light emitting layer 80. Further, the second charge transport layer 47 may have a function of suppressing holes from being transported to the second electrode 32 (hole blocking function). In this embodiment, the second charge transport layer 47 is provided on the light emitting layer 80.
  • the second charge transport layer 47 has a photosensitive resin 42 containing a photosensitive material, and a second charge transport material and nanofibers 52 dispersed in the photosensitive resin 42.
  • the second charge transport material of the present embodiment is composed of nanoparticles 62. That is, the second charge transport layer 47B includes a photosensitive resin 41B containing a first photosensitive material, nanoparticles (first nanoparticles) 62B and nanofibers (first nanofibers) 52B dispersed in the photosensitive resin 41B. And have.
  • the second charge transport layer 47G includes a photosensitive resin 42G containing a second photosensitive material, nanoparticles (second nanoparticles) 62G and nanofibers (second nanofibers) 52G dispersed in the photosensitive resin 42G.
  • the second charge transport layer 47R includes a photosensitive resin 42R containing a third photosensitive material, nanoparticles (third nanoparticles) 62R and nanofibers (third nanofibers) 52R dispersed in the photosensitive resin
  • Examples of the material constituting the nanoparticles 62 include materials having electron transportability such as TiO 2 , ZnO, ZAO (Al-added ZnO), ZnMgO, ITO, and InGaZnO x.
  • As the photosensitive resin 42 either a positive type or a negative type photoresist may be used.
  • the second charge transport layer 47 is formed by a coating method such as a slit coating method. The details of the nanofiber 52 will be described later.
  • the second charge transporting material contained in the second charge transport layer 47 is different from each other.
  • the second charge transporting material contained in the light emitting device 3B is preferably Mg-containing ZnO nanoparticles.
  • the second charge-transporting material contained in the light-emitting element 3G is preferably Mg-containing ZnO nanoparticles having a larger particle size than the second charge-transporting material contained in the light-emitting element 3B.
  • the second charge-transporting material contained in the light-emitting element 3R is preferably Mg-containing ZnO nanoparticles or ZnO nanoparticles having a larger particle size than the second charge-transporting material contained in the light-emitting element 3G.
  • the energy level of the second charge transport layer 47 can be adjusted for each emission color, and the luminous efficiency of each light emitting element 3 can be improved.
  • the second charge transporting material that is, nanoparticles 62B, 62G, 62R
  • the same material may be used.
  • the second electrode 32 is provided on the second charge transport layer 47 and is electrically connected to the second charge transport layer 47.
  • the second electrode 32 of the present embodiment functions as a cathode for injecting electrons into the second charge transport layer 47. Further, the second electrode 32 of the present embodiment is continuously formed over a plurality of pixels 2.
  • the second electrode 32 is made of, for example, a metal thinned to such an extent that it has light transmission of visible light, or a transparent material. Examples of the metal constituting the second electrode 32 include metals containing Al, Ag, Mg and the like. Examples of the transparent material constituting the second electrode 32 include conductive nanofibers such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, and silver nanofibers.
  • the second electrode 32 is formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or a coating method.
  • the sealing layer includes, for example, an inorganic sealing film covering the second electrode 32, an organic layer composed of an organic buffer film above the inorganic sealing film, and an inorganic sealing film above the organic buffer film. ..
  • the sealing layer prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the display device 1.
  • the inorganic sealing film is an inorganic insulating film, and can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic buffer film is a translucent organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • a functional film (not shown) may be provided on the sealing layer.
  • the functional film may have, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the holes injected from the first electrode 31 and the electrons injected from the second electrode 32 are transported to the light emitting layer 80 via the first charge transport layer 46 and the second charge transport layer 47, respectively. Then, the holes and electrons transported to the light emitting layer 80 are recombined in the quantum dots 83 to generate excitons. Then, when the exciton returns from the excited state to the ground state, the quantum dot 83 emits light.
  • a top emission type in which the light emitted from the light emitting layer 80 is taken out from the side opposite to the array substrate 10 (upper in FIG. 1) is illustrated.
  • the display device 1 may be a bottom emission type that extracts light from the array substrate 10 side (lower side in FIG. 1).
  • the second electrode 32 may be composed of the reflective electrode
  • the first electrode 31 may be composed of the transparent electrode.
  • the display device 1 of the present embodiment in order from the array substrate 10, the first electrode 31 which is an anode, the first charge transport layer 46 which is a hole transport layer, the light emitting layer 80, and the second charge which is an electron transport layer
  • the transport layer 47 and the second electrode 32, which is a cathode are laminated.
  • the display device 1 may have a so-called invert structure in which a cathode, an electron transport layer, a light emitting layer 80, a hole transport layer, and an anode are laminated in this order from the array substrate 10.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a manufacturing method of the display device 1 of the present embodiment. Next, a method of manufacturing the display device 1 will be described.
  • the array substrate 10 is formed (step S1).
  • the array substrate 10 is formed by forming a resin layer on a translucent support substrate (for example, mother glass), forming a barrier layer on the resin layer, and forming a TFT on the barrier layer.
  • the interlayer insulating film 20 is formed (step S2).
  • the first electrode 31 is formed (step S3).
  • the bank 70 is formed (step S4).
  • the first charge transport layer 46 is formed (step S5).
  • the first charge transport layer 46 is formed by applying a colloidal solution containing at least nanoparticles 61, nanofibers 51, and a photosensitive material by using a coating method such as slit coating. The details of this step S5 will be described later.
  • the light emitting layer 80 is formed (step S6).
  • the light emitting layer 80 is formed by applying a colloidal solution containing at least quantum dots 83, nanofibers 82, and a photosensitive material by a coating method such as slit coating. The details of this step S6 will be described later.
  • step S7 the second charge transport layer 47 is formed.
  • the second charge transport layer 47 is formed by applying a colloidal solution containing at least nanoparticles 62, nanofibers 52, and a photosensitive material by using a coating method such as slit coating. Since step S7 is the same as step S5, detailed description thereof will be omitted.
  • step S8 a sealing layer is formed (step S8).
  • the top film is attached on the sealing layer (step S9).
  • the support substrate is peeled from the resin layer by irradiation with laser light or the like (step S10).
  • step S10 the lower surface film is attached to the lower surface of the resin layer 12 (step S11).
  • step S12 the laminated body in which each layer is laminated is divided to obtain a plurality of individual pieces (step S12).
  • step S13 the functional film is attached to the obtained pieces (step S13).
  • the electronic circuit board for example, the IC chip and the FPC
  • step S14 the display device 1 of the present embodiment can be manufactured.
  • steps S1 to S13 are performed by the manufacturing apparatus of the display device (including the film forming apparatus which performs each step of steps S1 to S5).
  • step S11 the flexible display device 1 has been described above, in the case of manufacturing the non-flexible display device 1, it is generally unnecessary to form a resin layer, replace the base material, or the like. Therefore, for example, glass.
  • the laminating steps of steps S2 to S7 are performed on the array substrate 10 which is a substrate, and then the process proceeds to step S11.
  • FIG. 3 is a diagram showing a state in which the colloidal solution 46a1 serving as the first charge transport layer 46 is applied.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state in which the solvent (dispersion medium) 41a of the colloidal solution 46a1 shown in FIG. 3 is evaporated.
  • FIG. 5 is a diagram showing a state in which the first charge transport layer 46a2 formed by the evaporation of the solvent 41a is exposed.
  • FIG. 6 is a diagram showing how the exposed first charge transport layer 46a2 is patterned by development.
  • the colloidal solution 46a1 for forming the first charge transport layer 46 contains a solvent 41a containing a photosensitive material, nanoparticles 61 dispersed in the solvent 41a, and nanofibers 51. ..
  • the colloidal solution 46a1 is applied from the head 91 while the head 91 of the slit coater is relatively moved in the direction of the arrow X91 to the substrate 15 produced through steps S1 to S5. As a result, the colloidal solution 46a1 is continuously applied to the entire surface of the substrate 15 so that the thickness is, for example, about 20 nm or more and 100 nm or less.
  • the viscosity of the colloidal solution 46a1 at room temperature (20 to 25 ° C.) is preferably 2 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less, and more preferably 2 mPa ⁇ s or more and 10 mPa ⁇ s or less.
  • the colloidal solution 46a1 can be suitably applied (discharged) by a coating method such as a slit coating method.
  • Examples of the solvent 41a for forming the colloidal solution 46a1 include methyl alcohol, ethyl alcohol, hexane, methyl ethyl ketone (MEK), ethyl acetate, chloroform, tetrahydrofuran (THF), benzene, chlorobenzene, 1,2-dichlorobenzene, toluene and propylene.
  • Examples thereof include organic solvents such as glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and N-methylpyrrolidone (NMP), or water.
  • the viscosity of the colloidal solution 46a1 can be adjusted by the nanofiber 51, the degree of freedom in selecting the solvent 41a can be increased, and the viscosity is generally low, and a coating method such as a slit coating method can be used. Even a solvent that could not be applied can be used.
  • the viscosity of ethyl alcohol at 20 ° C. is 1.200 mPa ⁇ s
  • the viscosity of methyl ethyl ketone at 20 ° C. is 0.40 mPa ⁇ s
  • the viscosity of chlorobenzene at 20 ° C. is 0.8 mPa ⁇ s.
  • the viscosity of 1,2-dichlorobenzene at 25 ° C. is 1.324 mPa ⁇ s
  • the viscosity of toluene at 20 ° C. is 0.5866 mPa ⁇ s
  • the viscosity of water at 20 ° C. is 1.002 mPa ⁇ s.
  • the viscosity of the colloidal solution 46a1 at room temperature (20 to 25 ° C.) can be adjusted (thickened) to 2 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less by adding the nanofiber 51. ..
  • the amount of nanoparticles 61 in the colloidal solution 46a1 is preferably about several% by weight from the viewpoint of charge transportability.
  • the nanofiber 51 acts as a viscosity modifier (thickening agent) for the colloidal solution 46a1 to adjust the colloidal solution 46a1 to a viscosity suitable for slit coating. That is, the nanofiber 51 has a high viscosity, and the viscosity (viscosity) and the thixophilicity of the colloidal solution 46a1 can be controlled by adding the nanofiber 51.
  • the substrate 15 on which the colloidal solution 46a1 is coated on the surface is prebaked by inserting it into a heating furnace or the like.
  • the solvent 41a in the colloidal solution 46a1 on the substrate 15 is evaporated to form a photosensitive resin 41 which is a continuous film on the entire surface of the substrate 15. That is, on the substrate 15, the first charge transport layer 46a2 in which the nanofibers 51 and the nanoparticles 61 are dispersed in the photosensitive resin 41 is formed on the entire surface of the substrate 15.
  • heat of about 80 ° C. or higher and 120 ° C. or lower is applied to the substrate 15 and the colloidal solution 46a1.
  • the nanofibers 51 are dispersed in the first charge transport layer 46, the non-uniform aggregation of the nanoparticles 61 is suppressed and the photosensitivity is improved as compared with the case where the nanofibers 51 are not dispersed.
  • the resin 41 can be formed into a film.
  • UV exposure UV exposure
  • UV exposure is performed by, for example, irradiating with UV light of about 10 to 1000 mJ / cm 2.
  • the first charge transport layer 46a2 (FIG. 5) formed on the entire surface of the substrate 15 is developed as shown by the arrow Z43, so that every pixel 2 is formed on the substrate 15.
  • the first charge transport layer 46 is patterned. Development is carried out using, for example, an alkaline solution, an organic solvent, and water.
  • a positive type photoresist is used for the photosensitive resin 41 in the first charge transport layer 46, the portion irradiated with UV light through the mask 95 is dissolved and removed by development, and a negative type photoresist is used. If so, the portion other than the portion irradiated with UV light through the mask 95 is dissolved and removed by development.
  • the substrate 15 on which the first charge transport layer 46 is patterned is inserted into a heating furnace or the like for main baking.
  • a heating furnace or the like for main baking By this baking, it is possible to suppress the release of gas from the photosensitive resin 41 in the first charge transport layer 46 when the display device 1 is made to emit light.
  • heat of about 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower is applied to the substrate 15 and the first charge transport layer 46.
  • step of step S5 is completed.
  • the process of step S7 is also the same as the process of step S5.
  • the colloidal solution 46a1 can be applied by a coating method such as a slit coating method regardless of the viscosity of the solvent 41a. .. Further, since the colloidal solution 46a1 contains a photosensitive material, the first charge transport layer 46 can be patterned by exposure and development (that is, a photolithography method) after the colloidal solution 46a1 is dried. Therefore, it is possible to form a uniform first charge transport layer 46 in which unevenness in thickness is suppressed and cracks are suppressed.
  • the diameter of the nanofiber 51 included in the first charge transport layer 46 is preferably smaller than the thickness of the first charge transport layer 46 (usually 5 to 30 nm), and therefore 3 to 30 nm is preferable. , It is more preferable that it is smaller than the diameter of the nanoparticles 61, and it is further preferable that it is as small as possible. If the diameter of the nanofiber 51 exceeds 30 nm, the surface of the first charge transport layer 46 is likely to have irregularities, and the flatness of the interface is lowered, so that the light emitting characteristics may be lowered. Further, if the diameter of the nanofiber 51 exceeds 30 nm, there is a possibility that a region in which the nanoparticles 61 do not exist may occur in the film thickness direction of the first charge transport layer 46.
  • the length of the nanofiber 51 contained in the first charge transport layer 46 is preferably longer than the diameter of the nanoparticles 61, and the thickness of the first charge transport layer 46 is twice or more and 1 ⁇ m or less. More preferably, 60 nm to 1 ⁇ m, which is sufficiently longer than the thickness, is further preferable. If the length of the nanofibers 51 is shorter than twice the thickness of the first charge transport layer 46, it becomes difficult to arrange them in parallel (horizontal) in the plane of the first charge transport layer 46, so that the first charge transport layer 46 The surface of the surface is likely to be uneven. If the length of the nanofiber 51 is longer than 1 ⁇ m, the risk of clogging the nozzle of the head 91 when applying with a slit coater is increased. In addition, the patternability of the formed first charge transport layer 46 may deteriorate.
  • the colloidal solution 46a1 can be suitably applied by the slit coating method.
  • the relationship between the two is explained using the "diameter” of the nanoparticles 61 and the “diameter” of the nanofibers 51 as indexes.
  • the “diameter” is a diameter on the premise that the nanoparticles 61 are true spheres in the case of the nanoparticles 61.
  • the “diameter” of the nanofiber 51 is based on the premise that the cross section of the nanofiber 51 is a perfect circle.
  • the nanoparticles 61 can perform substantially the same function as the true sphere nanoparticles 61. Further, even when the cross section of the nanofiber 51 is elliptical or strip-shaped with distortion, the nanofiber 51 can perform almost the same function as the nanofiber 51 having a perfect circular cross section. Therefore, in the present specification, the “diameter” refers to the diameter when the nanoparticles 61 are converted into true spherical nanoparticles 61 having the same volume in the case of nanoparticles 61, and in the case of nanofibers 51, the term “diameter” refers to the diameter. It refers to the maximum width.
  • the number of nanoparticles 61 contained in the first charge transport layer 46 is preferably larger than the number of nanoparticles 51, and specifically, the number ratio of the nanoparticles 51 to the nanoparticles 61 (nanofibers 51).
  • Nanoparticle 61 is more preferably 1: 100 to 1: 100 million, further preferably 1: 10,000 to 1: 10 million.
  • the amount of nanofibers 51 in the colloidal solution 46a1 is more than 0 and 1% by weight or less so that the viscosity of the colloidal solution 46a1 at room temperature (20 to 25 ° C.) is 2 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less. If the thickening effect can be obtained, it is desirable that the amount is as small as possible.
  • the amount of the nanofibers 51 exceeds 1% by weight, the viscosity of the colloidal solution 46a1 becomes too high, and it becomes difficult to suitably apply the colloidal solution 46a1 by the slit coating method, and therefore it becomes difficult to form a thin film. There is. Further, since the amount of nanoparticles 61 contained in the first charge transport layer 46 is relatively reduced, the light emission characteristics may be deteriorated. If the amount of nanofibers 51 is too small, the thickening effect cannot be obtained.
