WO2015198603A1 - 有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ表示パネルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015198603A1
WO2015198603A1 PCT/JP2015/003184 JP2015003184W WO2015198603A1 WO 2015198603 A1 WO2015198603 A1 WO 2015198603A1 JP 2015003184 W JP2015003184 W JP 2015003184W WO 2015198603 A1 WO2015198603 A1 WO 2015198603A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
resist material
organic
photosensitive resist
display panel
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/003184
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健一 年代
信人 細野
Original Assignee
株式会社Ｊｏｌｅｄ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｊｏｌｅｄ filed Critical 株式会社Ｊｏｌｅｄ
Priority to JP2016529084A priority Critical patent/JPWO2015198603A1/ja
Priority to US15/320,305 priority patent/US10109691B2/en
Publication of WO2015198603A1 publication Critical patent/WO2015198603A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an organic EL display panel, and more particularly to a method for forming a partition wall layer.
  • an organic EL display panel In recent years, research and development have been promoted for increasing the size of an organic EL display panel using light emission of an organic EL (Electroluminescence) element.
  • an organic EL display panel a plurality of organic EL elements are arrayed on a substrate as a support material, and light emission of each organic EL element serves as a pixel to display an image.
  • the organic EL element has a structure in which a functional layer containing a functional material, for example, an organic light emitting layer containing an organic light emitting material is sandwiched between a pair of electrodes.
  • the three-color coating method using organic light-emitting materials that emit red, green, and blue, respectively is the mainstream from the viewpoint of light emission efficiency, light emission lifetime, and color reproducibility. It has become.
  • the functional layer includes a hole / electron injection layer, a hole / electron transport layer, a hole / electron blocking layer, a buffer layer, and the like. The function is determined by the position of the.
  • the formation method of the functional layer is roughly classified into a dry process such as a vacuum deposition method and a wet process such as an ink jet method.
  • the wet process is a method of forming a functional layer by applying and drying ink containing a functional material. From the viewpoint of the formation accuracy of the functional layer, the material utilization rate, etc., an organic EL display panel using a three-color coating method It is considered to be a technology suitable for increasing the size.
  • a partition layer having a plurality of openings is formed on the substrate, and then ink is applied to each of the openings.
  • This partition layer is made of a photosensitive resist material and is generally formed by a photolithography method. Specifically, a partition layer having a plurality of openings is formed through steps such as application of a photosensitive resist material on a substrate, mask exposure, development processing, and baking (baking) (for example, Patent Document 1, 2 and 3).
  • a partition layer with improved organic solvent resistance can be formed, and erosion of the ink into the partition layer can be suppressed (for example, see Patent Document 1).
  • the partition layer contains a liquid repellent component
  • the liquid repellent component moves to the surface side by firing, so that the liquid repellency of the partition layer surface can be improved (see, for example, Patent Document 2).
  • thermal sag the portion near the opening of the photosensitive resist material flows to the opening side
  • the inclined part covers the surface exposed from the opening widely, so that the aperture ratio in the organic EL display panel is lowered.
  • such an inclined portion becomes an obstacle when the ink spreads wet, and causes uneven thickness of the functional layer and poor formation. Therefore, in manufacturing an organic EL display panel, it is desirable to reduce thermal sag so that an inclined portion with a small inclination angle is not formed.
  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL display panel that can reduce thermal sagging during the formation of a partition wall layer.
  • a substrate is prepared, and at least a plurality of first electrodes are formed on the substrate.
  • a partition layer made of a photosensitive resist material and having openings at positions corresponding to the respective first electrodes is formed on the substrate on which the first electrodes are formed by a photolithography method.
  • the functional layer is formed by applying ink containing a functional material to each of the openings, and further drying the ink, and at least the second electrode is formed on the functional layer.
  • the portion in the vicinity of the opening of the photosensitive resist material that has become a semi-photosensitive region by the mask exposure is sufficiently exposed by the overall exposure after the development processing. Therefore, the flow to the opening side of the portion near the opening of the photosensitive resist material due to subsequent baking is reduced. That is, according to the manufacturing method of the organic EL display panel according to the above aspect, it is possible to reduce thermal sagging when forming the partition wall layer.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of an organic EL display device 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view in which a part of the image display surface of the organic EL display panel 10 is enlarged.
  • FIG. (A) is a schematic cross-sectional view along the line XX in FIG. 2, and (b) is a schematic cross-sectional view along the line YY in FIG. It is a schematic cross section which shows the manufacture process of the organic electroluminescent display panel 10, Comprising: (a) is a figure which shows a 1st electrode and a positive hole injection layer formation process, (b) is a figure which shows a pixel control layer formation process. (C) is a figure which shows a partition layer formation process.
  • FIG. It is a plane photograph which compares the wettability of ink. It is a plane photograph which compares the wettability of ink.
  • 4 is an enlarged schematic plan view of a part of the image display surface of the organic EL display panel 30.
  • FIG. It is a schematic cross section which shows the partition layer formation process in an organic electroluminescence display panel, (a) is a figure which shows the photosensitive resist material application
  • FIG. 1 It is a schematic cross-sectional view showing a partition layer forming step in an organic EL display panel, where (a) is a diagram showing a firing step, (b) is a diagram showing an ultraviolet irradiation step, and (c) is a mask. It is a figure which shows an exposure (positive type) process.
  • (A) is a cross-sectional photograph showing an inclined portion after firing at an exposure amount of 200 mJ / cm 2
  • (b) is a sectional photograph showing an inclined portion after firing at an exposure amount of 300 mJ / cm 2
  • (c) It is a cross-sectional photograph which shows the inclination part after baking in exposure amount 400mJ / cm ⁇ 2 >.
  • 13 and 14 are schematic cross-sectional views showing a partition layer forming step in the organic EL display panel.
  • 13 and 14 show a process of forming the partition layer 95 by photolithography on the substrate 11 on which the first electrode 12, the hole injection layer 13, and the pixel regulating layer 14 are formed.
  • the partition layer 95 is formed in the order of coating, mask exposure, development, baking, and ultraviolet irradiation.
  • a photosensitive resist material 15P is applied on the substrate 11 on which the first electrode 12, the hole injection layer 13, and the pixel regulating layer 14 are formed.
  • the photosensitive resist material 15P has negative photosensitivity, and its solubility in a developer is lowered by light irradiation.
  • the photomask 51 includes a light shielding portion 51a that blocks the light L0 and a light transmitting portion 51b that transmits the light L0. Due to the arrangement of the photomask 51, the light L0 is exposed only through the light transmitting portion 51b. The resist material 15P is reached. Therefore, the photosensitive resist material 15P only sensitizes the portion below the light transmitting portion 51b, and the solubility of the portion in the developing solution decreases.
  • the photosensitive portion of the photosensitive resist material 15P does not completely match the arrangement pattern of the light transmitting portions 51b of the photomask 51.
  • a part of the light L0 that has passed through the end of the light transmitting part 51b becomes diffracted light L1 that spreads outside the light transmitting part 51b, that is, toward the light shielding part 51a.
  • a part of the light L0 is transmitted through the photosensitive resist material 15P, scattered and reflected below (the first electrode 12 and the like), and reflected light L2 that spreads outside the light transmitting part 51b, that is, toward the light shielding part 51a. It becomes.
  • the photosensitive resist material 15P exposes not only the portion immediately below the light transmitting portion 51b but also its surroundings.
  • the surrounding photosensitive resist material 15P is less than the photosensitive resist material 15P directly under the light transmitting portion 51b.
  • the photosensitive amount of the material 15P is small. That is, by the mask exposure, a photosensitive region 15Pa immediately below the light transmitting portion 51b and a semi-photosensitive region 15Pb having a smaller photosensitive amount than the photosensitive region 15Pa are formed in the photosensitive resist material 15P.
  • the solubility in the developer is lowered as in the case of the photosensitive area 15Pa, but the degree of curing is lower than that in the photosensitive area 15Pa.
  • the photosensitive resist material 15P when the development process is performed, in the negative photosensitive resist material 15P, the unexposed portion is dissolved and removed in the developer, and the photosensitive region 15Pa and the semi-photosensitive region are removed.
  • the region 15Pb remains on the substrate 11.
  • the photosensitive resist material 15P is opened, and the hole injection layer 13 and the pixel regulating layer 14 are exposed from the opened portion.
  • the pixel regulation layer 14 without hatching represents the surface thereof, and the pixel regulation layer 14 exists not on the cross section shown in FIG. 13C but on the back side of the cross section of the cross section. (Hereinafter, the same applies to FIG. 14).
  • the semi-photosensitive region 15Pb having a lower curing degree than the photosensitive region 15Pa has a high fluidity, and greatly flows toward the opening side. Do (sag).
  • the partition layer 95 having the inclined portion 95b having a small inclination angle around the opening is formed.
  • the “inclination angle” refers to an angle with respect to the upper surface of the substrate, and is 0 ° when parallel to the upper surface of the substrate and 90 ° when perpendicular to the upper surface of the substrate.
  • the inclined portion 95b having a small inclination angle covers the upper surface of the hole injection layer 13 exposed from the opening, the opening ratio of the organic EL display panel is lowered, which becomes an obstacle to higher pixel definition. Further, such an inclined portion 95b becomes an obstacle when the ink is wet and spread in the application of the ink to the opening, and causes unevenness in film thickness and poor formation of the functional layer formed by the wet process.
  • the surface of the partition wall layer 95 generally has liquid repellency, and the influence of the inclined portion 95b on the ink wettability is great. Therefore, it is preferable that the inclination angle in the inclined portion of the partition wall layer is as large as possible (close to 90 °).
  • a method of irradiating ultraviolet rays UV onto the upper surface side of the substrate 11 after baking is used.
  • the ultraviolet ray UV is irradiated beyond a certain exposure amount, the inclined portion 95b is decomposed and removed, the upper surface of the hole injection layer 13 exposed from the opening can be expanded, and the wettability in the opening can be improved.
  • the portion corresponding to the partition layer is for preventing penetration of the etching solution and removing the layer on the partition layer (lift-off). There is little problem even if the sex decreases.
  • the ink may flow out to the adjacent opening beyond the partition layer during ink application. is there. If the ink flows out beyond the partition wall, it causes uneven thickness of the functional layer and poor formation, and if the three-color coating method is adopted, it may cause defective color development of the pixel due to color mixing of the inks. . Therefore, in the manufacture of such an organic EL display panel, it is difficult to sufficiently remove the inclined portion 95b having a small inclination angle by irradiation with ultraviolet rays UV, and the inclined portion after firing is not involved in post-treatment such as ultraviolet irradiation. It is required to increase the inclination angle. That is, it is desirable to reduce the thermal sagging when forming the partition wall layer.
  • FIG. 14C shows a step of exposing the photosensitive resist material 15Px having positive photosensitivity using the photomask 61 in which the light shielding portion 61a and the light transmitting portion 61b are patterned.
  • the photosensitive resist material 15Px only the portion below the light transmitting portion 61b is exposed by the irradiation of the light L0, and the solubility in the developer increases.
  • a part of the light L0 that has passed through the end of the light transmitting portion 61b becomes diffracted light L1 that spreads outside the light transmitting portion 61b, that is, toward the light shielding portion 61a. Further, a part of the light L0 passes through the photosensitive resist material 15Px and is scattered and reflected below it to become reflected light L2 that spreads outside the light transmitting part 61b, that is, toward the light shielding part 61a. Accordingly, even when the positive photosensitive resist material 15Px is used, a semi-photosensitive region is formed around the portion (photosensitive region) immediately below the light transmitting portion 61b by the mask exposure.
  • the solubility in the developer is relatively low as in the non-photosensitive region, but the degree of curing is lower than that in the non-photosensitive region. Therefore, even when the positive photosensitive resist material 15Px is used, an inclined portion having a small inclination angle is similarly formed around the opening. That is, even when the positive photosensitive resist material 15Px is used, it is desirable to reduce the thermal sagging when the partition wall layer is formed.
  • FIGS. 15A, 15B, and 15C are cross-sectional photographs showing inclined portions after firing at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 , an exposure dose of 300 mJ / cm 2 , and an exposure dose of 400 mJ / cm 2 , respectively.
  • the inclination angle of the inclined portion 95b after baking does not change so much even when the exposure amount is increased, and thermal sag occurs. I understand. This is due to the following reason.
  • the light amounts of the diffracted light L1 and the reflected light L2 increase, so that the degree of curing of the semi-photosensitive region 15Pb in the vicinity of the photosensitive region 15Pa is improved.
  • the increased diffracted light L1 and reflected light L2 penetrate further to the outside of the photosensitive resist material 15P (on the light shielding portion 51a side), and the semi-photosensitive region having a low degree of curing outside the semi-photosensitive region 15Pb having an improved degree of curing. 15Pb is formed.
  • the inventor of the present application has arrived at one aspect of the present invention described below in order to reduce thermal sagging during the formation of the partition wall layer.
  • a substrate is prepared, and at least a plurality of first electrodes are formed on the substrate.
  • a partition layer made of a photosensitive resist material and having openings at positions corresponding to the respective first electrodes is formed on the substrate on which the first electrodes are formed by a photolithography method.
  • the functional layer is formed by applying ink containing a functional material to each of the openings, and further drying the ink, and at least the second electrode is formed on the functional layer.
  • the manufacturing method by applying a photosensitive resist material on the board
  • the portion in the vicinity of the opening of the photosensitive resist material that has become a semi-photosensitive region by the mask exposure is sufficiently exposed by the overall exposure after the development processing. Therefore, the flow to the opening side of the portion near the opening of the photosensitive resist material due to subsequent baking is reduced. That is, according to the manufacturing method of the organic EL display panel according to the above aspect, it is possible to reduce thermal sagging when forming the partition wall layer.
  • the photosensitive resist material includes a liquid repellent component.
  • the liquid repellent component is a fluorine compound or a siloxane compound.
  • the surface treatment is a plasma treatment in a fluorine-based gas atmosphere.
  • the outflow of ink beyond the partition wall layer can be further reduced. Further, in the manufacturing method, by reducing thermal sagging during the formation of the partition wall layer, it is possible to form a partition wall layer having a large inclination angle around the opening, and even if the partition wall layer has liquid repellency, The influence on the wettability in the opening can be reduced.
  • the partition layer when the partition layer is formed, the upper surface side of the substrate is irradiated with ultraviolet rays after firing.
  • the wettability in the opening can be improved by ultraviolet irradiation.
  • the thermal sag at the time of forming the partition wall layer is reduced, so that the partition wall layer having a large inclination angle around the opening can be formed. Therefore, in the manufacturing method, the wettability in the opening can be ensured regardless of excessive ultraviolet irradiation, and the ultraviolet irradiation amount can be optimized according to the manufacturing conditions.
  • the exposure is performed using a photomask having a translucent property as a whole during the overall exposure.
  • the exposure conditions of the mask exposure and the overall exposure can be easily matched, and the photosensitive region of the photosensitive resist material can be stabilized and the manufacturing process can be simplified.
  • the photosensitive resist material has negative photosensitivity.
  • the photosensitive resist material after the development processing has a reverse taper shape, and the inclination angle of the portion around the opening of the partition wall layer is easily formed larger.
  • “up” does not indicate the upward direction (vertically upward) in absolute space recognition, but is defined by the relative positional relationship based on the stacking order in the stacked structure of the organic EL display panel. Is. Specifically, in the organic EL display panel, the direction perpendicular to the main surface of the substrate and directed from the substrate toward the laminate is defined as the upward direction. Further, for example, the expression “on the substrate” does not indicate only a region in direct contact with the substrate, but also includes a region above the substrate through the stack.
  • FIG. 1 a plan view and a plane photograph are a view and a photograph of an object as viewed from vertically above, and in an organic EL display panel, a view and a photograph of the panel as viewed from vertically above a substrate upper surface. .
  • FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the organic EL display device 1.
  • the organic EL display device 1 is a display device used for, for example, a television, a personal computer, a portable terminal, a business display (electronic signboard, large screen for commercial facilities), and the like.
  • the organic EL display device 1 includes an organic EL display panel 10 and a drive control unit 20 electrically connected thereto.
  • the organic EL display panel 10 (hereinafter referred to as “panel 10”) is a top emission type display panel whose upper surface is a rectangular image display surface, for example.
  • panel 10 a plurality of organic EL elements (not shown) are arranged along the image display surface, and an image is displayed by combining the light emission of each organic EL element.
  • the panel 10 employs an active matrix system as an example.
  • the drive control unit 20 includes a drive circuit 21 connected to the panel 10 and a control circuit 22 connected to an external device such as a computer or a receiving device such as an antenna.
  • the drive circuit 21 is a power supply circuit that supplies power to each organic EL element, a signal circuit that applies a voltage signal that controls the power supplied to each organic EL element, and a scan that switches between locations where the voltage signal is applied at regular intervals. Circuit and the like.
  • the control circuit 22 controls the operation of the drive circuit 21 according to data including image information input from an external device or a receiving device.
  • FIG. 1 four drive circuits 21 are arranged around the panel 10 as an example, but the configuration of the drive control unit 20 is not limited to this, and the number and positions of the drive circuits 21 are as follows. It can be changed as appropriate.
  • FIG. 2 is a schematic plan view in which a part of the image display surface of panel 10 is enlarged.
  • the panel 10 as an example, subpixels SPR, SPG, and SPB that emit light in red, green, and blue, respectively, are arranged in order, and a set of subpixels SPR, SPG, and SPB constitute one pixel P.
  • the pixel P can express full color.
  • Panel 10 adopts the line bank method as an example. That is, the panel 10 includes a pixel-regulating layer 14 having a plurality of linear portions extending in the X-axis direction in FIG. 2 arranged at intervals in the Y-axis direction, and a linear portion extending in the Y-axis direction.
  • the portion includes a partition wall layer 15 having a shape in which a plurality of portions are arranged at intervals in the X-axis direction.
  • an organic EL element is formed for each region where the pixel restriction layer 14 does not exist.
  • the subpixels SPR, SPG, and SPB are regions in the respective openings 15a in which the organic EL elements are formed, and the light emission of the organic EL elements formed in the regions is extracted from the image display surface side. Emits light.
  • the emission colors of the sub-pixels SPR, SPG, and SPB may be the emission colors of the organic EL elements themselves, or may be those obtained by correcting the emission colors of the organic EL elements with a color filter.
  • any one of the sub-pixel column LR in which the sub-pixels SPR are arranged, the sub-pixel column LG in which the sub-pixels SPG are arranged, and the sub-pixel column LB in which the sub-pixels SPB are arranged is arranged.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view taken along line XX in FIG. 2
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along line YY in FIG. .
  • the cross-sectional configuration of the subpixel SPG is mainly described, but the subpixels SPR and SPB have the same configuration as that of FIGS. 3A and 3B. It has become.
  • the panel 10 includes a substrate 11, a first electrode 12, a hole injection layer 13, a pixel regulating layer 14, a partition wall layer 15, a hole transport layer 16A, an organic light emitting layer 16B, an electron transport layer 17, a second electrode 18, and a thin film seal.
  • a stop layer 19 is provided.
  • the hole transport layer 16A and the organic light emitting layer 16B are formed by a wet process.
  • this stacked configuration is merely an example, and an electron injection layer, a blocking layer, a buffer layer, and the like may be stacked in addition to this.
  • a part of each said layer may be abbreviate
  • one physical layer may have a plurality of functions.
  • the substrate 11 is a support member for the panel 10. Although illustration is omitted, in the substrate 11, a TFT (Thin Film Transistor) layer is formed on a rectangular plate-like substrate body.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the substrate body is formed of a metal material such as aluminum or stainless steel coated with a material having electrical insulation or a material having electrical insulation.
  • the material having electrical insulation include glass materials such as alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, and quartz glass.
  • the material may be a resin material such as an acrylic resin, a styrene resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin, a polyimide resin, or a silicone resin.
  • the material may be a metal oxide material such as aluminum oxide, for example.
  • the substrate body is made of a material having a low moisture permeability, such as glass or metal, so that the moisture or oxygen can penetrate from the lower part of the organic EL element. Is preferably suppressed.
  • a resin material it is preferable to coat a thin film with low moisture permeability such as silicon nitride, silicon oxynitride, and aluminum oxide on the upper surface of the resin material.
  • the TFT layer is an electronic circuit layer formed on the substrate body, and a power supply circuit for the organic EL element, a control circuit for the supply power, and the like are arranged.
  • the TFT layer is a laminate composed of a semiconductor layer, a conductor layer, and an electrical insulator layer disposed on the substrate body, and this laminate structure allows the TFT element, capacitor element, wiring, A circuit element is configured.
  • An interlayer insulating layer (not shown) is formed on the uppermost portion of the TFT layer, and the upper surface of the substrate 11 is flattened.
  • the semiconductor layer is, for example, a general semiconductor material such as silicon, an oxide semiconductor material such as indium-zinc-gallium oxide, an organic semiconductor having a ⁇ -electron conjugated system spread in a planar direction such as a polycyclic aromatic compound It is made of materials.
  • the conductive layer include metal materials such as aluminum (Al), copper (Cu), and gold (Au), carbon materials such as graphite and carbon nanotubes, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). The conductive oxide material is used.
  • the electrical insulator layer is formed of, for example, an inorganic material such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or aluminum oxide, or an organic material such as an acrylic resin, a polyimide resin, a silicone resin, or a phenol resin.
  • the interlayer insulating layer is formed of an electrically insulating patternable material, for example, an organic material such as an acrylic resin, a polyimide resin, a silicone resin, or a phenol resin.
  • a layer made of silicon nitride, aluminum oxide or the like covering the entire electronic circuit element of the TFT layer may be formed as a passivation layer separately from the interlayer insulating layer.
  • the first electrode 12 is a plurality of electrodes formed on the substrate 11 and serves as an anode for supplying holes to the organic light emitting layer 16B.
  • Each of the first electrodes 12 defines the arrangement of each organic EL element, and is arranged in a matrix on the substrate 11 corresponding to each subpixel SPR, SPG, SPB.
  • the first electrode 12 is formed of a metal material such as Al, silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), or zinc (Zn). Is done. Further, it may be formed of an alloy material combining these metal materials, or a multilayer structure in which metal materials / alloy materials are laminated. Further, for the purpose of improving the bonding property between the first electrode 12 and the hole injection layer 13 and preventing the oxidation of the first electrode 12, a layer made of a transparent conductive oxide material such as ITO or IZO on these layers. May be formed. Furthermore, a barrier metal layer made of a metal oxide material such as tungsten oxide may be formed on the lowermost layer of the first electrode 12 for the purpose of suppressing erosion due to wet etching or diffusion of hydrogen to the lower layer. .
  • a metal material such as Al, silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), chro
  • the first electrode 12 From the viewpoint of supplying holes, it is preferable to use a material having a high work function for the first electrode 12. Further, in the panel 10 of the top emission type, it is preferable to impart light reflectivity to the first electrode 12.
  • the hole injection layer 13 is a layer formed on the first electrode 12 and lowers an energy barrier in supplying holes (hole injection) from the first electrode 12 to the organic light emitting layer 16B. Has the role of facilitating injection.
  • the hole injection layer 13 is formed independently for each first electrode 12 and arranged in a matrix on the substrate 11.
  • the hole injection layer 13 is formed using a material having an appropriate ionization energy as a functional material. Examples of such materials include metal oxide materials such as Ag, Mo, Cr, W, Ni, vanadium (V), and iridium (Ir), and PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid). ) Etc.
  • the pixel regulation layer 14 is an electrically insulating layer formed so as to cover the end portions of the first electrode 12 and the hole injection layer 13, and is provided in each opening 15a. It has the role of improving the electrical insulation between the adjacent subpixels SPR, SPG, SPB. Further, the pixel regulation layer 14 is formed lower than the upper surface of the hole transport layer 16A, and also has a role of continuing the hole transport layer 16A and the organic light emitting layer 16B without being separated in the opening 15a. In the panel 10, the pixel restriction layer 14 continues in the X-axis direction so as to cover the upper and lower ends in the Y-axis direction of FIG. 2 among the ends of the first electrodes 12 and the hole injection layers 13. Is formed. For this reason, the pixel restricting layer 14 has a shape in which a plurality of portions extending in the X-axis direction are arranged at intervals in the Y-axis direction.
  • the material of the pixel regulation layer 14 is formed of, for example, an inorganic material such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or aluminum oxide, or an organic material such as acrylic resin, polyimide resin, or novolac type phenol resin. Further, when the hole transport layer 16A is formed, the surface of the pixel regulation layer 14 is preferably lyophilic with respect to the ink so that the ink containing the functional material easily spreads in the opening 15a. That is, it is preferable that the material of the pixel regulation layer 14 does not include a liquid repellent component described later.
  • the partition layer 15 is a layer that is formed on the substrate 11 on which the first electrode 12, the hole injection layer 13, and the pixel regulation layer 14 are formed, and has an opening 15 a at a location corresponding to each of the first electrodes 12. More specifically, in the panel 10, the opening 15 a is formed so as to expose the hole injection layer 13 above each first electrode 12. Further, the opening 15a is also formed so as to expose the pixel restricting layer 14 between the hole injection layers 13 arranged in the Y-axis direction of FIG. 2 and to be continuous in the Y-axis direction. For this reason, the partition wall layer 15 has a so-called line bank shape in which a plurality of portions extending in the Y-axis direction are arranged at intervals in the X-axis direction.
  • the partition layer 15 suppresses the ink containing the functional material from flowing out from a predetermined application position, and the hole transport layer 16A after the formation is formed. And the organic light emitting layer 16B is partitioned and electrically insulated.
  • the partition wall layer 15 is made of, for example, a photosensitive resist material that has electrical insulation and can be patterned by a photolithography method.
  • the photosensitive resist material include acrylic resin, polyimide resin, and novolac type phenol resin.
  • the partition layer 15 may contain a material other than the photosensitive resist material.
  • the photosensitive resist material may have either a negative type in which the solubility in a developer is lowered by light exposure or a positive type in which the solubility in a developer is increased by light exposure. Is preferred.
  • the photosensitive region of the photosensitive resist material when exposed from above tends to have a reverse taper shape having a wide upper portion and a narrow lower portion. Accordingly, in the negative type in which the photosensitive region remains, the photosensitive resist material after the development processing has a shape close to a reverse taper, and the inclination angle of the inclined portion of the partition wall layer 15 can be easily formed larger.
  • the partition layer 15 has tolerance with respect to an organic solvent or heat
  • the surface of the partition layer 15 preferably has liquid repellency.
  • a material containing a liquid repellent component is used for the partition layer 15 or the partition layer 15 has liquid repellency.
  • the liquid repellent component include a fluorine compound and a siloxane compound.
  • This liquid repellent component may be mixed into the photosensitive resist material 15P as an independent material, for example, or, for example, the photosensitive resist material 15P as in the liquid repellent resist composition described in Patent Document 3. It may be contained in the copolymer.
  • the surface treatment for imparting liquid repellency for example, plasma treatment in a fluorine gas atmosphere can be used.
  • the hole transport layer 16A is a layer formed in each of the openings 15a of the partition wall layer 15 by a wet process, and plays a role of improving the transportability of holes supplied from the first electrode 12 to the organic light emitting layer 16B.
  • the hole transport layer 16A has a shape extending in the Y-axis direction of FIG. 2 along each opening 15a, and all the first electrodes 12 ( The hole injection layer 13) and the pixel regulation layer 14 are continuously covered. That is, the subpixels SPR, SPG, and SPB arranged in each subpixel column LR, LG, and LB share the hole transport layer 16A.
  • the hole transport layer 16A is formed using an organic material having a relatively high hole mobility as a functional material.
  • organic material having a relatively high hole mobility examples include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives.
  • Fluorenone derivatives Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, butadiene compounds, polystyrene derivatives, triphenylmethane derivatives, tetraphenylbenzine derivatives (all disclosed in JP-A-5-163488) And the like.
  • Organic light emitting layer 16B Similarly to the hole transport layer 16A, the organic light emitting layer 16B is a layer formed in each of the openings 15a of the partition wall layer 15 by a wet process, and the holes supplied from the first electrode 12 and the second electrode 18 are formed. And a layer in which light emission (electroluminescence phenomenon) is caused by electron recombination. Further, in the panel 10 employing the line bank method, the organic light emitting layer 16B has a shape extending in the Y-axis direction of FIG. 2 along each opening 15a in the same manner as the hole transport layer 16A. It continues so that the whole surface of the positive hole transport layer 16A may be covered.
  • the subpixels SPR, SPG, and SPB arranged in each subpixel column LR, LG, and LB share the organic light emitting layer 16B.
  • the organic light emitting layer 16B emits light only at a portion above the first electrode 12, and emits light independently for each of the subpixels SPR, SPG, and SPB.
  • the organic light emitting layer 16B is formed using an organic light emitting material that emits light by an electroluminescence phenomenon as a functional material.
  • organic light-emitting materials include oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds, tetracene compounds, Pyrene compounds, coronene compounds, quinolone compounds, azaquinolone compounds, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentadiene compounds, stilbene compounds, diphenylquinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds, dicyanomethylenepyran compounds, dicyano Methylenethiopyran compound, fluorescein compound
  • a mixed layer of an organic compound using the above-described fluorescent substance or phosphorescent substance as a dopant may be used.
  • the panel 10 employs a three-color coating method that uses organic light-emitting materials that emit red, green, and blue light for the organic light-emitting layers 16B of the sub-pixel rows LR, LG, and LB, respectively, and supports full color. .
  • Electron transport layer 17 The electron transport layer 17 is a layer formed so as to cover the entire substrate 11 on which the partition wall layer 15 and the organic light emitting layer 16B are formed, and transports electrons supplied from the second electrode 18 to the organic light emitting layer 16B. It has a role to improve the sex.
  • the electron transport layer 17 is formed using an organic material having a relatively high electron mobility as a functional material.
  • organic material having a relatively high electron mobility examples include nitro-substituted fluorenone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, diphequinone derivatives, perylene tetracarboxyl derivatives, anthraquinodimethane derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, perinone derivatives.
  • Quinoline complex derivatives (all described in JP-A-5-163488), phosphorus oxide derivatives, triazole derivatives, todiazine derivatives, silole derivatives, dimesityl boron derivatives, triarylboron derivatives, and the like.
  • Second electrode 18 is an electrode formed on the organic light emitting layer 16 ⁇ / b> B. In the panel 10, the second electrode 18 is formed over the entire substrate 11 so as to cover the electron transport layer 17. The second electrode 18 serves as a cathode that supplies electrons to the organic light emitting layer 16B.
  • the second electrode 18 is formed of, for example, a transparent conductive oxide material such as ITO or IZO, or a layer made of a transparent conductive oxide material, Ag, Au, Ni, Cu, Al, platinum (Pt), palladium (Pd). ) Or a layer of these alloy materials.
  • a material having a low work function for the second electrode 18 it is preferable to use a material having a high light transmittance such as a light transmittance of 80% or more for the second electrode 18.
  • the thin film sealing layer 19 is a layer formed so as to cover the entire substrate 11 on which the respective members from the first electrode 12 to the second electrode 18 are formed, and each member is exposed to moisture, oxygen, and the like. It has a role to suppress.
  • the thin film sealing layer 19 is formed of a material having a low moisture permeability, for example, an inorganic material such as silicon nitride, silicon oxynitride, carbon oxide, carbon nitride, or aluminum oxide. In the top emission type panel 10, it is preferable to use a material having a high light transmittance and a small refractive index difference from the second electrode 18 for the thin film sealing layer 19.
