JP2010056211A - 有機el装置およびその製造方法 - Google Patents
有機el装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010056211A JP2010056211A JP2008218045A JP2008218045A JP2010056211A JP 2010056211 A JP2010056211 A JP 2010056211A JP 2008218045 A JP2008218045 A JP 2008218045A JP 2008218045 A JP2008218045 A JP 2008218045A JP 2010056211 A JP2010056211 A JP 2010056211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic
- electrode
- electron injection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 138
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 48
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】有機EL装置の導電性ならびに光学特性の劣化を抑制する。
【解決手段】有機EL装置D1は、基板10上に形成された画素電極14と、画素電極14の上に配置された対向電極18と、画素電極14と対向電極18との間に配置された発光機能層16と、を備えた発光素子U1を有し、対向電極18は、電子注入材料と当該電子注入材料を還元するための還元材料とが混合された混合層30と、混合層30上に形成されて透過性を有する導電層40とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】有機EL装置D1は、基板10上に形成された画素電極14と、画素電極14の上に配置された対向電極18と、画素電極14と対向電極18との間に配置された発光機能層16と、を備えた発光素子U1を有し、対向電極18は、電子注入材料と当該電子注入材料を還元するための還元材料とが混合された混合層30と、混合層30上に形成されて透過性を有する導電層40とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機EL装置およびその製造方法に関する。
有機EL(electroluminescent)素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード(organic light emitting diode、以下「OLED」という)素子などの発光素子は、有機EL材料などで形成される発光層が2つの電極に挟まれた構造であることが一般的である。例えば特許文献1には、基板上に形成されて反射性を有する電極と、電極上に形成された発光層と、発光層上に形成された還元層と、還元層上に形成された透明導電膜とから構成される発光素子が開示されている。
特許文献1における還元層は、発光層に対する電子注入性を向上させるためのものであり、発光層上に形成された金属化合物層と、金属化合物層上に形成された還元性金属層とからなる。特許文献1においては、金属化合物層はフッ化リチウムからなり、還元性金属層はアルミニウムからなる。フッ化リチウムはアルミニウムによって還元されてリチウム単体となり(3LiF+Al→3Li+AlF3)、そのリチウム単体は発光層上にドープされる。これにより、発光層に対する電子注入性が向上する。
特開2004−311403号公報
ところで、特許文献1における発光素子は、トップエミッション型の発光装置に利用されるものであるが、発光層で発した光を観察側へ効率良く取り出すためには、アルミニウムなどの単体金属で形成される還元性金属層の膜厚を極力薄くすることが望ましい。しかしながら、還元性金属層の膜厚が所定値以下の場合は、金属原子同士が凝集して島状になってしまい、膜が不連続になってしまう。これにより、発光装置の導電性や光学特性が劣化するという問題が起こる。
このような事情を背景として、本発明は、発光装置の導電性ならびに光学特性の劣化を抑制するという課題の解決を目的としている。
以上の課題を解決するために、本発明に係る有機EL装置は、基板の上に形成された第1電極(基板上に第1電極が直接形成される構成だけでなく、基板上に光反射層が形成され、当該光反射層上に第1電極が形成される構成も含まれる)と、第1電極の上に配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に配置された発光機能層と、を備えた発光素子を有し、第2電極は、電子注入材料と当該電子注入材料を還元するための還元材料とが混合された混合層と、前記混合層上に形成されて透過性を有する導電層とを含むことを特徴とする。
本発明においては、電子注入材料と当該電子注入材料を還元するための還元材料とが混合されてひとつの層が形成されるから、還元材料を構成する金属原子間に電子注入材料の分子が介在することによって、これらの金属原子同士が凝集して島状になることを抑制できる。これにより、発光機能層上に形成される混合層を平坦な連続性のある膜とすることができるから、有機EL装置の導電性ならびに光学特性の劣化を抑制できるという利点がある。
本発明に係る有機EL装置として、電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかを含む金属化合物(例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかのハロゲン化物、酸化物などを含む)からなる態様とすることが好ましい。アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属には、Li、Ca、Sr、Ba、Nd、Sm、Yb、Mgが含まれる。
より具体的には、フッ化リチウムで電子注入材料を形成し、アルミニウムで還元材料を形成することができる。
より具体的には、フッ化リチウムで電子注入材料を形成し、アルミニウムで還元材料を形成することができる。
本発明に係る有機EL装置として、混合層の膜厚は5nm以下とすることが好ましい。この態様によれば、発光機能層で発した光を観察側へ効率良く取り出すことができる。
本発明に係る有機EL装置として、第1電極は光反射性を有する金属で形成されているか、または、基板と透光性を有する第1電極との間に光反射層が配置されている態様とすることもできる。