  • the nanofiber 51 may be transparent, has light transmittance of visible light, and has insulating properties, and is not particularly limited, but a linear polysaccharide polymer (polysaccharide) is preferable. .. By modifying the polysaccharide polymer with a hydrophobic group, it can be easily and stably dispersed in an organic solvent.
  • the nanofibers 51 are used as cellulose nanofibers, which are polysaccharides in which glucose is linearly linked, chitin nanofibers, which are polysaccharides in which acetylglucosamine is linearly linked, and as a thickener for foods.
  • Lambda carrageenan is more preferred, cellulose nanofibers are even more preferred, and TEMPO oxidized cellulose nanofibers are particularly preferred.
  • a plurality of types of nanofibers 51 may be used in combination, if necessary.
  • the nanofiber 51 has a different molecular structure at the terminal depending on whether it is dispersed in water or in an organic solvent.
  • Cellulose nanofibers can be easily and stably dispersed in water or an organic solvent such as methyl alcohol, methyl ethyl ketone (MEMK), ethyl acetate, and toluene.
  • Chitin nanofibers can be easily and stably dispersed in organic solvents such as chloroform, tetrahydrofuran (THF), benzene, toluene and hexane.
  • the TEMPO oxidized cellulose nanofiber is, for example, an oxidized cellulose nanofiber containing a nitroxyl radical such as 2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyradical.
  • the TEMPO oxidized cellulose nanofibers are, for example, 3 nm in diameter, transparent, non-scattering, highly insulating (> 100 T ⁇ ) and high dielectric constant (5-6 F / m).
  • the nanofibers 51 contained in the applied colloidal solution 46a1 that is, the nanofibers 51 contained in the first charge transport layer 46 are random in the in-plane direction. Maintain the placement state.
  • step S5 the nanoparticles 61 are uniformly applied over the entire dropping range and arranged three-dimensionally, while the nanoparticles 51 are sewn between the nanoparticles 61 and are present on the surface of the substrate 15. Orientation occurs along the length direction and maintains a random state in the in-plane direction. Since the nanofibers 51 are sewn between the nanoparticles 61 and exist in a random state in the in-plane direction, a uniform first charge transport layer 46 having no unevenness in thickness and no cracks is formed. Random. That is, since the uniform first charge transport layer 46 is formed, the display device 1 can emit light uniformly.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state in which the colloidal solution 80a1 serving as the light emitting layer 80 is applied.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state in which the solvent 81a of the colloidal solution 81a1 shown in FIG. 7 is evaporated.
  • FIG. 9 is a diagram showing a state in which the light emitting layer 80a2 formed by evaporating the solvent 81a is exposed.
  • FIG. 10 is a diagram showing how the exposed light emitting layer 80a2 is patterned by developing it.
  • the colloidal solution 80a1 for forming the light emitting layer 80 contains a solvent (dispersion medium) 81a containing a photosensitive material and quantum dots 83 and nanofibers 82 dispersed in the solvent 81a. Including.
  • the colloidal solution 80a1 may or may not contain a ligand. When the colloidal solution 80a1 does not contain a ligand, the ligand does not limit the solvent. Further, the colloidal solution 80a1 preferably does not contain a host material.
  • the same materials as the solvent 41a and the nanofiber 51 can be used.
  • Quantum dots 83 are composed of group II-VI, group III-V, or group IV-VI element groups, for example, having a particle size (diameter) of 3 to 15 nm (atomic number; 100 to 10,000). It is a fine particle semiconductor and is used as a luminophore.
  • the material, element concentration, and crystal structure of the quantum dot 83 may be different between the central portion and the outer shell portion. Further, the quantum dot 83 has a different band gap between the central portion and the outer shell portion, and the outer shell portion may have a larger band gap than the central portion.
  • the quantum dots 83 are dispersed in the solvent 81a to form a colloidal solution 80a1.
  • an atom or an organic molecule may be attached to the surface of the quantum dots 83 as a ligand.
  • the organic molecule as a ligand for example, alkylthiols, alkylamines, carboxylic acids, oleic acids, organic silanes and the like can be used.
  • the colloidal solution 80a1 is applied from the head 92 to the upper surface of the substrate 16 in which the first charge transport layer 46 is formed on the upper surface of the substrate 15 through step S6 while the head 92 of the slit coater is relatively moved in the direction of the arrow X92. To go. As a result, the colloidal solution 80a1 is continuously applied to the entire surface of the substrate 16 so that the thickness is, for example, about 20 nm or more and 100 nm or less.
  • the viscosity of the colloidal solution 80a1 at room temperature (20 to 25 ° C.) is preferably 2 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less, and more preferably 2 mPa ⁇ s or more and 10 mPa ⁇ s or less.
  • the colloidal solution 80a1 can be suitably applied (discharged) by a coating method such as a slit coating method.
  • the substrate 16 having the colloidal solution 80a1 coated on the surface is prebaked by inserting it into a heating furnace or the like.
  • the solvent 81a in the colloidal solution 80a1 on the substrate 16 is evaporated to form a photosensitive resin 81, which is a continuous film, on the entire surface of the substrate 16. That is, on the substrate 16, the light emitting layer 80a2 in which the nanofibers 82 and the quantum dots 83 are dispersed in the photosensitive resin layer 81 is formed on the entire surface of the substrate 16.
  • heat of about 80 ° C. or higher and 120 ° C. or lower is applied to the substrate 16 and the colloidal solution 80a1.
  • the photosensitive resin 81 can be obtained by suppressing non-uniform aggregation of the quantum dots 83 as compared with the case where the nanofibers 82 are not dispersed.
  • a film can be formed.
  • the light emitting layer 80a2 formed on the entire surface of the substrate 16 is exposed to UV (ultraviolet) through the mask 96 as shown by the arrow Z82.
  • UV exposure is performed by, for example, irradiating with UV light of about 10 to 1000 mJ / cm 2.
  • the light emitting layer 80 (FIG. 10) formed on the entire surface of the substrate 16 as shown by the arrow Z83, light is emitted on the substrate 16 for each pixel 2.
  • the layer 80 is patterned. Development is carried out using, for example, an alkaline solution, an organic solvent, and water.
  • a positive type photoresist is used for the photosensitive resin layer 81 in the light emitting layer 80, the portion irradiated with UV light through the mask 96 is dissolved and removed by development, and when a negative type photoresist is used. Is removed by developing the portion other than the portion irradiated with UV light through the mask 96.
  • the substrate 16 on which the light emitting layer 80 is patterned is inserted into a heating furnace or the like for main baking.
  • a heating furnace or the like for main baking By this baking, it is possible to suppress the release of gas from the photosensitive resin layer 81 in the light emitting layer 80 when the display device 1 is made to emit light.
  • heat of about 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower is applied to the substrate 16 and the light emitting layer 80. As a result, the step of step S6 is completed.
  • the colloidal solution 80a1 can be applied by a coating method such as a slit coating method regardless of the viscosity of the solvent 81a. .. Further, since the colloidal solution 80a1 contains a photosensitive material, the light emitting layer 80 can be patterned by exposure and development (that is, photolithography) after the colloidal solution 80a1 is dried. Therefore, it is possible to form a uniform light emitting layer 80 having no unevenness in thickness and no cracks.
  • the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 may be contained in at least one of the layers.
  • the nanofiber and the photosensitive resin material may be contained only in the first charge transport layer 46 among the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80 and the second charge transport layer 47, or the light emitting layer 80. It may be contained only in the second charge transport layer 47, or may be contained in any two layers.
  • the nanofibers contained in the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 may be made of the same material, that is, the same material. Further, the materials of the nanofibers contained in any two of the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80 and the second charge transport layer 47 may be the same, that is, they may be formed of the same material.
  • nanofibers contained in the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 may have the same shape. Further, the nanofibers contained in any two of the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80 and the second charge transport layer 47 may have the same shape. It should be noted that the same shape of nanofibers can be expressed as having the same diameter and length.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display device 1B according to the second embodiment.
  • the configurations of the light emitting layer 80 and the bank 70 are mainly different between the display device 1B (FIG. 11) and the display device 1 (FIG. 1).
  • the display device 1B has a configuration in which a bank 70A, which is a plurality of laminated light emitting layers (functional layers) 80, is provided in place of the bank 70 in the display device 1.
  • the adjacent first electrodes 31 are partitioned by the bank 70A. Further, the peripheral end portion (edge) of each of the first electrodes 31 overlaps with the bank 70A over the entire circumference.
  • the bank 70A has a light emitting layer (first functional layer) 80B that overlaps the entire circumference of the peripheral end portion of the first electrode 31 via the first charge transport layer 46R, and a light emitting layer (third) that overlaps the light emitting layer 80B. It has a two-function layer) 80G and a light-emitting layer (third function layer) 80R that overlaps the light-emitting layer 80G.
  • the light emitting layers 80B, 80G, and 80R are functional layers containing a photosensitive material and nanofibers, respectively.
  • the first electrode (first pixel electrode) 31B has a light emitting layer (first functional layer) 80B and a light emitting layer (second function) over the entire circumference of the peripheral end portion via the first charge transport layer 46B.
  • Layer) 80G and light emitting layer (third functional layer) 80R overlap.
  • the first electrode (second pixel electrode) 31G overlaps the light emitting layer 80B, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80R over the entire circumference of the peripheral end portion via the first charge transport layer 46G.
  • the first electrode (third pixel electrode) 31R overlaps the light emitting layer 80B, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80R over the entire circumference of the peripheral end portion via the first charge transport layer 46R.
  • the peripheral ends of the first electrodes 31B, 31G, and 31R are laminated by a plurality of light emitting layers 80, respectively. Therefore, the distance between the peripheral end portions of the first electrodes 31B, 31G, and 31R and the second electrode 32 is set to the central portion (region surrounded by the peripheral end portions) and the first electrode 31B, 31G, and 31R, respectively. It can be separated from the distance from the two electrodes 32. As a result, it is possible to suppress the occurrence of electrolytic concentration between the peripheral ends of the first electrodes 31B, 31G, and 31R and the second electrode 32. Therefore, deterioration of each of the first electrodes 31B, 31G, and 31R due to electrolytic concentration can be suppressed.
  • the peripheral ends of the first electrodes 31B, 31G, and 31R do not have to have a plurality of light emitting layers 80 laminated over the entire circumference, and at least a part of the peripheral ends has a plurality of light emitting layers 80. It may be laminated.
  • the bank 70A is not limited to the three-layer structure of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R, and may have a structure in which any two layers of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R are laminated.
  • the bank 70A is a functional layer instead of the light emitting layers 80B / 80G / 80R.
  • the transport layer (first functional layer) 46B the first charge transport layer (second functional layer) 46G, and the first charge transport layer (third functional layer) 46R, two or three layers are laminated. May be good.
  • the bank 70A is a functional layer instead of the light emitting layers 80B / 80G / 80R.
  • the transport layer (first functional layer) 47B the second charge transport layer (second functional layer) 47G, and the second charge transport layer (third functional layer) 47R, two or three layers are laminated. May be good.
  • the layers having a small diameter to the large diameter of the contained fine particles are laminated in order from the lower layer to the upper layer. ..
  • the gap between the fine particles is smaller than when the diameter is large. Therefore, it is possible to prevent the fine particles having a large diameter from being fitted between the fine particles having a small diameter, and to easily increase the total thickness of the plurality of layers (that is, the height of the bank 70A).
  • the light emitting layer 80B having the smallest quantum dot diameter is used as the lower layer, and the light emitting layer 80R having the second largest quantum dot grain diameter after the light emitting layer 80B is laminated on the light emitting layer 80G. Therefore, it is easy to increase the total thickness of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R (that is, the height of the bank 70A).
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a substrate in which the light emitting layer 80B is patterned according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view of the substrate shown in FIG.
  • FIG. 14 is a plan view showing the light emitting layer 80B shown in FIGS. 12 and 13.
  • step S4 the step of forming the bank 70
  • step S5 the step of forming the first charge transport layer 46
  • step S6 the step of forming the light emitting layer 80
  • step S6 for example, first, the light emitting layer 80B is formed. After this, the light emitting layer 80G is formed, and then the light emitting layer 80R is formed.
  • the light emitting layer 80B is formed on the entire surface of the substrate on which the first electrodes 31B / 31G / 31R and the first charge transport layers 46B / 46G / 46R are patterned.
  • the colloidal solution is applied by a coating method such as a slit coating method.
  • a light emitting layer 80B is formed on the upper layer of the substrate 13 in which the first electrodes 31B / 31G / 31R and the first charge transport layers 46B / 46G / 46R are patterned.
  • the light emitting layer 80B has an opening 80B1 so as to expose the central portion within the region surrounded by the peripheral ends of the first charge transport layers 46R and 46G, respectively. Is formed, and a pattern is formed so as to cover the peripheral ends of the first charge transport layers 46R and 46G, the first charge transport layer 46B, and the first charge transport layer 46.
  • the light emitting layer 80G is placed in the opening 80B1 that overlaps the first charge transport layer 46G, the peripheral ends of the first charge transport layers 46R and 46G, the first charge transport layer 46B, and the first charge transport layer 46. It is formed so as to overlap each other. Then, the light emitting layer 80R is placed in the opening 80B1 that overlaps the first charge transport layer 46R, at the peripheral ends of the first charge transport layers 46R and 46G, and between the first charge transport layer 46B and the first charge transport layer 46. It is formed so as to overlap each of.
  • the light emitting layers 80B, 80G, and 80R are functional layers containing nanofibers and a photosensitive material, uneven film thickness is used by using a coating method such as a slit coating method and exposure and development. Can be suppressed and formed.
  • FIG. 15 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 1C according to the third embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line A1-B1 in FIG.
  • the display device 1C (FIG. 16) is different from the display device 1 (FIG. 1) in that a plurality of light emitting layers 80 are laminated mainly in contact holes formed in the light emitting layer 80.
  • the description of the first charge transport layer 46 and the second charge transport layer 47 is omitted.
  • the light emitting layers 80B, 80G, and 80R are functional layers containing nanofibers and a photosensitive material.
  • contact holes 5 including an inclined surface and a bottom surface are formed in the light emitting region of each pixel 2. That is, a contact hole 5B including an inclined surface 5Ba and a bottom surface 5Bb is formed in the interlayer insulating film 20 in the blue pixel 2B.
  • the first TFT 102B provided in the lower layer of the interlayer insulating film 20 and the first electrode 31B provided in the upper layer of the interlayer insulating film 20 are connected directly or via wiring via the contact hole 5B.
  • a contact hole 5G including an inclined surface 5Ga and a bottom surface 5Gb is formed in the interlayer insulating film 20 in the green pixel 2G.
  • the second TFT 102G formed in the lower layer of the interlayer insulating film 20 and the first electrode 31G formed in the upper layer of the interlayer insulating film 20 are connected directly or via wiring via the contact hole 5G. Further, a contact hole 5R including an inclined surface 5Ra and a bottom surface 5Rb is formed in the interlayer insulating film 20 in the red pixel 2R.
  • the third TFT 102R formed in the lower layer of the interlayer insulating film 20 and the first electrode 31R formed in the upper layer of the interlayer insulating film 20 are connected directly or via wiring via the contact hole 5R.
  • the first TFT 102B is a TFT that controls the light emission of the blue pixel 2B
  • the second TFT 102G is a TFT that controls the light emission of the green pixel 2G
  • the third TFT 102R is a TFT that controls the light emission of the red pixel 2R.
  • a light emitting layer that emits light of a different color is laminated on the first electrode 31. Thereby, the step of the contact hole 5 can be reduced.
  • the light emitting layer 80Ra is a layer separated from the light emitting layer 80R, and is formed by the same material and the same process as the light emitting layer 80R.
  • the light emitting layer 80Ga is a layer separated from the light emitting layer 80G, and is formed by the same material and the same process as the light emitting layer 80G.
  • the light emitting layer 80Ba is a layer separated from the light emitting layer 80B, and is formed by the same material and the same process as the light emitting layer 80B.
  • the light emitting layer 80R is laminated on the first electrode 31R, the light emitting layer 80Ga separated from the light emitting layer 80G is further laminated, and the light emitting layer 80Ba separated from the light emitting layer 80B is further laminated. Has been done. Further, in the contact hole 5G, the light emitting layer 80Ra separated from the light emitting layer 80R is laminated on the first electrode 31G, the light emitting layer 80G is further laminated, and the light emitting layer 80Ba separated from the light emitting layer 80B is further laminated. Has been done.