  • a sealing plate formed of a material having low moisture permeability such as a glass material may be disposed on the substrate 11 on which the above members are formed. At this time, the substrate 11 and the sealing plate are bonded by, for example, an adhesive layer made of a curable resin material. Thereby, the penetration
  • a color filter may be arranged at a position corresponding to the sub-pixels SPR, SPG, SPB of the sealing plate.
  • the emission colors of the subpixels SPR, SPG, and SPB can be corrected.
  • a black matrix may be arranged at a position corresponding to the sub-pixels SPR, SPG, SPB of the sealing plate and a peripheral region of the sealing plate.
  • the electron transport layer 17 and the second electrode 18 are formed over the plurality of openings 15a.
  • the portion may be formed for each opening 15a or for each sub-pixel SPR, SPG, SPB.
  • the hole injection layer 13 is formed for each of the subpixels SPR, SPG, and SPB, but is formed for each of the openings 15a or over the plurality of openings 15a. May be.
  • FIGS. 4, 5, and 6 are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the panel 10. Note that the cross sections shown in FIGS. 4, 5, and 6 correspond to the cross section of the sub-pixel SPG in FIG. Further, the pixel regulation layer 14 without hatching shown in FIGS. 4B and 4C does not exist in the cross section but represents the surface of the pixel regulation layer 14 existing on the back side of the cross section of the paper surface. is doing.
  • the substrate 11 is prepared. Specifically, a substrate body in which an electrically insulating material is formed into a flat plate shape is prepared, and a TFT layer is formed on the substrate body.
  • the TFT layer can be formed as follows.
  • a semiconductor material layer, a conductor material layer or an electrical insulator material layer patterned in a predetermined shape is formed on a substrate body, and this is repeated to form a predetermined electronic circuit.
  • a dry process such as a vacuum deposition method, an electron beam deposition method, an ion plating method, a gas layer growth method, a printing method, a spin coating method, an inkjet method, a dispensing method, etc.
  • a wet process such as a method or a die coating method can be used.
  • each layer for example, a photolithography method, a shadow mask method, a metal mask method, or the like may be used, or the layers may be directly formed into a predetermined shape by a wet process. Moreover, you may perform processes, such as plasma implantation, ion implantation, and baking, to each layer formed as needed.
  • a passivation layer and an interlayer insulating layer are sequentially formed so as to cover the electronic circuit.
  • the above dry process and wet process can be used depending on the material of each layer.
  • openings are formed at predetermined positions in the passivation layer and the interlayer insulating layer so that the TFT element in the electronic circuit and the first electrode 12 can be electrically connected.
  • the patterning method described above can be used to form the contact hole.
  • first electrodes 12 and hole injection layers 13 are formed on the substrate 11.
  • a metal thin film is first formed on the substrate 11 by sputtering, and then a metal oxide thin film is formed on the metal thin film by reactive sputtering.
  • the photoresist material is patterned by a photolithography method, and the photoresist material is left only in the matrix region where the subpixels SPR, SPG, and SPB are formed.
  • the manufacturing process can be made efficient by continuously etching the first electrode 12 and the hole injection layer 13. Further, by performing patterning using the same photoresist, the alignment accuracy between the first electrode 12 and the hole injection layer 13 is improved.
  • the formation method of the 1st electrode 12 and the hole injection layer 13 is not restricted to the combination of said sputtering method, reactive sputtering method, and the photolithography method, According to material, the dry process illustrated above, the wet process A patterning method can be used.
  • a barrier metal layer is disposed in the lowermost layer of the first electrode 12, a metal oxide thin film is formed before the metal thin film is formed, and after the metal thin film is wet etched, the metal oxide thin film is further formed. May be dry-etched.
  • the method for manufacturing the panel 10 is not limited to the method in which the first electrode 12 and the hole injection layer 13 are continuously etched as described above, and the metal oxide thin film is formed after the first electrode 12 is formed.
  • the hole injection layer 13 may be formed by forming and patterning.
  • the pixel restriction layer 14 is formed on the substrate 11 on which the first electrode 12 and the hole injection layer 13 are formed. Specifically, for example, by combining the dry process exemplified above and a patterning method, a thin film of an inorganic material extending in the X-axis direction of FIG. 2 while covering the end of the hole injection layer 13 is formed as shown in FIG. A plurality are formed at intervals in the Y-axis direction. Thereby, the pixel regulating layer 14 having the shape shown in FIG. 2 can be formed (FIG. 14B). In the case where an organic material is used for the pixel regulation layer 14, the pixel regulation layer 14 can be formed by using the wet process exemplified above or a photolithography method.
  • a portion corresponding to the first electrode 12 made of a photosensitive resist material is formed on the substrate 11 on which the first electrode 12, the hole injection layer 13, and the pixel regulating layer 14 are formed by photolithography.
  • a partition layer 15 having an opening 15a is formed on the substrate (FIG. 4C). Details of the method of forming the partition wall layer 15 will be described later.
  • an ink 16a containing a functional material, here, the material of the hole transport layer 16A is applied to each of the openings 15a (FIG. 5A).
  • the coating method of the ink 16a the wet process exemplified above can be used, and the inkjet method is particularly preferable.
  • the ink 16a is applied so as to continue beyond the pixel regulation layer 14 in the opening 15a. Thereby, the ink 16a can flow in the Y-axis direction of FIG. 2 in the opening 15a, and uneven application of the ink 16a in the opening 15a is reduced. That is, in the subsequent drying, the occurrence of uneven thickness or poor formation of the hole transport layer 16A in the opening 15a is reduced.
  • the applied ink 16a is dried.
  • the substrate 11 after application of the ink 16a is placed in a vacuum environment such as a vacuum chamber to evaporate the solvent of the ink 16a.
  • the hole transport layer 16A which is a functional layer can be formed in each of the openings 15a (FIG. 5B).
  • an ink containing a functional material here, an organic light emitting material is applied to each of the openings 15a, and the ink is further dried.
  • the organic light emitting layer 16B which is a functional layer is formed (FIG. 5C).
  • the ink is applied to the entire surface of the hole transport layer 16A in the opening 15a so that the ink can flow in the Y-axis direction of FIG. 2 in the opening 15a.
  • the uneven application of ink in the opening 15a is reduced, and the occurrence of uneven film thickness and poor formation of the organic light emitting layer 16B in the opening 15a is reduced in the subsequent drying.
  • the electron transport layer 17 is formed so as to cover the partition wall layer 15 and the organic light emitting layer 16B (FIG. 6A).
  • the dry process or the wet process exemplified above can be used according to the material of the electron transport layer 17.
  • the second electrode 18 is formed so as to cover the electron transport layer 17 (FIG. 6B).
  • the second electrode 18 is formed by forming a thin film of a transparent conductive oxide material on the electron transport layer 17 by the dry process exemplified above.
  • the substrate 11 on which the first electrode 12 to the second electrode 18 are formed is sealed. Specifically, for example, by the dry process exemplified above, a thin film of an inorganic material is formed so as to cover the upper surface of the substrate 11 on which the second electrodes 18 are formed, thereby forming the thin film sealing layer 19 (FIG. 6 (c)).
  • the panel 10 having the cross-sectional structure shown in FIG. 2 is completed by the above method.
  • FIGS. 7C and 8 are schematic cross-sectional views showing the partition layer forming step of the panel 10. Note that the pixel-regulating layer 14 without hatching shown in FIGS. 7C and 8 does not exist in the section, but represents the surface of the pixel-regulating layer 14 that exists on the back side of the plane of the section. ing.
  • a photosensitive resist material 15P is applied on the substrate 11 on which the first electrode 12, the hole injection layer 13, and the pixel regulating layer 14 are formed.
  • the coating method for example, the wet process exemplified above such as a slit coating method can be used.
  • pre-baking low-temperature heat drying
  • the photosensitive resist material 15P is, for example, a material having negative photosensitivity.
  • the photosensitive resist material 15P is mask-exposed. Specifically, using an exposure machine or the like, the photomask 51 is disposed above the substrate 11 coated with the photosensitive resist material 15P, and the substrate 11 is irradiated with light L0 from above the photomask 51.
  • a normal ghi mixed line (436 nm, 405 nm, 365 nm) is used.
  • g line (436 nm), h line (405 nm), i line (365 nm), excimer laser, EUV, X-ray or the like is used.
  • the type of the light L0 is set according to the line width of the formation pattern of the partition wall layer 15 and the material of the partition wall layer 15.
  • the exposure amount of the light L0 may be set as appropriate in accordance with the photosensitive resist material 15P. For example, it is possible to 100mJ / cm 2 ⁇ 500mJ / cm 2.
  • the photomask 51 includes a light shielding portion 51a that blocks the light L0 and a light transmitting portion 51b that transmits the light L0. All portions of the photomask 51 corresponding to the first electrode 12 are light shielding portions 51a. ing. Specifically, in the method for manufacturing the panel 10, when the photomask 51 is disposed above the substrate 11, the photomask 51 is such that the light shielding portion 51 a is above the region where the subpixel columns LR, LG, and LB are formed. Is used.
  • the photosensitive resist material 15P only exposes the portion below the light transmitting portion 51b.
  • part of the light L0 that has passed through the translucent part 51b becomes diffracted light L1 and reflected light L2 and spreads outside the translucent part 51b (on the light-shielding part 51a side).
  • a photosensitive region 15Pa immediately below the light transmitting portion 51b and a semi-photosensitive region 15Pb around it are formed.
  • the photosensitive resist material 15P has a shape in which a plurality of portions extending in the Y-axis direction in FIG. 2 covering the end portion of the hole injection layer 13 are arranged at intervals in the X-axis direction.
  • the photosensitive resist material 15P which is partially opened by development processing, is fully exposed.
  • a photomask 52 including only a light transmitting portion is disposed above the substrate 11 and the substrate 11 is irradiated with light L0 from above the photomask 52.
  • Exposure in the entire exposure is appropriately set depending on the photosensitive resist material 15P, for example, be a 50mJ / cm 2 ⁇ 500mJ / cm 2.
  • the photosensitive resist material 15P by performing exposure using a photomask having translucency as a whole, it becomes easier to match the exposure conditions of the above-described mask exposure and overall exposure, stabilizing the photosensitive region 15Pa, Simplification of the manufacturing process can be realized. Specifically, for example, by adjusting the exposure amount of the photosensitive resist material 15P with respect to the irradiation amount of the light L0 in the mask exposure and the overall exposure, delicate adjustment of the exposure amount of the photosensitive resist material 15P in the overall exposure can be performed. It becomes possible, and the state of the photosensitive region 15Pa is stabilized. Further, for example, the same production line (exposure machine) can be used for mask exposure and overall exposure, and the manufacturing process can be rationalized and simplified. However, the use of the photomask 52 is not essential, and the photosensitive resist material may be directly irradiated with the light L0 without the photomask 52.
  • the exposure amount in the overall exposure is such that the degree of cure of the semi-photosensitive region 15Pb is improved and is smaller than the exposure amount in the ultraviolet irradiation described later, and therefore the photosensitive resist material 15P is decomposed in the overall exposure. Little removal occurs.
  • the photosensitive resist material 15P is baked. Specifically, the photosensitive resist material 15P after the entire exposure is heated with a hot plate, a hot air drying furnace, an infrared lamp, or the like.
  • the baking temperature and baking time are appropriately set according to the photosensitive resist material 15P, and can be set to, for example, 150 to 250 ° C. and 30 to 120 minutes.
  • the baking improves the adhesion between the photosensitive resist material 15P and the underlying layer such as the substrate 11, and increases the density of the photosensitive resist material 15P, so that the partition wall layer 15 having improved strength and organic solvent resistance is formed. can do.
  • the photosensitive resist material 15P contains a liquid repellent component
  • the baking causes the liquid repellent component to move to the surface side of the photosensitive resist material 15P, thereby forming the partition wall layer 15 having excellent liquid repellency. be able to.
  • the baking can remove residues such as the photosensitive resist material 15P and the developer that could not be removed in the development process, and can improve the wettability in the opening 15a.
  • the photosensitive resist material 15P becomes a photosensitive region 15Pa in which the entire photosensitive resist material 15P is sufficiently exposed by the overall exposure before baking, the portion near the opening of the photosensitive resist material 15P due to baking flows toward the opening 15a. Is reduced. That is, according to the above method, thermal sagging can be reduced, and the partition layer 15 having the inclined portion 15b having a relatively large inclination angle can be formed.
  • the upper surface side of the baked substrate 11 is irradiated with ultraviolet rays UV.
  • the inclined portion 15b is decomposed and removed, and the aperture ratio of the panel 10 and the wettability in the aperture 15a can be improved.
  • the partition wall layer 15 includes a liquid repellent component
  • the liquid repellent component moved to the surface side of the inclined portion 15b is removed by irradiation with ultraviolet rays UV, and the liquid repellent property of the inclined portion 15b is reduced.
  • the wettability of the peripheral portion of the opening 15a is further improved.
  • the residue can be decomposed and removed by irradiation with ultraviolet rays UV, and the opening 15a is wetted. Can be improved.
  • the thermal sag at the time of forming the partition wall layer 15 is reduced, so that the factors that reduce the wettability in the opening 15a (inclined portion having a small inclination angle, residue in the opening 15a) are caused. Hard to occur. Therefore, the wettability in the opening 15a can be ensured regardless of excessive ultraviolet UV irradiation. Accordingly, the film thickness and the liquid repellency of the partition wall layer 15 are excessively decreased, so that the ink containing the functional material can be prevented from flowing out to the adjacent opening 15 a beyond the partition layer 15.
  • the wettability in the opening 15a can be ensured without irradiating ultraviolet rays UV after firing, and irradiation with ultraviolet rays UV is not essential. That is, in the above manufacturing method, the irradiation amount including the presence / absence of ultraviolet irradiation, such as the physical properties of the partition wall 15 and the ink, the size of the opening 15a, the number of ink applied to the opening 15a, and the like is optimized depending on the manufacturing conditions. be able to.
  • the irradiation amount in the case of irradiation with ultraviolet light UV can be, for example, to 1000mJ / cm 2 ⁇ 10000mJ / cm 2.
  • Example 4 the Example of the panel 10 was actually created with the said manufacturing method, and the effect was confirmed.
  • a plurality of examples were prepared by changing the exposure amount in the overall exposure. Specifically, to create an exposure amount of each 50mJ / cm 2, 100mJ / cm 2, 200mJ / cm 2, Examples 1 to 4 was 500 mJ / cm 2 in total exposure. Moreover, what did not perform said whole exposure as a comparative example was also created. Comparative examples were prepared under the same conditions as the examples, including materials and manufacturing methods, except for the overall exposure.
  • FIG. 9 is a cross-sectional photograph comparing the shape of the partition wall layer before and after firing with respect to the total exposure amount.
  • 9 shows the shape of the photosensitive resist material 15P on the substrate 11 before baking in the examples and comparative examples.
  • 9 shows the shape of the partition layer 15 (Example) or the partition layer 95 (Comparative example) on the substrate 11 after firing in Examples and Comparative Examples.
  • an inclined portion 95b having a small inclination angle is formed in the partition wall layer 95 after firing.
  • an inclined portion 15b having a larger inclination angle than the comparative example is formed in the fired partition wall layer 15. That is, in Examples 1 to 4, the thermal sag is reduced as compared with the comparative example, and it is demonstrated that the thermal sag during the formation of the partition wall layer 15 can be reduced by the method for manufacturing the panel 10 according to one embodiment of the present invention. It was done. As shown in FIG. 9, the exposure amount of the overall exposure and the tilt angle are proportional, and it can be seen that the occurrence of thermal sag is further reduced by increasing the exposure amount.
