JP5939564B2 - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
有機el素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5939564B2 JP5939564B2 JP2012023034A JP2012023034A JP5939564B2 JP 5939564 B2 JP5939564 B2 JP 5939564B2 JP 2012023034 A JP2012023034 A JP 2012023034A JP 2012023034 A JP2012023034 A JP 2012023034A JP 5939564 B2 JP5939564 B2 JP 5939564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- cathode
- aluminum
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 184
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 75
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 34
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 32
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 30
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims description 6
- ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N lithium;quinoline Chemical compound [Li].N1=CC=CC2=CC=CC=C21 ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 4
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 333
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 60
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- -1 rare earth metal ions Chemical class 0.000 description 31
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
有機EL素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極と陰極からなる電極対の間に、キャリアである電子と正孔の再結合による電界発光現象を行う有機発光層等を積層して構成される。このような有機EL素子において、陰極と有機発光層の間に、陰極から有機発光層への電子注入を促進させる機能を有する電子注入層を備えたものがある(例えば、特許文献1,2)。
本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法は、基板上に陽極を形成する工程と、前記陽極の上方に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層の上方に、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物の少なくとも一方からなる第1材料、当該第1材料を構成するアルカリ金属またはアルカリ土類金属に対して還元性を有する金属からなる第2材料、および電子輸送性を有する第3材料を含む電子注入輸送層を形成する工程と、前記電子注入輸送層内の前記還元性を有する金属の少なくとも一部を変質させることにより、前記第2材料に光透過性を付与する工程と、前記光透過性を付与する工程中または当該工程後、前記電子注入輸送層の上に光透過性を有する陰極を形成する工程と、を含む。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記有機発光層の上方に、前記第1材料と前記第3材料を含む層、前記第2材料を含む層を順次形成することにより、前記電子注入輸送層を形成する。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記光透過性を付与する工程は、前記第2材料を含む層内の前記還元性を有する金属全体を変質させることにより行われる。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記有機発光層の上方に、前記第1材料、前記第2材料および前記第3材料を共蒸着させることにより、前記電子注入輸送層を形成する。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記有機発光層の上方に、前記第3材料を含む層、前記第1材料と前記第2材料を含む層を順次形成することにより、前記電子注入輸送層を形成する。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記還元性を有する金属は、アルミニウムである。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記光透過性を付与する工程において、前記還元性を有する金属を酸化または窒化することにより、前記第2材料に光透過性が付与される。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法の特定の局面では、前記光透過性を付与する工程において、前記還元性を有する金属を酸化することにより、前記第2材料に光透過性が付与される。
本発明の一態様に係る有機EL素子は、基板上に形成された陽極と、前記陽極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成され、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物の少なくとも一方からなる第1材料、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属からなる第2材料、および電子輸送性を有する第3材料を含む電子注入輸送層と、前記電子注入輸送層の上に形成された光透過性を有する陰極と、を含む。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記電子注入輸送層は、前記第1材料と前記第3材料を含む層、前記第2材料を含む層が順次、前記有機発光層上に形成されてなる。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記電子注入輸送層は、前記第1材料と前記第3材料を含む層、前記第2材料の化合物であって光透過性を有するものからなる層が順次、前記有機発光層上に形成されてなる。