本発明に係る有機EL装置の製造方法は、基板上に第1電極を形成する工程(基板上に第1電極を直接形成する態様だけでなく、基板上に形成された光反射層などの薄膜上に第1電極を形成する態様も含まれる)と、第1電極上に発光機能層を形成する工程と、発光機能層上に混合層を形成する工程と、混合層上に導電層を形成する工程と、を備え、発光機能層上に混合層を形成する工程では、電子注入材料および還元材料を発光機能層上に共蒸着させて混合層を形成することを特徴とする。この方法によれば、電子注入材料および還元材料を発光機能層上に共蒸着させることで混合層が形成されるから、還元材料を構成する金属原子間に電子注入材料の分子が介在することによって、これらの金属原子同士が凝集して島状になることを抑制できる。
また、本発明に係る有機EL装置の製造方法として、発光機能層上に混合層を形成する工程において、電子注入材料および還元材料の蒸着速度比(電子注入材料の蒸着速度/還元材料の蒸着速度)は0.1〜10の範囲であることが好ましい。
さらに、本発明に係る有機EL装置の製造方法として、第1電極を形成する前に、基板上に光反射層を形成する工程を有する態様とすることもできる。
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
<A:有機EL装置の構造>
図1は、本発明に係る有機EL装置D1の概要を示す模式的な断面図である。有機EL装置D1は、複数の発光素子U1が基板10の面上に配列された構成であるが、図1においては、説明の便宜上、ひとつの発光素子U1のみが例示されている。本実施形態の有機EL装置D1は、トップエミッション型であり、発光素子U1にて発生した光は基板10とは反対側に向かって進行する。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を基板10として採用することができる。
<A:有機EL装置の構造>
図1は、本発明に係る有機EL装置D1の概要を示す模式的な断面図である。有機EL装置D1は、複数の発光素子U1が基板10の面上に配列された構成であるが、図1においては、説明の便宜上、ひとつの発光素子U1のみが例示されている。本実施形態の有機EL装置D1は、トップエミッション型であり、発光素子U1にて発生した光は基板10とは反対側に向かって進行する。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を基板10として採用することができる。
基板10には、発光素子Uに給電して発光させるための配線が配置されているが、配線の図示は省略する。また、基板10には、発光素子Uに給電するための回路が配置されているが、回路の図示は省略する。
発光素子U1は、基板10の上に形成された画素電極14(第1電極)と、画素電極14の上に配置された対向電極18(第2電極)と、画素電極14と対向電極18との間に配置された発光機能層16とを備える。以下、詳細に説明する。図1に示すように、基板10上には光反射層12が形成される。光反射層12は、光反射性を有する材料によって形成される。この種の材料としては、例えばAl(アルミニウム)やAg(銀)などの単体金属、またはAlやAgを主成分とする合金などが好適に採用される。本実施形態では、光反射層12はAlNdで形成される。
図1に示すように、光反射層12上には画素電極14が形成される。画素電極14は陽極であり、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide、出光興産株式会社の登録商標)、またはZnO2のような透明酸化物導電材料から形成される。本実施形態では、画素電極14はITOで形成される。なお、本実施形態では、基板10上に光反射層12が形成され、当該光反射層12上に画素電極14が形成されているが、これに限らず、例えば光反射層12を設けずに基板10上に画素電極14を直接形成する構成とすることもできる。この場合、画素電極14は光反射性を有する金属で形成される。
図1に示すように、発光機能層16は、画素電極14上に形成された正孔注入層22と、正孔注入層22上に形成された正孔輸送層24と、正孔輸送層24上に形成された発光層26と、発光層26上に形成された電子輸送層28とからなる。
本実施形態では、正孔注入層22はCuPc(銅フトロシアニン)で形成され、正孔輸送層24はα−NPDで形成される。なお、正孔注入層22および正孔輸送層24を、正孔注入層22と正孔輸送層24の機能を兼ねる単一の層で形成することもできる。
発光層26は、正孔と電子が結合して発光する有機EL物質から形成されている。本実施形態では、有機EL物質は低分子材料であって、白色光を発する。
本実施形態では、電子輸送層28はAlq3(トリス8−キノリノラトアルミニウム錯体)で形成される。
図1に示すように、発光機能層16上には、対向電極18が形成される。対向電極18は陰極であり、発光機能層16における電子輸送層28上に形成される混合層30と、混合層30上に形成される導電層40とを含む。
混合層30は、電子注入材料とその電子注入材料を還元するための還元材料とが混合されて形成される。電子注入材料は、発光機能層16への電子注入効率を向上させるための材料である。発光機能層16への電子注入効率を向上させるためには、陰極と発光機能層16との間の電位障壁が小さいことが望ましいから、電子注入材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属などの仕事関数が3.5eV以下の金属のハロゲン化物(特に弗化物)や酸化物などの金属化合物が好適に採用される。本実施形態においては、電子注入材料としてLiF(フッ化リチウム)が採用され、還元材料としてAlが採用される。
後述するように、本実施形態においては、LiFおよびAlを発光機能層16上に共蒸着させて混合層30を形成する。本実施形態では、LiFおよびAlの蒸着速度比(電子注入材料の蒸着速度/還元材料の蒸着速度)は1である(つまり、LiFの蒸着速度:Alの蒸着速度=1:1)。
また、発光機能層16で発した光を観察側へ効率良く取り出すためには、混合層30の膜厚を極力薄くすることが望ましい。具体的には、混合層30の膜厚は5nm以下とすることが好適である。本実施形態では、混合層30の膜厚は2nmに設定される。