  • FIGS. 10 and 11 are plan photographs for comparing the wettability of the inks.
  • the planar photograph shows a region (above the first electrode 12 and the hole injection layer 13 sandwiched between the pixel regulation layers 14 (gray portions in the drawing) of the openings 15a and 95a surrounded by the partition layers 15 and 95 ( The state when a drop of ink containing a functional material is dropped at the center of the central black region) is shown.
  • the ink wettability is improved as compared with Comparative Examples 21 to 23 having the inclined portion 95b having a small inclination angle. It can be seen that unevenness in film thickness and poor formation of the organic light emitting layer 16B hardly occur.
  • Comparative Example 23 the ink spreads uniformly over the entire black region of the opening 95a.
  • excessive UV irradiation excessively reduces the liquid repellency of the partition layer 95, and the ink is separated from the partition wall. There is a risk of flowing out to the adjacent opening 95a beyond the layer 95. Therefore, it is preferable that the ultraviolet irradiation time (amount) can be selected from a wide range according to the manufacturing conditions as in Examples 21 to 23.
  • Example 25 and Example 26 the ink spreads uniformly over the entire black region of the opening 15a.
  • Comparative Examples 24 to 26 a white portion appears in the black region of the opening 95a regardless of the presence or absence of ultraviolet irradiation and the time, and the ink does not spread sufficiently in the black region of the opening 95a and is not wet. It has occurred.
  • FIG. 12 is a schematic plan view in which a part of the image display surface of the organic EL display panel 30 is enlarged.
  • the organic EL display panel 30 (hereinafter referred to as “panel 30”) employs a pixel bank method, and includes a partition layer 35 instead of the pixel regulation layer 14 and the partition layer 15.
  • the panel 30 has the same configuration as that of the panel 10 except for the partition layer 35.
  • the same parts as those of the panel 10 are denoted by the same reference numerals as those of the panel 10, and the description thereof is omitted or simplified.
  • the partition layer 35 is made of the same material as that of the partition layer 15, but has a different shape and has openings 35a corresponding to the first electrodes on a one-to-one basis.
  • One of the sub-pixel SPR, the sub-pixel SPG, and the sub-pixel SPB is disposed in the opening 35a. That is, the partition layer 35 has a lattice shape that partitions the hole transport layer 16A and the organic light emitting layer 16B for each organic EL element.
  • Such a partition layer 35 can be formed, for example, by changing the pattern of the photomask during mask exposure in the method of forming the partition layer 15. That is, for example, when using a negative photosensitive resist material, when arranged above the substrate, the light shielding portion is above the formation region of the subpixels SPR, SPG, and SPB, and the light transmitting portion is a lattice that partitions the light shielding portion.
  • Mask exposure may be performed using a photomask that is in the shape of a mask.
  • the inclination angle of the inclined portion of the partition wall layer 35 can be formed relatively large. Thereby, in the panel 30, like the panel 10, the fall of an aperture ratio can be suppressed, and the film thickness unevenness of the hole transport layer 16A and the organic light emitting layer 16B and the occurrence of poor formation can be reduced.
  • the extending direction of the pixel regulating layer 14 is the X-axis direction in FIG. 2, and the extending direction of the partition wall 15 is the Y-axis direction in FIG. It is not limited to this. Specifically, the pixel regulation layer and the partition layer need only have a crossing relationship, and may intersect at an angle other than 90 °. Further, the extending direction of the pixel regulating layer and the partition wall layer is not limited to be parallel to the side of the image display surface of the panel 10 (X-axis direction or Y-axis direction in FIG. 2), either or both of the extending directions are image display. The direction may not be parallel to any of the sides of the surface.
  • the pixel restricting layer 14 of the panel 10 has a shape in which a plurality of portions extending in the X-axis direction are arranged at intervals in the Y-axis direction, but the shape of the pixel restricting layer is not limited thereto.
  • a lattice shape having an opening corresponding to the first electrode 12 on a one-to-one basis may be used.
  • a pixel restricting layer is also disposed near the lower portion of the partition wall layer 15 adjacent to the sub-pixels SPR, SPG, and SPB, and ink wettability in this portion can be improved.
  • the aperture ratio of the panel 10 and the flatness in the aperture 15a are easily improved.
  • the surface treatment for imparting the above-described liquid repellency to the photosensitive resist material may be performed after baking or ultraviolet irradiation.
  • the inclination angle of the inclined portion can be formed relatively large, so that the partition layers 15 and 35 have liquid repellency. Even if it has, the influence which it has on the wettability of the opening 15a can be reduced (refer FIG. 11).
  • the functional layer formed by applying a wet process that is, ink containing a functional material to each of the openings 15a and 35a, and further drying the ink is formed of the hole transport layer 16A and the organic layer.
  • a wet process that is, ink containing a functional material
  • the said functional layer is not restricted to this.
  • At least one functional layer may be formed in the opening of the partition wall layer using a wet process, and the functional layer includes an organic light emitting layer, a hole / electron injection layer, a hole / electron transport layer, a hole / electron transport layer, Any of an electron blocking layer and a buffer layer may be used.
  • the functional layer formed by the wet process may be one or three or more per subpixel.
  • the functional layer formed by a wet process may be only one of the hole transport layer 16A and the organic light emitting layer 16B, and the other may be formed using a dry process.
  • the shape of the functional layer formed by the dry process is arbitrary, and for example, it may be formed independently for each subpixel or each opening of the partition layer, or a plurality of subpixels or a plurality of partition layers may be formed. You may form so that it may be shared by opening.
  • the functional layer formed by a wet process may be only the organic light emitting layer 16B, and the hole transport layer 16A may not be formed.
  • the hole injection layer 13 and the electron transport layer 17 may be formed in the openings 15a and 35a using a wet process.
  • the image display surface is rectangular as an example, but the shape of the image display surface is not limited, and for example, a polygon such as a triangle, a square, a pentagon, a circle, an ellipse, or a combination thereof It may be a shape.
  • the image display area on the image display surface may have a shape that matches the image display surface, or an image with a completely different shape, for example, a rectangular image display surface.
  • the display area may be oval.
  • the arrangement direction of the sub-pixels SPR, SPG, and SPB was parallel to the longitudinal direction and the short direction of the image display surface of the panels 10 and 30, It is not limited to this.
  • the subpixels SPR, SPG, and SPB may be arranged in a staggered manner.
  • the subpixels SPR, SPG, and SPB that emit light in red, green, and blue, respectively, are arranged.
  • the emission color of the subpixels is not limited to this, for example, one red color, red, There may be four colors of green, blue and yellow.
  • the number of subpixels is not limited to one per color, and a plurality of subpixels may be arranged.
  • the arrangement of the sub-pixels in the pixel P is not limited to the order of red, green, and blue as shown in FIGS. 2 and 14, and may be an order in which these are replaced.
  • the sub-pixels are arranged in the X-axis direction.
  • the arrangement of the sub-pixels in the pixel is not limited to this.
  • the sub-pixels may be arranged in the Y-axis direction. It may be arranged at the apex.
  • the first electrode 12 is an anode and the second electrode 18 is a cathode.
  • the present invention is not limited to this, and an inverted structure may be used in which the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode. .
  • the panels 10 and 30 are top emission type and active matrix type organic EL display panels.
  • the present invention is not limited to this, and for example, a bottom emission type or passive matrix type may be adopted.
  • the method for producing an organic EL display panel according to the present invention can be widely used as a method for producing a display panel used in various electronic devices such as a television, a personal computer, a portable terminal, and a commercial display.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　基板を準備し、前記基板上に少なくとも第１電極を複数形成し、フォトリソグラフィ法により、前記第１電極が形成された前記基板上に、感光性レジスト材料からなり、前記第１電極のそれぞれに対応する箇所に開口を有する隔壁層を形成し、前記開口のそれぞれに対して機能性材料を含むインクを塗布し、さらに前記インクを乾燥させることにより、機能層を形成し、前記機能層上に少なくとも第２電極を形成する、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記隔壁層を形成する際に、前記第１電極が形成された前記基板上に、前記感光性レジスト材料を塗布し、前記感光性レジスト材料をマスク露光した後に、現像処理を行うことにより、前記感光性レジスト材料における前記第１電極のそれぞれに対応する箇所を開口し、前記開口された前記感光性レジスト材料を全体露光し、前記全体露光された前記感光性レジスト材料を焼成する、有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

Description

有機ＥＬ表示パネルの製造方法