  • the light emitting layer 80Ra separated from the light emitting layer 80R is laminated on the first electrode 31B, the light emitting layer 80Ga separated from the light emitting layer 80G is further laminated, and the light emitting layer 80B is further laminated. Has been done.
  • the light emitting layers 80B, 80Ba, 80G, 80Ga, 80R, and 80Ra are functional layers containing nanofibers and a photosensitive material
  • a coating method such as a slit coating method and exposure and development are used to form a film. It can be formed by suppressing thickness unevenness.
  • the light emitting layer laminated on the bottom surface of the contact hole 5 has the thickest light emitting layer formed on the bottom layer, and the light emitting layer 80 becomes thinner as it becomes the upper layer.
  • the first electrode 31 is patterned by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the light emitting layer 80 is patterned by using a coating method, exposure and development. Therefore, the standard deviation of the maximum value for each contact hole 5 between the thickness of the first electrode 31 on the inclined surface in the contact hole 5 and the thickness of the first electrode 31 on the bottom surface in the contact hole 5 is compared with the standard deviation of the contact hole. The standard deviation of the maximum value for each contact hole 5 between the thickness of the laminated light emitting layer on the inclined surface in 5 and the thickness of the laminated light emitting layer on the bottom surface in the contact hole 5 is larger.
  • a light emitting layer having a long emission wavelength is provided on the side closer to the first electrode 31 (lower layer side), and the side closer to the second electrode 32 (upper layer side).
  • light emitting layers 80R and 80Ra having a long emission wavelength are provided on the side closer to the first electrode 31 (lower layer side), and the side closer to the second electrode 32 (upper layer side). It is preferable to provide light emitting layers 80B and 80Ba having a short emission wavelength. This makes it easier to absorb the external light around the contact hole 5, which includes a wider range of wavelengths, which is shorter than the emission wavelengths of the light emitting layers 80R and 80Ra having a long emission wavelength. As a result, it is possible to more effectively suppress the reflection of external light around the contact hole 5.
  • the light emitting layer 80Ra, the light emitting layer 80Ga, and the light emitting layer 80B are laminated in order from the lower layer to the upper layer on the first electrode 31. It is preferable that they are (overlapping). As a result, even if any one of the light emitting layer 80Ra, the light emitting layer 80Ga, and the light emitting layer 80B is formed to have a thin film thickness due to the inclination of the inclined surface 5Ba in the contact hole 5B, a plurality of laminated light emitting rays The thickness of the entire layer can be secured.
  • the light emitting layer 80Ra, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80Ba are laminated in order from the lower layer to the upper layer on the first electrode 31. It is preferable that they are overlapped (overlapping). As a result, even if any one of the light emitting layer 80Ra, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80Ba is formed to have a thin film thickness due to the inclination of the inclined surface 5Ga in the contact hole 5G, a plurality of laminated light emitting rays are emitted. The thickness of the entire layer can be secured.
  • the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80Ga, and the light emitting layer 80Ba are laminated in order from the lower layer to the upper layer on the first electrode 31. It is preferable that they are overlapped (overlapping). As a result, even if any one of the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80Ga, and the light emitting layer 80Ba is formed to have a thin film thickness due to the inclination of the inclined surface 5Ra in the contact hole 5R, a plurality of laminated light emitting rays are emitted. The thickness of the entire layer can be secured.
  • At least one of the first charge transport layers 46B / 46G / 46R and the second charge transport layers 47B / 47G / 47R is used.
  • Nanofibers and photosensitive materials are mixed and patterned by coating and photolithography, so that they are laminated in the contact hole 5 in the same manner as the above-mentioned light emitting layers 80B, 80Ba, 80G, 80Ga, 80R, 80Ra. It may be (may be stacked).
  • FIG. 17 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 1G according to the fourth embodiment.
  • FIG. 18A is a sectional view taken along line A2-B2 in FIG.
  • FIG. 18B is a sectional view taken along line A3-B3 in FIG.
  • FIG. 18C is a sectional view taken along line A4-B4 in FIG.
  • a plurality of light emitting layers are laminated on a part of the edge (peripheral end) of the first electrode 31 mainly by omitting the bank 70 from the display device 1C (FIG. 16). It is a composition. Note that in FIGS. 18A to 18C, the description of the first charge transport layer 46, the second charge transport layer 47, and the array substrate 10 is omitted.
  • the light emitting layers 80B, 80G, and 80R are functional layers containing nanofibers and a photosensitive material.
  • contact holes 5 are formed in the light emitting region of each pixel 2.
  • a contact hole 5R including an inclined surface 5Ra and a bottom surface 5Rb is formed in the interlayer insulating film 20 in the red pixel 2R.
  • the first electrode 31R formed on the upper layer of the interlayer insulating film 20 is connected to the intra-pixel wiring (wiring) SHr formed on the lower layer of the interlayer insulating film 20 via the contact hole 5R.
  • the intra-pixel wiring SHr is connected to a third TFT 102R (TFT102) formed in the lower layer of the interlayer insulating film 20.
  • a contact hole 5G including an inclined surface 5Ga and a bottom surface 5Gb is formed in the interlayer insulating film 20 in the green pixel 2G.
  • the first electrode 31G formed on the upper layer of the interlayer insulating film 20 is connected to the intra-pixel wiring (wiring) SHg formed on the lower layer of the interlayer insulating film 20 via the contact hole 5G.
  • the intra-pixel wiring SHg is connected to a second TFT 102G (TFT102) formed in the lower layer of the interlayer insulating film 20.
  • TFT102 second TFT 102G
  • a contact hole 5B including an inclined surface 5Ba and a bottom surface 5Bb is formed in the interlayer insulating film 20 in the blue pixel 2B.
  • the first electrode 31B formed on the upper layer of the interlayer insulating film 20 is connected to the intra-pixel wiring (wiring) SHb formed on the lower layer of the interlayer insulating film 20 via the contact hole 5B. Further, the intra-pixel wiring SHb is connected to the first TFT 102B (TFT102) formed in the lower layer of the interlayer insulating film 20.
  • TFT102 first TFT 102B
  • two layers of the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B having different light emitting colors are laminated on the first electrode 31. Further, two layers of the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B having different light emitting colors are laminated on a part of the edge of the first electrode 31.
  • the light emitting layer 80B of the blue pixel 2B adjacent to the red pixel 2R is laminated on the first electrode 31R, and emits light on the light emitting layer 80B.
  • Layers 80R are laminated (overlapping).
  • the edge of the first electrode 31R is covered with the light emitting layer 80R, and a part of the edge of the first electrode 31R (the edge of the edge of the first electrode 31R adjacent to the first electrode 31B) is the light emitting layer 80B. And is covered with a light emitting layer 80R.
  • the two layers of the light emitting layers 80B and 80R may be laminated (overlapped) on at least the inclined surface 5Ra in the contact hole 5R. Further, for example, as shown in FIG. 18B, in the green pixel 2G, in the contact hole 5G, the light emitting layer 80G is laminated on the first electrode 31G, and the red pixel 2R adjacent to the green pixel 2G is laminated on the light emitting layer 80G.
  • the light emitting layers 80R of the above are laminated (overlapping).
  • the edge of the first electrode 31G is covered with the light emitting layer 80G, and a part of the edge of the first electrode 31G (the edge of the edge of the first electrode 31G adjacent to the first electrode 31R) is the light emitting layer 80G.
  • the two layers of the light emitting layers 80G and 80R may be laminated (or overlap) on at least the inclined surface 5Ga in the contact hole 5G. Further, for example, as shown in FIG. 18C, in the blue pixel 2B, in the contact hole 5B, the light emitting layer 80B is laminated on the first electrode 31B, and the green pixel 2G adjacent to the blue pixel 2B is laminated on the light emitting layer 80B.
  • the light emitting layers 80G of the above are laminated (overlapping).
  • the edge of the first electrode 31B is covered with the light emitting layer 80B, and a part of the edge of the first electrode 31B (the edge of the edge of the first electrode 31B adjacent to the first electrode 31G) is the light emitting layer 80B. And is covered with a light emitting layer 80G.
  • the two layers of the light emitting layers 80B and 80G may be laminated (or overlap) on at least the inclined surface 5Ba in the contact hole 5B.
  • the light emitting layers 80B, 80G, and 80R contain nanofibers and a photosensitive material. Therefore, the light emitting layers 80B, 80G, and 80R can be patterned by coating and photolithography so that the light emitting layers having different light emitting colors are laminated so as to cover the contact hole 5.
  • at least one of the first charge transport layers 46B / 46G / 46R and the second charge transport layers 47B / 47G / 47R is photosensitive with nanofibers.
  • it may be laminated (or may be laminated) in the contact hole 5 in the same manner as the above-mentioned light emitting layers 80B / 80G / 80R.
  • FIG. 19 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 1D according to the fifth embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating the energy of the light emitting element in the display device 1D according to the fifth embodiment. Note that in FIG. 19, the bank 70 is not shown. Alternatively, the display device 1D may have a configuration in which the bank 70 is omitted.
  • the display device 1D includes the display device 1 (FIG. 1), mainly the first charge transport layer (common layer) 46, and the light emitting layer (common layer) 80RD provided on the red pixel 2R.
  • the difference is that the second charge transport layer (common layer) 47 is commonly formed across each pixel 2.
  • the light emitting layers 80B and 80G are functional layers containing nanofibers and photosensitive materials, respectively, and are used for each pixel 2 by coating and photolithography.
  • a pattern is formed on (the light emitting layer 80B is every blue pixel 2B, and the light emitting layer 80G is every green pixel 2G).
  • the light emitting layer 80RD, the first charge transport layer 46, and the second charge transport layer 47 of the light emitting layers 80B, 80G, and 80RD do not contain at least one of the nanofiber and the photosensitive resin material and function. Since it is not a layer, it is not patterned using coating and photolithography.
  • the first charge transport layer 46 covers the first electrodes 31B, 31G, and 31R, and is commonly provided across each blue pixel 2B, each green pixel 2G, and each red pixel 2R.
  • the light emitting layer 80RD is laminated on the upper layer of the first electrode 31R in the red pixel 2R, on the upper layer of the light emitting layer 80G in the green pixel 2G, and on the upper layer of the light emitting layer 80B in the blue pixel 2B. Further, it is commonly provided across each blue pixel 2B, each green pixel 2G, and each red pixel 2R.
  • the second charge transport layer 47 is laminated on the light emitting layer 80RD and is commonly provided across each blue pixel 2B, each green pixel 2G, and each red pixel 2R. Compared with the light emitting layers 80B and 80G, the light emitting layer 80RD has a lower energy level of LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital).
  • LUMO Low Unoccupied Molecular Orbital
  • the energy level of the V.B. (valence band) of the quantum dot differs greatly depending on the diameter of the quantum dot (that is, the emission color). Therefore, the efficiency of injecting holes H1 from the first charge transport layer 46 (hole transport layer: HTL) into the light emitting layer 80B and from the first charge transport layer 46 (hole transport layer: HTL) to the light emitting layer 80RD.
  • the injection efficiency of hole H1 is almost the same.
  • the energy level of the CB (conduction band) of the quantum dot differs greatly depending on the diameter of the quantum dot (that is, the emission color). Therefore, the efficiency of injecting electrons E1 from the second charge transport layer 47 (electron transport layer: ETL) into the light emitting layer 80RD is compared with the efficiency of injection of electrons E1 from the second charge transport layer 47 (electron transport layer: ETL) into the light emitting layer 80B. The injection efficiency of electron E1 is worse.
  • the barrier to the electron E1 between the layers becomes smaller, and the second charge transport layer 47 to the light emitting layer
  • the efficiency of injecting the electron E1 into the 80B can be increased.
  • FIG. 21 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 1D according to the first modification of the fifth embodiment.
  • the bank 70 is not shown in FIG. 21.
  • the display device 1D shown in FIG. 21 may have a configuration in which the bank 70 is omitted.
  • the light emitting layer 80G provided on the green pixel 2G is commonly formed across the green pixel 2G and the blue pixel 2B. different.
  • the light emitting layers 80B and 80G are functional layers containing nanofibers and photosensitive materials, respectively, and are used by coating and photolithography.
  • a pattern is formed for each pixel 2 (the light emitting layer 80B is for each blue pixel 2B, and the light emitting layer 80G is for each of the green pixel 2G and the blue pixel 2B).
  • the light emitting layer 80RD, the first charge transport layer 46, and the second charge transport layer 47 of the light emitting layers 80B, 80G, and 80RD do not contain at least one of the nanofiber and the photosensitive resin material and function. Since it is not a layer, it is not patterned using coating and photolithography.
  • FIG. 22 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 1D according to the second modification of the fifth embodiment.
  • the bank 70 is not shown in FIG. 22.
  • the display device 1D shown in FIG. 22 may have a configuration in which the bank 70 is omitted.
  • the display device 1D shown in FIG. 22 has a so-called invert structure in which the stacking order of each layer from the first electrode 31 to the second electrode 32 is reversed in the display device 1D shown in FIG.
  • a second electrode 32B is provided for each blue pixel 2B and a second electrode 32G is provided for each green pixel 2G on the upper layer of the interlayer insulating film 20 (not shown in FIG. 22).
  • a second electrode 32R is provided for each red pixel 2R.
  • a second charge transport layer 47 that covers the second electrodes 32B, 32G, and 32R and is continuous across each pixel 2 is provided on the upper layer of the interlayer insulating film 20 (not shown in FIG. 22).
  • a light emitting layer 80RD that is continuous across each pixel 2 is provided on the upper layer of the second charge transport layer 47.
  • a light emitting layer 80G that is continuous across the green pixel 2G and the blue pixel 2B is provided on the upper layer of the light emitting layer 80RD. Further, a light emitting layer 80B is provided for each blue pixel 2B on the upper layer of the light emitting layer 80G. Further, a first charge transport layer 46 continuous across each pixel 2 is provided on the upper layers of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R. A first electrode 31 continuous across each pixel 2 is provided on the upper layer of the first charge transport layer 46.
  • the light emitting layers 80B and 80G are functional layers containing nanofibers and photosensitive materials, respectively, and are used by coating and photolithography. Therefore, a pattern is formed for each pixel 2 (the light emitting layer 80B is for each blue pixel 2B, and the light emitting layer 80G is for each of the green pixel 2G and the blue pixel 2B).
  • the light emitting layer 80RD, the first charge transport layer 46, and the second charge transport layer 47 of the light emitting layers 80B, 80G, and 80RD do not contain at least one of the nanofiber and the photosensitive resin material and function. Since it is not a layer, it is not patterned using coating and photolithography.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display device 1E according to the present embodiment.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 is different between the light emitting element 3B, the light emitting element 3G, and the light emitting element 3R.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3R is larger than the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3G, and further.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting layer 80G is larger than the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3B.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3R is 150 nm.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3G is 110 nm.
  • the film thickness of the first charge transport layer 46 included in the light emitting element 3B is 40 nm.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display device 1F according to the present embodiment.
  • the second charge transport layer 47 has a resin 42F and a second charge transport material and nanofibers 52 dispersed in the resin 42F. That is, the second charge transport layer 47 does not have to contain a photosensitive material.
  • the second charge transport layer 47 is commonly formed in the light emitting element 3R, the light emitting element 3G, and the light emitting element 3B.
  • the second electrode 32 of the present embodiment is a common electrode that is commonly formed among the light emitting elements 3.
  • the first charge transport layer 46 of the present embodiment is not formed in an island shape in the region partitioned by the bank 70, and the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B. And are formed continuously so as to cover the bank.
  • the second charge transport layer 47 can be collectively formed by the slit coating method. As a result, the light emitting device can be easily manufactured.
  • the light emitting layer 80 contains quantum dots.
  • the light emitting layer 80 according to one aspect of the present invention may have a configuration that does not include quantum dots.
  • the light emitting layer 80 may be made of, for example, an organic fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the first charge transport layer 46, the light emitting layer 80, and the second charge transport layer 47 do not have to contain nanofibers and photosensitive materials in all the layers, and at least any of them. Or it may be contained in one layer. Even with such a configuration, patterning can be performed by a coating method and photolithography on the display devices 1 to 1F, and it is possible to suppress the occurrence of film thickness unevenness.