図1に示す導電層40は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質(すなわち半透過反射性)を持った半透過反射層として機能し、例えばAgなどの単体金属、またはAgを主成分とする合金から形成される。本実施形態では、導電層40はAgで形成され、その膜厚は10nmである。
本実施形態の発光素子U1においては、光反射層12と導電層40との間で発光機能層16が発する光を共振させる共振器構造が形成される。これにより、特定の波長の光を効率良く取り出すことができる。
図2は、本実施形態とは異なり、対向電極18が、電子注入層32と、還元層34と、導電層40とからなる構成(以下、「対比例」という)の概要を示す模式的な断面図である。
図2において、電子注入層32はLiFからなり、発光機能層16における電子輸送層28上に形成される。電子注入層32の膜厚は1nmである。また、還元層34はAlからなり、電子注入層32上に形成される。還元層34の膜厚は1nmである。さらに、還元層34上には導電層40が形成される。その他の構成は本実施形態の構成と同じである。
図2において、電子注入層32はLiFからなり、発光機能層16における電子輸送層28上に形成される。電子注入層32の膜厚は1nmである。また、還元層34はAlからなり、電子注入層32上に形成される。還元層34の膜厚は1nmである。さらに、還元層34上には導電層40が形成される。その他の構成は本実施形態の構成と同じである。
図3は、図2の対比例において電子注入層32を形成するLiF分子および還元層34を形成するAl原子を模式的に表した概念図である。ここで、還元層34を形成するAl原子間には互いに結合しようとする力(凝集しようとする力)が働くから、その膜厚が20nm以下の場合はAl原子同士が凝集して島状になってしまい、膜を形成することができない。対比例においては還元層34の膜厚は1nmであるから、図3に示すように、Al原子同士が凝集して島状になってしまい、膜が不連続になってしまう。これにより、発光素子の導電性が低下してしまうという問題が起こる。
また、Al原子同士が凝集して島状になると発光機能層16上には凹凸部が発生するから、発光機能層16で発した光は当該凹凸部にて様々な方向に散乱してしまい、観察側へ透過する光の量が減少してしまうという問題も起こる。
図4は、本実施形態における混合層30を形成するLiF分子およびAl原子を模式的に表した概念図である。本実施形態の混合層30は、LiF分子とAl原子とが混合されて形成されるから、図4に示すように、Al原子間にLiF分子が介在することによって、Al原子同士の凝集が抑制される。これにより、発光機能層16上に形成される混合層30を平坦な連続性のある膜とすることができるから、発光素子の導電性を対比例に比べて良好な状態にすることができるとともに、観察側へ透過する光の量が減少することを対比例に比べて抑制できるという利点がある。
図5は、本実施形態における発光素子U1および対比例における発光素子U2の各々について、発光機能層16で発した白色光のうち緑色の光を効率良く取り出すことができるように画素電極14の膜厚や発光機能層16の各層の膜厚を調整したうえで、対向電極18を流れる電流の密度を17.5mA/cm2に設定したときにおける各種データの測定結果を示す図である。図5において、Rsは対向電極18のシート抵抗を表し、この値が小さいほど発光素子の直列抵抗成分が小さくなると言える。また、図5に示す輝度は発光素子から観察側に放出される光の強度を表し、図5に示す電圧は画素電極14と対向電極18との間に印加される電圧を表す。さらに、図5に示す電流効率は、発光素子における電流1A当たりの発光強度を表す。
図5に示すように、本実施形態における発光素子U1のシート抵抗Rsの値は対比例における発光素子U2のシート抵抗Rsの値に比べて小さく、本実施形態における発光素子U1の輝度の値は対比例における発光素子U2の輝度の値に比べて大きい。つまり、本実施形態によれば、発光素子の導電性を対比例に比べて良好な状態にすることができるとともに、観察側へ透過する光の量が減少することを対比例に比べて抑制できることが分かる。
<B:有機EL装置の製造方法>
次に、図6〜図8を参照しながら、本実施形態の有機EL装置D1を製造する方法について説明する。
次に、図6〜図8を参照しながら、本実施形態の有機EL装置D1を製造する方法について説明する。
先ず、基板10の表面上に光反射層12を形成する(図6の工程A1)。続いて、光反射層12上に画素電極14を形成する(図6の工程A2)。なお、図示は省略するが、画素電極14が光反射性の金属で形成されて基板10上に直接形成される構成が採用された場合は、先ず、基板10の表面上に画素電極14が形成される。
次に、画素電極14上に発光機能層16を形成する(図7の工程A3〜工程A6)。より具体的には以下のとおりである。先ず、画素電極14上に正孔注入層22を形成する(図7の工程A3)。続いて、正孔注入層22上に正孔輸送層24を形成する(図7の工程A4)。次に、正孔輸送層24上に発光層26を形成する(図7の工程A5)。さらに、発光層26上に電子輸送層28を形成する(図7の工程A6)。なお、上述の光反射層12から電子輸送層28までの各層は、蒸着やスパッタリングなど公知の様々な成膜技術によって形成される。
次いで、発光機能層16上に対向電極18が形成される(図8の工程A7〜A8)。より具体的には以下のとおりである。先ず、発光機能層16における電子輸送層28上に混合層30を形成する(図8の工程A7)。続いて、混合層30上に導電層40を形成する(図8の工程A8)。
工程A7では、電子注入材料であるLiFおよび還元材料であるAlを発光機能層16における電子輸送層28上に共蒸着させて混合層30を形成する。本実施形態では、LiFおよびAlの蒸着速度比(電子注入材料の蒸着速度/還元材料の蒸着速度)は1である。以上が有機EL装置D1の製造方法である。
<C:変形例>
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
(1)変形例1
上述の実施形態では、電子注入材料としてLiFが採用されているが、これに限らず、電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかを含む金属化合物で形成することができる。例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属には、Li、Ca、Sr、Ba、Nd、Sm、Yb、Mgなどが含まれる。また、上述の実施形態では、還元材料としてAlが採用されているが、これに限らず、還元材料は、電子注入材料を還元できる材料であればよい。