　本発明は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関し、特に、隔壁層の形成方法に関する。
　近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発光）素子の発光を利用した有機ＥＬ表示パネルの大型化について、研究・開発が進められている。有機ＥＬ表示パネルでは、支持材である基板上に複数の有機ＥＬ素子が配列されており、各有機ＥＬ素子の発光が画素となって画像を表示する。有機ＥＬ素子は、機能性材料を含む機能層、例えば有機発光材料を含む有機発光層などを一対の電極で挟んだ構造をしている。フルカラー対応の有機ＥＬ表示パネルの有機発光層においては、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する有機発光材料を用いる３色塗り分け方式が、発光効率・発光寿命・色再現性などの観点から、主流となっている。なお、機能層は、有機発光層以外にも、正孔・電子注入層、正孔・電子輸送層、正孔・電子阻止層、バッファ層などがあり、含有する機能性材料及び有機ＥＬ素子中の位置によって、その機能が決定される。
　機能層の形成方法は、真空蒸着法などの乾式プロセスと、インクジェット法などの湿式プロセスとに大別される。湿式プロセスは、機能性材料を含むインクの塗布及び乾燥により機能層を形成する方法であり、機能層の形成精度、材料利用率などの点から、３色塗り分け方式を用いた有機ＥＬ表示パネルの大型化に適した技術とされている。
　湿式プロセスでは、所定の塗布位置からインクが流出することを抑制するため、基板上に複数の開口を有する隔壁層を形成した後に、開口のそれぞれに対してインクを塗布する。この隔壁層は、感光性レジスト材料からなり、フォトリソグラフィ法により形成されることが一般的である。具体的には、感光性レジスト材料の基板上への塗布、マスク露光、現像処理、焼成（ベーキング）などの工程を経て、複数の開口を有する隔壁層が形成される（例えば、特許文献１、２、３参照）。
　特に、現像後の感光性レジスト材料を焼成することにより、有機溶媒耐性が向上した隔壁層を形成でき、インクの隔壁層への浸食を抑制できる（例えば、特許文献１参照）。また、隔壁層が撥液性成分を含む場合、焼成により、撥液性成分が表面側へ移動するため、隔壁層表面の撥液性を向上させることができる（例えば、特許文献２参照）。
特開２０１３－１９１４８３号公報 特開２０１４－７５２６０号公報 特開２００８－２８７２５１号公報
　ところが、マスク露光及び現像処理によって開口された感光性レジスト材料を焼成すると、感光性レジスト材料の開口付近の部分が開口側へ流動し（以下、この現象を「熱ダレ」という）、開口の周囲に傾斜角度の小さい傾斜部が形成される。
　傾斜部の傾斜角度が小さいと、傾斜部が開口から露出する面を広く覆うため、有機ＥＬ表示パネルにおける開口率を低下させてしまう。また、このような傾斜部は、インクが濡れ広がる際の障害物となり、機能層の膜厚むらや形成不良の原因となる。よって、有機ＥＬ表示パネルの製造においては、傾斜角度の小さい傾斜部が形成されないよう、熱ダレを低減することが望ましい。
　そこで、本発明の目的は、隔壁層形成の際の熱ダレを低減できる有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することにある。
　本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、基板を準備し、基板上に少なくとも第１電極を複数形成する。また、当該製造方法では、フォトリソグラフィ法により、第１電極が形成された基板上に、感光性レジスト材料からなり、第１電極のそれぞれに対応する箇所に開口を有する隔壁層を形成する。また、当該製造方法では、開口のそれぞれに対して機能性材料を含むインクを塗布し、さらにインクを乾燥させることにより、機能層を形成し、機能層上に少なくとも第２電極を形成する。そして、当該製造方法では、隔壁層を形成する際に、第１電極が形成された基板上に感光性レジスト材料を塗布し、感光性レジスト材料をマスク露光した後に、現像処理を行うことにより、感光性レジスト材料における第１電極のそれぞれに対応する箇所を開口する。さらに、当該製造方法では、開口された感光性レジスト材料を全体露光し、全体露光された感光性レジスト材料を焼成する。
　上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、マスク露光によって半感光領域となった感光性レジスト材料の開口付近の部分が、現像処理後の全体露光によって、十分に感光される。したがって、その後の焼成による感光性レジスト材料の開口付近の部分の開口側への流動が低減する。すなわち、上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法によると、隔壁層形成の際の熱ダレを低減できる。
有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。 （ａ）は図２のＸ－Ｘ線に沿った模式断面図であり、（ｂ）は図２のＹ－Ｙ線に沿った模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造過程を示す模式断面図であって、（ａ）は第１電極及び正孔注入層形成工程を示す図であり、（ｂ）は画素規制層形成工程を示す図であり、（ｃ）は隔壁層形成工程を示す図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造過程を示す模式断面図であって、（ａ）は正孔輸送層形成におけるインク塗布工程を示す図であり、（ｂ）は正孔輸送層形成におけるインク乾燥工程を示す図であり、（ｃ）は有機発光層形成工程を示す図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造過程を示す模式断面図であって、（ａ）は電子輸送層形成工程を示す図であり、（ｂ）は第２電極形成工程を示す図であり、（ｃ）は薄膜封止層形成工程を示す図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の隔壁層形成工程を示す模式断面図であって、（ａ）は感光性レジスト材料塗布工程を示す図であり、（ｂ）はマスク露光工程を示す図であり、（ｃ）は現像工程を示す図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の隔壁層形成工程を示す模式断面図であって、（ａ）は全体露光工程を示す図であり、（ｂ）は焼成工程を示す図であり、（ｃ）は紫外線照射工程を示す図である。 全体露光量に対する焼成前後の隔壁層形状を比較する断面写真である。 インクの濡れ性を比較する平面写真である。 インクの濡れ性を比較する平面写真である。 有機ＥＬ表示パネル３０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。 有機ＥＬ表示パネルにおける隔壁層形成工程を示す模式断面図であって、（ａ）は感光性レジスト材料塗布工程を示す図であり、（ｂ）はマスク露光（ネガ型）工程を示す図であり、（ｃ）は現像工程を示す図である。 有機ＥＬ表示パネルにおける隔壁層形成工程を示す模式断面図であって、り、（ａ）は焼成工程を示す図であり、（ｂ）は紫外線照射工程を示す図であり、（ｃ）はマスク露光（ポジ型）工程を示す図である。 （ａ）は露光量２００ｍＪ／ｃｍ2における焼成後の傾斜部を示す断面写真であり、（ｂ）は露光量３００ｍＪ／ｃｍ2における焼成後の傾斜部を示す断面写真であり、（ｃ）は露光量４００ｍＪ／ｃｍ2における焼成後の傾斜部を示す断面写真である。
　＜本発明の一態様に至った経緯＞
　図１３及び図１４は、有機ＥＬ表示パネルにおける隔壁層形成工程を示す模式断面図である。図１３及び図１４では、第１電極１２、正孔注入層１３及び画素規制層１４が形成された基板１１上に、隔壁層９５をフォトリソグラフィ法で形成する工程を示している。隔壁層９５の形成は、塗布、マスク露光、現像、焼成、紫外線照射の順に行われる。
　具体的には、まず、図１３（ａ）に示すように、第１電極１２、正孔注入層１３及び画素規制層１４が形成された基板１１上に感光性レジスト材料１５Ｐを塗布する。なお、感光性レジスト材料１５Ｐはネガ型の感光性を有し、光の照射によって現像液に対する溶解性が低下するものとする。
　次に、図１３（ｂ）に示すように、フォトマスク５１を基板１１の上方に配置した状態で、フォトマスク５１の上方から基板１１に対して光Ｌ０を照射し、感光性レジスト材料１５Ｐを露光する（マスク露光）。フォトマスク５１は、光Ｌ０を遮断する遮光部５１ａと、光Ｌ０を透過する透光部５１ｂとを有しており、フォトマスク５１の配置により、光Ｌ０は透光部５１ｂを介してのみ感光性レジスト材料１５Ｐに到達する。したがって、感光性レジスト材料１５Ｐは、透光部５１ｂの下方にある部分のみ感光し、当該部分の現像液に対する溶解性が低下する。
　ここで、感光性レジスト材料１５Ｐの感光箇所は、フォトマスク５１の透光部５１ｂの配置パターンと完全には一致しない。透光部５１ｂの端を通過した光Ｌ０の一部は、透光部５１ｂの外側、すなわち遮光部５１ａ側へ広がる回折光Ｌ１となる。また、一部の光Ｌ０は、感光性レジスト材料１５Ｐを透過し、その下方（第１電極１２など）で散乱反射して、透光部５１ｂの外側、すなわち遮光部５１ａ側へ広がる反射光Ｌ２となる。この回折光Ｌ１及び反射光Ｌ２によって、感光性レジスト材料１５Ｐでは、透光部５１ｂの直下の部分だけでなく、その周囲も感光する。
　回折光Ｌ１及び反射光Ｌ２は、透光部５１ｂを直進して通過する光Ｌ０と比較して強度が低いため、透光部５１ｂ直下の感光性レジスト材料１５Ｐと比べ、その周囲の感光性レジスト材料１５Ｐの感光量は小さい。すなわちマスク露光によって感光性レジスト材料１５Ｐには、透光部５１ｂ直下の感光領域１５Ｐａと、感光領域１５Ｐａの周囲にあり感光領域１５Ｐａより感光量の小さい半感光領域１５Ｐｂとが形成される。半感光領域１５Ｐｂでは、感光領域１５Ｐａと同様に、現像液に対する溶解性は低下するが、感光領域１５Ｐａと比べて硬化度は低い。
　次に、図１３（ｃ）に示すように、現像処理を行うと、ネガ型の感光性レジスト材料１５Ｐでは、感光しなかった部分が現像液に溶解して除去され、感光領域１５Ｐａ及び半感光領域１５Ｐｂが基板１１上に残る。これにより、感光性レジスト材料１５Ｐが開口され、開口された部分からは正孔注入層１３及び画素規制層１４が露出する。なお、図１３（ｃ）において、ハッチングを付さない画素規制層１４はその表面を表しており、画素規制層１４が図１３（ｃ）に示す断面ではなく、当該断面の紙面奥側に存在していることを表現している（以下、図１４においても同様である）。
　次に、図１４（ａ）に示すように、感光性レジスト材料１５Ｐを焼成すると、感光領域１５Ｐａと比較して硬化度の低い半感光領域１５Ｐｂが高い流動性を有し、開口側へ大きく流動する（熱ダレ）。これにより、開口の周囲に傾斜角度の小さい傾斜部９５ｂを有する隔壁層９５が形成される。ここで、「傾斜角度」とは、基板の上面に対する角度を指し、基板の上面と平行な場合を０°、基板の上面と垂直な場合を９０°としている。
　傾斜角度が小さい傾斜部９５ｂは、開口から露出する正孔注入層１３の上面を広く覆うため、有機ＥＬ表示パネルにおける開口率を低下させ、画素の高精細化の障害となる。また、このような傾斜部９５ｂは、開口へのインクの塗布において、インクが濡れ広がる際の障害物となり、湿式プロセスで形成した機能層の膜厚むらや形成不良の原因となる。特に、湿式プロセスを用いる場合、一般に隔壁層９５の表面は撥液性を有しており、傾斜部９５ｂがインクの濡れ性に与える影響は大きい。したがって、隔壁層の傾斜部における傾斜角度はできるだけ大きい（９０°に近い）ことが好ましい。
　ここで、一般的なフォトリソグラフィ法においては、図１４（ｂ）に示すように、焼成後の基板１１の上面側に紫外線ＵＶを照射する方法が用いられる。一定の露光量を超えて紫外線ＵＶを照射すると、傾斜部９５ｂが分解除去され、開口から露出する正孔注入層１３の上面を広げることができ、開口内の濡れ性を向上させることができる。
　しかし、傾斜角度が小さく、開口側に広がった傾斜部９５ｂを十分に分解除去するためには、紫外線ＵＶの露光量を大きくする必要がある。この場合、傾斜部９５ｂ以外の隔壁層９５の部分も相当量が分解除去され、当該部分の膜厚や撥液性が大きく減少する。一般的なフォトリソグラフィ法では、隔壁層に相当する部分はエッチング液の浸透防止や、隔壁層上の層の除去（リフトオフ）のためのものであり、傾斜部以外の部分の膜厚や撥液性が減少しても問題は少ない。一方、湿式プロセスを用いた有機ＥＬ表示パネルの製造においては、隔壁層の膜厚や撥液性が低下すると、インク塗布の際に、インクが隔壁層を越えて隣接する開口へ流出する場合がある。インクが隔壁層を越えて流出すると、機能層の膜厚むらや形成不良の原因となり、また３色塗り分け方式を採用する場合、インクの混色による画素の発色不良の原因ともなり、問題となる。よって、このような有機ＥＬ表示パネルの製造においては、紫外線ＵＶの照射によって、傾斜角度の小さい傾斜部９５ｂを十分除去することが難しく、紫外線照射などの後処理によらず、焼成後の傾斜部の傾斜角度を大きくすることが求められる。すなわち、隔壁層形成の際の熱ダレを低減することが望ましい。
　なお、上記の大きな熱ダレの原因となる半感光領域は、ネガ型の感光性レジスト材料を用いた場合に限らず発生する。図１４（ｃ）は、ポジ型の感光性を有する感光性レジスト材料１５Ｐｘを遮光部６１ａと透光部６１ｂとがパターニングされたフォトマスク６１を用いて露光する工程を示す。感光性レジスト材料１５Ｐｘでは、光Ｌ０の照射によって透光部６１ｂの下方にある部分のみ感光し、現像液に対する溶解性が増加する。
　このとき、透光部６１ｂの端を通過した光Ｌ０の一部は、透光部６１ｂの外側、すなわち遮光部６１ａ側へ広がる回折光Ｌ１となる。また、一部の光Ｌ０は、感光性レジスト材料１５Ｐｘを透過し、その下方で散乱反射して、透光部６１ｂの外側、すなわち遮光部６１ａ側へ広がる反射光Ｌ２となる。したがって、ポジ型の感光性レジスト材料１５Ｐｘを用いた場合においても、マスク露光によって、感光性レジスト材料１５Ｐｘには、透光部６１ｂ直下の部分（感光領域）の周囲に、半感光領域が形成される。
　感光性レジスト材料１５Ｐｘの半感光領域では、感光しなかった領域と同様に、現像液に対する溶解性は比較的低いが、感光しなかった領域と比べて硬化度が低下している。よって、ポジ型の感光性レジスト材料１５Ｐｘを用いた場合でも、同様に開口の周囲に傾斜角度の小さい傾斜部が形成される。すなわち、ポジ型の感光性レジスト材料１５Ｐｘを用いる場合においても、隔壁層形成の際の熱ダレを低減することが望ましい。
　ここで、熱ダレを防ぐために、マスク露光時の露光量を増やすことも考えられる。図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ露光量２００ｍＪ／ｃｍ2、露光量３００ｍＪ／ｃｍ2、露光量４００ｍＪ／ｃｍ2における焼成後の傾斜部を示す断面写真である。図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、露光量を増やしても、焼成後の傾斜部９５ｂの傾斜角度はあまり変化しておらず、熱ダレが発生していることが分かる。これは以下の理由による。
　露光量を増やすことにより、例えば図１３（ｂ）において、回折光Ｌ１及び反射光Ｌ２の光量は増加するため、感光領域１５Ｐａ近傍の半感光領域１５Ｐｂの硬化度は向上する。しかし、増加した回折光Ｌ１及び反射光Ｌ２は、さらに感光性レジスト材料１５Ｐの外側（遮光部５１ａ側）に浸透し、硬化度が向上した半感光領域１５Ｐｂの外側に硬化度の低い半感光領域１５Ｐｂを形成する。したがって、露光量を増やすと、熱ダレを低減できないばかりか、半感光領域１５Ｐｂが広がることで傾斜部９５ｂの範囲が広がり、かえって開口率の低下、機能層の膜厚むらや形成不良の増加を引き起こす結果となる。
　そこで、本願の発明者は、隔壁層形成の際の熱ダレを低減すべく、以下に説明する本発明の一態様に至ったのである。
　＜本発明の一態様の概要＞
　本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、基板を準備し、基板上に少なくとも第１電極を複数形成する。また、当該製造方法では、フォトリソグラフィ法により、第１電極が形成された基板上に、感光性レジスト材料からなり、第１電極のそれぞれに対応する箇所に開口を有する隔壁層を形成する。また、当該製造方法では、開口のそれぞれに対して機能性材料を含むインクを塗布し、さらにインクを乾燥させることにより、機能層を形成し、機能層上に少なくとも第２電極を形成する。そして、当該製造方法では、隔壁層を形成する際に第１電極が形成された基板上に、感光性レジスト材料を塗布し、感光性レジスト材料をマスク露光した後に、現像処理を行うことにより、感光性レジスト材料における第１電極のそれぞれに対応する箇所を開口する。さらに、当該製造方法では、開口された感光性レジスト材料を全体露光し、全体露光された感光性レジスト材料を焼成する。
　上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、マスク露光によって半感光領域となった感光性レジスト材料の開口付近の部分が、現像処理後の全体露光によって、十分に感光される。したがって、その後の焼成による感光性レジスト材料の開口付近の部分の開口側への流動が低減する。すなわち、上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法によると、隔壁層形成の際の熱ダレを低減できる。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、感光性レジスト材料が、撥液性成分を含む。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、撥液性成分が、フッ素系化合物又はシロキサン系化合物である。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、隔壁層を形成する際に、感光性レジスト材料に、撥液性を付与する表面処理を行う。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、表面処理が、フッ素系ガス雰囲気下におけるプラズマ処理である。
　上記態様に係る製造方法では、形成した隔壁層の表面が撥液性を有するため、隔壁層を越えてインクが流出することをより低減できる。また、当該製造方法では、隔壁層形成の際の熱ダレが低減されることにより、開口周囲の部分の傾斜角度が大きい隔壁層を形成でき、隔壁層が撥液性を有していても、開口内の濡れ性に与える影響を低減できる。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、隔壁層を形成する際に、焼成の後に、基板の上面側に紫外線を照射する。上記態様に係る製造方法では、紫外線照射により、開口内の濡れ性を向上させることができる。また、当該製造方法では、隔壁層形成の際の熱ダレが低減されることにより、開口周囲の部分の傾斜角度が大きい隔壁層を形成できる。よって、当該製造方法では、過度な紫外線の照射によらず開口内の濡れ性を確保でき、製造条件に応じた紫外線照射量の最適化を図ることができる。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、全体露光の際に、全体が透光性を有するフォトマスクを用いて露光を行う。上記態様に係る製造方法では、マスク露光と全体露光との露光条件が合わせやすくなり、感光性レジスト材料の感光領域の安定化、製造工程の簡略化などを実現できる。
　また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、上記態様において、感光性レジスト材料が、ネガ型の感光性を有する。上記態様に係る製造方法では、現像処理後の感光性レジスト材料が逆テーパー形状となり、隔壁層の開口周囲の部分の傾斜角度をより大きく形成しやすい。
　なお、本願において「上」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、有機ＥＬ表示パネルの積層構造における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。具体的には、有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板の主面に垂直な方向であって、基板から積層物側に向かう側を上方向とする。また、例えば「基板上」と表現した場合は、基板に直接接する領域のみを指すのではなく、積層物を介した基板の上方の領域も含めるものとする。
　＜実施の形態＞
　以下では、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。また、本願において、平面図、平面写真とは、対象物を垂直上方から見た図、写真であり、有機ＥＬ表示パネルにおいては、当該パネルを基板上面の垂直上方から見た図、写真である。
　１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
　図１は、有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ（電子看板、商業施設用大型スクリーン）などに用いられる表示装置である。有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに電気的に接続された駆動制御部２０とを備える。
　有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「パネル１０」という。）は、例えば上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。パネル１０では、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子（不図示）が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、パネル１０は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