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記電子注入輸送層は、前記第1材料と前記第3材料を含む層、前記第2材料のみからなる層、前記第2材料の化合物であって光透過性を有するものからなる層が順次、前記有機発光層上に形成されてなる。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記第1材料と前記第3材料を含む層における、前記第2材料のみからなる層の近傍では、前記第1材料からアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離している。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記陰極は、酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛からなる。
また、本発明の一態様に係る有機EL素子の特定の局面では、前記第2材料の化合物であって光透過性を有するものは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムおよび酸化チタンのいずれかである。
≪実施の態様1≫
[有機ELパネルの構成]
図1は、有機ELパネル10の構成を示す部分断面図である。有機ELパネル10は、例えば、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型の有機ELパネルである。有機ELパネル10は、赤(R),緑(G),青(B)の何れかの発光色に対応する有機発光層16を有する有機EL素子をサブピクセル100とし、サブピクセル100がマトリクス状に配設されている。
<基板11、陽極12、ITO層13>
基板11は有機ELパネル10の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
<正孔注入層14>
正孔注入層14は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記のうち、酸化金属からなる正孔注入層14は、正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して、有機発光層16に対し正孔を注入および輸送する機能を有する。
正孔注入層14の表面には、有機発光層16の形成領域となる開口部15aを区画するためのバンク15が設けられている。バンク15は一定の台形断面を持つように形成されており、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。
<有機発光層16>
図1に戻り、バンク15の開口部15aにより区画された正孔注入層14の表面には、R,G,Bのいずれかの発光色に対応する有機発光層16が形成されている。有機発光層16は、キャリアの再結合による発光を行う部位であり、R,G,Bのいずれかの色に対応する有機材料を含むように構成されている。
前記有機発光層の上方に形成された電子注入輸送層17は、陰極18から注入された電子を有機発光層16へ注入および輸送する機能を有する。電子注入輸送層17は、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物の少なくとも一方からなる第1材料、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属からなる第2材料、および電子輸送性を有する第3材料を含んでなる。
第2材料はアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属からなると述べたが、具体的には、前記第1材料を構成するアルカリ金属またはアルカリ土類金属に対して還元性を有する金属からなる。本実施の態様の第2材料は、単体のアルミニウムである。
さらに、電子注入輸送層17において、第2材料は、当該第2材料の化合物として存在している。この第2材料の化合物は光透過性を有するものであり、本実施の態様においては酸化アルミニウムである。このような構成とすることで、有機発光層16からの出射光は電子注入輸送層17を透過することができる。また、後述するように、電子注入輸送層17上に形成される陰極18も光透過性を有するため、陰極18が有機発光層16からの出射光を遮ることもない。この結果、トップエミッション型の有機ELパネル10を構成することが可能である。
<陰極18>
トップエミッション型有機ELパネルを実現するため、本実施の態様において電子注入輸送層17の上に形成された陰極18は、例えば、ITO、IZO等の光透過性を有する導電性酸化物材料で形成されている。
陰極18の上に形成された封止層19は、有機ELパネル10内に浸入した水分又は酸素から有機発光層16および陰極18を保護するために設けられている。有機ELパネル10はトップエミッション型であるため、封止層19の材料としては、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の光透過性材料が採用されている。
特に図示していないが、封止層19の上方には、基板11と対向する封止基板が設けられる。さらに、封止層19と封止基板とでできる空間に、有機ELパネル10内に水分又は酸素が浸入するのを防ぐ目的で絶縁性材料からなる絶縁層を充填することとしてもよい。有機ELパネル10はトップエミッション型であるため、絶縁層に用いる材料としては、SiN、SiON等の光透過性材料で形成される必要がある。
まず、基板11をスパッタ成膜装置のチャンバー内に載置する。そしてチャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタ法、真空蒸着法等に基づき陽極12を成膜する(図3(a))。
引き続き、上記のチャンバー内で、スパッタ法に基づき陽極12上にITO層13を形成する(図3(b))。次に、ITO層13の各表面を含む基板11の表面に対し、正孔注入層14を形成する(図3(b))。正孔注入層14はスパッタリング法などを用いて製膜した金属膜の後酸化や、リアクティブスパッタリング法などによる金属酸化物の製膜によって形成する。
まず、図4(c)に示すように、有機発光層16の上方に第1材料と第3材料を含む層20を形成する。以下、第1材料と第3材料を含む層20を、第1混合層20と記載する。第1混合層20は、例えば、共蒸着法、共スパッタ法等に基づき成膜することができる。第1混合層20の成膜対象である有機発光層16への損傷を低減したい場合には、共蒸着法で行うことがより望ましい。また、第1混合層20の膜厚は、光透過性の観点から0.1[nm]以上100[nm]以下とすることが望ましい。