上述の実施形態では、電子注入材料としてLiFが採用されているが、これに限らず、電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかを含む金属化合物で形成することができる。例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属には、Li、Ca、Sr、Ba、Nd、Sm、Yb、Mgなどが含まれる。また、上述の実施形態では、還元材料としてAlが採用されているが、これに限らず、還元材料は、電子注入材料を還元できる材料であればよい。
(2)変形例2
上述の実施形態では、混合層30を形成する工程A7において、LiFおよびAlの蒸着速度比は1であるが、これに限らず、LiFおよびAlの蒸着速度比は、Al原子間にLiF分子を介在させることによって、Al原子同士の凝集を抑制できる範囲において任意に設定可能である。例えば、LiFおよびAlの蒸着速度比を0.1〜10の範囲内で任意に設定することもできる。
上述の実施形態では、混合層30を形成する工程A7において、LiFおよびAlの蒸着速度比は1であるが、これに限らず、LiFおよびAlの蒸着速度比は、Al原子間にLiF分子を介在させることによって、Al原子同士の凝集を抑制できる範囲において任意に設定可能である。例えば、LiFおよびAlの蒸着速度比を0.1〜10の範囲内で任意に設定することもできる。
(3)変形例3
上述の実施形態では、発光機能層16における発光層26の有機EL物質は低分子材料であるが、高分子材料の有機EL物質で発光層を形成することもできる。この場合、発光層26は、インクジェットまたはスピンコートによって形成される。
上述の実施形態では、発光機能層16における発光層26の有機EL物質は低分子材料であるが、高分子材料の有機EL物質で発光層を形成することもできる。この場合、発光層26は、インクジェットまたはスピンコートによって形成される。
(4)変形例4
上述の実施形態では、発光機能層16における発光層26は、白色光を発する有機EL物質から形成されているが、これに限らず、発光層26は、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の何れかの色の波長領域の光を発生する有機EL物質から形成することもできる。
上述の実施形態では、発光機能層16における発光層26は、白色光を発する有機EL物質から形成されているが、これに限らず、発光層26は、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の何れかの色の波長領域の光を発生する有機EL物質から形成することもできる。
(5)変形例5
上述の実施形態では、光反射層12と導電層40との間で共振器構造が形成されているが、光反射層12と導電層40との間で共振器構造を形成しない態様とすることもできる。
上述の実施形態では、光反射層12と導電層40との間で共振器構造が形成されているが、光反射層12と導電層40との間で共振器構造を形成しない態様とすることもできる。
(6)変形例6
上述の実施形態では、導電層40が半透過反射層として機能しているが、これに限らず、例えば導電層40をITOなどの透明酸化物導電材料で形成し、その上に半透過反射層を別個に形成する態様とすることもできる。
上述の実施形態では、導電層40が半透過反射層として機能しているが、これに限らず、例えば導電層40をITOなどの透明酸化物導電材料で形成し、その上に半透過反射層を別個に形成する態様とすることもできる。
(7)変形例7
上述の実施形態では、トップエミッション型の有機EL装置が例示されているが、これに限らず、ボトムエミッション型の有機EL装置とすることもできる。
上述の実施形態では、トップエミッション型の有機EL装置が例示されているが、これに限らず、ボトムエミッション型の有機EL装置とすることもできる。
10……基板、12……光反射層、14……画素電極(第1電極)、16……発光機能層、18……対向電極(第2電極)、26……発光層、30……混合層、40……導電層、D1,D2……有機EL装置、U1,U2……発光素子。
Claims (12)
- 基板の上に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光機能層と、
を備えた発光素子を有し、
前記第2電極は、電子注入材料と当該電子注入材料を還元するための還元材料とが混合された混合層と、前記混合層上に形成されて透過性を有する導電層とを含む、
有機EL装置。 - 前記電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかを含む金属化合物からなる、
請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属には、Li、Ca、Sr、Ba、Nd、Sm、Yb、Mgが含まれる、
請求項2に記載の有機EL装置。 - 前記電子注入材料はフッ化リチウムであり、
前記還元材料はアルミニウムである、
請求項1から請求項3の何れかに記載の有機EL装置。 - 前記混合層の膜厚は5nm以下である、
請求項1から請求項4の何れかに記載の有機EL装置。 - 前記第1電極は光反射性を有する金属で形成されているか、または、前記基板と透光性を有する前記第1電極との間に光反射層が配置されていることを特徴とする請求項1乃至5に記載の有機EL装置。
- 請求項1に記載の有機EL装置を製造する方法であって、
前記基板上に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に前記発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層上に前記混合層を形成する工程と、
前記混合層上に前記導電層を形成する工程と、を備え、
前記発光機能層上に前記混合層を形成する工程では、前記電子注入材料および前記還元材料を前記発光機能層上に共蒸着させて前記混合層を形成する、
有機EL装置の製造方法。 - 前記発光機能層上に前記混合層を形成する工程において、前記電子注入材料および前記還元材料の蒸着速度比(電子注入材料の蒸着速度/還元材料の蒸着速度)は0.1〜10の範囲である、
請求項7に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の何れかを含む金属化合物からなる、
請求項7または請求項8に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属には、Li、Ca、Sr、Ba、Nd、Sm、Yb、Mgが含まれる、