　駆動制御部２０は、パネル１０に接続された駆動回路２１と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路２２とを有する。駆動回路２１は、各有機ＥＬ素子に電力を供給する電源回路、各有機ＥＬ素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。制御回路２２は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路２１の動作を制御する。
　なお、図１では、一例として、駆動回路２１がパネル１０の周囲に４つ配置されているが、駆動制御部２０の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路２１の数や位置は適宜変更可能である。
　２．パネル１０の構成
　（１）平面構成
　図２は、パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。パネル１０では、一例として、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢが順に配列され、一組の副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢは、一つの画素Ｐを構成する。それぞれの輝度が階調制御された副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの発光を組み合わせることにより、画素Ｐはフルカラーを表現することが可能である。
　パネル１０では、一例として、ラインバンク方式を採用している。すなわち、パネル１０は、図２のＸ軸方向に延伸する直線状の部分が、Ｙ軸方向に間隔をあけて複数配列された形状の画素規制層１４と、Ｙ軸方向に延伸する直線状の部分が、Ｘ軸方向に間隔をあけて複数配列された形状の隔壁層１５とを備える。そして、隔壁層１５の直線状の部分同士の間の領域である開口１５ａでは、画素規制層１４が存在しない領域ごとに、有機ＥＬ素子が形成されている。
　副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢは、具体的には、上記有機ＥＬ素子が形成された各開口１５ａ内の領域であり、当該領域に形成された有機ＥＬ素子の発光を画像表示面側から取り出すことにより発光する。副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの発光色は、有機ＥＬ素子の発光色そのものでも良いし、有機ＥＬ素子の発光色をカラーフィルタによって補正したものであってもよい。
　なお、開口１５ａのそれぞれには、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢのいずれか一種類のみが配列される。すなわち開口１５ａのそれぞれには、副画素ＳＰＲが並ぶ副画素列ＬＲ、副画素ＳＰＧが並ぶ副画素列ＬＧ、副画素ＳＰＢが並ぶ副画素列ＬＢのいずれかが配置されている。
　（２）断面構成
　図３（ａ）は、図２のＸ－Ｘ線に沿った模式断面図であり、図３（ｂ）は、図２のＹ－Ｙ線に沿った模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）では、一例として、副画素ＳＰＧの断面構成を中心に記載しているが、副画素ＳＰＲ及びＳＰＢについても図３（ａ）、（ｂ）と同様の構成となっている。
　パネル１０は、基板１１、第１電極１２、正孔注入層１３、画素規制層１４、隔壁層１５、正孔輸送層１６Ａ、有機発光層１６Ｂ、電子輸送層１７、第２電極１８及び薄膜封止層１９を備える。また、この内、正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂは湿式プロセスで形成されている。なお、この積層構成は、あくまで一例であって、この他に電子注入層、阻止層、バッファ層などが積層されていてもよい。また、上記の各層の一部が省略されていてもよい。また、電子注入輸送層のように、物理的に一つの層が、複数の機能を有していてもよい。
　ａ．基板１１
　基板１１は、パネル１０の支持部材である。図示は省略するが、基板１１では、長方形平板状の基板本体上に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層が形成されている。
　基板本体は、電気絶縁性を有する材料又は電気絶縁性を有する材料をコーティングしたアルミニウムやステンレスなどの金属材料で形成される。電気絶縁性を有する材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英ガラスなどのガラス材料である。また当該材料は、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などの樹脂材料であってもよい。また当該材料は、例えば、酸化アルミニウムなどの金属酸化物材料であってもよい。
　有機ＥＬ素子は水分や酸素などと反応して劣化する場合があるため、基板本体には水分透過度の低い材料、例えばガラスや金属などを用いて、有機ＥＬ素子下部からの水分や酸素の浸透を抑制することが好ましい。また、基板本体に樹脂材料を用いる場合は、樹脂材料の上面に、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの水分透過度の低い薄膜をコーティングすることが好ましい。
　ＴＦＴ層は、基板本体上に形成された電子回路の層であり、有機ＥＬ素子への電力供給回路や供給電力の制御回路などが配置されている。具体的には、ＴＦＴ層は基板本体上に配置された半導体の層、導電体の層及び電気絶縁体の層からなる積層であり、この積層構成によって、ＴＦＴ素子、コンデンサ素子、配線などの電子回路素子が構成される。また、ＴＦＴ層の最上部には、層間絶縁層（不図示）が形成され、基板１１の上面は平坦化されている。
　半導体の層は、例えば、シリコンなどの一般的な半導体材料、インジウム－亜鉛－ガリウム酸化物などの酸化物半導体材料、多環芳香族化合物などの平面方向に広がったπ電子共役系を有する有機半導体材料などで形成される。導電体の層は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などの金属材料、黒鉛、カーボンナノチューブなどの炭素材料、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの導電性酸化物材料などで形成される。電気絶縁体の層は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機材料、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂などの有機材料などで形成される。層間絶縁層は、電気絶縁性を有するパターニング可能な材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂などの有機材料で形成される。
　なお、ＴＦＴ層には、層間絶縁層とは別にパッシベーション層として、ＴＦＴ層の電子回路素子全体を覆う窒化シリコンや酸化アルミニウムなどを材料とする層が形成されてもよい。
　ｂ．第１電極１２
　第１電極１２は、基板１１上に複数形成された電極であり、有機発光層１６Ｂに正孔を供給する陽極としての役割を有する。また、第１電極１２のそれぞれは、各有機ＥＬ素子の配置を規定しており、各副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢに対応して基板１１上で行列状に配列されている。
　第１電極１２は、例えば、Ａｌ、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）などの金属材料で形成される。また、これらの金属材料を組み合わせた合金材料や、金属材料・合金材料を積層した多層構造で形成されていてもよい。さらに、第１電極１２と正孔注入層１３との接合性の向上や、第１電極１２の酸化を防ぐ目的で、これらの層上にＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電性酸化物材料からなる層を形成してもよい。さらに、第１電極１２の最下層には、ウェットエッチングによる浸食や、下層への水素の拡散などを抑制する目的で、酸化タングステンなどの金属酸化物材料からなるバリアメタル層を形成してもよい。
　なお、正孔を供給する観点からは、第１電極１２には仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。また、トップエミッション型であるパネル１０では、第１電極１２に光反射性を付与することが好ましい。
　ｃ．正孔注入層１３
　正孔注入層１３は、第１電極１２上に形成された層であって、第１電極１２から有機発光層１６Ｂへの正孔の供給（正孔注入）におけるエネルギー障壁を低下させ、正孔注入を容易にする役割を有する。パネル１０では、正孔注入層１３が第１電極１２ごとに独立して形成され、基板１１上に行列状に配列されている。正孔注入層１３は、機能性材料として、適切なイオン化エネルギーを有する材料を用いて形成される。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、バナジウム（Ｖ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物である金属酸化物材料や、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などである。
　ｄ．画素規制層１４
　画素規制層１４は、図３（ｂ）に示すように、第１電極１２及び正孔注入層１３の端部を覆うように形成された電気絶縁性を有する層であって、各開口１５ａ内で隣接する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢ同士の間の電気絶縁性を向上させる役割を有する。また、画素規制層１４は、正孔輸送層１６Ａの上面よりも低く形成され、正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂを開口１５ａ内で区切らずに連続させる役割も有する。なお、パネル１０では、画素規制層１４は、各第１電極１２及び各正孔注入層１３の端部のうち、図２のＹ軸方向上下の端部を覆うようにＸ軸方向に連続して形成されている。このため、画素規制層１４は、Ｘ軸方向に延伸する部分が、Ｙ軸方向に間隔をあけて複数配列された形状となっている。
　画素規制層１４の材料は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機材料、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機材料などで形成される。また、正孔輸送層１６Ａを形成する際、開口１５ａ内に機能性材料を含むインクが濡れ広がりやすいように、画素規制層１４の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。すなわち、画素規制層１４の材料は後述の撥液性成分を含まないことが好ましい。
　ｅ．隔壁層１５
　隔壁層１５は、第１電極１２、正孔注入層１３及び画素規制層１４が形成された基板１１上に形成され、第１電極１２のそれぞれに対応する箇所に開口１５ａを有する層である。より具体的には、パネル１０では、開口１５ａは、各第１電極１２の上方において正孔注入層１３を露出するように形成される。また、開口１５ａは、図２のＹ軸方向に並ぶ正孔注入層１３同士の間にある画素規制層１４も露出させ、Ｙ軸方向に連続するように形成されている。このため、隔壁層１５は、Ｙ軸方向に延伸する部分が、Ｘ軸方向に間隔をあけて複数配列された形状、いわゆるラインバンク形状となっている。
　隔壁層１５は、正孔輸送層１６Ａや有機発光層１６Ｂを形成する際に、機能性材料を含むインクが所定の塗布位置から流出することを抑制し、また、形成後の正孔輸送層１６Ａや有機発光層１６Ｂを区画して電気的に絶縁する役割を有する。
　隔壁層１５は、例えば、電気絶縁性を有し、フォトリソグラフィ法によりパターニングが可能な感光性レジスト材料からなる。感光性レジスト材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などである。なお、隔壁層１５は、感光性レジスト材料以外の材料を含有していてもよい。また、感光性レジスト材料の感光性は、感光によって現像液に対する溶解性が低下するネガ型、感光によって現像液に対する溶解性が増加するポジ型のいずれであってもよいが、ネガ型であることが好ましい。一般的に、上方から露光した場合の感光性レジスト材料の感光領域は、上方が広く、下方が狭い逆テーパー形状となりやすい。したがって、感光領域が残るネガ型では、現像処理後の感光性レジスト材料が逆テーパーに近い形状となり、隔壁層１５の傾斜部の傾斜角度をより大きく形成しやすい。
　なお、隔壁層１５は、後述するパネル１０の製造方法から、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁層１５の表面は撥液性を有することが好ましく、例えば、隔壁層１５に撥液性成分を含む材料を用いるか、隔壁層１５に撥液性を付与する表面処理を行うことが好ましい。撥液性成分としては、例えば、フッ素系化合物、シロキサン系化合物である。この撥液性成分は、例えば独立した材料として、感光性レジスト材料１５Ｐ中に混合されてもよいし、例えば、特許文献３に記載の撥液レジスト組成物などのように、感光性レジスト材料１５Ｐの共重合体中に含有されてもよい。撥液性を付与する表面処理としては、例えばフッ素ガス雰囲気下におけるプラズマ処理などを用いることができる。
　ｆ．正孔輸送層１６Ａ
　正孔輸送層１６Ａは、湿式プロセスによって隔壁層１５の開口１５ａのそれぞれに形成された層であって、第１電極１２から供給された正孔の有機発光層１６Ｂへの輸送性を向上させる役割を有する。なお、ラインバンク方式を採用するパネル１０では、正孔輸送層１６Ａは、各開口１５ａに沿って図２のＹ軸方向に延伸する形状であり、各開口１５ａ内のすべての第１電極１２（正孔注入層１３）及び画素規制層１４を覆うように連続する。すなわち、各副画素列ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに並ぶ副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢは、正孔輸送層１６Ａを共有する。
　正孔輸送層１６Ａは、機能性材料として、正孔の移動度が比較的高い有機材料を用いて形成される。このような材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）などである。
　ｇ．有機発光層１６Ｂ
　有機発光層１６Ｂは、正孔輸送層１６Ａと同様に、湿式プロセスによって隔壁層１５の開口１５ａのそれぞれに形成された層であって、第１電極１２及び第２電極１８から供給された正孔及び電子の再結合による発光（電界発光現象）が行われる層である。また、ラインバンク方式を採用するパネル１０では、有機発光層１６Ｂは、正孔輸送層１６Ａと同様に各開口１５ａに沿って図２のＹ軸方向に延伸する形状であり、各開口１５ａ内の正孔輸送層１６Ａ全面を覆うように連続する。すなわち、各副画素列ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに並ぶ副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢは、有機発光層１６Ｂを共有する。ただし、有機発光層１６Ｂは、第１電極１２の上方にある部分のみが発光し、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢごとに独立して発光する。
　有機発光層１６Ｂは、機能性材料として、電界発光現象によって発光する有機発光材料を用いて形成される。有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物、アザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）などの公知の蛍光物質、燐光物質である。また、例えば、上記の蛍光物質、燐光物質をドーパントとした有機化合物の混合層であってもよい。なお、パネル１０では、副画素列ＬＲ、ＬＧ、ＬＢの有機発光層１６Ｂに、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する有機発光材料を用いる３色塗り分け方式を採用し、フルカラーに対応している。
　ｈ．電子輸送層１７
　電子輸送層１７は、隔壁層１５及び有機発光層１６Ｂが形成された基板１１全体を覆うように形成された層であって、第２電極１８から供給された電子の有機発光層１６Ｂへの輸送性を向上させる役割を有する。
　電子輸送層１７は、機能性材料として、電子の移動度が比較的高い有機材料を用いて形成される。このような材料としては、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トジアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体などである。
　ｉ．第２電極１８
　第２電極１８は、有機発光層１６Ｂ上に形成された電極であって、パネル１０では、電子輸送層１７を覆うように基板１１全体に渡って形成されている。第２電極１８は、有機発光層１６Ｂに電子を供給する陰極としての役割を有する。
　第２電極１８は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電性酸化物材料や、透明導電性酸化物材料からなる層に、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）などの金属材料又はこれらの合金材料の層を積層して形成される。
　なお、電子を供給する観点からは、第２電極１８には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。また、トップエミッション型であるパネル１０では、第２電極１８には、例えば光透過率８０％以上などの高い光透過率を有する材料を用いることが好ましい。
　ｊ．薄膜封止層１９
　薄膜封止層１９は、上記第１電極１２から第２電極１８までの各部材が形成された基板１１全体を覆うように形成された層であり、各部材が水分や酸素などに晒されることを抑制する役割を有する。薄膜封止層１９は、水分透過度の低い材料、例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化炭素、窒化炭素、酸化アルミニウムなどの無機材料で形成される。また、トップエミッション型であるパネル１０では、薄膜封止層１９に、高い光透過性を有し、第２電極１８との屈折率の差が小さい材料を用いることが好ましい。
　ｋ．その他
　パネル１０では、以上の部材が形成された基板１１上に、ガラス材料などの水分透過性の低い材料で形成された封止板を配置してもよい。このとき、基板１１と封止板との間は、例えば硬化性樹脂材料からなる接着層などによって接合される。これにより、基板１１上の各有機ＥＬ素子に対する水分や酸素などの浸透をさらに抑制することができる。
　また、封止板の副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢに対応する位置に、カラーフィルタを配置してもよい。これにより、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの発光色を補正することができる。さらに、封止板の副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢ同士の間に対応する位置及び封止板の周縁領域にブラックマトリクスを配置してもよい。これにより、パネル１０の画像表示面における外光の反射を抑制し、また、画像表示面における画素Ｐとそれ以外の部分とのコントラストを向上させることができる。
　なお、上記の断面構成はあくまで一例であって、例えば、図３（ａ）では電子輸送層１７及び第２電極１８は、複数の開口１５ａに渡って形成されているが、これらの全部又は一部が開口１５ａごと又は副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢごとに形成されていてもよい。また、例えば、図３（ａ）、（ｂ）では正孔注入層１３が、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢごとに形成されていたが、開口１５ａごと又は複数の開口１５ａに渡って形成されていてもよい。
　３．パネル１０の製造方法
　（１）全体工程
　以下に、本発明の一態様であるパネル１０の製造方法について、全体工程を説明する。図４、図５及び図６は、パネル１０の製造過程を示す模式断面図である。なお、図４、図５及び図６に示す断面は図３（ａ）の副画素ＳＰＧの断面に相当するものである。また、図４（ｂ）、（ｃ）に示すハッチングを付さない画素規制層１４は、当該断面に存在するものではなく、当該断面の紙面奥側に存在する画素規制層１４の表面を表現している。
　ａ．基板準備
　最初に、基板１１を準備する。具体的には、電気絶縁性材料を平板状に成形した基板本体を用意し、基板本体上にＴＦＴ層を形成する。ＴＦＴ層の形成は、例えば、以下のようにすることができる。
　まず、基板本体上に所定の形状にパターニングされた半導体材料の層、導電体材料の層又は電気絶縁体材料の層を形成し、これを繰り返して所定の電子回路を形成する。各層の形成には、各層の材料に応じて、例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、気層成長法などの乾式プロセスや、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、ディスペンス法、ダイコート法などの湿式プロセスを用いることができる。各層のパターニングには、例えば、フォトリソグラフィ法、シャドウマスク法、メタルマスク法などを用いてもよいし、湿式プロセスで直接所定の形状に形成してもよい。また、必要に応じて形成した各層にプラズマ注入、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
　次に、当該電子回路を覆うように、パッシベーション層、層間絶縁層を順に形成する。パッシベーション層及び層間絶縁層の形成には、各層の材料に応じて、上記の乾式プロセス、湿式プロセスを用いることができる。なお、電子回路内のＴＦＴ素子と第１電極１２とが電気的に接続できるよう、パッシベーション層及び層間絶縁層には、所定の位置に開口（コンタクトホール）を形成する。コンタクトホールの形成には、上記のパターニング法を用いることができる。
　ｂ．第１電極及び正孔注入層形成
　次に、基板１１上に、第１電極１２及び正孔注入層１３を複数形成する。例えば、まず、スパッタリング法で基板１１上に金属薄膜を形成した後に、続けて反応性スパッタリング法で金属薄膜上に金属酸化物の薄膜を形成する。次に、金属酸化物の薄膜上にフォトレジスト材料を塗布した後に、フォトリソグラフィ法でフォトレジスト材料をパターニングし、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢを形成する行列状の領域にのみフォトレジスト材料を残す。次に、ドライエッチング法、ウェットエッチング法をこの順に続けて用い、フォトレジスト材料が配置されていない箇所において金属酸化物の薄膜、金属薄膜をエッチングする。最後に、金属酸化物の薄膜上のフォトレジスト材料及び残渣を除去すれば、行列状に配列された金属薄膜からなる第１電極１２及び金属酸化物の薄膜からなる正孔注入層１３を形成できる（図４（ａ））。このように第１電極１２及び正孔注入層１３を連続してエッチングすることで、製造プロセスを効率化することができる。また、同一のフォトレジストを用いてパターニングすることにより、第１電極１２と正孔注入層１３との位置合わせの精度が向上する。
　なお、第１電極１２及び正孔注入層１３の形成方法は、上記のスパッタリング法、反応性スパッタリング法及びフォトリソグラフィ法の組み合わせに限られず、材料に応じて、上記に例示した乾式プロセス、湿式プロセス、パターニング法を用いることができる。また、第１電極１２の最下層にバリアメタル層を配置する場合は、金属薄膜の形成前に金属酸化物の薄膜を形成しておき、金属薄膜をウェットエッチングした後に、さらに金属酸化物の薄膜をドライエッチングすればよい。なお、パネル１０の製造方法においては、上記のように第１電極１２及び正孔注入層１３を連続してエッチングする方法に限定されず、第１電極１２を形成した後に、金属酸化物の薄膜を形成・パターニングして正孔注入層１３を形成してもよい。
　ｃ．画素規制層形成
　次に、第１電極１２及び正孔注入層１３が形成された基板１１上に画素規制層１４を形成する。具体的には、例えば、上記に例示した乾式プロセスとパターニング法を組み合わせることにより、正孔注入層１３の端部を覆いながら図２のＸ軸方向に延伸する無機材料の薄膜を、図２のＹ軸方向に間隔をあけて複数形成する。これにより、図２に示す形状を有する画素規制層１４を形成できる（図１４（ｂ））。なお、画素規制層１４に有機材料を用いる場合は、上記に例示した湿式プロセスやフォトリソグラフィ法などを用いて画素規制層１４を形成できる。
　ｄ．隔壁層形成
　次に、フォトリソグラフィ法により、第１電極１２、正孔注入層１３及び画素規制層１４が形成された基板１１上に、感光性レジスト材料からなり、第１電極１２に対応する箇所に開口１５ａを有する隔壁層１５を形成する（図４（ｃ））。隔壁層１５の形成方法の詳細については後述する。
　ｅ．インク塗布
　次に、開口１５ａのそれぞれに対して、機能性材料、ここでは正孔輸送層１６Ａの材料を含むインク１６ａを塗布する（図５（ａ））。インク１６ａの塗布方法には、上記に例示した湿式プロセスを用いることができ、特にインクジェット法が好ましい。なお、インク１６ａは開口１５ａ内で画素規制層１４を超えて連続するように塗布される。これにより、開口１５ａ内で図２のＹ軸方向にインク１６ａが流動可能となり、開口１５ａ内のインク１６ａの塗布むらが低減される。すなわち、この後の乾燥において、開口１５ａ内における正孔輸送層１６Ａの膜厚むらや形成不良の発生が低減する。
　ｆ．乾燥
　次に、塗布されたインク１６ａを乾燥させる。具体的には、例えば、インク１６ａ塗布後の基板１１を真空チャンバーなどの真空環境に置くことによって、インク１６ａの溶媒を蒸発させる。これにより、開口１５ａのそれぞれに機能層である正孔輸送層１６Ａを形成できる（図５（ｂ））。
　ｇ．有機発光層形成
　次に、正孔輸送層１６Ａの形成方法と同様に、開口１５ａのそれぞれに対して、機能性材料、ここでは有機発光材料を含むインクを塗布し、さらに当該インクを乾燥させることにより、機能層である有機発光層１６Ｂを形成する（図５（ｃ））。また、塗布する際、インクは開口１５ａ内の正孔輸送層１６Ａ全面に塗布し、開口１５ａ内で図２のＹ軸方向にインクが流動できるようにする。これにより、開口１５ａ内のインクの塗布むらが低減し、その後の乾燥において、開口１５ａ内における有機発光層１６Ｂの膜厚むらや形成不良の発生が低減する。
　ｈ．電子輸送層形成
　次に、隔壁層１５及び有機発光層１６Ｂを覆うように電子輸送層１７を形成する（図６（ａ））。電子輸送層１７の形成には、電子輸送層１７の材料に応じて、例えば上記に例示した乾式プロセスや湿式プロセスを用いることができる。
　ｉ．第２電極形成
　次に、電子輸送層１７を覆うように第２電極１８を形成する（図６（ｂ））。例えば、上記に例示した乾式プロセスにより、電子輸送層１７上に透明導電性酸化物材料の薄膜を成膜して第２電極１８を形成する。
　ｊ．封止
　次に、第１電極１２から第２電極１８までを形成した基板１１を封止する。具体的には、例えば、上記に例示した乾式プロセスにより、第２電極１８までを形成した基板１１の上面を覆うように無機材料の薄膜を成膜して薄膜封止層１９を形成する（図６（ｃ））。
　以上の方法により、図２に示す断面構造を有するパネル１０が完成する。
　（２）隔壁層１５の形成方法
　以下に、パネル１０の製造方法における、隔壁層１５の形成方法の詳細を説明する。図７及び図８は、パネル１０の隔壁層形成工程を示す模式断面図である。なお、図７（ｃ）及び図８に示すハッチングを付さない画素規制層１４は、当該断面に存在するものではなく、当該断面の紙面奥側に存在する画素規制層１４の表面を表現している。
　ａ．感光性レジスト材料塗布
　まず、図７（ａ）に示すように、第１電極１２、正孔注入層１３及び画素規制層１４が形成された基板１１上に、感光性レジスト材料１５Ｐを塗布する。塗布方法は、例えばスリットコート法などの上記に例示した湿式プロセスを用いることができる。また、塗布後には真空乾燥及び６０℃～１２０℃程度の低温加熱乾燥（プリベーク）などを行って不要な溶媒を除去し、感光性レジスト材料１５Ｐを基板１１に定着させることが好ましい。なお、本説明において、感光性レジスト材料１５Ｐは、一例として、ネガ型の感光性を有するものを用いている。
　ｂ．マスク露光
　次に、図７（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料１５Ｐをマスク露光する。具体的には、露光機などを用いて、感光性レジスト材料１５Ｐを塗布した基板１１の上方にフォトマスク５１を配置し、フォトマスク５１の上方から基板１１に対して光Ｌ０を照射する。
　光Ｌ０には、通常ｇｈｉ混合線（４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ）を用いるが、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマレーザ、ＥＵＶ、Ｘ線などを用いてもよい。これら光Ｌ０の種類は、隔壁層１５の形成パターンの線幅及び隔壁層１５の材料に応じて設定する。また、光Ｌ０の露光量も感光性レジスト材料１５Ｐに応じて適宜設定するが、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ2～５００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。
　フォトマスク５１は、光Ｌ０を遮断する遮光部５１ａと、光Ｌ０を透過する透光部５１ｂとを有しており、フォトマスク５１の第１電極１２に対応する部分はすべて遮光部５１ａとなっている。具体的に、パネル１０の製造方法においては、基板１１の上方にフォトマスク５１を配置した際、副画素列ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを形成する領域の上方が遮光部５１ａとなるようなフォトマスク５１を用いる。
　フォトマスク５１の配置により、光Ｌ０は透光部５１ｂを介してのみ感光性レジスト材料１５Ｐに到達する。したがって、感光性レジスト材料１５Ｐは、透光部５１ｂの下方の部分のみ感光する。ただし、透光部５１ｂを通過した光Ｌ０の一部は、回折光Ｌ１や反射光Ｌ２となって、透光部５１ｂの外側（遮光部５１ａ側）に広がるため、感光性レジスト材料１５Ｐには、透光部５１ｂの直下にある感光領域１５Ｐａと、その周囲にある半感光領域１５Ｐｂとが形成される。
　ｃ．現像処理
　次に、図７（ｃ）に示すように、現像処理を行い、感光性レジスト材料１５Ｐの感光領域１５Ｐａ、半感光領域１５Ｐｂのみを残し、感光性レジスト材料１５Ｐにおける第１電極１２に対応する箇所を開口する。現像処理は、例えば、感光しなかった感光性レジスト材料１５Ｐを溶解させる有機溶媒、アルカリ液などの現像液に基板１１を浸し、その後、純水などのリンス液で基板１１をすすぎ、現像液に溶解した感光性レジスト材料１５Ｐを除去することによって行われる。これにより、感光性レジスト材料１５Ｐは、正孔注入層１３の端部を覆いながら図２のＹ軸方向に延伸する部分が、Ｘ軸方向に間隔をあけて複数並ぶ形状となる。
　ｄ．全体露光
　次に、図８（ａ）に示すように、現像処理によって一部箇所が開口された感光性レジスト材料１５Ｐを全体露光する。例えば、透光部のみからなるフォトマスク５２を基板１１の上方に配置し、フォトマスク５２の上方から基板１１に対して光Ｌ０を照射する。
　これにより、半感光領域１５Ｐｂに十分な強度の光Ｌ０が照射され、基板１１上に残った感光性レジスト材料がすべて感光領域１５Ｐａとなる。全体露光における露光量は、感光性レジスト材料１５Ｐに応じて適宜設定され、例えば、５０ｍＪ／ｃｍ2～５００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。
　なお、上記に例示したように、全体が透光性を有するフォトマスクを用いて露光を行うことで、前述のマスク露光と全体露光との露光条件が合わせやすくなり、感光領域１５Ｐａの安定化、製造工程の簡略化などを実現できる。具体的には、例えば、光Ｌ０の照射量に対する感光性レジスト材料１５Ｐの感光量を、マスク露光と全体露光とで合わせることにより、全体露光における感光性レジスト材料１５Ｐの感光量の繊細な調整が可能となり、感光領域１５Ｐａの状態が安定する。また、例えば、マスク露光と全体露光とで同じ製造ライン（露光機）を流用でき、製造工程を合理化、簡略化できる。ただし、フォトマスク５２を用いることは必須ではなく、フォトマスク５２なしで直接感光性レジスト材料に光Ｌ０を照射してもよい。
　なお、この全体露光における露光量は、半感光領域１５Ｐｂの硬化度を向上させる程度のものであって、後述する紫外線照射における露光量に比べて小さいため、全体露光において感光性レジスト材料１５Ｐの分解除去はほとんど発生しない。
　ｅ．焼成
　次に、図８（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料１５Ｐを焼成する。具体的には、全体露光後の感光性レジスト材料１５Ｐを、ホットプレート、熱風乾燥炉、赤外線ランプなどで加熱する。焼成温度及び焼成時間は感光性レジスト材料１５Ｐに応じて適宜設定され、例えば、１５０～２５０℃、３０～１２０分とすることができる。
　上記焼成により、感光性レジスト材料１５Ｐと基板１１などの下地層との密着性が向上し、また感光性レジスト材料１５Ｐの密度が増加するため、強度及び有機溶媒耐性の向上した隔壁層１５を形成することができる。また、感光性レジスト材料１５Ｐが撥液性成分を含む場合は、上記焼成により、感光性レジスト材料１５Ｐの表面側に撥液性成分が移動し、撥液性に優れた隔壁層１５を形成することができる。さらに、上記焼成により、現像処理において除去できなかった感光性レジスト材料１５Ｐや現像液などの残渣を除去でき、開口１５ａ内の濡れ性を向上させることができる。
　ここで、焼成前の全体露光により、感光性レジスト材料１５Ｐは全体が十分に感光した感光領域１５Ｐａとなっているため、焼成による感光性レジスト材料１５Ｐの開口付近の部分の開口１５ａ側への流動が低減する。すなわち、上記方法によると、熱ダレを低減でき、比較的傾斜角度の大きな傾斜部１５ｂを有する隔壁層１５を形成できる。
　ｆ．紫外線照射
　次に、図８（ｃ）に示すように、焼成後の基板１１の上面側に紫外線ＵＶを照射する。紫外線ＵＶの照射により、傾斜部１５ｂが分解除去され、パネル１０の開口率及び開口１５ａ内の濡れ性を向上させることができる。特に、隔壁層１５が撥液性成分を含む場合は、紫外線ＵＶの照射により、傾斜部１５ｂの表面側に移動した撥液性成分が除去され、傾斜部１５ｂの撥液性が低下するため、開口１５ａの周縁部分の濡れ性がより向上する。また、開口１５ａ内に、現像処理や焼成において除去できなかった感光性レジスト材料１５Ｐや現像液などの残渣がある場合は、紫外線ＵＶの照射によって、当該残渣を分解除去でき、開口１５ａ内の濡れ性を向上させることができる。
　ここで、上記製造方法によると、隔壁層１５形成の際の熱ダレが低減されることにより、開口１５ａ内の濡れ性を低下させる要因（傾斜角度の小さい傾斜部、開口１５ａ内の残渣）が発生しにくい。よって、過度な紫外線ＵＶの照射によらず、開口１５ａ内の濡れ性を確保することができる。したがって、隔壁層１５の膜厚や撥液性が過度に低下することにより、機能性材料を含むインクが隔壁層１５を越えて隣接する開口１５ａへ流出することを低減できる。
　特に、上記製造方法では、焼成後に紫外線ＵＶを照射することなく、開口１５ａ内の濡れ性を確保することができる場合もあり、紫外線ＵＶの照射は必須ではない。すなわち、上記製造方法では、隔壁層１５及びインクの物性、開口１５ａの大きさ、開口１５ａ内へのインク塗布数など、製造条件に応じて紫外線照射の有無を含めた照射量の最適化を図ることができる。なお、紫外線ＵＶを照射する場合の照射量は、例えば、１０００ｍＪ／ｃｍ2～１００００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。また、焼成後に紫外線ＵＶを照射する場合は、照射後に基板１１全体を再度焼成することが好ましい。これにより紫外線ＵＶの照射によって分解された隔壁層１５などの表面を安定化することができる。また、これにより、紫外線ＵＶの照射によって分解された隔壁層１５などの残渣を除去することができる。
　以上の隔壁層１５の形成方法により、隔壁層１５形成の際の熱ダレを低減でき、隔壁層１５の傾斜部１５ｂの傾斜角度を比較的大きく形成できる。これによって、パネル１０では、開口率の低下を抑制することができ、また正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂの膜厚むらや形成不良の発生も低減できる。
　４．実施例
　以下では、上記製造方法によって実際にパネル１０の実施例を作成し、その効果を確認した。なお、実施例は、上記の全体露光における露光量を変化させることによって複数作成した。具体的には、全体露光における露光量をそれぞれ５０ｍＪ／ｃｍ2、１００ｍＪ／ｃｍ2、２００ｍＪ／ｃｍ2、５００ｍＪ／ｃｍ2とした実施例１～４を作成した。また、比較例として、上記の全体露光を行わなかったものも作成した。比較例は全体露光を除いては、材料や製造方法を含め、実施例と同じ条件で作成した。
　図９は、全体露光量に対する焼成前後の隔壁層形状を比較する断面写真である。図９の上段の断面写真は、実施例及び比較例における焼成前の基板１１上の感光性レジスト材料１５Ｐの形状を示している。また、図９の下段の断面写真は、実施例及び比較例における焼成後の基板１１上の隔壁層１５（実施例）又は隔壁層９５（比較例）の形状を示している。
　比較例では、焼成後の隔壁層９５に傾斜角度の小さい傾斜部９５ｂが形成されていることが分かる。一方、実施例１～４では、焼成後の隔壁層１５に比較例よりも傾斜角度の大きい傾斜部１５ｂが形成されていることが分かる。すなわち、実施例１～４では、比較例に比べて熱ダレが低減しており、本発明の一態様に係るパネル１０の製造方法によって、隔壁層１５形成の際の熱ダレを低減できることが実証された。なお、図９に示すように、全体露光の露光量と傾斜角度とは比例しており、露光量を増加させることにより、熱ダレの発生がより低減されることが分かる。
　また、熱ダレの低減による効果を確認するため、上記の実施例２と比較例とを用いて、インクの濡れ性を確認した。図１０及び図１１は、インクの濡れ性を比較する平面写真である。平面写真は、隔壁層１５、９５に囲まれた開口１５ａ、９５ａのうち、画素規制層１４（図の灰色部）に挟まれた第１電極１２及び正孔注入層１３の上方となる領域（中央の黒色領域）の中心に機能性材料を含むインクを一滴滴下した際の状態を示している。なお、図１０及び図１１では、実施例２及び比較例において、焼成後の紫外線の照射時間を変化（０秒、１２０秒、２２０秒）させることによって複数の実施例及び比較例を作成した。また、図１０と図１１とでは、隔壁層１５、９５の材料を変更しており、図１１の隔壁層１５、９５では、図１０の隔壁層１５、９５より撥液性の高い材料を用いた。なお、図１０及び図１１の中央の黒色領域内に見える白色部は、インクが不均一となっている領域である。
　図１０に示すように、実施例２１～２３では、紫外線照射の有無及び時間に関わらず、インクが開口１５ａの黒色領域内全体に均一に広がっている。一方、比較例２１では、開口９５ａの黒色領域内に略長方形枠状の白色部が現れている。これは、比較例２１では、白色部より内側までしかインクが広がっておらず、隔壁層９５付近に未濡れが発生していることを示している。また、比較例２２では、開口９５ａの黒色領域下方において白色部が現れている。これは比較例２２では、開口９５ａの黒色領域下方においてインクが十分に広がっておらず、写真下方の隔壁層９５付近に未濡れが発生していることを示している。
　以上により、傾斜角度の大きい傾斜部１５ｂを有する実施例２１～２３では、傾斜角度の小さい傾斜部９５ｂを有する比較例２１～２３に比べてインクの濡れ性が向上し、正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂの膜厚むらや形成不良が発生しにくいことが分かる。なお、比較例２３では、インクが開口９５ａの黒色領域全体に均一に広がっているが、前述したように、過度の紫外線照射は、隔壁層９５の撥液性を過度に低下させ、インクが隔壁層９５を越えて隣接する開口９５ａに流出する恐れがある。よって、実施例２１～２３のように製造条件に応じて広い範囲から紫外線の照射時間（量）を選択できる方が好ましい。
　また、図１１では、紫外線を照射しなかった実施例２４を除き、実施例２５及び実施例２６では、インクが開口１５ａの黒色領域全体に均一に広がっている。一方、比較例２４～２６では、紫外線照射の有無及び時間に関わらず、開口９５ａの黒色領域内に白色部が現れており、インクが開口９５ａの黒色領域内に十分に広がらずに未濡れが発生している。
　以上により、図１１のように撥液性が向上した隔壁層材料を用いた場合であっても、熱ダレを低減することが濡れ性の向上に効果があることが分かる。なお、実施例２４では未濡れが発生しているが、インクの滴下数を増やすことにより、隔壁層１５付近の未濡れを改善することが可能である。一方、比較例２４～２６のように濡れ性が悪い開口９５ａに対しては、隔壁層９５付近へインクを滴下する必要があり、隣接する開口９５ａへのインクの流出が発生しやすくなってしまう。
　５．備考
　（１）隔壁層１５の平面形状（ピクセルバンク形状）
　パネル１０では、隔壁層１５の平面形状としてラインバンク形状を採用したが、これに限られず、例えば隔壁層の平面形状がピクセルバンク形状であっても、本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルの製造方法は同様の効果を奏する。図１２は、有機ＥＬ表示パネル３０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬ表示パネル３０（以下、「パネル３０」という。）は、ピクセルバンク方式を採用し、画素規制層１４及び隔壁層１５に代え、隔壁層３５を備える。なお、パネル３０では、隔壁層３５を除いてはパネル１０と同じ構成であり、パネル１０と同じ部分については、パネル１０と同一の符号を付し、説明は省略又は簡略する。
　隔壁層３５は、隔壁層１５と同じ材料からなるが、形状が異なり、第１電極のそれぞれに一対一に対応する各開口３５ａを有する。開口３５ａには、副画素ＳＰＲ、副画素ＳＰＧ、副画素ＳＰＢのいずれかが一つ配置されている。すなわち、隔壁層３５は有機ＥＬ素子ごとに正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂを区画する格子状となっている。
　このような隔壁層３５は、例えば、隔壁層１５の形成方法において、マスク露光の際のフォトマスクのパターンを変更することによって形成できる。すなわち、例えばネガ型の感光性レジスト材料を用いる場合は、基板の上方に配置した際、遮光部が副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの形成領域の上方となり、透光部が遮光部を区画する格子状であるフォトマスクを用いてマスク露光すればよい。
　隔壁層３５の形成においても隔壁層１５と同様に、現像処理と焼成との間に全体露光を行うと、熱ダレを低減できる。したがって、隔壁層３５の傾斜部の傾斜角度を比較的大きく形成できる。これにより、パネル３０では、パネル１０と同様に、開口率の低下を抑制でき、正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂの膜厚むら、形成不良の発生も低減できる。
　（２）その他
　パネル１０では、画素規制層１４の延伸方向が図２のＸ軸方向、隔壁層１５の延伸方向が図２のＹ軸方向であったが、画素規制層及び隔壁層の形状はこれに限られない。具体的には、画素規制層と隔壁層とは交差する関係にあればよく、９０°以外の角度で交わってもよい。また、画素規制層及び隔壁層の延伸方向は、パネル１０の画像表示面の辺と平行（図２のＸ軸方向又はＹ軸方向）に限定されず、いずれか又は両方の延伸方向が画像表示面の辺のいずれとも平行でない方向であってもよい。
　パネル１０の画素規制層１４は、Ｘ軸方向に延伸する部分がＹ軸方向に間隔をあけて複数配列された形状であったが、画素規制層の形状はこれに限られない。例えば、隔壁層３５と同じように、第１電極１２と一対一に対応する開口を有する格子状であってもよい。この場合、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢに隣接する隔壁層１５の下部付近にも画素規制層が配置され、この部分におけるインクの濡れ性を向上させることができる。ただし、画素規制層１４のように、一方向に延伸する形状であると、パネル１０の開口率や開口１５ａ内の平坦性を向上させやすい。
　パネル１０、３０では、隔壁層１５、３５を形成する際に、焼成又は紫外線照射の後に、感光性レジスト材料に前述の撥液性を付与する表面処理を行ってもよい。なお、パネル１０、３０では、隔壁層１５、３５の形成の際の熱ダレが低減されることにより、傾斜部の傾斜角度を比較的大きく形成できるため、隔壁層１５、３５が撥液性を有していても、開口１５ａの濡れ性に与える影響を低減できる（図１１参照）。
　パネル１０、３０では、開口１５ａ、３５ａのそれぞれに対して、湿式プロセス、すなわち機能性材料を含むインクを塗布し、さらにインクを乾燥させることにより形成する機能層は、正孔輸送層１６Ａと有機発光層１６Ｂとであったが、当該機能層はこれに限られない。少なくとも一つの機能層が、湿式プロセスを用いて隔壁層の開口内に形成されればよく、当該機能層は、有機発光層、正孔・電子注入層、正孔・電子輸送層、正孔・電子阻止層、バッファ層などのいずれであってもよい。また、湿式プロセスにより形成する機能層は、副画素あたり一つでも三つ以上であってもよい。例えば、湿式プロセスにより形成する機能層を正孔輸送層１６Ａ及び有機発光層１６Ｂの一方のみとし、他方は乾式プロセスを用いて形成してもよい。この際、乾式プロセスで形成する機能層の形状は任意であって、例えば、副画素ごと又は隔壁層の開口ごとに独立して形成されてもよいし、複数の副画素又は複数の隔壁層の開口に共有されるように形成されてもよい。また、例えば、湿式プロセスにより形成する機能層を有機発光層１６Ｂのみとし、正孔輸送層１６Ａは形成しない構成であってもよい。さらに、例えば、正孔注入層１３や電子輸送層１７が湿式プロセスを用いて開口１５ａ、３５ａ内に形成される構成であってもよい。
　パネル１０、３０では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、例えば、三角形、正方形、五角形などの多角形、円形、楕円形、またはこれらを組み合わせた形状であってもよい。なお、画像表示面における画像表示領域（副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの形成範囲）は、画像表示面に合わせた形状としてもよいし、まったく異なる形状、例えば長方形状の画像表示面に対して画像表示領域が楕円形などであってもよい。
　パネル１０、３０では、図１及び図２に示すように、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの配列方向が、パネル１０、３０の画像表示面の長手方向及び短手方向と平行であったが、これに限られない。例えば、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢが千鳥状に配列されていてもよい。
　また、パネル１０、３０では、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば赤１色や、赤色、緑色、青色及び黄色の４色であってもよい。また、一つの画素Ｐにおいて、副画素は１色あたり１個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Ｐにおける副画素の配列は、図２、図１４に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。また、画素Ｐでは、副画素がＸ軸方向に並んでいたが、画素における副画素の配置はこれに限られず、例えば副画素がＹ軸方向に並んでもよいし、３つの副画素が三角形の頂点に位置する配置であってもよい。
　また、パネル１０、３０では、第１電極１２を陽極、第２電極１８を陰極としたが、これに限られず、第１電極を陰極、第２電極を陽極とする逆構造であってもよい。
　また、パネル１０、３０では、隔壁層１５、３５には、有機ＥＬ素子が配置される開口１５ａ、３５ａのみが形成されていたが、第２電極１８が有する抵抗成分による電圧降下の影響を低減するためのバスバー（補助電極）が配置される開口が形成されていてもよい。
　また、パネル１０、３０では、トップエミッション型かつアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示パネルとしたが、これに限られず、例えばボトムエミッション型又はパッシブマトリクス方式を採用してもよい。
　なお、上記変更の際は、パネル１０、３０の構成・製造方法も適宜変更される。
　本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイなど様々な電子機器に用いられる表示パネルの製造方法として広く利用することができる。
　１０、３０　有機ＥＬ表示パネル
　１１　基板
　１２　第１電極
　１５、３５、９５　隔壁層
　１５ａ、３５ａ、９５ａ　開口
　１５Ｐ、１５Ｐｘ　感光性レジスト材料
　１６Ａ　正孔輸送層（機能層）
　１６Ｂ　有機発光層（機能層）
　１６ａ　インク
　１８　第２電極
　５１、５２、６１　フォトマスク
　ＵＶ　紫外線

Claims (8)

  1. 　基板を準備し、
    　前記基板上に少なくとも第１電極を複数形成し、
    　フォトリソグラフィ法により、前記第１電極が形成された前記基板上に、感光性レジスト材料からなり、前記第１電極のそれぞれに対応する箇所に開口を有する隔壁層を形成し、
    　前記開口のそれぞれに対して機能性材料を含むインクを塗布し、さらに前記インクを乾燥させることにより、機能層を形成し、
    　前記機能層上に少なくとも第２電極を形成する、
    　有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    　前記隔壁層を形成する際に、
    　　前記第１電極が形成された前記基板上に、前記感光性レジスト材料を塗布し、
    　　前記感光性レジスト材料をマスク露光した後に、現像処理を行うことにより、前記感光性レジスト材料における前記第１電極のそれぞれに対応する箇所を開口し、
    　　前記開口された前記感光性レジスト材料を全体露光し、
    　　前記全体露光された前記感光性レジスト材料を焼成する、
    　有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  2. 　前記感光性レジスト材料が、撥液性成分を含む、
    　請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  3. 　前記撥液性成分が、フッ素系化合物又はシロキサン系化合物である、
    　請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  4. 　前記隔壁層を形成する際に、
    　　前記感光性レジスト材料に、撥液性を付与する表面処理を行う、
    　請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  5. 　前記表面処理が、フッ素系ガス雰囲気下におけるプラズマ処理である、
    　請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  6. 　前記隔壁層を形成する際に、
    　　前記焼成の後に、前記基板の上面側に紫外線を照射する、
    　請求項１から請求項５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  7. 　前記全体露光の際に、全体が透光性を有するフォトマスクを用いて露光を行う、
    　請求項１から請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  8. 　前記感光性レジスト材料が、ネガ型の感光性を有する、
    　請求項１から請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
PCT/JP2015/003184 2014-06-25 2015-06-24 有機ｅｌ表示パネルの製造方法 WO2015198603A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016529084A JPWO2015198603A1 (ja) 2014-06-25 2015-06-24 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US15/320,305 US10109691B2 (en) 2014-06-25 2015-06-24 Method for manufacturing organic EL display panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014130432 2014-06-25
JP2014-130432 2014-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015198603A1 true WO2015198603A1 (ja) 2015-12-30

Family

ID=54937710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/003184 WO2015198603A1 (ja) 2014-06-25 2015-06-24 有機ｅｌ表示パネルの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10109691B2 (ja)
JP (1) JPWO2015198603A1 (ja)
WO (1) WO2015198603A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018129471A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルおよび発光装置
CN110429100A (zh) * 2018-07-20 2019-11-08 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示面板及其制备方法和应用
CN110853522A (zh) * 2019-11-29 2020-02-28 武汉天马微电子有限公司 显示屏装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206651B (zh) * 2015-10-12 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示面板及其制作方法
WO2017159476A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 東レ株式会社 硬化膜およびポジ型感光性樹脂組成物
CN109065762A (zh) * 2018-08-01 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled装置的制作方法及oled装置
JP2020136299A (ja) * 2019-02-13 2020-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ エレクトロルミネセンス表示装置及びエレクトロルミネセンス表示装置の製造方法
KR20210086162A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002022933A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Canon Inc 光学素子とその製造方法、液晶素子
JP2002207114A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Canon Inc 光学素子とその製造方法、該光学素子を用いた液晶素子
JP2011165396A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp アクティブ駆動型有機電界発光素子の隔壁用感光性組成物およびアクティブ駆動型有機電界発光表示装置
WO2012147626A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 旭硝子株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、隔壁およびブラックマトリックスとその製造方法、カラーフィルタならびに有機ｅｌ素子
JP2013186450A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP2013191483A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、有機ｅｌ素子の製造方法
JP2014075260A (ja) * 2012-10-04 2014-04-24 Seiko Epson Corp 隔壁の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JP4590663B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
EP1547719A3 (en) * 2003-12-26 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing crystalline semiconductor film
JP5326335B2 (ja) 2007-04-18 2013-10-30 ダイキン工業株式会社 撥液レジスト組成物
JP2009135053A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法
WO2009147838A1 (ja) 2008-06-06 2009-12-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
GB0921707D0 (en) * 2009-12-11 2010-01-27 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices
WO2012017491A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002022933A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Canon Inc 光学素子とその製造方法、液晶素子
JP2002207114A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Canon Inc 光学素子とその製造方法、該光学素子を用いた液晶素子
JP2011165396A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp アクティブ駆動型有機電界発光素子の隔壁用感光性組成物およびアクティブ駆動型有機電界発光表示装置
WO2012147626A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 旭硝子株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、隔壁およびブラックマトリックスとその製造方法、カラーフィルタならびに有機ｅｌ素子
JP2013186450A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP2013191483A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、有機ｅｌ素子の製造方法
JP2014075260A (ja) * 2012-10-04 2014-04-24 Seiko Epson Corp 隔壁の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018129471A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルおよび発光装置
CN110429100A (zh) * 2018-07-20 2019-11-08 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示面板及其制备方法和应用
CN110853522A (zh) * 2019-11-29 2020-02-28 武汉天马微电子有限公司 显示屏装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10109691B2 (en) 2018-10-23
US20170162638A1 (en) 2017-06-08
JPWO2015198603A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015198603A1 (ja) 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US9818808B2 (en) Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing the same
US9991323B2 (en) Blue organic EL element, organic EL display panel, and manufacturing method of blue organic EL element
US8624275B2 (en) Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness and organic display device
JP5574112B2 (ja) 表示装置とその製造方法
JP5677435B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法
US8604494B2 (en) Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness, and organic display device
US8907358B2 (en) Organic light-emitting panel, manufacturing method thereof, and organic display device
US8604492B2 (en) Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness and organic display device
TWI575791B (zh) 有機發光顯示裝置
US8604493B2 (en) Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness and organic display device
US8901546B2 (en) Organic light-emitting panel, manufacturing method thereof, and organic display device
JP6387580B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US20150155516A1 (en) Organic light-emitting element and production method therefor
JP6082917B2 (ja) 発光素子およびトランジスタ
US10879327B2 (en) Organic EL display panel and method of manufacturing the same, organic EL display device and electronic apparatus
JP2019125501A (ja) 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
JP2020042116A (ja) 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法
JP2014013703A (ja) 表示素子、及び表示素子の製造方法
JP2020030933A (ja) 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP5939564B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP7412999B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15812514

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016529084

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15320305

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15812514

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1