なお、電子注入輸送層17’を形成する工程において、第1混合層20で一旦アルカリ金属またはアルカリ土類金属の解離が起これば、解離した金属は電子注入輸送層17中で安定に存在することができると考えられる。したがって、電子注入輸送層17’を形成する工程より後にさらなる解離が起こらなくとも新たな準位が形成された状態が維持され、有機ELパネル10の使用中は高い電子注入性が維持されると考えられる。電子注入輸送層17’を形成する工程より後には、第2材料はアルミニウムと単体として存在している必要はないため、本実施の態様においては、単体のアルミニウムからなる第2材料を全て酸化させることとしている。
図6は、実施の形態1に係る有機ELパネル10の構成を示す部分断面図であり、図1における(X)の領域を拡大図に相当する。
図6に示すように、図3〜5で説明した製造工程を経た結果完成する有機ELパネル10における電子注入輸送層17は、第1混合層20と酸化アルミニウム層21からなる2層構造となっている。また、第1混合層20における酸化アルミニウム層21(第2材料の化合物であって光透過性を有するものからなる層)の近傍では、第1材料からアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離している。さらに、酸化アルミニウム層21は、アルミニウム層22が変質してできた層であるため、酸化アルミニウム層21の膜厚はアルミニウム層22の膜厚と等しく、上述したように0.1[nm]以上10[nm]以下である。
図7は、第1混合層、アルミニウム層およびITO層からなる積層体の透過スペクトルを示す図である。
以上説明したように、本実施の態様によれば、電子注入輸送層を形成する工程にて、第1材料に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離されることで、陰極の準位と有機発光層の準位との間に新たな準位が形成される。これにより、電子注入障壁を小さくすることができる結果、電子注入効率を向上させることが可能となる。
実施の態様1においては、図5(b)に示したように、アルミニウム層22の全体を酸化アルミニウムに変質させる例を示したが、アルミニウム層22の一部のみを酸化アルミニウムに変質させることとしてもよい。本変形例では、アルミニウム層22の一部のみを酸化アルミニウムに変質させる例について、実施の態様1と相違する点を中心に説明する。
まず図9(a)では、有機発光層16の上方に第1混合層20、アルミニウム層22を順次形成することにより、電子注入輸送層17’を形成する。ここまでは実施の形態1と同じである。次に、図9(b)に示すように、導電性酸化物を成膜することにより、陰極18を形成する。このとき、本変形例では、アルミニウム層22の一部のみ、特に、アルミニウム層22における陰極18側の領域のみを酸化させることにより、電子注入輸送層17Aが形成される。つまり、光透過性を付与する工程は、第2材料を含む層内の還元性を有する金属の一部を変質させることにより行われる。なお、アルミニウム層22に対する酸化の進行は、チャンバー内に導入する酸素量等によって調整することが可能である。
図10は、実施の形態1の変形例に係る有機ELパネルの構成を示す部分断面図である。
図10に示すように、図9で説明した製造工程を経た結果完成する有機ELパネルにおける電子注入輸送層17Aは、第1混合層20、アルミニウム層22および酸化アルミニウム層21からなる3層構造となっている。また、第1混合層20におけるアルミニウム層22(第2材料のみからなる層)の近傍では、第1材料からアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離している。また、上述したように、アルミニウム層22の膜厚と酸化アルミニウム層21の膜厚は、それぞれ、0.1[nm]以上10[nm]以下である。
≪実施の態様2≫
実施の態様1およびその変形例においては、第1混合層20、アルミニウム層22を順次積層することにより電子注入輸送層17’を形成した上で、電子注入輸送層17を2層または3層構造とする例について説明した。本実施の態様においては、電子注入輸送層を1層とする例について、実施の態様1およびその変形例と相違する点を中心に説明する。
まず、図11(a)に示すように、有機発光層16の上方に第1材料、第2材料および第3材料を共蒸着させることにより電子注入輸送層27を形成する。共蒸着により、電子注入輸送層27中にて第1混合層20中の第1材料とアルミニウム層22とが作用することで、第1材料に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離される。電子注入輸送層27の膜厚は、0.1[nm]以上100[nm]以下が望ましい。
次に、図11(b)に示すように、電子注入輸送層27上に陰極18を形成する。陰極18を形成する工程により、電子注入輸送層27に含まれるアルミニウムは酸化されて酸化アルミニウムとなる。このとき、電子注入輸送層27における陰極18を側の領域に含まれるアルミニウムのみが酸化されるようにしてもよいが、光透過性の観点より、電子注入輸送層27に含まれるアルミニウム全体を酸化アルミニウムに変質させることが望ましい。
図12は、実施の形態2に係る有機ELパネルの構成を示す部分断面図である。
図12に示すように、図11で説明した製造工程を経た結果完成する有機ELパネルにおける電子注入輸送層27は、第1材料、第2材料および第3材料を含んでおり、その構造は1層構造となっている。また、本実施の態様においては、電子注入輸送層27の全体に亘って第1材料からアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離している。
≪実施の態様3≫
本実施の態様においては、実施の態様1と同じく電子注入輸送層を2層とする他の例について、実施の態様1と相違する点を中心に説明する。
まず、13(a)に示すように、有機発光層16の上方に第3材料を含む層23を形成する。第3材料を含む層23は蒸着法、スパッタ法等に基づき成膜することができる。また、第3材料を含む層23の膜厚は0.1[nm]以上100[nm]以下とすることが望ましい。
そして、図13(c)に示すように、電子注入輸送層37上に導電性酸化物からなる陰極18を形成する。このとき、第2混合層24における陰極18側の領域に存在する単体のアルミニウムは、酸化されて酸化アルミニウムとなり、光透過性が付与される。また、第2混合層24に含まれるアルミニウムの酸化は、他の実施の態様と同様に、一部だけでなく全体が酸化されることが望ましい。
図14は、実施の形態3に係る有機ELパネルの構成を示す部分断面図である。
図14に示すように、図13で説明した製造工程を経た結果完成する有機ELパネルにおける電子注入輸送層37は、第3材料を含む層23、第1材料と第2材料を含む第2混合層24が順次、有機発光層16上に形成されてなる2層構造となっている。また、本実施の態様においては、第2混合層24全体に亘って、第1材料からアルカリ金属またはアルカリ土類金属が解離している。
[変形例・その他]
以上、実施の態様について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