請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記電子注入材料はフッ化リチウムであり、
前記還元材料はアルミニウムである、
請求項7から請求項10の何れかに記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記第1電極を形成する前に、前記基板上に光反射層を形成する工程を有することを特徴とする請求項7から請求項11の何れかに記載の有機EL装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008218045A JP2010056211A (ja) | 2008-08-27 | 2008-08-27 | 有機el装置およびその製造方法 |
US12/501,028 US8093587B2 (en) | 2008-08-27 | 2009-07-10 | Organic el device and process of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008218045A JP2010056211A (ja) | 2008-08-27 | 2008-08-27 | 有機el装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056211A true JP2010056211A (ja) | 2010-03-11 |
Family
ID=41723981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008218045A Withdrawn JP2010056211A (ja) | 2008-08-27 | 2008-08-27 | 有機el装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8093587B2 (ja) |
JP (1) | JP2010056211A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004116A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2013161673A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Panasonic Corp | 有機el素子の製造方法、および有機el素子 |
JP2013182851A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、有機el装置および電子機器 |
WO2015115116A1 (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
JP2017098233A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 光電素子 |
US9972804B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-05-15 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US10840468B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-11-17 | Joled Inc. | Organic EL element and method for manufacturing organic EL element |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101846410B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243567A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2002532848A (ja) * | 1998-12-16 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイス |
JP2003086365A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2004311403A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP2007026852A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395409B2 (en) * | 1997-09-29 | 2002-05-28 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
GB9901334D0 (en) * | 1998-12-08 | 1999-03-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
JP4567962B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-10-27 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル |
-
2008
- 2008-08-27 JP JP2008218045A patent/JP2010056211A/ja not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-07-10 US US12/501,028 patent/US8093587B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002532848A (ja) * | 1998-12-16 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイス |
JP2000243567A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2003086365A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2004311403A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP2007026852A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004116A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2013161673A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Panasonic Corp | 有機el素子の製造方法、および有機el素子 |
JP2013182851A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、有機el装置および電子機器 |
US10840468B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-11-17 | Joled Inc. | Organic EL element and method for manufacturing organic EL element |
WO2015115116A1 (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
US9818957B2 (en) | 2014-02-03 | 2017-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting element |
JP2017098233A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 光電素子 |
JP7004496B2 (ja) | 2015-11-20 | 2022-02-04 | 三星ディスプレイ株式會社 | 光電素子 |
US9972804B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-05-15 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US11069874B2 (en) | 2016-03-28 | 2021-07-20 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US10720595B2 (en) | 2016-03-28 | 2020-07-21 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US11683948B2 (en) | 2016-03-28 | 2023-06-20 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US11956984B2 (en) | 2016-03-28 | 2024-04-09 | Lumitek Display Technology Limited | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100051991A1 (en) | 2010-03-04 |
US8093587B2 (en) | 2012-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
KR102126544B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치 | |
JP5411469B2 (ja) | 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法 | |
JP2010056211A (ja) | 有機el装置およびその製造方法 | |
KR102113606B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2012015097A (ja) | 表示装置 | |
US20180013098A1 (en) | Organic Light-Emitting Display Panel and Device | |
JP2007115645A (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
KR102200388B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
TWI241149B (en) | Electroluminescent device and method for manufacturing the same | |
JP2007123865A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR20110118277A (ko) | 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치 | |
JP5613998B2 (ja) | 発光装置および、発光装置の製造方法 | |
JP4254668B2 (ja) | 有機電界発光素子および表示装置 | |
JP6451016B2 (ja) | タンデム型の白色有機発光素子 | |
JP5744457B2 (ja) | 有機発光表示装置およびその製造方法 | |
TWI601445B (zh) | 有機電激發光元件 | |
JP5717373B2 (ja) | 有機発光装置 | |
JP2006139932A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
JP2010033973A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR20170033187A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
US20150144903A1 (en) | Organic light emitting diode device | |
JP2007257909A (ja) | 有機el素子 | |
JP5075027B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
TWI569492B (zh) | 有機發光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120423 |