  • the first charge transport layer 46 has nanoparticles 61, which is a hole transporting material.
  • the first charge transport layer 46 does not contain nanoparticles 61 and may have a hole transporting organic material (eg, PEDOT: PSS, PVK, TFB, poly-TPD, etc.). Even with such a configuration, the first charge transport layer 46 can be patterned by a coating method and photolithography, and the occurrence of film thickness unevenness can be suppressed.
  • the second charge transport layer 47 has nanoparticles 62 which are electron transportable materials.
  • the second charge transport layer 47 may not contain nanoparticles 62 and may have an electron transportable organic material (eg, polyoxadiazole or soluble Alq3 polymer). Even with such a configuration, the second charge transport layer 47 can be patterned by a coating method and photolithography, and the occurrence of film thickness unevenness can be suppressed.
  • Display device 2 Pixels 3 Light emitting element 10 Array substrate 20 Interlayer insulating film 31 First electrode 32 Second electrode 42 Photosensitive resin 46 First charge transport layer 47 Second charge transport layer 51.52.82 Nanofiber 61.62 Nano Particle 70 / 70A Bank 80 Light emitting layer

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Abstract

表示デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、前記発光層へ電荷を輸送する電荷輸送性材料を含有する電荷輸送層と、を備え、前記発光層、及び、前記電荷輸送層のうち、少なくとも一つの層は、ナノファイバーと、感光性材料とを含む機能層である。

Description

表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法
　本発明は、表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１には、微粒子状の量子ドットと、前記量子ドットを分散させる分散媒とを含む吐出液、吐出液セット、薄膜パターン形成方法、薄膜、発光素子、画像表示装置、および、電子機器が開示されている。
特開２０１０－００９９９５号公報
　一般に、リガンドによって量子ドット（ＱＤ ：Quantum Dot）の特性は変化するため、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）に適したリガンドが選択されると共に、リガンドに応じて溶媒（分散媒）も限定される。しかし、粘度が低すぎる溶媒の場合、成膜時に用いることが可能な塗布法が限定される。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、前記発光層へ電荷を輸送する電荷輸送性材料を含有する電荷輸送層と、を備え、前記発光層、及び、前記電荷輸送層のうち、少なくとも一つの層は、ナノファイバーと、感光性材料とを含む機能層である。
　また、本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、ナノファイバーと、感光性材料と、発光材料または電荷輸送性材料と、を含む溶液を塗布し、塗布された前記溶液により成膜された層に対し、フォトリソグラフィを行うことで、前記発光材料または前記電荷輸送材料を含む機能層を形成する。
　本発明の一態様によれば、塗布時の低すぎる溶媒の粘度を最適な範囲に調整することである。
実施形態１に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態１の表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における、第１電荷輸送層となるコロイド溶液を塗布している様子を表す図である。 図３に示すコロイド溶液の溶媒を蒸発させている様子を表す図である。 図３に示した溶媒が蒸発することで成膜された第１電荷輸送層を露光している様子を表す図である。 図５に示した第１電荷輸送層を現像によりパターニングしている様子を表す図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における、発光層となるコロイド溶液を塗布している様子を表す図である。 図７に示すコロイド溶液の溶媒を蒸発させている様子を表す図である。 図８に示した溶媒が蒸発することで成膜された発光層を露光している様子を表す図である。 図９に示した発光層を現像によりパターニングしている様子を表す図である。 実施形態２に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態２に係る、発光層をパターニングした基板の断面図である。 図１２に示す基板の平面図である。 図１２および図１３に示す発光層を表す平面図である。 実施形態３に係る表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 図１５におけるＡ１‐Ｂ１線断面図である。 実施形態４に係る表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 図１７におけるＡ２‐Ｂ２線断面図である。 図１７におけるＡ３‐Ｂ３線断面図である。 図１７におけるＡ４‐Ｂ４線断面図である。 実施形態５に係る表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 実施形態５に係る表示デバイスにおける発光素子のエネルギーを説明する図である。 実施形態５の変形例１に係る表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 実施形態５の変形例２に係る表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 実施形態６に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態７に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。
　以下の説明においては、「同層」とは比較対象の層と同一のプロセス（成膜工程）にて形成されている層を意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を意味する。
　＜実施形態１＞
　図１は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略構成を示す断面図である。表示デバイス１は、例えば、テレビやスマートフォン等のディスプレイに用いられる。図１に示すように、本実施形態の表示デバイス１は、アレイ基板１０上に設けられた複数の画素２を有する。
　複数の画素２は、青色光（第１色の光）を出射する青色画素（第１画素）２Ｂと、緑色光（第２色の光）を出射する緑色画素（第２画素）２Ｇと、赤色光（第３色の光）を出射する赤色画素（第３画素）２Ｒとを備える。一例として、平面視において、緑色画素２Ｇは、赤色画素２Ｒと隣接する。また、平面視において、青色画素２Ｂは緑色画素２Ｇと隣接する。なお、赤色画素２Ｒ、緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂそれぞれの並び順は任意に変更可能である。
　複数の画素２は、それぞれ、アレイ基板１０上に設けられた絶縁性のバンク７０（画素規制層）により区画された領域に、発光素子３（青色画素２Ｂ、緑色画素２Ｇおよび赤色画素２Ｒにおいて、それぞれ、発光素子３Ｂ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｒ）が形成されることにより、構成される。なお、青色光とは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、緑色光とは、５００ｎｍより大きく６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、赤色光とは、６００ｎｍより大きく７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。
　アレイ基板１０は、各発光素子３の発光および非発光を制御するための、薄膜トランジスタであるＴＦＴが設けられた基板である。本実施形態のアレイ基板１０は、柔軟性を有する樹脂層にＴＦＴが形成されることにより構成される。また、本実施形態の樹脂層は、樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）上に、バリア層である無機絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜）が積層されることにより構成される。ただし、アレイ基板１０は、ガラス基板等の硬質の基板上にＴＦＴが形成されることにより構成されてもよい。また、本実施形態のアレイ基板１０の上面には、層間絶縁膜２０（平坦化膜）が設けられる。層間絶縁膜２０は、例えば、ポリイミドやアクリル系の材料により構成される。層間絶縁膜２０には、複数のコンタクトホールＣＨが形成される。なお、以下の説明では、アレイ基板１０と、アレイ基板１０の上面に形成された層間絶縁膜２０とを、基板１３と称する場合がある。
　発光素子３Ｂ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｒは、それぞれ、第１電極３１、第１電荷輸送層４６、発光層８０、第２電荷輸送層４７および第２電極３２を有する。
　ここで、ナノファイバーと、感光性材料とを含む層を機能層と称する。機能層は、スリットコート法などの塗布法により塗布することができ、さらに、フォトリソグラフィなどによりパターニングが可能な層である。本実施形態では、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７は、それぞれ機能層であるものとし、後述するように、ナノファイバーと、感光性材料とを含む。なお、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７のうち、少なくとも一つの層が機能層（すなわち、ナノファイバーと、感光性材料とを含む層）であればよい。
　本実施形態では、一例として、青色画素２Ｂに設けられた発光素子３Ｂは、第１電極（第１画素電極）３１Ｂと、第１電極３１Ｂと重なる第１電荷輸送層（機能層、第１機能層）４６Ｂと、第１電荷輸送層４６Ｂと重なる発光層（機能層、第１機能層）８０Ｂと、発光層８０Ｂと重なる第２電荷輸送層（機能層、第１機能層）４７Ｂとを有する。また、例えば、緑色画素２Ｇに設けられた発光素子３Ｇは、第１電極（第２画素電極）３１Ｇと、第１電極３１Ｇと重なる第１電荷輸送層（機能層、第２機能層）４６Ｇと、第１電荷輸送層４６Ｇと重なる発光層（機能層、第２機能層）８０Ｇと、発光層８０Ｇと重なる第２電荷輸送層（機能層、第２機能層）４７Ｇとを有する。赤色画素２Ｒに設けられた発光素子３Ｒは、第１電極（第３画素電極）３１Ｒと、第１電極３１Ｒと重なる第１電荷輸送層（機能層、第３機能層）４６Ｒと、第１電荷輸送層４６Ｒと重なる発光層（機能層、第３機能層）８０Ｒと、発光層８０Ｒと重なる第２電荷輸送層（機能層、第３機能層）４７Ｒとを有する。
　なお、第１電極３１Ｂ、第１電極３１Ｇおよび第１電極３１Ｒを区別しない場合は、単に、第１電極３１と称する。また、第１電荷輸送層４６Ｂ、第１電荷輸送層４６Ｇおよび第１電荷輸送層４６Ｒを区別しない場合は、単に、第１電荷輸送層４６と称する。また、第２電荷輸送層４７Ｂ、第２電荷輸送層４７Ｇおよび第２電荷輸送層４７Ｒを区別しない場合は、単に、第２電荷輸送層４７と称する。
　第１電極３１は、第１電荷輸送層４６に電荷を注入する。本実施形態の第１電極３１は、第１電荷輸送層４６に正孔を注入する陽極として機能する。図１に示すように、本実施形態の第１電極３１は、層間絶縁膜２０上に各画素２を形成する領域ごとに、島状に設けられる。そして、第１電極３１は、層間絶縁膜２０に設けられたコンタクトホールＣＨを介して、ＴＦＴと電気的に接続される。第１電極３１は、例えば、可視光の反射率の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇ等を含む金属と、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、またはＢＺＯ等が、アレイ基板１０上にこの順に積層された構造を備える。第１電極３１は、例えば、スパッタ法や蒸着法等により形成される。
　バンク７０は、コンタクトホールＣＨを覆うように形成される。バンク７０は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料をアレイ基板１０上に塗布した後に、フォトリソグラフィよってパターニングすることにより形成される。また、図１に示すように、本実施形態のバンク７０は、第１電極３１のエッジを覆うように形成される。すなわち、本実施形態のバンク７０は、第１電極３１のエッジカバーとしても機能する。このような構成とすることで、第１電極３１のエッジ部分で過度な電界が生じることを抑制できる。なお、以下の説明では、基板１３（アレイ基板１０および層間絶縁膜２０）と、基板１３に形成された第１電極３１およびバンク７０とを、基板１５と称する場合がある。
　第１電荷輸送層４６は、第１電極３１から注入された電荷を、さらに発光層８０へと輸送する。本実施形態の第１電荷輸送層４６は、正孔を発光層８０へと輸送するための、正孔輸送層として機能する。第１電荷輸送層４６は、第１電極３１上に形成され、第１電極３１と電気的に接続される。具体的には、第１電荷輸送層４６は、画素２を規定する領域ごとに島状に形成される。
　第１電荷輸送層４６は、感光性材料を含む感光性樹脂４１と、感光性樹脂４１に分散された第１電荷輸送性材料およびナノファイバー５１と、を有する。本実施形態の第１電荷輸送性材料は、ナノ粒子６１により構成される。すなわち、第１電荷輸送層４６Ｂは、第１感光性材料を含む感光性樹脂４１Ｂと、感光性樹脂４１Ｂに分散されたナノ粒子（第１ナノ粒子）６１Ｂおよびナノファイバー（第１ナノファイバー）５１Ｂと、を有する。第１電荷輸送層４６Ｇは、第２感光性材料を含む感光性樹脂４１Ｇと、感光性樹脂４１Ｇに分散されたナノ粒子（第２ナノ粒子）６１Ｇおよびナノファイバー（第２ナノファイバー）５１Ｇと、を有する。第１電荷輸送層４６Ｒは、第３感光性材料を含む感光性樹脂４１Ｒと、感光性樹脂４１Ｒに分散されたナノ粒子（第３ナノ粒子）６１Ｒおよびナノファイバー（第３ナノファイバー）５１Ｒと、を有する。
　ナノ粒子６１を構成する材料としては、例えば、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＮｉＯ３、ＭｏＯ３、ＷＯ３等の正孔輸送性を有する金属酸化物が挙げられる。感光性樹脂４１として、ポジ型とネガ型のいずれのフォトレジストを用いてもよい。第１電荷輸送層４６は、例えば、スリットコート法などの塗布法により形成される。なお、ナノファイバー５１の詳細については、後述する。
　なお、以下の説明では、基板１５（アレイ基板１０、層間絶縁膜２０、第１電極３１およびバンク７０）と、基板１５に形成された第１電荷輸送層４６とを、基板１６と称する場合がある。
　発光層８０は、第１電極３１および第２電極３２の間に設けられる。具体的には、本実施形態の発光層８０は、第１電荷輸送層４６および第２電荷輸送層４７の間に設けられる。また、本実施形態の発光層８０は、感光性材料を含む感光性樹脂８１と、感光性樹脂８１に分散されたナノファイバー８２および量子ドット８３（半導体ナノ粒子）と、を含む。具体的には、例えば、発光層８０Ｂは、第１感光性材料を含む感光性樹脂８１Ｂと、ナノファイバー（第１ナノファイバー）８２Ｂと、量子ドット（第１量子ドット）８３Ｂとを含む。また、発光層８０Ｇは、第２感光性材料を含む感光性樹脂８１Ｇと、ナノファイバー（第２ナノファイバー）８２Ｇと、量子ドット（第２量子ドット）８３Ｇとを含む。また、発光層８０Ｒは、第３感光性材料を含む感光性樹脂８１Ｒと、ナノファイバー（第３ナノファイバー）８２Ｒと、量子ドット（第３量子ドット）８３Ｒとを含む。
　感光性樹脂８１として、ポジ型とネガ型のいずれのフォトレジストを用いてもよい。発光層８０は、例えば、スリットコート法などの塗布法により形成される。なお、感光性樹脂８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、同じ種類の感光性材料を含んでいてもよい。また、ナノファイバー８２の詳細については、後述する。
　量子ドット８３は、価電子帯準位と伝導帯準位とを有し、価電子帯準位の正孔と伝導帯準位の電子との再結合により発光する発光材料である。粒経の揃った量子ドット８３からの発光は、量子閉じ込め効果により狭いスペクトルを有するため、比較的深い色度の発光を得ることができる。
　量子ドット８３としては、例えば、コアにＣｄＳｅやＩｎＰ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＴｅＳ、シェルにＺｎＳを備えた、コア／シェル構造を有する半導体ナノ粒子であってもよい。この他、量子ドット８３は、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＺｎＳｅ／ＺｎＳまたはＣＩＧＳ／ＺｎＳ等の、コアとシェルとの組み合わせに含むコア／シェル構造として有してもよく、またはシェルが複層になったＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ等のダブルシェル構造としてもよい。また、シェルの外周部には、例えば、チオールやアミン等の有機物により構成される、リガンドが配位結合していてもよい。