(2)上記の実施の態様においては、陰極を形成する工程を利用して、第2材料に光透過性を付与する工程を行うこととした。換言すると、光透過性を付与する工程中に陰極を形成する工程がなされることとしたが、本発明はこれに限定されない。電子注入輸送層を形成する工程後であって陰極を形成する工程の前に、別途光透過性を付与する工程、すなわち酸化処理を行うこととしてもよい。酸化処理としては、例えば、UVオゾン酸化、熱酸化、酸素プラズマ酸化等の公知の酸化処理を用いることができる。
さらに、第2材料(アルミニウム)の化合物であって光透過性を有するものが酸化アルミニウムであるとして説明したが、本発明はこれに限定されない。このような化合物としては、酸化アルミニウム以外には例えば、窒化アルミニウム等がある。窒化アルミニウムとする場合、光透過性を付与する工程を、電子注入輸送層を形成する工程後であって陰極を形成する工程の前に行う。また、この場合の光透過性を付与する工程は、具体的には、窒化処理である。
(5)本発明において、ITO層、正孔注入層、正孔輸送層、バンクおよび封止層は必須の構成要件ではない。これらの構成を有しない有機EL素子に対しても、本発明を適用することが可能である。逆に、他の構成要素、例えば、正孔阻止層等をさらに含むこととしてもよい。
(7)陽極を銀(Ag)系材料で形成する場合には、上記の実施の態様のようにITO層をその上に形成することが望ましい。陽極をアルミニウム系材料で形成する場合には、ITO層を無くして陽極を単層構造にすることも可能である。
また、真空成膜法を用いて成膜すると説明した層を、例えばインクジェット法等の塗布法によって形成することとしてもよいし、逆に、インクジェット法を用いて成膜すると説明した層を、例えば真空成膜法によって形成することとしてもよい。
(10)上記の実施の態様においては、有機ELパネルをR,G,Bを発光色とするフルカラー表示のパネルであるとしたが、本発明はこれに限定されない。有機ELパネルを、R、G、B、白色およびその他単色の有機EL素子が複数配列されてなる表示パネルとしてもよい。さらに、いずれか1色のみの有機EL素子を有する単色表示の有機ELパネルとしてもよい。
(14)上記の実施の態様で使用している、材料、数値等は好ましい例を例示しているだけであり、この態様に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。なお、数値範囲を示す際に用いる符号「〜」は、その両端の数値を含む。
11 基板
12 陽極
13 ITO層
14 正孔注入輸送層
15 バンク
15a開口部
16 有機発光層
16a インク
17 混合層
18 陰極
19 封止層
20 第1混合層
21 酸化アルミニウム層
22 アルミニウム層
23 第3材料を含む層
24 第2混合層
100 サブピクセル
90 有機EL素子
91 陽極
92 正孔輸送層
93 有機発光層
94 電子注入層
95 陰極
Claims (9)
- 基板上に陽極を形成する工程と、
前記陽極の上方に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層の上方に、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物の少なくとも一方からなる第1材料、当該第1材料を構成するアルカリ金属またはアルカリ土類金属に対して還元性を有する金属からなる第2材料、および電子輸送性を有する第3材料を共蒸着させることにより、前記第1材料、前記第2材料および前記第3材料を含む電子注入輸送層を形成する工程と、
前記電子注入輸送層内の前記還元性を有する金属の少なくとも一部を変質させることにより、前記第2材料に光透過性を付与する工程と、
前記光透過性を付与する工程中または当該工程後、前記電子注入輸送層の上に光透過性を有する陰極を形成する工程と、を含む、
有機EL素子の製造方法。 - 前記陰極は導電性酸化物からなり、
前記光透過性を付与する工程中に前記陰極を形成する工程がなされ、
前記陰極を前記電子注入輸送層上に形成することにより、前記還元性を有する金属の少なくとも一部が酸化し、前記第2材料に光透過性が付与される、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記共蒸着により形成される電子注入輸送層の膜厚は、0.1nm以上100nm以下である、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記導電性酸化物は、酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛である、
請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記還元性を有する金属は、アルミニウムである、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記光透過性を付与する工程において、前記還元性を有する金属を酸化または窒化することにより、前記第2材料に光透過性が付与される、
請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記還元性を有する金属は、チタンである、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記光透過性を付与する工程において、前記還元性を有する金属を酸化することにより、前記第2材料に光透過性が付与される、
請求項7に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第1材料は、リチウムキノリン、フッ化リチウム、フッ化ナトリウムのいずれかである、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012023034A JP5939564B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012023034A JP5939564B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013161673A JP2013161673A (ja) | 2013-08-19 |
JP5939564B2 true JP5939564B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=49173759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012023034A Active JP5939564B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5939564B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6336042B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2018-06-06 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