　量子ドット８３の粒径は、３ｎｍから１５ｎｍ程度である。量子ドット８３からの発光の波長は、量子ドット８３の粒径により制御できる。このため、量子ドット８３Ｒ、量子ドット８３Ｇおよび量子ドット８３Ｂそれぞれ、粒径を制御することにより、各色の発光を得ることができる。
　第２電荷輸送層４７は、第２電極３２から注入された電子を、さらに発光層８０へと輸送する。本実施形態の第２電荷輸送層４７は、電子を発光層８０へと輸送するための、電子輸送層として機能する。また、第２電荷輸送層４７は、正孔が第２電極３２へと輸送されることを抑制する機能（正孔ブロック機能）を有してもよい。本実施形態では、第２電荷輸送層４７は、発光層８０上に設けられる。
　第２電荷輸送層４７は、感光性材料を含む感光性樹脂４２と、感光性樹脂４２に分散された第２電荷輸送性材料およびナノファイバー５２と、を有する。本実施形態の第２電荷輸送性材料は、ナノ粒子６２により構成される。すなわち、第２電荷輸送層４７Ｂは、第１感光性材料を含む感光性樹脂４１Ｂと、感光性樹脂４１Ｂに分散されたナノ粒子（第１ナノ粒子）６２Ｂおよびナノファイバー（第１ナノファイバー）５２Ｂと、を有する。第２電荷輸送層４７Ｇは、第２感光性材料を含む感光性樹脂４２Ｇと、感光性樹脂４２Ｇに分散されたナノ粒子（第２ナノ粒子）６２Ｇおよびナノファイバー（第２ナノファイバー）５２Ｇと、を有する。第２電荷輸送層４７Ｒは、第３感光性材料を含む感光性樹脂４２Ｒと、感光性樹脂４２Ｒに分散されたナノ粒子（第３ナノ粒子）６２Ｒおよびナノファイバー（第３ナノファイバー）５２Ｒと、を有する。
　また、ナノ粒子６２を構成する材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺＡＯ（Ａｌ添加ＺｎＯ）、ＺｎＭｇＯ、ＩＴＯ、ＩｎＧａＺｎＯｘ等の電子輸送性を有する材料が挙げられる。感光性樹脂４２として、ポジ型とネガ型のいずれのフォトレジストを用いてもよい。第２電荷輸送層４７は、例えば、スリットコート法などの塗布法により形成される。なお、ナノファイバー５２の詳細については、後述する。
　なお、発光素子３Ｂ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｒにおいて、第２電荷輸送層４７に含まれる第２電荷輸送性材料は、それぞれ異なることが好ましい。具体的には、発光素子３Ｂに含まれる第２電荷輸送性材料は、Ｍｇ含有ＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。また、発光素子３Ｇに含まれる第２電荷輸送性材料は、発光素子３Ｂに含まれる第２電荷輸送性材料よりも粒径の大きなＭｇ含有ＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。発光素子３Ｒに含まれる第２電荷輸送性材料は、発光素子３Ｇに含まれる第２電荷輸送性材料よりも粒径の大きなＭｇ含有ＺｎＯナノ粒子やＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。
　このような構成とすることで、第２電荷輸送層４７のエネルギーレベルを、発光色ごとに調整することができ、各発光素子３の発光効率を向上させることができる。ただし、発光素子３Ｂ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｒにおいて、第２電荷輸送層４７に含まれる第２電荷輸送性材料（すなわち、ナノ粒子６２Ｂ・６２Ｇ・６２Ｒ）は、製造を容易にする観点から、同一の材料であってもよい。
　第２電極３２は、第２電荷輸送層４７上に設けられ、第２電荷輸送層４７と電気的に接続される。本実施形態の第２電極３２は、第２電荷輸送層４７に電子を注入する陰極として機能する。また、本実施形態の第２電極３２は、複数の画素２にわたり連続的に形成される。第２電極３２は、例えば、可視光の光透過性を有する程度に薄膜化させた金属や、透明材料により構成される。第２電極３２を構成する金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ等を含む金属が挙げられる。また、第２電極３２を構成する透明材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、または銀ナノファイバーなどの導電性ナノファイバー等が挙げられる。第２電極３２は、例えば、スパッタ法や蒸着法や塗布法により形成される。
　また、第２電極３２上には、封止層（図示省略）が設けられる。封止層は、例えば、第２電極３２を覆う無機封止膜と、無機封止膜よりも上層の有機バッファ膜からなる有機層と、有機バッファ膜よりも上層の無機封止膜とを含む。封止層は、水、酸素等の異物が表示デバイス１内部へと浸透することを防ぐ。また、無機封止膜は、無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成できる。有機バッファ膜は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成できる。また、封止層上には機能フィルム（図示省略）が設けられてもよい。機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有してもよい。
　第１電極３１から注入された正孔および第２電極３２から注入された電子は、それぞれ第１電荷輸送層４６および第２電荷輸送層４７を介して発光層８０へと輸送される。そして、発光層８０へ輸送された正孔および電子が、量子ドット８３内で再結合することで、励起子が生じる。そして、当該励起子が励起状態から基底状態へと戻ることにより、量子ドット８３は発光する。なお、本実施形態の表示デバイス１では、発光層８０から出射される光をアレイ基板１０とは逆側（図１において上方）から取り出す、トップエミッション型について例示している。しかしながら、表示デバイス１は、光をアレイ基板１０側（図１において下方）から取り出す、ボトムエミッション型であってもよい。この場合、第２電極３２を、反射電極により構成し、第１電極３１を、透明電極により構成すればよい。
　また、本実施形態の表示デバイス１では、アレイ基板１０から順に、陽極である第１電極３１、正孔輸送層である第１電荷輸送層４６、発光層８０、電子輸送層である第２電荷輸送層４７および陰極である第２電極３２が積層されている。しかしながら、表示デバイス１は、アレイ基板１０から順に、陰極、電子輸送層、発光層８０、正孔輸送層および陽極が積層される、いわゆるインバート構造であってもよい。
　図２は、本実施形態の表示デバイス１の製造方法を示すフローチャートである。次に、表示デバイス１の製造方法について説明する。
　表示デバイス１を作製するには、図２に示すように、先ず、アレイ基板１０を形成する（ステップＳ１）。アレイ基板１０は、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層を形成し、樹脂層上にバリア層を形成し、バリア層上にＴＦＴを形成することにより、形成される。次に、層間絶縁膜２０を形成する（ステップＳ２）。次に、第１電極３１を形成する（ステップＳ３）。次に、バンク７０を形成する（ステップＳ４）。
　次に、第１電荷輸送層４６を形成する（ステップＳ５）。第１電荷輸送層４６は、ナノ粒子６１と、ナノファイバー５１と、感光性材料とを少なくとも含むコロイド溶液を、スリットコート等の塗布法を用いて塗布することにより形成される。このステップＳ５の詳細は後述する。
　次に、発光層８０を形成する（ステップＳ６）。発光層８０は、量子ドット８３と、ナノファイバー８２と、感光性材料とを少なくとも含むコロイド溶液をスリットコート等の塗布法を用いて塗布することにより形成される。このステップＳ６の詳細は後述する。
　次に、第２電荷輸送層４７を形成する（ステップＳ７）。第２電荷輸送層４７は、ナノ粒子６２と、ナノファイバー５２と、感光性材料とを少なくとも含むコロイド溶液を、スリットコート等の塗布法を用いて塗布することにより形成される。なお、ステップＳ７は、ステップＳ５と同様であるため、詳細な説明は省略する。
　次に、封止層を形成する（ステップＳ８）。次に、封止層上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ９）。次に、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層から剥離する（ステップＳ１０）。次に、樹脂層１２の下面に下面フィルムを貼り付ける（ステップＳ１１）。次に、各層が積層された積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ１２）。次に、得られた個片に機能フィルムを貼り付ける（ステップＳ１３）。その後、複数の画素２が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１４）。このように、本実施形態の表示デバイス１を製造できる。なお、ステップＳ１～Ｓ１３は、表示デバイスの製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）により行われる。
　なお、上記においては、フレキシブルな表示デバイス１について説明したが、非フレキシブルな表示デバイス１を製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板であるアレイ基板１０上にステップＳ２～Ｓ７の積層工程を行い、その後、ステップＳ１１に移行する。
　次に、図３から図６を用いて、第１電荷輸送層４６を形成する工程（ステップＳ５の工程）の詳細について説明する。図３は、第１電荷輸送層４６となるコロイド溶液４６ａ１を塗布している様子を表す図である。図４は、図３に示すコロイド溶液４６ａ１の溶媒（分散媒）４１ａを蒸発させている様子を表す図である。図５は、溶媒４１ａが蒸発することで成膜された第１電荷輸送層４６ａ２を露光している様子を表す図である。図６は、露光された第１電荷輸送層４６ａ２が現像によりパターニングされている様子を表す図である。
　図３に示すように、第１電荷輸送層４６を形成するためのコロイド溶液４６ａ１は、感光性材料を含有する溶媒４１ａと、溶媒４１ａに分散されたナノ粒子６１およびナノファイバー５１と、を含む。
　ステップＳ１からＳ５まで経て作製された基板１５に対し、スリットコータのヘッド９１を矢印Ｘ９１方向へ相対移動させながら、ヘッド９１から、コロイド溶液４６ａ１を塗布していく。これにより、コロイド溶液４６ａ１が、例えば、厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度となるように、基板１５の表面全面に、連続して塗布される。
　コロイド溶液４６ａ１の室温（２０～２５℃）における粘度は、２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、２ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。これにより、コロイド溶液４６ａ１をスリットコート法等の塗布法により好適に塗布（吐出）することができる。
　コロイド溶液４６ａ１を形成する溶媒４１ａとしては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ヘキサン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、クロロホルム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、クロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶媒、または、水が挙げられる。本実施形態においては、ナノファイバー５１によってコロイド溶液４６ａ１の粘度を調整することができるので、溶媒４１ａの選択の自由度を増すことができ、一般的に粘度が低くスリットコート法などの塗布法で塗布することができなかった溶媒であっても使用することができる。
　具体的には、例えば、エチルアルコールの２０℃における粘度は１．２００ｍＰａ・ｓであり、メチルエチルケトンの２０℃における粘度は０．４０ｍＰａ・ｓであり、クロロベンゼンの２０℃における粘度は０．８ｍＰａ・ｓであり、１，２－ジクロロベンゼンの２５℃における粘度は１．３２４ｍＰａ・ｓであり、トルエンの２０℃における粘度は０．５８６６ｍＰａ・ｓであり、水の２０℃における粘度は１．００２ｍＰａ・ｓであり、何れもスリットコートでの塗布には適さない。しかし、これら溶媒であっても、ナノファイバー５１を添加することにより、コロイド溶液４６ａ１の室温（２０～２５℃）における粘度を２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下に調整（増粘）することができる。なお、コロイド溶液４６ａ１に占めるナノ粒子６１の量は、電荷輸送性の観点から、数重量％程度が好適である。
　ここで、ナノファイバー５１は、コロイド溶液４６ａ１の粘度調整剤（増粘剤）として作用し、コロイド溶液４６ａ１をスリットコートに適した粘度に調整する。すなわち、ナノファイバー５１は高い増粘性を有し、ナノファイバー５１を添加することにより、コロイド溶液４６ａ１の粘性（粘度）およびチクソ性を制御することができる。
　次に、図４に示すように、表面にコロイド溶液４６ａ１が塗布された基板１５を、加熱炉に挿入する等によりプリベークする。これにより、矢印Ｚ４１に示すように、基板１５上におけるコロイド溶液４６ａ１中の溶媒４１ａを蒸発させて、基板１５の表面全面に、連続する膜である感光性樹脂４１を成膜する。すなわち、基板１５上に、ナノファイバー５１およびナノ粒子６１が感光性樹脂４１に分散された第１電荷輸送層４６ａ２を、基板１５の表面全面に形成する。プリベークは、例えば、８０℃以上１２０℃以下程度の熱を基板１５およびコロイド溶液４６ａ１に加える。
　ここで、第１電荷輸送層４６にはナノファイバー５１が分散されていることから、ナノファイバー５１が分散されていない場合と比べて、ナノ粒子６１の不均一な凝集を抑制して、感光性樹脂４１を成膜することができる。
　次に、図５に示すように、基板１５の表面全面に成膜された第１電荷輸送層４６ａ２を、矢印Ｚ４２に示すようにマスク９５越しにＵＶ（ultraviolet：紫外）光を用いた露光（以下、ＵＶ露光と称する）を行う。ＵＶ露光は、例えば、１０から１０００ｍＪ／ｃｍ２程度のＵＶ光を照射することにより行う。
　次に、図６に示すように、基板１５の表面全面に形成された第１電荷輸送層４６ａ２（図５）を、矢印Ｚ４３に示すように現像することで、基板１５上に、画素２毎に、第１電荷輸送層４６がパターン形成される。現像は、例えば、アルカリ溶液、有機溶媒、および、水を用いて行う。第１電荷輸送層４６における感光性樹脂４１に、ポジ型のフォトレジストを用いた場合はマスク９５越しにＵＶ光が照射された部分が現像により溶解して除去され、ネガ型のフォトレジストを用いた場合はマスク９５越しにＵＶ光が照射された部分以外の部分が現像により溶解して除去される。
　この後、必要に応じて、第１電荷輸送層４６がパターン形成された基板１５を、加熱炉に挿入する等により本ベークする。本ベークすることにより、表示デバイス１を発光させたときに、第１電荷輸送層４６における感光性樹脂４１からのガスの放出を抑制することができる。本ベークは、例えば、１００℃以上２００℃以下程度の熱を基板１５および第１電荷輸送層４６に加える。これにより、ステップＳ５の工程が終了する。なお、ステップＳ７の工程も、ステップＳ５の工程と同様である。
　このように、ナノ粒子６１および溶媒４１ａを含むコロイド溶液４６ａ１にナノファイバー５１を添加することにより、溶媒４１ａの粘度に関わりなく、コロイド溶液４６ａ１をスリットコート法などの塗布法により塗布することができ。また、コロイド溶液４６ａ１に感光性材料を含有するため、コロイド溶液４６ａ１を乾燥させたあと、露光および現像（すなわちフォトリソグラフィ法）により、第１電荷輸送層４６をパターン形成することができる。このため、厚さのムラを抑制し、ひび割れを抑制した、均一な第１電荷輸送層４６を形成することができる。
　ここで、第１電荷輸送層４６に含まれるナノファイバー５１の直径は、第１電荷輸送層４６の厚さ（通常、５～３０ｎｍ）よりも小さいことが望ましいため、３～３０ｎｍが好適であり、ナノ粒子６１の直径よりも小さいことがより好ましく、極力小さいことがさらに好ましい。ナノファイバー５１の直径が３０ｎｍを超えると、第１電荷輸送層４６の表面に凹凸が生じ易くなり、界面の平坦性が低下するので、発光特性が低下する場合がある。また、ナノファイバー５１の直径が３０ｎｍを超えると、第１電荷輸送層４６の膜厚方向においてナノ粒子６１が存在しない領域が生じるおそれがある。
　また、第１電荷輸送層４６に含まれるナノファイバー５１の長さは、ナノ粒子６１の直径よりも長いことが好適であり、第１電荷輸送層４６の厚さの２倍以上、１μｍ以下がより好ましく、厚さよりも十分に長い６０ｎｍ～１μｍがさらに好ましい。ナノファイバー５１の長さが第１電荷輸送層４６の厚さの２倍よりも短いと、第１電荷輸送層４６の面内に平行（水平）に並び難くなるため、第１電荷輸送層４６の表面に凹凸が生じ易くなる。ナノファイバー５１の長さが１μｍよりも長いと、スリットコータで塗布するときにヘッド９１のノズルに目詰まりを生じるリスクを高めることになる。また、形成される第１電荷輸送層４６のパターン性が悪くなる場合がある。
　ナノファイバー５１の直径および長さを上述した直径および長さに制御することで、コロイド溶液４６ａ１をスリットコート法で好適に塗布することができる。
　なお、本明細書においては、ナノ粒子６１の「直径」およびナノファイバー５１の「直径」を指標として両者の関係等を説明している。ここで、「直径」とは、ナノ粒子６１の場合、ナノ粒子６１が真球であることを前提とした直径である。また、ナノファイバー５１の「直径」とは、ナノファイバー５１の断面が真円であることを前提している。ただし、実際には、真球であると見なされないナノ粒子６１や、断面が真円であると見なされないナノファイバー５１が存在する。しかしながら、ナノ粒子６１が真球から多少の歪みを有する場合でも、ナノ粒子６１は真球のナノ粒子６１とほぼ同等の機能を果たし得る。また、ナノファイバー５１の断面が歪みを有した楕円状や短冊状の場合でも、ナノファイバー５１は断面が真円のナノファイバー５１とほぼ同等の機能を果たし得る。それゆえ、本明細書における、「直径」とは、ナノ粒子６１の場合は、ナノ粒子６１を同体積の真球のナノ粒子６１に換算したときの直径を指し、ナノファイバー５１の場合は、最大幅を指すこととする。
　また、第１電荷輸送層４６に含まれるナノ粒子６１の個数は、ナノファイバー５１の個数よりも多いことが好ましく、具体的には、ナノファイバー５１とナノ粒子６１との個数比（ナノファイバー５１：ナノ粒子６１）は、１：１００～１：一億であることがより好ましく、１：一万～１：一千万であることがさらに好ましい。ナノ粒子６１およびナノファイバー５１の個数比をこのように制御することで、良好な電荷輸送層を形成することができる。
　また、コロイド溶液４６ａ１に占めるナノファイバー５１の量は、コロイド溶液４６ａ１の室温（２０～２５℃）における粘度が２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下となるように、０を超え、１重量％以下であることが好ましく、増粘効果が得られるのであれば、極力少ないことが望ましい。ナノファイバー５１の量が１重量％を超えると、コロイド溶液４６ａ１の粘度が高くなり過ぎ、コロイド溶液４６ａ１をスリットコート法で好適に塗布することができ難くなり、したがって、薄膜を形成し難くなる場合がある。また、第１電荷輸送層４６に含まれるナノ粒子６１の量が相対的に低下するので、発光特性が低下する場合がある。なお、ナノファイバー５１の量が少な過ぎる場合には、増粘効果が得られない。
　ナノファイバー５１は、透明であることで、可視光の光透過性を有し、絶縁性を備えていればよく、特に限定されないものの、直鎖状の多糖高分子（多糖類）が好適である。当該多糖高分子を疎水性基で修飾することにより、有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。ナノファイバー５１としては、グルコースが直鎖状に連結した多糖類であるセルロースナノファイバー、アセチルグルコサミンが直鎖状に連結した多糖類であるキチンナノファイバー、および食品の増粘剤として利用されているラムダカラギナンがより好ましく、セルロースナノファイバーがさらに好ましく、ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーが特に好ましい。ナノファイバー５１は、必要に応じて複数種類を併用してもよい。なお、ナノファイバー５１は、水に分散させる場合と、有機溶媒に分散させる場合とで、その末端の分子構造が異なる。
　セルロースナノファイバーは、水、または、メチルアルコール、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、トルエン等の有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。キチンナノファイバーは、クロロホルム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。
　ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーとは、例えば、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシラジカルなどのニトロキシルラジカルを含む酸化セルロースナノファイバーである。ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーは、例えば、直径３ｎｍであり、透明で、散乱が無く、高絶縁性（＞１００ＴΩ）および高誘電率（５～６Ｆ／ｍ）である。
　そして、コロイド溶液４６ａ１をスリットコート法で塗布しても、塗布後のコロイド溶液４６ａ１に含まれるナノファイバー５１、すなわち、第１電荷輸送層４６に含まれるナノファイバー５１は、面内方向ではランダムな配置状態を維持する。
　ステップＳ５により、ナノ粒子６１は滴下範囲全体に亘って均一に塗布され、三次元的に配置される一方、ナノファイバー５１はナノ粒子６１の間を縫うようにして存在し、基板１５の表面に長さ方向が沿うようにして配向を生じ、面内方向ではランダムな状態を維持する。ナノファイバー５１がナノ粒子６１の間を縫うようにして、面内方向ではランダムな状態で存在することにより、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な第１電荷輸送層４６が形成される。すなわち、均一な第１電荷輸送層４６が形成されるので、表示デバイス１は均一に発光することができる。
　次に、図７から図１０を用いて、発光層８０を形成する工程（ステップＳ６の工程）の詳細について説明する。図７は、発光層８０となるコロイド溶液８０ａ１を塗布している様子を表す図である。図８は、図７に示すコロイド溶液８１ａ１の溶媒８１ａを蒸発させている様子を表す図である。図９は、溶媒８１ａが蒸発することで成膜された発光層８０ａ２を露光している様子を表す図である。図１０は、露光された発光層８０ａ２を現像することでパターニングしている様子を表す図である。
　図７に示すように、発光層８０を形成するためのコロイド溶液８０ａ１は、感光性材料を含有する溶媒（分散媒）８１ａと、溶媒８１ａに分散された量子ドット８３およびナノファイバー８２と、を含む。コロイド溶液８０ａ１は、リガンドを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。コロイド溶液８０ａ１がリガンドを含んでいない場合には、リガンドによって溶媒が限定されることはない。また、コロイド溶液８０ａ１は、ホスト材料を含んでいないことが好ましい。
　溶媒８１ａおよびナノファイバー８２は、溶媒４１ａおよびナノファイバー５１と同じ材料を用いることができる。
　量子ドット８３は、II-VI族、III-V族、またはIV-VI族の元素グループによって構成される、例えば、粒径（直径）が３～１５ｎｍ（原子数；１００～一万個）である微粒子状の半導体であり、発光団（luminophore）として使用される。量子ドット８３は、中心部と外殻部とで材料や元素濃度、結晶構造が互いに異なっていてもよい。さらに、量子ドット８３は中心部と外殻部とでバンドギャップが異なっており、中心部よりも外殻部の方が、バンドギャップが大きくてもよい。量子ドット８３は、溶媒８１ａに分散されることにより、コロイド溶液８０ａ１を形成する。なお、コロイド溶液８０ａ１中での量子ドット８３の凝集を抑制し、量子ドット８３の分散性および安定性を高めるために、量子ドット８３の表面にリガンドとして原子や有機分子を付着させてもよい。リガンドである有機分子としては、例えば、アルキルチオール、アルキルアミン、カルボン酸、オレイン酸、有機シラン等が利用可能である。
　ステップＳ６を経て基板１５の上面に第１電荷輸送層４６が形成された基板１６の上面に、スリットコータのヘッド９２を矢印Ｘ９２方向へ相対移動させながら、ヘッド９２から、コロイド溶液８０ａ１を塗布していく。これにより、コロイド溶液８０ａ１が、例えば、厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度となるように、基板１６の表面全面に、連続して塗布される。
　コロイド溶液８０ａ１の室温（２０～２５℃）における粘度は、２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、２ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。これにより、コロイド溶液８０ａ１をスリットコート法等の塗布法により好適に塗布（吐出）することができる。
　次に、図８に示すように、表面にコロイド溶液８０ａ１が塗布された基板１６を、加熱炉に挿入する等によりプリベークする。これにより、矢印Ｚ８１に示すように、基板１６上におけるコロイド溶液８０ａ１中の溶媒８１ａを蒸発させて、基板１６の表面全面に、連続する膜である感光性樹脂８１を成膜する。すなわち、基板１６上に、ナノファイバー８２および量子ドット８３が感光性樹脂層８１に分散された発光層８０ａ２を、基板１６の表面全面に形成する。プリベークは、例えば、８０℃以上１２０℃以下程度の熱を基板１６およびコロイド溶液８０ａ１に加える。
　ここで、発光層８０にはナノファイバー８２が分散されていることから、ナノファイバー８２が分散されていない場合と比べて、量子ドット８３の不均一な凝集を抑制して、感光性樹脂８１を成膜することができる。
　次に、図９に示すように、基板１６の表面全面に成膜された発光層８０ａ２を、矢印Ｚ８２に示すようにマスク９６越しにＵＶ（ultraviolet：紫外）露光する。ＵＶ露光は、例えば、１０から１０００ｍＪ／ｃｍ２程度のＵＶ光を照射することにより行う。
　次に、図１０に示すように、基板１６の表面全面に形成された発光層８０（図１０）を、矢印Ｚ８３に示すように現像することで、基板１６上に、画素２毎に、発光層８０がパターン形成される。現像は、例えば、アルカリ溶液、有機溶媒、および、水を用いて行う。発光層８０における感光性樹脂層８１に、ポジ型のフォトレジストを用いた場合はマスク９６越しにＵＶ光が照射された部分が現像により溶解して除去され、ネガ型のフォトレジストを用いた場合はマスク９６越しにＵＶ光が照射された部分以外の部分が現像により溶解して除去される。
　この後、必要に応じて、発光層８０がパターン形成された基板１６を、加熱炉に挿入する等により本ベークする。本ベークすることにより、表示デバイス１を発光させたときに、発光層８０における感光性樹脂層８１からのガスの放出を抑制することができる。本ベークは、例えば、１００℃以上２００℃以下程度の熱を基板１６および発光層８０に加える。これにより、ステップＳ６の工程が終了する。
　このように、量子ドット８３および溶媒８１ａを含むコロイド溶液８０ａ１にナノファイバー８２を添加することにより、溶媒８１ａの粘度に関わりなく、コロイド溶液８０ａ１をスリットコート法などの塗布法により塗布することができ。また、コロイド溶液８０ａ１に感光性材料を含有するため、コロイド溶液８０ａ１を乾燥させたあと、露光および現像（すなわちフォトリソグラフィ）により、発光層８０をパターン形成することができる。このため、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な発光層８０を形成することができる。
　なお、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７の全ての層にナノファイバーと感光性材料とが含まれているものとして説明したが、ナノファイバーおよび感光性樹脂材料は、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７のうち少なくとも何れか１層に含まれていればよい。例えば、ナノファイバーおよび感光性樹脂材料は、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７のうち、第１電荷輸送層４６のみに含まれていてもよいし、発光層８０のみに含まれていてもよいし、第２電荷輸送層４７のみに含まれていてもよいし、何れか２層に含まれていてもよい。
　また、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７それぞれに含まれているナノファイバーは、材料が等しい、すなわち、同じ材料により形成されていてもよい。また、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７のうち、何れか２層に含まれているナノファイバーの材料が等しい、すなわち、同じ材料により形成されていてもよい。
　また、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７それぞれに含まれているナノファイバーは、形状が等しくてもよい。また、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７のうち、何れか２層に含まれているナノファイバーの形状が等しくてもよい。なお、ナノファイバーの形状が等しいとは、直径と、長さが等しいと表現することができる。
　＜実施形態２＞
　次に、実施形態２について説明する。なお、実施形態１と異なる点を中心に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。
　図１１は、実施形態２に係る表示デバイス１Ｂの概略構成を示す断面図である。表示デバイス１Ｂ（図１１）と、表示デバイス１（図１）とでは、主に、発光層８０およびバンク７０の構成が異なる。表示デバイス１Ｂは、表示デバイス１におけるバンク７０に換えて、複数積層された発光層（機能層）８０であるバンク７０Ａを設けた構成である。
　表示デバイス１Ｂでは、隣接する、第１電極３１間は、バンク７０Ａにより区画されている。また、第１電極３１は、それぞれ周端部（エッジ）が、全周に亘ってバンク７０Ａと重なる。バンク７０Ａは、第１電荷輸送層４６Ｒを介して、第１電極３１の周端部の全周に亘って重なる、発光層（第１機能層）８０Ｂと、発光層８０Ｂと重なる発光層（第２機能層）８０Ｇと、発光層８０Ｇと重なる発光層（第３機能層）８０Ｒとを有する。
　発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒは、それぞれ、感光性材料と、ナノファイバーとを含有する機能層である。
　例えば、第１電極（第１画素電極）３１Ｂは、第１電荷輸送層４６Ｂを介して、周端部の全周に亘って、発光層（第１機能層）８０Ｂ、発光層（第２機能層）８０Ｇおよび発光層（第３機能層）８０Ｒと重なっている。また、第１電極（第２画素電極）３１Ｇは、第１電荷輸送層４６Ｇを介して、周端部の全周に亘って、発光層８０Ｂ、発光層８０Ｇおよび発光層８０Ｒと重なっている。また、第１電極（第３画素電極）３１Ｒは、第１電荷輸送層４６Ｒを介して、周端部の全周に亘って、発光層８０Ｂ、発光層８０Ｇおよび発光層８０Ｒと重なっている。
　このように、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒは、それぞれ、周端部が、複数の発光層８０によって積層されている。このため、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれの周端部と第２電極３２との距離を、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれの中央部（周端部に囲まれた領域）と第２電極３２との距離よりも離すことができる。これにより、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれの周端部と、第２電極３２との間で電解集中が発生することを抑制することができる。このため、電解集中に起因する、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれの劣化を抑制することができる。
　なお、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれの周端部は、全周に亘って複数の発光層８０が積層されていなくてもよく、少なくとも一部の端部が、複数の発光層８０が積層されていてもよい。また、バンク７０Ａは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒの３層構造に限定されず、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒの何れか２層が積層された構造であってもよい。また、第１電荷輸送層４６が、感光性材料と、ナノファイバーとを含有する機能層である場合、バンク７０Ａは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒに換えて、機能層である、第１電荷輸送層（第１機能層）４６Ｂ、第１電荷輸送層（第２機能層）４６Ｇおよび第１電荷輸送層（第３機能層）４６Ｒのうち、２層または３層を積層した構成であってもよい。また、第２電荷輸送層４７が、感光性樹脂と、ナノファイバーとを含有する機能層である場合、バンク７０Ａは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒに換えて、機能層である、第２電荷輸送層（第１機能層）４７Ｂ、第２電荷輸送層（第２機能層）４７Ｇおよび第２電荷輸送層（第３機能層）４７Ｒのうち、２層または３層を積層した構成であってもよい。
　バンク７０Ａを構成する複数の層の積層順は、下層から上層へかけて、含有されている微粒子（量子ドットまたはナノ粒子）の直径が小さい層から大きい層が、順に積層されていることが好ましい。直径が小さい方が、直径が大きい場合と比べて、微粒子間の隙間が小さくなる。このため、直径が小さい微粒子間に、直径が大きい微粒子が嵌まることを抑制し、複数の層のトータルの厚み（すなわち、バンク７０Ａの高さ）を厚くしやすいためである。例えば、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒのうち、量子ドットの直径が最も小さい発光層８０Ｂを下層にし、発光層８０Ｂの次に量子ドットの粒経が大きい発光層８０Ｒを発光層８０Ｇに積層することで、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒのトータルの厚み（すなわちバンク７０Ａの高さ）を厚くしやすい。
　図１２は、実施形態２に係る、発光層８０Ｂをパターニングした基板の断面図である。図１３は図１２に示す基板の平面図である。図１４は、図１２および図１３に示す発光層８０Ｂを表す平面図である。
　本実施形態に係る表示デバイス１Ｂの製造方法において、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒによりバンク７０Ａを形成する場合、図２に示したステップＳ１からステップＳ３を経て第１電極３１を形成した後、次に、バンク７０を形成する工程（ステップＳ４）を省略して、第１電荷輸送層４６を形成する（ステップＳ５）。次いで、発光層８０を形成する（ステップＳ６）。発光層８０を形成する工程（ステップＳ６）では、例えば、まず、発光層８０Ｂを形成する。この後、発光層８０Ｇを形成し、次に、発光層８０Ｒを形成する。
　図１２に示すように、基板１３上に、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒと、第１電荷輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒと、がパターン形成された基板の表面全面に、発光層８０Ｂとなるコロイド溶液を、スリットコート法など塗布法により塗布する。その後、プリベーク、露光および現像を経て、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒと、第１電荷輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒと、がパターン形成された基板１３の上層に発光層８０Ｂを形成する。
　本実施形態では、図１２から図１４に示すように、発光層８０Ｂは、第１電荷輸送層４６Ｒ・４６Ｇそれぞれの周端部に囲まれた領域内である中央部を露出させるように開口８０Ｂ１が形成され、第１電荷輸送層４６Ｒ・４６Ｇそれぞれの周端部と、第１電荷輸送層４６Ｂと、第１電荷輸送層４６間とを覆うように、パターン形成される。
　この後、発光層８０Ｇを、第１電荷輸送層４６Ｇと重なる開口８０Ｂ１内と、第１電荷輸送層４６Ｒ・４６Ｇそれぞれの周端部と、第１電荷輸送層４６Ｂと、第１電荷輸送層４６間とのそれぞれに重なるように形成する。そして、発光層８０Ｒを、第１電荷輸送層４６Ｒと重なる開口８０Ｂ１内と、第１電荷輸送層４６Ｒ・４６Ｇそれぞれの周端部と、第１電荷輸送層４６Ｂと、第１電荷輸送層４６間とのそれぞれに重なるように形成する。このように、例えば、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒは、ナノファイバーと感光性材料とを含有する機能層であるため、スリットコート法など塗布法と、露光および現像とを用いて、膜厚ムラを抑制して形成することができる。
　＜実施形態３＞
　次に、実施形態３について説明する。なお、実施形態１および２と異なる点を中心に説明し、実施形態１および２と重複する内容については説明を省略する。
　図１５は、実施形態３に係る表示デバイス１Ｃの概略構成を示す平面図である。図１６は、図１５におけるＡ１‐Ｂ１線断面図である。表示デバイス１Ｃ（図１６）は、表示デバイス１（図１）と、主に、発光層８０内に形成されたコンタクトホールに、複数の発光層８０が積層されている点が異なる。なお、図１６では、第１電荷輸送層４６および第２電荷輸送層４７の記載を省略している。
　本実施形態では、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒは、ナノファイバーと、感光性材料とを含有する機能層であるものとする。
　図１５および図１６に示すように、表示デバイス１Ｃは、各画素２の発光領域内に、傾斜面と底面とを含むコンタクトホール５（コンタクトホール５Ｂ・５Ｇ・５Ｒ）が形成されている。すなわち、青色画素２Ｂにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｂａと底面５Ｂｂとを含むコンタクトホール５Ｂが形成されている。コンタクトホール５Ｂを介して、層間絶縁膜２０の下層に設けられた第１ＴＦＴ１０２Ｂと、層間絶縁膜２０の上層に設けらえた第１電極３１Ｂとが、直接または配線を介して接続されている。また、緑色画素２Ｇにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｇａと底面５Ｇｂとを含むコンタクトホール５Ｇが形成されている。コンタクトホール５Ｇを介して、層間絶縁膜２０の下層に形成された第２ＴＦＴ１０２Ｇと、層間絶縁膜２０の上層に形成された第１電極３１Ｇとが、直接または配線を介して接続されている。また、赤色画素２Ｒにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｒａと底面５Ｒｂとを含むコンタクトホール５Ｒが形成されている。コンタクトホール５Ｒを介して、層間絶縁膜２０の下層に形成された第３ＴＦＴ１０２Ｒと、層間絶縁膜２０の上層に形成された第１電極３１Ｒとが、直接または配線を介して接続されている。
　第１ＴＦＴ１０２Ｂは青色画素２Ｂの発光を制御するＴＦＴであり、第２ＴＦＴ１０２Ｇは緑色画素２Ｇの発光を制御するＴＦＴであり、第３ＴＦＴ１０２Ｒは赤色画素２Ｒの発光を制御するＴＦＴである。
　また、コンタクトホール５内において、第１電極３１上に、異なる色の光を発光する発光層が積層されている。これにより、コンタクトホール５の段差を軽減することができる。
　発光層８０Ｒａは、発光層８０Ｒと分離した層であり、発光層８０Ｒと同じ材料および同じ工程により形成される。発光層８０Ｇａは、発光層８０Ｇと分離した層であり、発光層８０Ｇと同じ材料および同じ工程により形成される。発光層８０Ｂａは、発光層８０Ｂと分離した層であり、発光層８０Ｂと同じ材料および同じ工程により形成される。
　例えば、コンタクトホール５Ｒ内では、第１電極３１Ｒ上に、発光層８０Ｒが積層され、さらに、発光層８０Ｇと分離した発光層８０Ｇａが積層され、さらに、発光層８０Ｂと分離した発光層８０Ｂａが積層されている。また、コンタクトホール５Ｇ内では、第１電極３１Ｇ上に、発光層８０Ｒと分離した発光層８０Ｒａが積層され、さらに、発光層８０Ｇが積層され、さらに、発光層８０Ｂと分離した発光層８０Ｂａが積層されている。また、コンタクトホール５Ｂ内では、第１電極３１Ｂ上に、発光層８０Ｒと分離した発光層８０Ｒａが積層され、さらに、発光層８０Ｇと分離した発光層８０Ｇａが積層され、さらに、発光層８０Ｂが積層されている。
　例えば、発光層８０Ｂ・８０Ｂａ・８０Ｇ・８０Ｇａ・８０Ｒ・８０Ｒａは、ナノファイバーと感光性材料とを含有する機能層であるため、スリットコート法など塗布法と、露光および現像とを用いて、膜厚ムラを抑制して形成することができる。
　コンタクトホール５の底面に積層された発光層は、最下層に形成されている発光層の厚みが最も厚く、上層になるにつれて発光層８０の厚みは薄くなる。
　ここで、第１電極３１は、例えば、蒸着法またはスパッタ法によりパターン形成する。一方、発光層８０は、塗布法、露光および現像を用いてパターン形成する。このため、コンタクトホール５内の傾斜面における第１電極３１の厚さと、コンタクトホール５内の底面における第１電極３１の厚さとのコンタクトホール５毎の最大値の標準偏差に比べて、コンタクトホール５内の傾斜面における積層された発光層の厚さと、コンタクトホール５内の底面における積層された発光層の厚さとのコンタクトホール５毎の最大値の標準偏差の方が大きい。
　ここで、コンタクトホール５内に異なる色の光を発光する発光層８０Ｂａ・８０Ｇａ・８０Ｒａを設けることで、それぞれが発光する発光波長よりも短い波長の外光を吸収することができる。そこで、コンタクトホール５内に積層された複数の発光層の積層順は、第１電極３１に近い方（下層側）に発光波長が長い発光層を設け、第２電極３２に近い側（上層側）に発光波長が短い発光層を設けることが好ましい。例えば、コンタクトホール５内に積層された発光層のうち、第１電極３１に近い方（下層側）に発光波長が長い発光層８０Ｒ・８０Ｒａを設け、第２電極３２に近い側（上層側）に発光波長が短い発光層８０Ｂ・８０Ｂａを設けることが好ましい。これにより、コンタクトホール５の周囲の外光であって、発光波長が長い発光層８０Ｒ・８０Ｒａの発光波長よりも短い、より広い範囲の波長を含む外光を吸収しやすくなる。この結果、より効果的に、コンタクトホール５の周囲の外光の反射を抑制することができる。
　コンタクトホール５Ｂ内における傾斜面５Ｂａおよび底面５Ｂｂのうち、少なくとも、傾斜面５Ｂａ上において、第１電極３１上に、発光層８０Ｒａと、発光層８０Ｇａと、発光層８０Ｂとが下層から上層へ順に積層されている（重なる）ことが好ましい。これにより、コンタクトホール５Ｂ内における傾斜面５Ｂａの傾斜に起因して、発光層８０Ｒａ、発光層８０Ｇａおよび発光層８０Ｂのうちいずれかの膜厚が薄く形成されたとしても、積層された複数の発光層全体として、厚みを確保することができる。これにより、コンタクトホール５Ｂ内で第１電極３１Ｂの周端部に電解が集中してしまうことを抑制することができる。なお、コンタクトホール５Ｂ内における傾斜面５Ｂａに、少なくとも、異なる色の光を発光する複数の発光層が積層されて（重なって）いればよい。
　コンタクトホール５Ｇ内における傾斜面５Ｇａおよび底面５Ｇｂのうち、少なくとも、傾斜面５Ｇａ上において、第１電極３１上に、発光層８０Ｒａと、発光層８０Ｇと、発光層８０Ｂａとが下層から上層へ順に積層されて（重なって）いることが好ましい。これにより、コンタクトホール５Ｇ内における傾斜面５Ｇａの傾斜に起因して、発光層８０Ｒａ、発光層８０Ｇおよび発光層８０Ｂａのうちいずれかの膜厚が薄く形成されたとしても、積層された複数の発光層全体として、厚みを確保することができる。これにより、コンタクトホール５Ｇ内で第１電極３１Ｇの周端部に電解が集中してしまうことを抑制することができる。なお、コンタクトホール５Ｇ内における傾斜面５Ｇａに、少なくとも、異なる色の光を発光する複数の発光層（発光層８０Ｇと、発光層８０Ｂａまたは発光層８０Ｒａ）が積層されて（重なって）いればよい。
　コンタクトホール５Ｒ内における傾斜面５Ｒａおよび底面５Ｒｂのうち、少なくとも、傾斜面５Ｒａ上において、第１電極３１上に、発光層８０Ｒと、発光層８０Ｇａと、発光層８０Ｂａとが下層から上層へ順に積層されて（重なって）いることが好ましい。これにより、コンタクトホール５Ｒ内における傾斜面５Ｒａの傾斜に起因して、発光層８０Ｒ、発光層８０Ｇａおよび発光層８０Ｂａのうちいずれかの膜厚が薄く形成されたとしても、積層された複数の発光層全体として、厚みを確保することができる。これにより、コンタクトホール５Ｒ内で第１電極３１Ｒの周端部に電解が集中してしまうことを抑制することができる。なお、コンタクトホール５Ｒ内における傾斜面５Ｒａに、少なくとも、異なる色の光を発光する複数の発光層（発光層８０Ｒと、発光層８０Ｂａまたは発光層８０Ｇａ）が積層されて（重なって）いればよい。
　なお、発光層８０Ｂ・８０Ｂａ・８０Ｇ・８０Ｇａ・８０Ｒ・８０Ｒａに加え、または換えて、第１電荷輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒと、第２電荷輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒとのうち少なくとも一方を、ナノファイバーと感光性材料とを含有させて、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパターニングすることで、上述した発光層８０Ｂ・８０Ｂａ・８０Ｇ・８０Ｇａ・８０Ｒ・８０Ｒａと同様に、コンタクトホール５内に積層してもよい（重ねてもよい）。
　＜実施形態４＞
　次に、実施形態４について説明する。なお、実施形態１から３と異なる点を中心に説明し、実施形態１から３と重複する内容については説明を省略する。
　図１７は、実施形態４に係る表示デバイス１Ｇの概略構成を示す平面図である。図１８Ａは、図１７におけるＡ２‐Ｂ２線断面図である。図１８Ｂは、図１７におけるＡ３‐Ｂ３線断面図である。図１８Ｃは、図１７におけるＡ４‐Ｂ４線断面図である。
　表示デバイス１Ｇ（図１７）は、表示デバイス１Ｃ（図１６）から、主に、バンク７０を省略して、第１電極３１における一部のエッジ（周端部）に発光層を複数積層させた構成である。なお、図１８Ａから図１８Ｃでは、第１電荷輸送層４６、第２電荷輸送層４７およびアレイ基板１０の記載を省略している。
　本実施形態では、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒは、ナノファイバーと、感光性材料とを含有する機能層であるものとする。
　図１７、図１８Ａから図１８Ｃに示すように、表示デバイス１Ｇは、各画素２の発光領域内に、コンタクトホール５（コンタクトホール５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）が形成されている。
　すなわち、図１８Ａに示すように、赤色画素２Ｒにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｒａと底面５Ｒｂとを含むコンタクトホール５Ｒが形成されている。層間絶縁膜２０の上層に形成された第１電極３１Ｒは、コンタクトホール５Ｒを介して、層間絶縁膜２０の下層に形成された画素内配線（配線）ＳＨｒと接続されている。また、画素内配線ＳＨｒは、層間絶縁膜２０の下層に形成された第３ＴＦＴ１０２Ｒ（ＴＦＴ１０２）と接続されている。また、図１８Ｂに示すように、緑色画素２Ｇにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｇａと底面５Ｇｂとを含むコンタクトホール５Ｇが形成されている。層間絶縁膜２０の上層に形成された第１電極３１Ｇは、コンタクトホール５Ｇを介して、層間絶縁膜２０の下層に形成された画素内配線（配線）ＳＨｇと接続されている。また、画素内配線ＳＨｇは、層間絶縁膜２０の下層に形成された第２ＴＦＴ１０２Ｇ（ＴＦＴ１０２）と接続されている。また、図１８Ｃに示すように、青色画素２Ｂにおける層間絶縁膜２０に、傾斜面５Ｂａと底面５Ｂｂとを含むコンタクトホール５Ｂが形成されている。層間絶縁膜２０の上層に形成された第１電極３１Ｂは、コンタクトホール５Ｂを介して、層間絶縁膜２０の下層に形成された画素内配線（配線）ＳＨｂと接続されている。また、画素内配線ＳＨｂは、層間絶縁膜２０の下層に形成された第１ＴＦＴ１０２Ｂ（ＴＦＴ１０２）と接続されている。
　また、本実施形態では、例えば、コンタクトホール５内において、第１電極３１上に、発光層８０Ｒと、発光層８０Ｇと、発光層８０Ｂとのうち、発光色が異なる２層が積層されており、また、第１電極３１の一部のエッジにも発光層８０Ｒと、発光層８０Ｇと、発光層８０Ｂとのうち、発光色が異なる２層が積層されている。
　例えば、図１８Ａに示すように、赤色画素２Ｒにおいて、コンタクトホール５Ｒ内では、第１電極３１Ｒ上に、赤色画素２Ｒと隣接する青色画素２Ｂの発光層８０Ｂが積層され、発光層８０Ｂ上に発光層８０Ｒが積層されている（重なっている）。そして、第１電極３１Ｒのエッジは発光層８０Ｒに覆われており、第１電極３１Ｒのエッジの一部（第１電極３１Ｒのエッジのうち第１電極３１Ｂと隣り合うエッジ）は、発光層８０Ｂおよび発光層８０Ｒに覆われている。なお、発光層８０Ｂ・８０Ｒの２層は、コンタクトホール５Ｒ内のうち、少なくとも、傾斜面５Ｒａに積層されて（重なって）いればよい。また、例えば、図１８Ｂに示すように、緑色画素２Ｇにおいて、コンタクトホール５Ｇ内では、第１電極３１Ｇ上に発光層８０Ｇが積層され、発光層８０Ｇ上に、緑色画素２Ｇと隣接する赤色画素２Ｒの発光層８０Ｒが積層されている（重なっている）。そして、第１電極３１Ｇのエッジは発光層８０Ｇに覆われており、第１電極３１Ｇのエッジの一部（第１電極３１Ｇのエッジのうち第１電極３１Ｒと隣り合うエッジ）は、発光層８０Ｇおよび発光層８０Ｒに覆われている。なお、発光層８０Ｇ・８０Ｒの２層は、コンタクトホール５Ｇ内のうち、少なくとも、傾斜面５Ｇａに積層されていればよい（重なっていればよい）。また、例えば、図１８Ｃに示すように、青色画素２Ｂにおいて、コンタクトホール５Ｂ内では、第１電極３１Ｂ上に発光層８０Ｂが積層され、発光層８０Ｂ上に、青色画素２Ｂと隣接する緑色画素２Ｇの発光層８０Ｇが積層されている（重なっている）。そして、第１電極３１Ｂのエッジは発光層８０Ｂに覆われており、第１電極３１Ｂのエッジの一部（第１電極３１Ｂのエッジのうち第１電極３１Ｇと隣り合うエッジ）は、発光層８０Ｂおよび発光層８０Ｇに覆われている。なお、発光層８０Ｂ・８０Ｇの２層は、コンタクトホール５Ｂ内のうち、少なくとも、傾斜面５Ｂａに積層されていればよい（重なっていればよい）。
　このように、表示デバイス１Ｇでは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒに、ナノファイバーおよび感光性材料が含有されている。このため、コンタクトホール５を覆って、発光色が異なる発光層が積層されるように、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれを、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパター二ングすることができる。なお、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒに加え、または換えて、第１電荷輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒと、第２電荷輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒとのうち少なくとも一方を、ナノファイバーと感光性材料とを含有させて、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパターニングすることで、上述した発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒと同様に、コンタクトホール５内に積層してもよい（重ねてもよい）。
　＜実施形態５＞
　次に、実施形態５について説明する。なお、実施形態１から４と異なる点を中心に説明し、実施形態１から４と重複する内容については説明を省略する。
　図１９は、実施形態５に係る表示デバイス１Ｄの概略構成を示す平面図である。図１９は、実施形態５に係る表示デバイス１Ｄにおける発光素子のエネルギーを説明する図である。なお、図１９では、バンク７０の図示を省略している。または、表示デバイス１Ｄにおいてバンク７０を省略した構成としてもよい。
　図１９に示すように、表示デバイス１Ｄは、表示デバイス１（図１）と、主に、第１電荷輸送層（共通層）４６と、赤色画素２Ｒに設けられた発光層（共通層）８０ＲＤと、第２電荷輸送層（共通層）４７とが、各画素２に跨って共通に形成されている点が異なる。
　表示デバイス１Ｄでは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうち、発光層８０Ｂ・８０Ｇは、それぞれ、ナノファイバーおよび感光性材料が含有された機能層であり、塗布およびフォトリソグラフィを用いて、画素２毎（発光層８０Ｂは青色画素２Ｂ毎、発光層８０Ｇは緑色画素２Ｇ毎）にパターン形成される。
　一方、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうちの発光層８０ＲＤと、第１電荷輸送層４６と、第２電荷輸送層４７とは、ナノファイバーおよび感光性樹脂材料の少なくとも一方を含有せず、機能層ではないため、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパターニングされない。
　第１電荷輸送層４６は、第１電極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒを覆い、各青色画素２Ｂ・各緑色画素２Ｇ・各赤色画素２Ｒに跨って共通に設けられている。発光層８０ＲＤは、赤色画素２Ｒ内においては第１電極３１Ｒの上層に積層され、緑色画素２Ｇ内においては発光層８０Ｇの上層に積層され、青色画素２Ｂ内においては発光層８０Ｂの上層に積層され、さらに、各青色画素２Ｂ・各緑色画素２Ｇ・各赤色画素２Ｒに跨って共通に設けられている。第２電荷輸送層４７は、発光層８０ＲＤ上に積層されて、各青色画素２Ｂ・各緑色画素２Ｇ・各赤色画素２Ｒに跨って共通に設けられている。発光層８０Ｂ・８０Ｇと比べて、発光層８０ＲＤは、ＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital：最低空軌道）のエネルギー準位が低い。
　図２０に示すように、量子ドットのＶ.Ｂ.（価電子帯）のエネルギー準位は、量子ドットの直径（すなわち発光色）による違いは小さい。このため、第１電荷輸送層４６（正孔輸送層：ＨＴＬ）から発光層８０Ｂへの正孔Ｈ１の注入効率と、第１電荷輸送層４６（正孔輸送層：ＨＴＬ）から発光層８０ＲＤへの正孔Ｈ１の注入効率とは、ほぼ同じである。
　一方、量子ドットのＣ.Ｂ.（伝導帯）のエネルギー準位は、量子ドットの直径（すなわち発光色）によって大きく異なる。このため、第２電荷輸送層４７（電子輸送層：ＥＴＬ）から発光層８０ＲＤへの電子Ｅ１の注入効率と比べて、第２電荷輸送層４７（電子輸送層：ＥＴＬ）から発光層８０Ｂへの電子Ｅ１の注入効率の方が悪い。
　そこで、上述のように、第２電荷輸送層４７と発光層８０Ｂとの間に、発光層８０ＲＤを設けることにより、層間での電子Ｅ１に対する障壁が小さくなり、第２電荷輸送層４７から発光層８０Ｂへの電子Ｅ１の注入効率を上げることができる。
　図２１は、実施形態５の変形例１に係る表示デバイス１Ｄの概略構成を示す平面図である。なお、図２１ではバンク７０の図示を省略している。または、図２１に示す表示デバイス１Ｄにおいてバンク７０を省略した構成としてもよい。図２１に示す表示デバイス１Ｄは、図１９に示した表示デバイス１Ｄのうち、緑色画素２Ｇに設けられた発光層８０Ｇが、緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂに跨って共通に形成されている点が異なる。
　図２１に示す表示デバイス１Ｄでは、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうち、発光層８０Ｂ・８０Ｇは、それぞれ、ナノファイバーおよび感光性材料が含有された機能層であり、塗布およびフォトリソグラフィを用いて、画素２毎（発光層８０Ｂは青色画素２Ｂ毎、発光層８０Ｇは緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂ毎）にパターン形成される。一方、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうちの発光層８０ＲＤと、第１電荷輸送層４６と、第２電荷輸送層４７とは、ナノファイバーおよび感光性樹脂材料の少なくとも一方を含有せず、機能層ではないため、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパターニングされない。
　図２２は、実施形態５の変形例２に係る表示デバイス１Ｄの概略構成を示す平面図である。なお、図２２ではバンク７０の図示を省略している。または、図２２に示す表示デバイス１Ｄにおいてバンク７０を省略した構成としてもよい。図２２に示す表示デバイス１Ｄは、図１９に示した表示デバイス１Ｄにおける、第１電極３１から第２電極３２までの各層の積層順が反転した、いわゆるインバート構造である。
　図２２に示す表示デバイス１Ｄは、層間絶縁膜２０（図２２では図示を省略）の上層に、青色画素２Ｂ毎に第２電極３２Ｂが設けられ、緑色画素２Ｇ毎に第２電極３２Ｇが設けられ、赤色画素２Ｒ毎に第２電極３２Ｒが設けられている。また、層間絶縁膜２０（図２２では図示を省略）の上層に、第２電極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒを覆い各画素２に跨って連続する第２電荷輸送層４７が設けられている。また、第２電荷輸送層４７の上層に、各画素２に跨って連続する発光層８０ＲＤが設けられている。また、発光層８０ＲＤの上層に、緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂに跨って連続する発光層８０Ｇが設けられている。また、発光層８０Ｇの上層に、青色画素２Ｂ毎に発光層８０Ｂが設けられている。また、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒの上層に、各画素２に跨って連続する第１電荷輸送層４６が設けられている。そして、第１電荷輸送層４６の上層に、各画素２に跨って連続する第１電極３１が設けられている。
　図２２に示す表示デバイス１Ｄにおいても、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうち、発光層８０Ｂ・８０Ｇは、それぞれ、ナノファイバーおよび感光性材料が含有された機能層であり、塗布およびフォトリソグラフィを用いて、画素２毎（発光層８０Ｂは青色画素２Ｂ毎、発光層８０Ｇは緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂ毎）にパターン形成される。一方、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０ＲＤのうちの発光層８０ＲＤと、第１電荷輸送層４６と、第２電荷輸送層４７とは、ナノファイバーおよび感光性樹脂材料の少なくとも一方を含有せず、機能層ではないため、塗布およびフォトリソグラフィを用いてパターニングされない。
　＜実施形態６＞
　次に、実施形態６について説明する。なお、実施形態１から５と異なる点を中心に説明し、実施形態１から５と重複する内容については説明を省略する。なお、実施形態１と実施形態６とでは、第１電荷輸送層４６の構成が異なる。
　図２３は、本実施形態に係る表示デバイス１Ｅの概略構成を示す断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１Ｅでは、発光素子３Ｂ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｒにおいて、第１電荷輸送層４６の膜厚が異なる。具体的には、図２３に示すように、発光素子３Ｒに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚は、発光素子３Ｇに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚よりも大きく、さらに、発光層８０Ｇに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚は、発光素子３Ｂに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚よりも大きい。より具体的には、発光素子３Ｒに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚は、１５０ｎｍである。また、発光素子３Ｇに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚は、１１０ｎｍである。また、発光素子３Ｂに含まれる第１電荷輸送層４６の膜厚は、４０ｎｍである。このような構成とすることで、各発光素子の発光層から発光した光が素子内の層構造界面での干渉効果により正面方向への取り出し効率が向上する。その結果、発光デバイスの正面輝度（図２３において上方に取り出される光の輝度）を向上させることができる。
　＜実施形態７＞
　次に、実施形態７について説明する。なお、上記実施形態と異なる点を中心に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。なお、上記実施形態および実施形態７では、第２電荷輸送層４７の構成が異なる。
　図２４は、本実施形態に係る表示デバイス１Ｆの概略構成を示す断面図である。本実施形態においては、第２電荷輸送層４７は、樹脂４２Ｆと、樹脂４２Ｆに分散された第２電荷輸送性材料およびナノファイバー５２と、を有する。すなわち、第２電荷輸送層４７は、感光性材料を含んでいなくてもよい。
　そして、本実施形態に係る表示デバイス１Ｆでは、発光素子３Ｒ、発光素子３Ｇおよび発光素子３Ｂにおいて、第２電荷輸送層４７が共通に形成される。さらに、本実施形態の第２電極３２は、各発光素子３間にわたり共通に形成される、共通電極である。具体的には、図２４に示すように、本実施形態の第１電荷輸送層４６は、バンク７０により区画された領域に島状に形成されず、発光層８０Ｒ、発光層８０Ｇ、発光層８０Ｂおよびバンクを覆うように、連続的に形成される。このような構成とすることで、第２電荷輸送層４７を、フォトリソグラフィにより発光層８０ごとに塗り分けて形成する必要がなく、例えば、スリットコート法により一括して形成することができる。その結果、発光デバイスを容易に製造することができる。
　＜変形例＞
　以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
　上記実施形態では、発光層８０には量子ドットが含まれていた。しかしながら、本発明の一態様に係る発光層８０は、量子ドットを含まない構成であってもよい。この場合、発光層８０を、例えば、有機の蛍光材料や燐光材料により構成すればよい。
　また、上記の実施形態では、第１電荷輸送層４６、発光層８０および第２電荷輸送層４７は、それぞれ全ての層にナノファイバーと感光性材料とが含まれていなくてもよく、少なくとも何れか１層に含まれていればよい。このような構成であっても、表示デバイス１～１Ｆにおいて、塗布法およびフォトリソグラフィによりパターニングすることができ、膜厚ムラが生じることを抑制することができる。
　また、上記実施形態では、第１電荷輸送層４６は、正孔輸送性の材料であるナノ粒子６１を有していた。しかしながら、第１電荷輸送層４６は、ナノ粒子６１を含まず、正孔輸送性の有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＶＫ、ＴＦＢ、またはｐｏｌｙ－ＴＰＤ等）を有してもよい。このような構成であっても、第１電荷輸送層４６において、塗布法およびフォトリソグラフィによりパターニングすることができ、膜厚ムラが生じることを抑制することができる。
　また、上記実施形態では、第２電荷輸送層４７は、電子輸送性の材料であるナノ粒子６２を有していた。しかしながら、第２電荷輸送層４７は、ナノ粒子６２を含まず、電子輸送性の有機材料（例えば、ポリオキサジアゾールや可溶性Ａｌｑ３ポリマー）を有してもよい。このような構成であっても、第２電荷輸送層４７において、塗布法およびフォトリソグラフィによりパターニングすることができ、膜厚ムラが生じることを抑制することができる。
　また、上記実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
１　表示デバイス
２　画素
３　発光素子
１０　アレイ基板
２０　層間絶縁膜
３１　第１電極
３２　第２電極
４２　感光性樹脂
４６　第１電荷輸送層
４７　第２電荷輸送層
５１・５２・８２　ナノファイバー
６１・６２　ナノ粒子
７０・７０Ａ　バンク
８０　発光層

Claims (27)

  1. 　第１電極と、
    　第２電極と、
    　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
    　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、前記発光層へ電荷を輸送する電荷輸送性材料を含有する電荷輸送層と、を備え、
    　前記発光層、及び、前記電荷輸送層のうち、少なくとも一つの層は、ナノファイバーと、感光性材料とを含む機能層である、表示デバイス。
  2. 　前記電荷輸送性材料はナノ粒子である、請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記発光層は、量子ドットを含む、請求項２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記機能層に含まれる、前記量子ドット、又は、前記ナノ粒子の個数は、前記ナノファイバーの個数よりも多い、請求項３に記載の表示デバイス。
  5. 　前記電荷輸送性材料はナノ粒子であり、
    　前記発光層は、量子ドットを含み、
    　前記機能層に含まれる、前記量子ドット、又は、前記ナノ粒子の直径は、前記ナノファイバーの直径より大きく、前記ナノファイバーの長さよりも小さい、請求項１に記載の表示デバイス。
  6. 　前記ナノファイバーの長さは、前記機能層の厚さの２倍以上、１μｍ以下である、請求項１～５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　前記ナノファイバーは、絶縁性を有する、請求項１～６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記ナノファイバーは、光透過性を有する、請求項１～７の何れか１項に記載の表示デバイス。
  9. 　前記ナノファイバーは、セルロースナノファイバーである、請求項１～８の何れか１項に記載の表示デバイス。
  10. 　前記ナノファイバーは、ニトロキシルラジカルを含む酸化セルロースナノファイバーである、請求項１～９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　第１色の光を出射する第１画素と、
    　平面視において前記第１画素と隣接し、第２色の光を出射する第２画素と、
    　平面視において前記第２画素と隣接し、第３色の光を出射する第３画素と、を備え、
    　前記機能層は、
    　　前記第１画素に設けられた第１機能層と、
    　　前記第２画素に設けられた第２機能層と、を有し、
    　前記第１電極は、
    　　前記第１画素に設けられ、前記第１機能層と重なる第１画素電極と、
    　　前記第２画素に設けられ、前記第２機能層と重なる第２画素電極と、を有する請求項１～１０の何れか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　前記機能層は、さらに、前記第３画素に設けられた第３機能層を有し、
    　前記第１電極は、さらに、前記第３画素に設けられ、前記第３機能層と重なる第３画素電極を有する、請求項１１に記載の表示デバイス。
  13. 　前記第１画素電極の周端部は、前記第２機能層と重なり、さらに、前記第１機能層、又は、前記第３機能層とも重なる、請求項１２に記載の表示デバイス。
  14. 　前記第１画素電極の周端部は、全周に亘って、前記第２機能層と重なり、さらに、前記第１機能層、又は、前記第３機能層とも重なる、請求項１２または１３に記載の表示デバイス。
  15. 　前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記第３画素電極の下層に設けられ、前記第１画素、前記第２画素、及び、前記第３画素に跨って共通に設けられた層間絶縁膜を備え、
    　前記第２画素電極は、前記層間絶縁膜に形成された、傾斜面を有するコンタクトホールを介して前記層間絶縁膜の下層に設けられたＴＦＴまたは配線と接続されており、
    　前記傾斜面は、前記第２機能層と、前記第１機能層、又は、前記第３機能層と、重なる、請求項１２または１３に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第１電極は、さらに、前記第３画素に設けられた第３画素電極を有し、
    　前記発光層、及び、前記電荷輸送層のうち、少なくとも一つの層は、前記第１画素、前記第２画素、及び、前記第３画素に跨って共通に設けられ、前記第１機能層、及び、前記第２機能層と重なる共通層を有する、請求項１１に記載の表示デバイス。
  17. 　前記ナノファイバーは、第１ナノファイバーと、第２ナノファイバーとを有し、
    　前記感光性材料は、第１感光性材料と、第２感光性材料とを有し、
    　前記第１機能層は、前記第１ナノファイバー、及び、前記第１感光性材料を含み、
    　前記第２機能層は、前記第２ナノファイバー、及び、前記第２感光性材料を含み、
    　前記共通層は、前記感光性材料を含まない、請求項１６に記載の表示デバイス。
  18. 　前記第１ナノファイバーと前記第２ナノファイバーとは、材料が等しい、請求項１７に記載の表示デバイス。
  19. 　前記第１ナノファイバーと前記第２ナノファイバーとは、形状が等しい、請求項１７または１８に記載の表示デバイス。
  20. 　前記機能層は前記発光層であり、
    　前記第１機能層は、前記第１色の光を発光する層であり、
    　前記第２機能層は、前記第２色の光を発光する層であり、
    　前記共通層は、前記第３色の光を発光する層であり、かつ、前記第１機能層、及び、前記第２機能層よりも、ＬＵＭＯのエネルギー準位が低い、請求項１７に記載の表示デバイス。
  21. 　前記機能層は前記発光層であり、
    　前記第１機能層は、前記第１色の光を発光する層であり、
    　前記第２機能層は、前記第２色の光を発光する層であり、
    　前記第３機能層は、前記第３色の光を発光する層である、請求項１２～１５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  22. 　前記機能層は前記電荷輸送層であり、
    　前記第１機能層は、前記第１色の光を発光する層と重なり、前記第１色の光を発光する層層へ電荷を輸送する層であり、
    　前記第２機能層は、前記第２色の光を発光する層と重なり、前記第２色の光を発光する層へ電荷を輸送する層であり、
    　前記第３機能層は、前記第３色の光を発光する層と重なり、前記第２色の光を発光する層へ電荷を輸送する層である、請求項１２～１５、２１の何れか１項に記載の表示デバイス。
  23. 　前記第１色は青色であり、
    　前記第２色は緑色であり、
    　前記第３色は赤色である、請求項１１～１５、２１または２２の何れか１項に記載の表示デバイス。
  24. 　ナノファイバーと、感光性材料と、発光材料または電荷輸送性材料と、を含む溶液を塗布し、
    　塗布された前記溶液により成膜された層に対し、フォトリソグラフィを行うことで、前記発光材料または前記電荷輸送性材料を含む機能層を形成する、表示デバイスの製造方法。
  25. 　前記発光材料は量子ドットであり、前記電荷輸送性材料はナノ粒子である請求項２４に記載の表示デバイスの製造方法。
  26. 　前記溶液に占める前記ナノファイバーの量は、０を超え、１重量％以下である、請求項２４または２５に記載の表示デバイスの製造方法。
  27. 　前記溶液は、２０℃～２５℃における粘度が、２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項２４～２６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
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