CN113748530A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-03 | 应用材料公司 | 具有活性有机膜的改良的顶部发光装置和处理基板的方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3932605B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2007-06-20 | 旭硝子株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CA2412379A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-22 | Luxell Technolgies Inc. | Transparent-cathode for top-emission organic light-emitting diodes |
JP2004311403A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
US6875320B2 (en) * | 2003-05-05 | 2005-04-05 | Eastman Kodak Company | Highly transparent top electrode for OLED device |
JP2009176730A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置 |
JP2009259628A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2010056211A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 有機el装置およびその製造方法 |
JP5333121B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び発光表示装置 |
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012023034A patent/JP5939564B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013161673A (ja) | 2013-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6233888B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
JP2016213052A (ja) | 青色有機el素子、有機el表示パネル及び青色有機el素子の製造方法 | |
JP6519910B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
JP6232655B2 (ja) | 有機el表示パネルおよびその製造方法 | |
JP6510223B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
JP6336042B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
WO2012017488A1 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
US11758749B2 (en) | Organic EL element having one functional layer with NaF and the other functional layer with Yb | |
JP2018139262A (ja) | 有機el表示素子、有機el表示パネル、および、有機el表示素子の製造方法 | |
JP2016091841A (ja) | 有機発光デバイスと有機表示装置 | |
JP2018129265A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US11031570B2 (en) | Organic EL element, method of manufacturing organic EL element, organic EL panel, organic EL display device and electronic apparatus | |
JP2019125501A (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
JP6159981B2 (ja) | 発光素子、表示装置及び発光素子の製造方法 | |
JP6561281B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
JP5939564B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP5861961B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2016110904A (ja) | 有機発光素子の製造方法および有機発光素子 | |
JP2020030933A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US10581019B2 (en) | Organic EL element having reduced electric power consumption by optimizing film thicknesses thereof and method of manufacturing same | |
JP2019133835A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US11495777B2 (en) | Self-luminous element, self-luminous panel, and self-luminous panel manufacturing method | |
JP7031898B2 (ja) | 発光素子、自発光パネル、および、発光素子の製造方法 | |
US20220045133A1 (en) | Display panel and display device | |
JP2013025976A (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141225 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5939564 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |